JP5626897B2 - フォトダイオード - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1におけるフォトダイオードについて、図1Aおよび図1Bを用いて説明する。図1Aおよび図1Bは、本発明の実施の形態1におけるフォトダイオードの構成を示す断面図である。図1Aは、光が導波する方向に垂直な面の断面を示し、図1Bは、光が導波する方向に平行な面の断面を示している。
次に、本発明の実施の形態2について、図2A,図2Bを用いて説明する。図2Aおよび図2Bは、本発明の実施の形態2におけるフォトダイオードの構成を示す断面図である。図2Aは、光が導波する方向に垂直な面の断面を示し、図2Bは、光が導波する方向に平行な面の断面を示している。
Claims (5)
- 基板の上に形成された第1伝導型の第1半導体層および第2伝導型の第2半導体層と、
対象とする光を吸収する範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成され、前記第1半導体層および前記第2半導体層の間に挟まれた領域で前記第1半導体層の前記基板側に接して形成された光吸収層と、
対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成されて前記光吸収層の前記基板側に接して形成された上部クラッド層と、
対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成されて前記上部クラッド層の前記基板側に接して形成されたコア層と、
対象とする光を吸収しない範囲のバンドギャップエネルギーの半導体から構成されて前記コア層の前記基板側に接して形成された下部クラッド層と
を備え、
前記コア層および前記上部クラッド層の不純物濃度は、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間への電圧印加により、少なくとも一部の前記コア層および前記上部クラッド層が空乏化する範囲とされている
ことを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1記載のフォトダイオードにおいて、
前記第2半導体層の上に前記下部クラッド層が形成されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1記載のフォトダイオードにおいて、
前記下部クラッド層が、前記第2半導体層であることを特徴するフォトダイオード。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトダイオードにおいて、
前記下部クラッド層,前記コア層,前記上部クラッド層,前記光吸収層,および前記第1半導体層からなり、
前記基板から突出したメサ領域を有し、
前記メサ領域は、前記第1半導体層および前記光吸収層のある受光領域と、前記第1半導体層および前記光吸収層のない光導波領域とを備え、
前記受光領域の前記メサ領域の前記第1半導体層の上に形成された第1電極と、
前記受光領域の前記メサ領域以外の前記第2半導体層上に形成された第2電極と
を有することを特徴するフォトダイオード。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のフォトダイオードにおいて、
前記第1伝導型は、p型であることを特徴とするフォトダイオード。
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JP2011093051A JP5626897B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | フォトダイオード |
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Family Applications (1)
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