JP5619088B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
効率で且つ駆動電圧の低い発光素子及び発光装置に関する。
素子を用いた発光装置の開発が進められている。このような発光装置は他の薄型表示装置
と呼ばれる表示装置と比較して薄型軽量化に有利であり、自発光であるため視認性も良く
、応答速度も速い。そのため、次世代の表示装置として盛んに開発が進められ、現在、一
部実用化もなされている。
され、陰極として機能する電極から電子が注入される。そして、正孔と電子が再結合する
ことで有機材料を含む層中の発光材料が励起され、当該発光材料が基底状態に戻る際に余
分なエネルギーが光となって射出される。そのため、発光素子が発する光の大きさは発光
素子内を流れる電流に比例する。
バッテリーに限りのあるモバイル機器に搭載する発光装置の消費電力は、低ければ低いほ
ど良く、常に省電力化が求められている。また、テレビやディスプレイなどモバイル用途
以外においても、消費エネルギーの低減は環境問題、エネルギー問題などに関連し要求が
ますます高まっている。
善する、外部取り出し効率を改善する、駆動電圧を低減する等の方法がある。例えば特許
文献1では正孔と電子の注入バランスを概略等しくすることで内部発光効率を向上させ、
消費電力を低減させることが開示されている。
に消費電力は低ければ低いほど良く、また、現状は充分な低消費電力化が図られていると
は言い難い状態である。このため、さらなる消費電力の低下が望まれている。そこで本発
明では、さらに消費電力の低下が可能な発光素子及び発光装置を提供することを課題とす
る。
化合物を含む層とを有し、有機化合物を含む層は、発光層を有し、発光層はホスト材料中
に発光中心となる物質を分散した発光領域を複数有し、複数の発光領域の厚さは、それぞ
れ1nm以上10nm以下であり、複数の発光領域は互いに間隔をおいて形成されている
ことを特徴とする発光素子である。
化合物を含む層とを有し、有機化合物を含む層は、発光層を有し、発光層はホスト材料中
に発光中心となる物質を分散した発光領域を複数有し、複数の発光領域の厚さは、それぞ
れ1nm以上5nm以下であり、複数の発光領域は互いに間隔をおいて形成されているこ
とを特徴とする発光素子である。
元電位の絶対値が、ホスト材料の還元電位の絶対値より小さいことを特徴とする発光素子
である。また、本発明の一つは、上記構成において、発光中心となる物質の電子親和力が
、ホスト材料の電子親和力より大きいことを特徴とする発光素子である。
光材料であることを特徴とする発光素子である。
子吸引基を有することを特徴とする発光素子である。
子吸引基を有する燐光材料であることを特徴とする発光素子である。
ジ(N−カルバゾリル)ビフェニルであり、発光中心となる物質が(アセチルアセトナト
)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)
またはアセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)−5−メチル
ピラジナト]イリジウム(III)であることを特徴とする発光素子である。
が1nm以上10nm以下であることを特徴とする発光素子である。
が1nm以上5nm以下であることを特徴とする発光素子である。
以上5以下であることを特徴とする発光素子である。
もしくは3であることを特徴とする発光素子である。
であることを特徴とする発光素子である。
スト材料に対して0.001wt%乃至50wt%含まれていることを特徴とする発光素
子である。
スト材料に対して0.03wt%乃至30wt%含まれていることを特徴とする発光素子
である。
発光層に接してキャリア輸送層を有し、発光層は、キャリア輸送層と接する領域に、キャ
リア輸送性を有する材料よりなる領域を有し、キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
は、1nmから5nmの厚さで設けられ、キャリア輸送性を有する材料のバンドギャップ
は、キャリア輸送層に用いる物質のバンドギャップより大きいことを特徴とする発光素子
である。
少なくとも第1の層(第1の発光領域とも呼ぶ)と第2の層(第2の発光領域とも呼ぶ)
を有する。第1の層と第2の層は発光中心とホスト材料とを含み、発光中心はホスト材料
に分散されている。第1の層と第2の層のそれぞれの厚さは1nm以上10nm以下であ
り、第1の層は、第2の層に接していない。また、第1の層と第2の層の距離は1nm以
上10nm以下である。
少なくとも第1の層(第1の発光領域とも呼ぶ)、第2の層(第2の発光領域とも呼ぶ)
、及び第3の層(第3の発光領域とも呼ぶ)を有する。第1の層と第2の層は発光中心と
ホスト材料を含み、発光中心はホスト材料に分散されている。第1の層と第2の層のそれ
ぞれの厚さは1nm以上10nm以下である。第3の層は、第1の層と第2の層の間に設
けられている。また、第3の層の厚さは1nm以上10nm以下である。また、第3の材
料はホスト材料を含む。
料である。
ることが可能となる。また、発光層の厚さを薄くすることにより、低消費電力化が実現し
た発光素子及び発光装置を得ることが可能となる。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図1(A)は本発明の発光素子の模式図である。本発明の発光素子は第1の電極100
、第2の電極105からなる一対の電極間に、有機化合物を含む層を有し、有機化合物を
含む層は少なくとも発光層102を有している。図1(A)では発光層102は第1の発
光領域102aと第2の発光領域102bとキャリア輸送性を有する材料よりなる領域1
03を有している。キャリア輸送性を有する材料よりなる領域103は、第1の発光領域
102aと第2の発光領域102bとの間に設けられている。従って、第1の発光領域1
02aと第2の発光領域102bは、互いに間隔をおいて形成されている。また、電極と
発光層102との間には、キャリア注入性、輸送性を有する材料で形成された第1のキャ
リア輸送層101、第2のキャリア輸送層104が設けられていても良い。なお、図1(
A)において、第1のキャリア輸送層101は発光層102から見て第1の電極100側
に設けられ、第2のキャリア輸送層104は第2の電極105側に設けられていることと
する。本発明において、発光領域は複数形成されるが、図1(A)では発光領域が2層で
ある例を示した。
からなる一対の電極のうち、どちらか一方の電極の電圧が他方の電極の電圧よりも高くな
るように電圧をかけた際、発光層102から発光が得られる。
導電材料によって形成する。この際、他方の電極を反射率の高い材料で形成することによ
って効率よく発光を取り出すことができる。また、両方の電極を透光性を有する導電材料
で形成すれば、発光素子の両側から光を取り出すこともできる。なお、発光層102から
の発光を得る際に高い電圧をかける方の電極には仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV
以上)導電材料を用いることが望ましく、また、発光を得る際に低い電圧をかける方の電
極には仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)導電材料を用いることが望ましいが
、有機化合物を含む層にキャリアの注入性を有する材料を電極に接して設けることによっ
て仕事関数に関わらず導電材料を電極として用いることができる。
いることができる。例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、白金(P
t)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、
鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、リチウム(Li)、
セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr
)、チタン(Ti)などの導電性を有する金属、又はアルミニウムとシリコンからなる合
金(Al−Si)、アルミニウムとチタンからなる合金(Al−Ti)、アルミニウム、
シリコン、銅からなる合金(Al−Si−Cu)等の合金、または窒化チタン(TiN)
等の金属材料の窒化物、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxid
e)、ケイ素を含有するITO(ITSO)、酸化インジウムに2〜20wt%の酸化亜
鉛(ZnO)を混合したIZO(Indium Zinc Oxide)等の金属化合物
などを用いることができる。なお、ITO、ITSO、IZO等は透光性を有する導電材
料であるため、発光を取り出す方の電極材料として好適に用いることができる。また、ア
ルミニウムや銀など厚膜で形成すると非透光性であるが、薄膜化すると透光性を有するよ
うになるため、アルミニウムや銀の薄膜を、透光性を有する電極として用いることもでき
る。なお、アルミニウムや銀等は反射率が高いため、ある程度以上の膜厚で形成すること
によって反射電極として用いることもできる。これらの電極はスパッタ法、蒸着法など公
知の方法によって形成することができる。
を有する材料に発光中心となる物質を分散して形成する。発光領域中の発光中心となる物
質はホスト材料に対して0.001wt%乃至50wt%、好ましくは0.03wt%乃
至30wt%含まれる。ホスト材料及び発光中心となる物質にはキャリア輸送性材料、発
光性の高い材料をそれぞれ用いることができるが、本発明においては、発光中心となる物
質の還元電位の絶対値がホスト材料の還元電位の絶対値より小さくなるように材料を組み
合わせる。別言すると、発光中心となる物質の電子親和力が、ホスト材料の電子親和力よ
り大きくなるように材料を組み合わせれば良い。このような組み合わせの場合、従来の素
子構造では、発光中心となる物質が電子トラップとして作用するため、素子の駆動電圧が
高くなってしまうが、本発明の素子構造を適用することにより、駆動電圧の上昇を解消す
ることができる。
電位を検出することにより測定することができる。また、CV測定により明確な還元ピー
ク電位が見られない物質の還元電位の絶対値は、明確に還元ピーク電位が測定できる物質
の還元電位の絶対値より大きいと言うことができる。このような関係を有する材料の組み
合わせの代表例としては、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフ
ェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac
))またはアセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)−5−メ
チルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−Me)2(acac
))を発光中心となる物質とし、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:
CBP)をホスト材料として用いる組み合わせがある。
のが挙げられる。すなわち、上述した4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略
称:CBP)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミ
ノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−
メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、
4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニ
ルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−ト
リル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カ
ルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、トリス(8−キノリノラト)アル
ミニウム(略称:Alq3)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(
略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(
略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト
−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキ
サゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベ
ンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)、2−(4−ビフェニリル)−5−(
4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1
,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−
2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−
5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ01
)、3−(4−ビフェニリル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−tert−ブ
チルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ))、バソフェナン
トロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2,2’,2’’
−(1,3,5−ベンゼントリイル)−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾー
ル)(略称:TPBI)、4,4−ビス(5−メチルベンズオキサゾル−2−イル)スチ
ルベン(略称:BzOs)等である。
以下のものが挙げられる。すなわち、上述した(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビ
ス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fd
pq)2(acac))及びアセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフ
ェニル)−5−メチルピラジナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−M
e)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(2,3−ジフェニルキノキサリナ
ト)イリジウム(III)(略称:Ir(dpq)2(acac))、(アセチルアセト
ナト)ビス[2−(4−フルオロフェニル)−3−メチルキノキサリナト]イリジウム(
III)(略称:Ir(MFpq)2(acac))、ビス[2,3−ビス(4−トリフ
ルオロメチルフェニル)キノキサリナト](ピコリナト)イリジウム(III)(略称:
Ir(CF3dpq)2(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリ
ジナト]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)のような燐光材料や
、4−ジシアノメチレン−2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチ
ルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTI)、4−ジシ
アノメチレン−2−メチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−
9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJT)、4−ジシアノメチレン−2−
tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル
)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTB)、N,N’−ジメチルキナクリドン(
略称:DMQd)、N,N’−ジフェニルキナクリドン(略称:DPQd)、9,10−
ジフェニルアントラセン(略称;DPAnth)、ナイルレッド、クマリン6、クマリン
545Tのような蛍光材料等である。
電圧が高いという欠点があった。本発明の形態に燐光材料を適用すると、電流効率が高く
、かつ駆動電圧が低くなる。したがって、消費電力を大幅に低減できる。
リナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、アセチルア
セトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)−5−メチルピラジナト]イリ
ジウム(III)(略称:Ir(Fdppr−Me)2(acac))、(アセチルアセ
トナト)ビス[2−(4−フルオロフェニル)−3−メチルキノキサリナト]イリジウム
(III)(略称:Ir(MFpq)2(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオ
ロフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)は
フルオロ基を、ビス[2,3−ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)キノキサリナト
](ピコリナト)イリジウム(III)(略称:Ir(CF3dpq)2(pic))は
トリフルオロメチル基を、4−ジシアノメチレン−2−イソプロピル−6−[2−(1,
1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:
DCJTI)、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−[2−(1,1,7,7−テト
ラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJT)、4−
ジシアノメチレン−2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル
ジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTB)はシアノ基を
、N,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、N,N’−ジフェニルキナクリ
ドン(略称:DPQd)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称;DPAnth)、
ナイルレッド、クマリン6、クマリン545Tはカルボニル基を有している。このように
、フルオロ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基のような電子吸引基を有
している物質は電子トラップ性が高い(電子親和力が大きい)傾向にあるため、従来の形
態では駆動電圧が高くなる。しかし、本発明の形態に適用すると、駆動電圧を低減するこ
とができる。
り駆動電圧を低減することができる。
上10nm以下、好ましくは1nm以上5nm以下であることが望ましい。発光領域はホ
スト材料と発光中心とする物質を共蒸着することによって形成することができる。また、
湿式法やその他の方法で形成しても良い。
なる領域103を形成することによって間隔をあけて設けられている。キャリア輸送性を
有する材料よりなる領域103はキャリア輸送性を有し、発光領域からの発光を消光しな
ければどのような材料を用いて形成してもよいが、本発明ではそれぞれの発光領域の膜厚
は1nm以上10nm以下、好ましくは1nm以上5nm以下とする。キャリア輸送性を
有する材料よりなる領域103としては、NPB、TPD、TDATA、MTDATA、
DNTPD、m−MTDAB、TCTA、Alq3、Almq3、BeBq2、BAlq
、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2、PBD、OXD−7、TAZ01、p−EtT
AZ、BPhen、BCP、TPBI、BzOs等の材料を用いることができる。また、
これらを組み合わせて用いても良い。このキャリア輸送性を有する材料よりなる領域10
3と発光層102のホスト材料を同じ材料で形成しても良く、この場合、作製工程が簡略
化でき、有利である。キャリア輸送性を有する材料よりなる領域103は蒸着法などの方
法で作製すればよい。なお、作製上の理由でキャリア輸送性を有する材料よりなる領域1
03中に発光中心となる物質が微量に含まれている場合があるが、それも問題なく動作す
ることから本発明に含めることとする。
材料、もう一方が電子輸送性が高い材料で形成される。発光層を基準として、発光層から
発光を得る際、高い電圧をかける方の電極側に形成された方の層を正孔輸送性が高い材料
で形成し、低い電圧をかける方の電極側に形成された方の層を電子輸送性が高い材料で形
成する。これにより効率的にキャリアを発光層102まで輸送することができる。正孔輸
送性が高い材料としては、NPB、TPD、TDATA、MTDATA、DNTPD、m
−MTDAB、TCTA、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅フタロシアニン(略称
:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)、酸化モリブデン、酸化バナ
ジウム等が挙げられる。また、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成し
た多層構造の層であってもよい。電子輸送性が高い材料としては、Alq3、Almq3
、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2、PBD、OXD−7、
TAZ01、p−EtTAZ、BPhen、BCP、TPBI、BzOs等が挙げられる
。また、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であっ
てもよい。これらキャリア輸送層は蒸着法などの方法によって形成すればよい。材料によ
っては湿式法などを用いて形成しても良い。
及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103がキャリアの突抜を緩和することで
、電子と正孔の各キャリアの再結合効率が良く、一層の厚い発光層を有する従来の発光素
子と同程度の電流効率(電流密度と輝度との関係で表される)を得ることができる。また
、本発明の発光素子は一層の厚い発光層を有する従来の発光素子より駆動電圧が低いこと
から、消費電力の低い発光素子とすることができる。また、本発明の発光素子は、発光層
の厚さを、従来の発光素子の発光層の厚さよりも薄くすることができることから、消費電
力の低い発光素子とすることができる。
層104よりさらにキャリアの注入性に優れたキャリア注入層である第1のキャリア注入
層106、第2のキャリア注入層107を設けた構成である。キャリア注入層はキャリア
輸送層より電極側に設ける。また、発光層から発光を得る際、発光層の位置を基準として
高い電圧をかける電極側に設ける方のキャリア注入層は正孔注入性に優れた材料で形成し
、低い電圧をかける方の電極側に設けるキャリア注入層は電子注入性に優れた材料で形成
する。なお、キャリア注入層にはキャリア輸送層に用いた材料より、相対的にキャリア注
入性に優れた材料を用いれば良いが、具体的にはフタロシアニン(略称:H2Pc)や銅
フタロシアニン(略称:CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(エチレ
ンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(略称:PEDOT/PS
S)等の高分子等が挙げられる。電子注入性に優れた材料としてはアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ金属
の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。また、無機物の他、BP
hen、BCP、p−EtTAZ、TAZ、BzOs等が挙げられる。この構成とするこ
とによってより効率的に電極からキャリアを注入することができるようになる。キャリア
注入層は蒸着法などの方法によって形成することができる。
有する材料よりなる領域108a、108bを設けた構成である。キャリア輸送性を有す
る材料よりなる領域108a、108bはキャリア輸送性を有する材料よりなる領域10
3と同様の材料で形成すればよい。キャリア輸送性を有する材料よりなる領域108a、
108bはどちらか片方のみ設けても良い。本発明の発光素子はこのような構成であって
も良い。
やキャリア注入層などの機能層)に移ってしまう恐れがある場合、当該エネルギーが移っ
てしまう恐れのある層と発光層との間にキャリア輸送性を有する材料よりなる領域108
aもしくは108bを設けると良い。この際、キャリア輸送性を有する材料のバンドギャ
ップを当該エネルギーが移ってしまう恐れのある層(例えば、キャリア輸送層101や1
04)に用いる物質のバンドギャップより大きくする。また、キャリア輸送性を有する材
料よりなる領域108aもしくは108bは1nmから5nmの厚さとすると良い。この
ような構成を有する本発明の発光素子は、発光中心となる物質の励起エネルギーが他の層
に移ってしまうことを効果的に抑制することができ、発光効率の向上に繋がる。また、こ
の構成はキャリア輸送性を有する材料よりなる領域108aもしくは108bの厚さが1
nmから5nmと薄いことから、駆動電圧の上昇もほとんど無く当該効果を得ることがで
きる有利な構成である。
、第3の発光領域102c、キャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a、キャリ
ア輸送性を有する材料よりなる領域103bで構成されている。この場合、第1の発光領
域102aと第2の発光領域102bとの間に第1のキャリア輸送性を有する材料よりな
る領域103aが、第2の発光領域102bと第3の発光領域102cとの間に第2のキ
ャリア輸送性を有する材料よりなる領域103bが設けられる。従って、第1の発光領域
102a、第2の発光領域102b、第3の発光領域102cは、互いに間隔をおいて形
成されている。第3の発光領域102cに用いる材料等は図1における第1の発光領域1
02a、第2の発光領域102bと同様であり、また、第1のキャリア輸送性を有する材
料よりなる領域103a、第2のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103bに用
いる材料等は図1におけるキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103と同様である
ので繰り返しとなる説明を省略する。該当の記載を参照されたい。なお、図1(B)、図
1(C)に記載の構成も組み合わせて用いることができる。
及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a、103bがキャリアが再結合せ
ずに発光層102を突抜けてしまうことを緩和することで、電子と正孔の各キャリアの再
結合効率が良く、一層の厚い発光層を有する従来の発光素子と同程度の電流効率(電流密
度と輝度との関係で表される)を得ることができる。また、本発明の発光素子は一層の厚
い発光層を有する従来の発光素子より駆動電圧が低いことから、消費電力の低い発光素子
とすることができる。また、本発明の発光素子は、発光層の厚さを、従来の発光素子の発
光層の厚さよりも薄くすることができることから、消費電力の低い発光素子とすることが
できる。
、第3の発光領域102c、第4の発光領域102d、第1のキャリア輸送性を有する材
料よりなる領域103a、第2のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103b、第
3のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103cで構成されている。この場合、第
1の発光領域102aと第2の発光領域102bとの間に第1のキャリア輸送性を有する
材料よりなる領域103a、第2の発光領域102bと第3の発光領域102cとの間に
第2のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103b、第3の発光領域102cと第
4の発光領域102dとの間に第3のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103c
が設けられる。従って、第1の発光領域102a、第2の発光領域102b、第3の発光
領域102c、第4の発光領域102dは、互いに間隔をおいて形成されている。第3の
発光領域102c、第4の発光領域102dに用いる材料等は図1における第1の発光領
域102a、第2の発光領域102bと同様であり、また、第1のキャリア輸送性を有す
る材料よりなる領域103a、第2のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103b
、第3のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103cに用いる材料等は図1におけ
るキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103と同様であるので繰り返しとなる説明
を省略する。該当の記載を参照されたい。なお、図1(B)、図1(C)に記載の構成も
組み合わせて用いることができる。
及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a、103b、103cがキャリア
が再結合せずに発光層102を突抜けてしまうことを緩和することで、電子と正孔の各キ
ャリアの再結合効率が良く、一層の厚い発光層を有する従来の発光素子と同程度の電流効
率(電流密度と輝度との関係で表される)を得ることができる。また、本発明の発光素子
は一層の厚い発光層を有する従来の発光素子より駆動電圧が低いことから、消費電力の低
い発光素子とすることができる。また、本発明の発光素子は、発光層の厚さを、従来の発
光素子の発光層の厚さよりも薄くすることができることから、消費電力の低い発光素子と
することができる。
(但しnは2以上の自然数)及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a〜キ
ャリア輸送性を有する材料よりなる領域103yのm層(但し、m=n−1を満たす)で
構成した例である。この場合、キャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a〜キャ
リア輸送性を有する材料よりなる領域103yのm層(但し、m=n−1を満たす)は、
各々発光領域と発光領域との間に形成される。第1の発光領域102a〜第nの発光領域
102xに用いる材料等は図1における第1の発光領域102a、第2の発光領域102
bと同様であり、また、第1のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a〜第m
のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103yに用いる材料等は図1におけるキャ
リア輸送性を有する材料よりなる領域103と同様であるので繰り返しとなる説明を省略
する。該当の記載を参照されたい。なお、図1(B)、図1(C)に記載の構成も組み合
わせて用いることができる。
及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103a、103b、103cがキャリア
が再結合せずに発光層102を突抜けてしまうことを緩和することで、電子と正孔の各キ
ャリアの再結合効率が良く、一層の厚い発光層を有する従来の発光素子と同程度の電流効
率(電流密度と輝度との関係で表される)を得ることができる。また、本発明の発光素子
は一層の厚い発光層を有する従来の発光素子より駆動電圧が低いことから、消費電力の低
い発光素子とすることができる。なお、nの数はあまり大きいと駆動電圧が高くなってし
まうと考えられ、2以上5以下が好ましく、さらに好ましくは2以上3以下であることが
望ましい。
a、第2のバッファ層109b)を設けた構成である。発光層を基準として発光を得る際
、高い電圧をかける方の電極側に設けるバッファ層109は正孔輸送性を有する有機化合
物と金属化合物との複合材料によって形成される。金属化合物としては、遷移金属の酸化
物や窒化物が望ましく、4〜8族に属する金属の酸化物もしくは窒化物がさらに望ましい
。その中でもバナジウム酸化物、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化
物、レニウム酸化物及びルテニウム酸化物は好適である。正孔輸送性を有する有機化合物
としては、NPB、TPD、TDATA、MTDATA、DNTPD、m−MTDAB、
TCTA等のアリールアミノ基を有する有機材料の他、H2Pc、CuPc、VOPc等
も用いることができる。
して好適に用いることができ、その具体例としては3−[N−(9−フェニルカルバゾー
ル−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPC
A1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルア
ミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)等を挙げることができる。
この構造を有する有機化合物を用いた複合材料は熱的安定性に優れ、信頼性が良い。
素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール
基、アリールアルキル基、炭素数1〜7のアシル基のいずれかを表し、Ar1は、炭素数
6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基のいずれかを表し、R2は、水
素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R4は
、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、一般式(2)で示さ
れる置換基のいずれかを表す。)
ル基、炭素数5〜9のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数1〜7のアシル基
のいずれかを表し、Ar2は、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリ
ール基のいずれかを表し、R6は、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12の
アリール基のいずれかを表す。)
ることができる。下記一般式(3)乃至(6)のいずれかで表される有機化合物の具体例
としては、N−(2−ナフチル)カルバゾール(略称:NCz)、4,4’−ジ(N−カ
ルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9,10−ビス[4−(N−カルバゾリル)
フェニル]アントラセン(略称:BCPA)、3,5−ビス[4−(N−カルバゾリル)
フェニル]ビフェニル(略称:BCPBi)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾ
リル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)等を挙げることができる。
ert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)
、テトラセン、ルブレン、ペンタセン等の芳香族炭化水素も用いることができる。また、
4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称;DPVBi)、9,1
0−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称;DPVP
A)等のビニル基を有する芳香族炭化水素も用いることができる。
ことによって作製することができるが、湿式法やその他のどの方法によって形成されてい
ても良い。なお、バッファ層109において有機化合物と金属化合物とは質量比で95:
5〜20:80、さらには90:10〜50:50であることが望ましい。
ファ層109を設ける場合は、バッファ層109を2層構造として形成することが好まし
い。具体的には電子を発生する機能を有する層をバッファ層109内の発光層102側に
さらに設ける。電子を発生する機能を有する層は、透明導電材料や、電子輸送性を有する
有機化合物と無機化合物との複合材料で形成すればよい。無機化合物としてはアルカリ金
属及びアルカリ土類金属、もしくはそれらを含む酸化物や窒化物が望ましく、具体的には
、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウム、リチウム酸化物、マグネシウム窒化物、カルシウム窒化物であることが
好ましい。また、電子輸送性を有する有機化合物としては、例えば、Alq3、Almq
3、BeBq2、BAlq等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等
からなる材料を用いることができる。また、この他、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)
2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いること
ができる。さらに、金属錯体以外にも、PBD、OXD−7、TAZ01、p−EtTA
Z、BPhen、BCP等を用いることができる。
る。電極で反射され、戻ってきた光は直接発光素子外部に射出する光と干渉を起こす。バ
ッファ層の109の厚みを調節し、直接発光素子外部に射出する光と反射電極で反射され
戻ってくる光の位相を合わせることによって発光を増幅し、同じ電流を流した場合により
大きな輝度を得ることができるようになる。すなわち、発光効率を向上させることができ
るようになる。また、光の位相を合わせることはある特定の波長においてなされるため、
色純度も向上する。上述したような材料は波長の長さ程度に厚く形成しても駆動電圧の上
昇をほとんど招かず上記のような光学設計を行うことが可能となる。
によって、電極上に形成されてしまった凹凸を緩和することができ、第1の発光領域10
2a、第2の発光領域102b、及びキャリア輸送性を有する材料よりなる領域103な
どが当該凹凸によって途切れてしまう不良を大幅に低減することも可能となる。本発明の
発光素子において、第1の発光領域102a、第2の発光領域102b、及びキャリア輸
送性を有する材料よりなる領域103は非常に薄く形成されるため、僅かな凹凸でも層が
途切れてしまう可能性があり、バッファ層109を設けることは有効であると考えられる
。
方に設けることができる。
ることが可能である。
本実施の形態では、本発明の発光装置の作製方法について図4〜図6を参照しながら説
明する。なお、本実施の形態ではアクティブマトリクス型で対向基板側に光を射出する発
光装置を作製する例を示したが、もちろんパッシブマトリクス型の発光装置にも適用する
ことができる。
さらに半導体層を第2の下地絶縁層51b上に形成する。(図4(A))
チレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンな
ど)等を用いることができる。これら基板は必要に応じてCMP等により研磨してから使
用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。
カリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散する
のを防ぐ為に設ける。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒素を含む酸化ケイ素、酸
素を含む窒化ケイ素などを用いることができる。本実施の形態では第1の下地絶縁層51
aを窒化ケイ素で、第2の下地絶縁層51bを酸化ケイ素で形成する。本実施の形態では
、下地絶縁層を第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bの2層で形成したが、
単層で形成してもかまわないし、2層以上の多層であってもかまわない。また、基板から
の不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。
も良い。高密度プラズマは例えば2.45GHzのマイクロ波を用いることによって生成
され、電子密度が1011〜1013/cm3且つ電子温度が2eV以下、イオンエネル
ギーが5eV以下であるものとする。このような高密度プラズマは活性種の運動エネルギ
ーが低く、従来のプラズマ処理と比較してプラズマによるダメージが少ないため、欠陥の
少ない膜を形成することができる。マイクロ波を発生するアンテナから基板50までの距
離は20〜80mm、好ましくは20〜60mmとすると良い。
む雰囲気下、またはアンモニアと希ガスを含む雰囲気下において、上記高密度プラズマ処
理を行うことによって基板50の表面を窒化することができる。基板50としてガラス基
板、石英基板またはシリコンウエハなどを用いた場合、上記高密度プラズマによる窒化処
理を行った場合、基板50表面に形成される窒化膜は窒化ケイ素を主成分とするため、第
1の下地絶縁層51aとして利用することができる。この窒化物層の上に酸化ケイ素また
は酸化窒化ケイ素をプラズマCVD法により第2の下地絶縁層51bを形成しても良い。
ズマによる窒化処理を行うことによって、その表面に窒化膜を形成することができる。こ
の窒化膜は基板50からの不純物の拡散を抑制することができるが、きわめて薄く形成す
ることができる為、その上に形成する半導体層への応力の影響が少ないので好ましい。
。第2の下地絶縁層51b上に非晶質ケイ素膜を25〜100nm(好ましくは30〜6
0nm)の膜厚で形成する。作製方法としては、スパッタ法、減圧CVD法またはプラズ
マCVD法などがある。その後、500℃で1時間の加熱処理を行い、水素出しをする。
。本実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを
光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質ケイ素膜に照射することで結晶質ケ
イ素膜とし、半導体層として用いる。
法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化
を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金
などが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合
に比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。
熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板50を熱に強い石英基板などにすればよい。
いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にN型もしくはP型を
呈する不純物(リン、ボロンなど)をイオンドーピング法などにより添加する。
を得る。この工程は半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼
成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをするこ
とにより行われる。
ズマCVD法またはスパッタ法を用いて膜厚を40〜150nmとしてケイ素を含む絶縁
層で形成する。本実施の形態では酸化ケイ素を用いて形成する。この場合、ゲート絶縁膜
53の表面を酸素雰囲気もしくは窒素雰囲気で高密度プラズマにより処理し、酸化または
窒化処理を行い緻密化しても良い。
処理を行って、半導体層の表面を酸化または窒化処理しても良い。このとき、基板50の
温度を300〜450℃とし、酸素雰囲気または窒素雰囲気で処理することにより、その
上に形成するゲート絶縁膜53と良好な界面を形成することができる。
、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた
元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶ケイ素膜に代表される半導体膜を用いてもよ
い。また、AgPdCu合金を用いてもよい。
ン、上層にモリブデンなどの2層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート
電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わ
せも適宜選択すればよい。ゲート電極54の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用
し、エッチングをして行う。
れによって半導体層52、ゲート絶縁膜53、及びゲート電極54を含む薄膜トランジス
タ70が形成される。
スタを作製できるように適宜変更すればよい。
プゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜
トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体はケイ素だけではなくシ
リコンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニ
ウムの濃度は0.01〜4.5atomic%程度であることが好ましい。
導体膜(セミアモルファス半導体)を用いてもよい。また0.5nm〜20nmの結晶を
粒観察することができる微結晶半導体膜は、いわゆるマイクロクリスタル(μc)とも呼
ばれている。
ケイ素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的なケイ素を
含む気体としては、SiH4であり、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHC
l3、SiCl4、SiF4などを用いることができる。このケイ素を含む気体を水素、
水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス
元素で希釈して用いることでSASの形成を容易なものとすることができる。希釈率は1
0倍〜1000倍の範囲でケイ素を含む気体を希釈することが好ましい。グロー放電分解
による被膜の反応生成は0.1Pa〜133Paの範囲の圧力で行えば良い。グロー放電
を形成するための電力は1MHz〜120MHz、好ましくは13MHz〜60MHzの
高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は300度以下が好ましく、100〜250
度の基板加熱温度が好適である。
にシフトしており、X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる(111)、(220
)の回折ピークが観測される。未結合手(ダングリングボンド)の終端化のため、水素又
はハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として
、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020/cm3以下とすることが望
ましく、特に、酸素濃度は5×1019/cm3以下、好ましくは1×1019/cm3
以下とする。セミアモルファスシリコンを用いたTFTの移動度(μ)は1〜10cm2
/Vsecとなる。
イ素により形成する。絶縁膜(水素化膜)59を形成したら480℃で1時間程度加熱を
行って、不純物元素の活性化及び半導体層52の水素化を行う。絶縁膜(水素化膜)59
を形成した後に、水素ガスを導入して高密度プラズマ処理をすることで絶縁膜(水素化膜
)59の水素化を行っても良い。これにより当該層を緻密化することができる。また、そ
の後400〜450度の熱処理を行って水素を放出させ、半導体層52の水素化をするこ
とができる。
絶縁層60を形成する材料としては酸化ケイ素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、低
誘電率材料等を用いるとよい。本実施の形態では酸化ケイ素膜を第1の層間絶縁層として
形成した(図4(B))。
マスクを用いて、半導体層52が露出するまでエッチングを行うことで形成することがで
き、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条
件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行
っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチン
グの両方を用いても良い(図4(C))。
電層を所望の形状に加工し、接続部61a、配線61bなどが形成される。この配線はア
ルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブデ
ンの合金等の単層でも良いが、基板側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層
構造やチタン、アルミニウム、チタンの積層構造やチタン、窒化チタン、アルミニウム、
チタンの積層構造でも良い(図4(D))。
63を形成する。第2の層間絶縁層63の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポ
リイミド、シロキサンなどが好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを第2の層
間絶縁層63として用いる(図4(E))。
の画素電極のエッチングにおいて、第2の層間絶縁層63が必要以上にエッチングされて
しまうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第2の層間絶縁層のエッチングレー
トの比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第2の層間絶縁層63を貫通し
て接続部61aに至るコンタクトホールを形成する。
光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子
の第1の電極64を形成する。ここで第1の電極64は接続部61aと電気的に接触して
いる。
Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)
、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、リチウム(Li)
、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(S
r)、チタン(Ti)などの導電性を有する金属、又はアルミニウムとシリコンからなる
合金(Al−Si)、アルミニウムとチタンからなる合金(Al−Ti)、アルミニウム
、シリコン、銅からなる合金(Al−Si−Cu)等の合金、または窒化チタン(TiN
)等の金属材料の窒化物、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxi
de)、ケイ素を含有するITO(ITSO)、酸化インジウムに2〜20wt%の酸化
亜鉛(ZnO)を混合したIZO(Indium Zinc Oxide)等の金属化合
物など実施の形態1に示したような導電膜により形成することができる。
ム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、ケイ素を含有するITO(
ITSO)、酸化インジウムに2〜20wt%の酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(
Indium Zinc Oxide)などの金属化合物の他、Al、Ag等金属の極薄
膜を用いる。本実施の形態では、対向基板側(第2の電極側)から発光を取り出すため、
第1の電極は反射率の高い材料(Al、Ag等)を用いることが好ましい。本実施の形態
ではアルミニウムを第1の電極64として用いた(図5(A))。
しくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第1の電極64の一部が
露出するように加工し、隔壁65を形成する。隔壁65の材料としては、感光性を有する
有機材料(アクリル、ポリイミドなど)が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材
料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁65の材料にチタンブラックやカーボ
ンナイトライドなどの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁65を黒くする
ことでブラックマトリクスのように用いても良い。隔壁65の第1の電極に向かう端面は
曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい(図5
(B))。
電極67を形成する。これによって第1の電極64と第2の電極67との間に有機化合物
を含む層66を挟んでなる発光素子93を作製することができる。対向基板側から光を射
出する発光装置では第2の電極67は透光性を有する導電材料を用い、本実施の形態では
ITSOにより第2の電極67を形成する。これで第1の電極64、第2の電極67の間
に有機化合物を含む層66を挟んでなる発光素子が形成された。発光素子は実施の形態1
に示したような構成を有する。
形成する。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でSiH4、N
2O、NH3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはSiH4、N2Oから作製される
酸化窒化ケイ素膜、あるいはSiH4、N2OをArで希釈したガスから形成される酸化
窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第1のパッシベーション膜は単層構造に限定さ
れるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いて
も良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケ
イ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化ケイ素膜の代わりに形成しても
よい。
う。対向基板を封止に用いる場合は、図示しない絶縁性のシール材により、外部接続部が
露出するように貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの
不活性気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を貼
り合わせても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材に
は乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外
部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、発光装置が完成する(図6
)。本実施の形態では対向基板94と素子との間に透光性を有する樹脂88等を充填し、
封止を行う。これにより発光素子93が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また
、樹脂88が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂88中に透光性の高い乾燥
剤89を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形
態である。
デオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号
が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時に
おいて、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ
信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる
電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される
電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加
される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電
流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発
明の発光装置及びその駆動方法には、上記したどの駆動方法を用いてもよい。
本発明の実施に用いる蒸着装置及び、その蒸着装置を用いて本発明の発光素子を形成す
る方法の一つについて、図12〜15を用いて説明する。本実施の形態では、発光領域の
ホスト材料とキャリア輸送性を有する層を形成する材料が同じである場合に特に有効であ
る。なお、この方法で作製された発光素子におけるキャリア輸送性を有する層には発光中
心となる物質がごく微量混入してしまう場合もある。
1の他、搬送室1002が設けられている。被処理物は搬送室1002を経て処理室10
01へ搬送される。搬送室1002には、被処理物を移載する為のアーム1003が備え
付けられている(図15)。
の材料が保持された蒸発源1011aと、第2の材料が保持された蒸発源1011bが設
けられている。図12において、被処理物を保持する為の保持部は、軸1013を中心と
して回転する第1の回転板1012と、第1の回転板1012上に設けられた複数の第2
の回転板1014a〜1014dとで構成されている。第2の回転板1014a〜101
4dは、軸1013とは別に、第2の回転板1014a〜1014dのそれぞれに対して
設けられた軸を中心として、それぞれ独立に回転する。被処理物1015a〜1015d
は、第2の回転板1014a〜1014dのそれぞれの上に保持される。
回転板1014bには被処理物1015bが保持され、第2の回転板1014cには被処
理物1015cが保持され、第2の回転板1014dには被処理物1015dが保持され
ている。
た材料を加熱して昇華させる。また、第1の回転板1012、及び被処理物が保持された
第2の回転板1014a〜1014dを回転させる。図12に表されているように、被処
理物1015aと蒸発源1011aとの距離が、被処理物1015aと蒸発源1011b
との距離よりも近いとき、被処理物1015a上には、第2の材料の濃度よりも第1の材
料の濃度の方が高くなるように、それぞれの材料が蒸着される。これに対し、被処理物1
015cのように、被処理物1015cと蒸発源1011bとの距離が、被処理物101
5cと蒸発源1011aとの距離よりも近いとき、被処理物1015c上には、第1の材
料の濃度よりも第2の材料の濃度の方が高くなるように、それぞれの材料が蒸着される。
14aの位置が変わって、図12における第2の回転板1014cの位置において被処理
物1015aが保持され、被処理物1015aと蒸発源1011bとの距離が、被処理物
1015aと蒸発源1011aとの距離よりも近くなると、被処理物1015a上には、
第1の材料の濃度よりも第2の材料の濃度が高くなるように、それぞれの材料が蒸着され
る。
の位置を変えることによって、被処理物1015a〜1015d上に、含まれている材料
の濃度比がそれぞれ異なる複数の領域を有する発光領域を形成することができる。ここで
、発光領域に含まれる各領域の積層方向の厚さ(濃度比の周期的変化の一周期の長さ)は
、第1の回転板1012の回転速度等を調節することによって、適宜変えればよい。
の変化の一周期は短くなる。つまり、発光領域に含まれる、発光中心となる物質とホスト
材料の濃度比の変化の一周期は短くなる。
011bからの蒸着速度を大きくすることにより、第1の材料と第2の材料の濃度比の変
化の一周期を長くすることもできる。
なる物質を用い、第2の材料としてホスト材料を用いることにより、本発明の発光素子を
簡便に作製することが可能となる。
ーを開閉することにより各領域を形成する方法が考えられる。
てもよい。例えば、第1の回転板のみ回転させて蒸着してもよい。
特に限定はなく、図12に表されるような円形の他、四角形等の多角形であってもよい。
また、第2の回転板1014a〜1014dは、必ずしも設けなくてもよいが、第2の回
転板1014a〜1014dを設けることによって、被処理物に形成される層の厚さ等の
面内バラツキを低減することができる。
されるような蒸発源の位置が変わるような構成であってもよい。
する回転板1026と、被処理物を保持する為の保持部1022とが、対向して設けられ
ている。また、保持部1022には、被処理物1025a〜1025dが保持されている
。蒸発源1021aには第1の材料が、蒸発源1021bには第2の材料が、それぞれ保
持されている。そして、蒸発源1021bよりも蒸発源1021aの方が被処理物102
5aに近くなるようにそれぞれの蒸発源が位置しているとき、被処理物1025a上には
、第2の材料の濃度よりも第1の材料の濃度の方が高くなるように、それぞれの材料が蒸
着される。また、回転板1026が回転し、蒸発源1021aよりも蒸発源1021bの
方が被処理物1025aに近くなるように位置するようなれば、被処理物1025a上に
は、第1の材料の濃度よりも第2の材料の濃度の方が高くなるように、それぞれの材料が
蒸着される。このように、蒸着装置は、蒸発源の位置が変わることによって、被処理物に
対する蒸発源の位置が変わるような構成を有するものであってもよい。つまり、蒸発源と
被処理物とは、それぞれの位置が相対的に変化するように設けられていればよい。
1の材料と第2の材料の濃度比の周期的変化の一周期の長さは短くなる。つまり、発光領
域に含まれる、発光中心となる物質とホスト材料の濃度比の変化の一周期は短くなる。
保持部との間に開口部が設けられた回転板を有する構成であってもよい。この回転板は開
口部の位置が変わるとマスクとして機能する。
蒸発源1031bとは開口部1040が設けられた回転板1038を間に挟んで、それぞ
れ保持部1032と対向するように設けられている。回転板1038は、軸1039を中
心として回転し、回転することによって開口部1040の位置が変わる。開口部1040
が、蒸発源1031bよりも蒸発源1031aに近くなるように位置しているとき、開口
部1040から保持部1032の方へ、第1の材料の濃度の方が第2の材料の濃度よりも
高い状態で気体が拡散し、保持部1032に保持された被処理物1035へ、第1の材料
の濃度の方が第2の材料の濃度よりも高くなるようにそれぞれの材料が蒸着される。また
、回転板1038が回転し、開口部1040が蒸発源1031aよりも蒸発源1031b
に近くなるように位置すれば(例えば、点線1041で表されるように位置すれば)、第
2の材料の濃度の方が第1の材料の濃度よりも高くなるように、被処理物1035上にそ
れぞれの材料が蒸着される。
度比の変化の一周期は短くなる。つまり、発光領域に含まれる、発光中心となる物質とホ
スト材料の濃度比の変化の一周期は短くなる。
の発光素子を形成することができる。また、蒸発源の他、マスクとして機能する回転板に
設けられた開口部の位置が相対的に変わるようにすることで、本発明の発光素子を形成す
ることもできる。
封止する為の封止室がさらに設けられた構成であってもよい。また、蒸着を行う処理室は
、一室だけでなく、二室以上設けられていてもよい。
いてもよい。例えば、ホスト材料の蒸着速度と発光中心となる物質の蒸着速度をほぼ同じ
とすることで、ホスト材料の濃度が高い領域と、発光中心となる物質の濃度の高い領域と
が交互に積層した構造とすることができる。
、ホスト材料の濃度が高い領域と、ホスト材料に発光中心となる物質が分散している領域
とを交互に積層した構造とすることできる。
離、蒸発源と蒸発源との距離、基板と回転軸との距離等により変化するため、それぞれの
装置において最適値を適宜設計すれば良い。なお、基板の大きさにもよるが、蒸発源と蒸
発源の距離は、基板中心と回転軸との距離の2倍程度であることが好ましい。例えば、1
2cm×12cmの基板を用いる場合、基板と蒸発源との距離を20〜40cmとし、蒸
発源と蒸発源との距離を15〜30cm、基板の中心と回転軸との距離を8〜15cmと
し、蒸着速度を0.2〜2.0nm/s、回転速度を4〜12rpmとすることにより、
本発明の発光素子を形成することができる。
本実施の形態では、本発明のアクティブマトリクス型発光装置のパネルの外観について
図7を用いて説明する。図7(A)は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を
対向基板4006との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図
7(B)は図7(A)の断面図に相応する。また、このパネルの発光素子が有する構造は
、実施の形態1に示したような構成である。
路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また、画素部40
02と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004の上に対向基板4006が設
けられている。よって画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路40
04とは基板4001とシール材4005と対向基板4006とによって充填材4007
と共に密封されている。
駆動回路4004とは薄膜トランジスタを複数有しており、図7(B)では信号線駆動回
路4003に含まれる薄膜トランジスタ4008と、画素部4002に含まれる薄膜トラ
ンジスタ4010とを示す。
動回路4004とに、信号、または電源電圧を層供給する為の配線に相当する。引き回し
配線4014は、引き回し配線4015a及び4015bを介して接続端子4016と接
続されている。接続端子4016はフレキシブルプリントサーキット(FPC)4018
が有する端子と異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセ
テートを用いる事ができる。
ICが実装されたモジュールとをその範疇に含む。
できる。
本実施の形態では、実施の形態4で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護
回路及びそれらの動作について説明する。
方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TF
T1403、電流制御用TFT1404、容量素子1402及び発光素子1405を有す
る。
電源線1412に接続される点が異なっており、それ以外は図8(A)に示す画素と同じ
構成である。つまり、図8(A)(C)に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかし
ながら、行方向に電源線1412が配置される場合(図8(A))と、列方向に電源線1
412が配置される場合(図8(C))とでは、各電源線は異なるレイヤーの導電膜で形
成される。ここでは、駆動用TFT1403のゲート電極が接続される配線に注目し、こ
れらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図8(A)(C)として分けて記載
する。
用TFT1404が直列に接続されており、駆動用TFT1403のチャネル長L(14
03)、チャネル幅W(1403)、電流制御用TFT1404のチャネル長L(140
4)、チャネル幅W(1404)は、L(1403)/W(1403):L(1404)
/W(1404)=5〜6000:1を満たすように設定するとよい。
制御する役目を有し、電流制御用TFT1404は線形領域で動作し発光素子1405に
対する電流の供給を制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工
程上好ましく、本実施の形態ではnチャネル型TFTとして形成する。また駆動用TFT
1403には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いても
よい。上記構成を有する本発明の発光装置は、電流制御用TFT1404が線形領域で動
作するために、電流制御用TFT1404のVgsの僅かな変動は、発光素子1405の
電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子1405の電流値は、飽和領域で動作する
駆動用TFT1403により決定することができる。上記構成により、TFTの特性バラ
ツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた発光装置を提供するこ
とができる。
するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用TFT1401がオンとな
ると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子1402にそのビデオ信号の
電圧が保持される。なお図8(A)(C)には、容量素子1402を設けた構成を示した
が、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなう
ことが可能な場合には、容量素子1402を設けなくてもよい。
8(A)に示す画素構成と同じである。同様に、図8(D)に示す画素は、TFT140
6と走査線1414を追加している以外は、図8(C)に示す画素構成と同じである。
。TFT1406がオンとなると、容量素子1402に保持された電荷は放電し、電流制
御用TFT1404がオフとなる。つまり、TFT1406の配置により、強制的に発光
素子1405に電流が流れない状態を作ることができる。そのためTFT1406を消去
用TFTと呼ぶことができる。従って、図8(B)(D)の構成は、全ての画素に対する
信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始す
ることができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、
容量素子1402及び発光素子1405を有する。図8(F)に示す画素は、TFT14
06と走査線1415を追加している以外は、図8(E)に示す画素構成と同じである。
なお、図8(F)の構成も、TFT1406の配置により、デューティ比を向上すること
が可能となる。
TFT1451、駆動用TFT1453、消去ダイオード1461、発光素子1454が
配置されている。選択TFT1451のソースとドレインは各々、信号線1455と駆動
用TFT1453のゲートに接続されている。選択TFT1451のゲートは、第1ゲー
ト線1457に接続されている。駆動用TFT1453のソースとドレインは各々、第1
電源線1456と発光素子1454に接続されている。消去ダイオード1461は、駆動
用TFT1453のゲートと第2ゲート線1467に接続されている。
よって、駆動用TFT1453のゲートと電源線1456の間に接続されているが、これ
に限定されない。駆動用TFT1453のゲート電位を保持できるように配置されていれ
ばよい。また、駆動用TFT1453のゲート容量などを用いて、駆動用TFT1453
のゲート電位を保持できる場合は、容量素子1452を省いても良い。
にして、信号線1455から信号を容量素子1452に入力する。すると、その信号に応
じて、駆動用TFT1453の電流が制御され、第1電源線1456から、発光素子14
54を通って、第2電源線1458に電流が流れる。
て、消去ダイオード1461がオンして、第2ゲート線1467から駆動用TFT145
3のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、駆動用TFT1453がオフ状態にな
る。すると、第1電源線1456から、発光素子1454を通って、第2電源線1458
には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の
長さを自由に制御できるようになる。
する)しておく。すると、消去ダイオード1461がオフするので、駆動用TFT145
3のゲート電位は保持される。
ダイオードでもよいし、PIN型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでも
よいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
膜トランジスタを形成する場合、駆動用TFT1403、1453の半導体膜を大きくす
ると好ましい。そのため、上記画素回路において、発光積層体からの光が対向基板側から
射出する上面発光型とすると好ましい。
FTが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。
について説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置にも適用可能である。パッシブマ
トリクス型の発光装置は、各画素にTFTが設けられていないため、高開口率となる。発
光が発光積層体の両側へ射出する発光装置の場合、パッシブマトリクス型の発光装置を用
いる透過率が高まる。
ードを設ける場合について説明する。
02、発光素子1405が設けられている。信号線1410には、ダイオード1561と
1562が設けられている。ダイオード1561と1562は、スイッチング用TFT1
401又は1403と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体層
、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード1561と1562は、ゲート電
極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させて
いる。
成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート
絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
とができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画
素との間に設けることもできる。
、上記構成を有することで、発光装置としての信頼性をさらに高めることが可能となる。
本発明の発光装置(モジュール)を搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、
デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、
ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲ
ーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子
書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versati
le Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図11に示す。
がこれに当たる。筐体2001、表示部2003、スピーカー部2004等を含む。本発
明の発光装置は消費電力が小さい発光装置である。画素部にはコントランスを高めるため
、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、対向基板へ1/4λ板、1/2λ板、
偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。
入力部2104、音声出力部2105、操作キー2106、アンテナ2108等を含む。
本発明の携帯電話は消費電力が小さい携帯電話である。
キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む
。本発明のコンピュータは消費電力が小さいコンピュータである。図11(C)ではノー
ト型のコンピュータを例示したが、デスクトップ型のコンピュータなどにも適用すること
が可能である。
チ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。本発明のモバイルコン
ピュータは消費電力が小さいモバイルコンピュータである。
部2403、操作キー2404、記録媒体挿入部2405等を含む。本発明の携帯型ゲー
ム機は消費電力が小さい携帯型ゲーム機である。
可能である。
を示す。素子2及び素子3が本発明の発光素子であり、それぞれ2層、3層の発光領域を
備えた発光層を有する。それぞれ発光領域の厚さは2nmとし、発光領域の間には2nm
のキャリア輸送性を有する材料よりなる領域が設けられている。素子1は発光層の発光領
域が1層で形成され、その厚さは2nmである。素子4及び素子5は30nmの発光領域
を1層備えた発光層を有する。また、素子1乃至素子4の発光層の両電極側にはキャリア
輸送性を有する材料よりなる領域が2nmの厚さで設けられており、素子5には設けられ
ていない。その他の発光素子における構成はいずれの素子も同一であり、第1の電極とし
てITSO、第1のキャリア注入層としてDNTPD(膜厚40nm)、第1のキャリア
輸送層としてNPB(膜厚20nm)、第2のキャリア輸送層としてTAZ01(膜厚2
0nm)、第2のキャリア注入層としてTAZ01とLiとからなる複合材料(重量比で
TAZ01:Li=1:0.01、膜厚40nm)とを用いた。なお、発光層からの発光
を得る際、第1の電極の方が電圧が高くなるように電圧をかける構成とし、第1のキャリ
ア輸送層と第2のキャリア輸送層との間に上述したキャリア輸送性を有する材料よりなる
領域と発光領域を備えた発光層が挟まれている。また、キャリア輸送性を有する材料より
なる領域に用いる材料及び発光領域のホスト材料はCBP、発光中心となる物質はIr(
Fdpq)2(acac)を用いた。発光領域におけるCBPとIr(Fdpq)2(a
cac)の割合は重量比で1:0.08となるようにした。なお、発光領域を構成するC
BPにIr(Fdpq)2(acac)を分散した材料については以下便宜上CBP:I
r(Fdpq)2(acac)、TAZ01にLiを分散した材料はTAZ01:Liと
示すこととする。また、本実施例で用いた材料を以下に示す。式(7−1)は、DNTP
Dを示し、式(7−2)は、NPBを示し、式(7−3)は、TAZ01を示し、式(7
−4)は、CBPを示し、式(7−5)は、Ir(Fdpq)2(acac)を示す。
順に第1の電極としてITSOが110nmの膜厚で形成されている。前記ITSOはス
パッタリング法によって成膜した。なお、本発明において第1の電極の形状は2mm×2
mmとした。次に第1の電極上に有機化合物を含む層を形成するための前処理として、多
孔質の樹脂(代表的にはPVA(ポリビニルアルコール)製、ナイロン製など)で基板表
面を洗浄し、200℃で1時間熱処理を行い、UVオゾン処理を370秒行った。
ではCBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2nm、CBPを2n
m積層し、素子2では、CBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2
nm、CBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2nm、CBPを2
nm積層し、素子3ではCBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2
nm、CBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2nm、CBPを2
nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を2nm、CBPを2nm積層し、素子
4ではCBPを2nm、CBP:Ir(Fdpq)2(acac)を30nm、CBPを
2nm積層し、素子5ではCBP:Ir(Fdpq)2(acac)を30nm成膜した
。その後続いて、TAZ01を20nm、TAZ01:Liを40nm成膜した。最後に
第2の電極としてAlを200nmの膜厚で成膜し、素子を完成させた。なお、第1の電
極以外は、いずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。
スペクトル、図16(C)に素子2乃至素子5の発光スペクトルを示す。いずれも640
nm付近に発光ピークを有しているが、図16(B)と図16(C)とを比較するとよく
分かるように、素子1のみ、430nm付近に僅かな発光がみられている。これは発光の
波長から、第1のキャリア輸送層として用いたNPBが発光していると考えられる。これ
は発光領域が1層では電子をIr(Fdpq)2(acac)がとらえきれず、突き抜け
た電子と正孔がNPB内で再結合したことによって発光が起きたと考えられる。Ir(F
dpq)2(acac)は色純度の良い赤い発光を示すが、表1から分かるように素子1
はNPBからの発光が現れることによって他の素子と比較して色度が悪くなってしまって
いる。
本発明の発光素子である素子2、素子3は素子4及び従来の素子構成である素子5より低
い電圧でより多くの電流が流れていることが分かる。また、図18には輝度―電圧曲線を
示した。本発明の発光素子のような一対の電極間に有機化合物を含む層を挟み電流を流す
ことで発光する発光素子は電流密度と輝度が比例することから、図17の結果からも分か
るように、素子1と本発明の発光素子である素子2、素子3は素子4及び従来の素子構成
である素子5より低い電圧でより大きな輝度が得られている。すなわち、本発明の発光素
子である素子2、素子3は駆動電圧が低く、消費電力が小さい発光素子である。
明の素子2および3はいずれも電流効率が高くなっていることがわかる。また、素子4も
電流効率が高くなっていることから、発光層のうち、キャリア輸送層に接する領域にCB
Pを2nm設けたことによって電流効率が向上したと考えられる。すなわち、励起した発
光中心となる物質のエネルギーが他の層(キャリア輸送層やキャリア注入層などの機能層
)に移ってしまっていたことによって起こっていた効率低下が、発光層と当該層との間に
当該機能層に用いた材料よりバンドギャップの大きい物質が挟まれたことによって低減さ
れ、電流効率が向上したと考えられる。そのため、本実施例では発光層のうち、キャリア
輸送層に接する領域の両方に2nmのCBP層を設けているが、電流効率向上の効果を得
る為には励起子からのエネルギー移動の恐れのある機能層が形成されている側、片方だけ
に形成されていても同様の効果を得ることができる。また、非常に薄い膜厚で効果を発揮
することから、駆動電圧の上昇もほとんど無く電流効率向上の効果を得ることができる。
なお、膜厚は1nm〜5nmであれば駆動電圧の上昇がほとんど無く、電流効率向上の効
果を得ることができる。したがって、本発明を適用し、さらに発光層の励起子からのエネ
ルギー移動の恐れのある層が形成されている側に、当該励起子からのエネルギー移動の恐
れのある機能層に用いた材料よりバンドギャップの広い材料の薄膜を形成することにより
、駆動電圧を低減できるだけでなく、電流効率も向上させることができる。そのため、消
費電力をさらに大きく低減できることがわかる。具体的には、輝度が約1000cd/m
2時のパワー効率は、本発明の素子2が0.88lm/W、素子3が0.92lm/Wで
あるのに対し、従来の素子5は0.54lm/Wであり、本発明の素子は従来に比べて消
費電力を半分近く抑えることができる。
ることがわかる。
acac))およびホスト材料(CBP)の還元特性を比較した結果を例示する。還元特
性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお、測定には電気化
学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。
持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)を1
00mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度
となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス
(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製
、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(
ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定
は室温で行った。
まず、Ir(Fdpq)2(acac)の還元ピーク電位をCV測定により測定した。
測定結果を図20(A)に示す。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.40
から−2.40Vまで走査した後、−2.40Vから−0.40Vまで走査することによ
って行った。なお、走査速度は0.1V/sに設定した。図20(A)より、Ir(Fd
pq)2(acac)の還元ピーク電位(Epc)は−1.58[V vs.Ag/Ag
+]であることがわかった。
次に、CBPの還元ピーク電位をCV測定により測定した。測定結果を図20(B)に
示す。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.70から−2.60Vまで走査
した後、−2.60Vから−0.70Vまで走査することによって行った。なお、走査速
度は0.1V/sに設定した。図20(B)より、CBPの還元ピーク電位(Epc)は
、−0.70〜−2.60[V vs.Ag/Ag+]の間には観測されなかった。した
がって、CBPの還元電位は、少なくとも−2.60[V vs.Ag/Ag+]より負
の方向に大きいと考えられる。
58V)は、CBPの還元ピーク電位の絶対値(>2.60V)よりも小さいことがわか
った。換言すれば、Ir(Fdpq)2(acac)の方がCBPよりも還元されやすい
ことになるので、Ir(Fdpq)2(acac)の電子親和力はCBPの電子親和力よ
りも大きいと言うことができる。
を示す。素子A〜素子Fが本発明の発光素子であり、それぞれ2〜7層の発光領域を備え
た発光層を有する。それぞれ発光領域の厚さは2nmとし、発光領域の間には2nmのキ
ャリア輸送性を有する材料よりなる領域が設けられている。素子Hは発光層の発光領域が
1層で形成され、その厚さは2nmである。素子Gは30nmの発光領域を1層備えた発
光層を有する。また、素子A〜素子F、素子Hの発光層の両電極側にはキャリア輸送性を
有する材料よりなる領域が2nmの厚さで設けられており、素子Gには設けられていない
。その他の発光素子における構成はいずれの素子も同一であり、第1の電極としてITS
O、第1のキャリア注入層としてDNTPD(膜厚40nm)、第1のキャリア輸送層と
してTCTA(膜厚20nm)、第2のキャリア輸送層としてTAZ01(膜厚20nm
)、第2の注入層としてTAZ01とLiからなる複合材料(重量比でTAZ01:Li
=1:0.01、膜厚20nm)とを用いた。なお、発光層からの発光を得る際、第1の
電極の方が電圧が高くなるように電圧をかける構成とし、第1のキャリア輸送層と第2の
キャリア輸送層との間に上述したキャリア輸送性を有する材料よりなる領域と複数の発光
領域を備えた発光層が挟まれている。また、キャリア輸送性を有する材料よりなる領域に
用いる材料及び発光領域のホスト材料はCBP、発光中心となる物質はIr(Fdppr
−Me)2(acac)を用いた。発光領域におけるCBPとIr(Fdppr−Me)
2(acac)は重量比で1:0.08となるようにした。なお、CBPにIr(Fdp
pr−Me)2(acac)を分散した材料については、以下CBP:Ir(Fdppr
−Me)2(acac)とし、TAZ01にLiを分散した材料はTAZ01:Liと示
すこととする。本実施例で用いたTCTA及びIr(Fdppr−Me)2(acac)
の構造式を以下に示す。式(8−1)は、TCTAを示し、式(8−2)は、(Fdpp
r−Me)2(acac)を示す。
順に第1の電極としてITSOが110nmの膜厚で形成されている。前記ITSOはス
パッタリング法によって成膜した。なお、本発明において第1の電極の形状は2mm×2
mmとした。次に第1の電極上に有機化合物を含む層を形成するための前処理として、多
孔質の樹脂(代表的にはPVA(ポリビニルアルコール)製、ナイロン製など)で基板表
面を洗浄し、200℃で1時間熱処理を行い、UVオゾン処理を370秒行った。
AではCBPを2nm、CBP:Ir(Fdppr−Me)2(acac)を2nm、C
BPを2nm、CBP:Ir(Fdppr−Me)2(acac)を2nm、CBPを2
nm、順次積層した。CBP:Ir(Fdppr−Me)2(acac)2nmとCBP
2nmを1ユニットとすると、素子Aの発光層は、CBP2nmの上にユニット×2を積
層した構成である。同様に、素子BはCBP2nmの上にユニット×3を積層した構成、
素子CはCBP2nmの上にユニット×4を積層した構成、素子DはCBP2nmの上に
ユニット×5を積層した構成、素子EはCBP2nmの上にユニット×6を積層した構成
、素子FはCBP2nmの上にユニット×7を積層した構成、素子HはCBP2nmの上
にユニット×1を積層した構成である。素子GではDNTPDとTCTAの積層膜上にC
BP:Ir(Fdppr−Me)2(acac)を30nm成膜した。このように各素子
の発光層を形成した後、続いて、TAZ01を20nm、TAZ01:Liを20nm成
膜した。最後に第2の電極としてAlを200nmの膜厚で成膜し、素子を完成させた。
なお、第1の電極以外は、いずれも抵抗加熱による真空蒸着法によって成膜した。各素子
の発光層の構成について、表2に示す。
ペクトル、図21(C)に素子A〜素子Gの発光スペクトルを示す。いずれも550nm
付近に発光ピークを有しているが、図21(B)と図21(C)とを比較するとよく分か
るように、素子Hのみ、430nm付近に僅かな発光がみられている。これは発光の波長
から、第1のキャリア輸送層として用いたTCTAが発光していると考えられる。これは
発光領域が1層では電子をIr(Fdppr−Me)2(acac)がとらえきれず、突
き抜けた電子と正孔がTCTA内で再結合したことによって発光が起きたと考えられる。
構成である素子Gに比べ、2nmの発光領域が1つ又は複数設けられた発光層を有する素
子(素子A〜F、H)のほうがより低い電圧でより多くの電流が流れていることが分かる
。また、図23には輝度−電圧曲線を示した。本発明の発光素子のような一対の電極間に
有機化合物を含む層を挟み、電流を流すことで発光する発光素子は電流密度と輝度が比例
することから、図22の結果からも分かるように、従来の素子構成である素子Gに比べ、
2nmの発光領域が1つ又は複数設けられた発光層を有する素子(素子A〜F、H)のほ
うがより低い電圧で大きな輝度が得られている。
よび図25に示したように、従来の素子構成である素子Gは2nmの発光領域が1つ又は
複数設けられた発光層を有する素子(素子A〜F、H)に比べて、電流−電圧特性および
輝度−電圧特性が悪いため、電流効率およびパワー効率も悪い。また、発光領域を一つ有
する素子Hは、電流−電圧特性および輝度−電圧特性は良いものの、図21に示したとお
り、第1のキャリア輸送層として用いたTCTAが発光してしまうため、電流効率および
パワー効率が悪いという結果であった。また、素子A〜素子Fを比較すると、発光領域の
数が変化しても電流効率にはあまり変化がないが、パワー効率は素子によって違いが見ら
れる。
ラフである。図26に示したとおり、発光領域が一つの素子に比べて、発光領域が2〜7
個の素子のパワー効率のほうが優れている。また、発光領域が2〜3個の場合をピークに
、発光領域の数の増加に伴ってパワー効率が低下している。これは、発光領域の数が増え
ることで、駆動電圧が上昇するためである。すなわち、発光領域が2つ以上の場合、電流
効率は発光領域の数にほとんど依存しないが(図24参照)、発光領域の数が増加するに
つれて駆動電圧が上昇するため、このような結果になったと言える。以上の結果から、発
光領域を複数有する本発明の発光素子は、電流効率が高く、駆動電圧の低い発光素子であ
り、発光領域の数は2〜3個が最適であることがわかった。
e)2(acac))およびホスト材料(CBP)の還元特性を比較した結果を示す。還
元特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお、測定には電
気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用い
た。
持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)を1
00mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度
となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス
(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製
、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(
ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定
は室温で行った。
まず、Ir(Fdppr−Me)2(acac)の還元ピーク電位をCV測定により測
定した。測定結果を図27に示す。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を−0.2
7から−2.30Vまで走査した後、−2.30Vから−0.27Vまで走査することよ
って行った。なお、走査速度は0.1V/sに設定した。図27より、Ir(Fdppr
−Me)2(acac)の還元ピーク電位(Epc)は−2.03[V vs.Ag/A
g+]であることがわかった。
(=2.03V)は、CBPの還元ピーク電位の絶対値(>2.60V)よりも小さいこ
とがわかった。換言すれば、Ir(Fdppr−Me)2(acac)の方がCBPより
も還元されやすいことになるので、Ir(Fdppr−Me)2(acac)の電子親和
力はCBPの電子親和力よりも大きいと言うことができる。
51a 下地絶縁層
51b 下地絶縁層
52 半導体層
53 ゲート絶縁膜
54 ゲート電極
59 絶縁膜(水素化膜)
60 層間絶縁層
61a 接続部
61b 配線
63 層間絶縁層
64 第1の電極
65 隔壁
66 有機化合物を含む層
67 第2の電極
70 薄膜トランジスタ
88 樹脂
89 乾燥剤
93 発光素子
94 対向基板
100 第1の電極
101 キャリア輸送層
102 発光層
102a 発光領域
102b 発光領域
102c 発光領域
102d 発光領域
102x 発光領域
103 キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
103a キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
103b キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
103c キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
103y キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
104 キャリア輸送層
105 第2の電極
106 キャリア注入層
107 キャリア注入層
108a キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
108b キャリア輸送性を有する材料よりなる領域
109 バッファ層
109a バッファ層
109b バッファ層
1001 処理室
1002 搬送室
1003 アーム
1011a 蒸発源
1011b 蒸発源
1012 回転板
1013 軸
1014a 回転板
1014b 回転板
1014c 回転板
1014d 回転板
1015a 被処理物
1015b 被処理物
1015c 被処理物
1015d 被処理物
1021a 蒸発源
1021b 蒸発源
1022 保持部
1025a 被処理物
1025b 被処理物
1025c 被処理物
1025d 被処理物
1026 回転板
1027 軸
1031a 蒸発源
1031b 蒸発源
1032 保持部
1035 被処理物
1038 回転板
1039 軸
1040 開口部
1041 点線
1401 スイッチング用TFT
1402 容量素子
1403 駆動用TFT
1404 電流制御用TFT
1405 発光素子
1406 TFT
1410 信号線
1411 電源線
1412 電源線
1414 走査線
1415 走査線
1451 選択TFT
1452 容量素子
1453 駆動用TFT
1454 発光素子
1455 信号線
1456 電源線
1457 ゲート線
1458 電源線
1461 消去ダイオード
1467 ゲート線
1500 画素部
1554 共通電位線
1555 共通電位線
1561 ダイオード
1562 ダイオード
2001 筐体
2003 表示部
2004 スピーカー部
2101 本体
2102 筐体
2103 表示部
2104 音声入力部
2105 音声出力部
2106 操作キー
2108 アンテナ
2201 本体
2202 筐体
2203 表示部
2204 キーボード
2205 外部接続ポート
2206 ポインティングマウス
2301 本体
2302 表示部
2303 スイッチ
2304 操作キー
2305 赤外線ポート
2401 筐体
2402 表示部
2403 スピーカー部
2404 操作キー
2405 記録媒体挿入部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 対向基板
4007 充填材
4008 薄膜トランジスタ
4010 薄膜トランジスタ
4011 発光素子
4014 引き回し配線
4015a 引き回し配線
4015b 引き回し配線
4016 接続端子
4018 フレキシブルプリントサーキット(FPC)
4019 異方性導電膜
Claims (3)
- 陽極と陰極との間に挟まれた有機化合物を含む層を有し、
前記陰極と前記有機化合物を含む層との間に、リチウムを含む層を有し、
前記陽極と前記有機化合物を含む層との間に、正孔輸送性を有する層を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層を有し、
前記発光層は、第1の発光領域と、第2の発光領域と、キャリア輸送性を有する材料を有する領域とを有し、
前記キャリア輸送性を有する材料を有する領域は、前記第1の発光領域と前記第2の発光領域とに接して設けられ、
前記第1の発光領域は、第1のホスト材料と、第1の発光中心となる物質とを有し、
前記第2の発光領域は、第2のホスト材料と、第2の発光中心となる物質とを有し、
前記キャリア輸送性を有する材料は、前記第1のホスト材料と同じ物質であり、
前記第1の発光中心となる物質または前記第2の発光中心となる物質は燐光材料であり、
前記第1の発光中心となる物質の発光色と、前記第2の発光中心となる物質の発光色とは、同系色であり、
前記第1の発光領域の膜厚は、1nm以上5nm以下(但し、5nmの場合を除く)であり、
前記第2の発光領域の膜厚は、1nm以上5nm以下(但し、5nmの場合を除く)であり、
前記第1の発光領域と前記第2の発光領域との間隔は、1nm以上5nm以下(但し、5nmの場合を除く)であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1において、
前記第2のホスト材料は、前記第1のホスト材料及び前記キャリア輸送性を有する材料と同じ物質であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1または2において、
前記第1の発光中心となる物質は、前記第2の発光中心となる物質と同じ物質であることを特徴とする発光素子。
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WO2014210613A1 (en) * | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Plasmasi, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
Family Cites Families (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871236A (en) | 1985-09-18 | 1989-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic thin film display element |
JPH0326780A (ja) | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
JP2926845B2 (ja) | 1990-03-23 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP3150331B2 (ja) | 1990-09-28 | 2001-03-26 | 株式会社東芝 | 有機薄膜素子 |
JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 2002-04-15 | 松下電工株式会社 | 平面型トランス |
EP0553950A3 (en) | 1992-01-07 | 1994-11-23 | Toshiba Kk | Organic electroluminescent device |
JPH08102360A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機無機複合薄膜型電界発光素子 |
JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
JPH1060639A (ja) | 1996-08-19 | 1998-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 積層薄膜製造装置及び積層薄膜製造方法 |
US5989737A (en) | 1997-02-27 | 1999-11-23 | Xerox Corporation | Organic electroluminescent devices |
US6337492B1 (en) | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
JPH11251067A (ja) | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JPH11307264A (ja) | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JPH11307259A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP5358050B2 (ja) | 1998-06-26 | 2013-12-04 | 出光興産株式会社 | 発光装置 |
JP4420486B2 (ja) | 1999-04-30 | 2010-02-24 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2001081548A (ja) | 1999-09-14 | 2001-03-27 | Asahi Optical Co Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
KR20010050711A (ko) | 1999-09-29 | 2001-06-15 | 준지 키도 | 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법 |
JP4824848B2 (ja) | 2000-02-29 | 2011-11-30 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法 |
JP2001189193A (ja) | 1999-10-05 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子とその製造方法、およびそれを用いた表示装置、照明装置 |
US6910933B1 (en) | 1999-10-05 | 2005-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting element and producing method thereof, and display device and lighting device using the same |
US6580213B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
EP2224790B1 (en) | 2000-07-17 | 2013-01-02 | UDC Ireland Limited | Light emitting element and azole compound |
JP4578642B2 (ja) | 2000-08-09 | 2010-11-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機発光素子 |
JP3755390B2 (ja) | 2000-09-08 | 2006-03-15 | 株式会社日立製作所 | 蛍光体及びそれを用いた表示装置並びに光源 |
US6893743B2 (en) | 2000-10-04 | 2005-05-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent device |
JP4040249B2 (ja) | 2000-11-16 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
JP2002170678A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
SG138467A1 (en) | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
US6660186B2 (en) | 2001-10-31 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making blue emitting aluminate phosphor for VUV excited light emitting device |
US6759146B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-07-06 | Xerox Corporation | Organic devices |
SG176316A1 (en) | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
US6872472B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003286563A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
US6806491B2 (en) | 2002-04-03 | 2004-10-19 | Tsinghua University | Organic light-emitting devices |
JP4060113B2 (ja) | 2002-04-05 | 2008-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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EP1367659B1 (en) | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
DE10224021B4 (de) | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
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WO2004034751A1 (ja) | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN100580753C (zh) | 2002-11-29 | 2010-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和电子装置 |
JP2004200162A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
EP1615474A4 (en) | 2002-12-25 | 2008-04-30 | Fujifilm Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY |
US20040140758A1 (en) | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode |
JP2004253373A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-09-09 | Toray Ind Inc | 有機el素子 |
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JP4396163B2 (ja) | 2003-07-08 | 2010-01-13 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
US6875524B2 (en) | 2003-08-20 | 2005-04-05 | Eastman Kodak Company | White light-emitting device with improved doping |
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US7504049B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device |
US7511421B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
TW200513138A (en) | 2003-09-23 | 2005-04-01 | Guan-Chang Peng | Organic light Emitting Device (OLED) |
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JP2005108730A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 有機el素子及びその製造方法 |
JP4369719B2 (ja) | 2003-10-03 | 2009-11-25 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el表示装置 |
JP4476594B2 (ja) | 2003-10-17 | 2010-06-09 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4683829B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
US7898168B2 (en) | 2003-10-27 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant |
JP4243237B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
JP4300176B2 (ja) | 2003-11-13 | 2009-07-22 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005154534A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toray Ind Inc | 発光素子材料およびこれを用いた発光素子 |
JP4588312B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
ATE433200T1 (de) | 2003-12-16 | 2009-06-15 | Panasonic Corp | Organisches elektrolumineszenzbauelement und herstellungsverfahren dafür |
US7049741B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-05-23 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode with improved light emission through substrate |
KR100537621B1 (ko) | 2004-02-02 | 2005-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
KR100553758B1 (ko) | 2004-02-02 | 2006-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
JP2005251587A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 有機el素子 |
TWI327563B (en) | 2004-05-24 | 2010-07-21 | Au Optronics Corp | Anthracene compound and organic electroluminescent device including the anthracene compound |
EP2178348B1 (en) | 2004-07-23 | 2012-11-21 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display and illuminator |
US7667389B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
JP2006210848A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toyota Industries Corp | 発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法 |
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