JP5614938B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
特許文献10は、比較的小面積のp側電極を複数設けるので、p側電極の面積を小さく抑えることができる。しかしながら、発光素子の実装時に、p側電極と外部電極との配線が複雑になる恐れがある。
図1、図2A及び図2Bに示すように、本願発明に係る半導体発光素子1は、基板3の上に第2導電型層(n型半導体層)11、発光層12及び第1導電型層(p型半導体層)13を順に積層した発光部10を備えている。発光部10は、p型半導体層13及び発光層12を部分的に除去してn型半導体層11を露出させた切欠き部15(図1では切り欠きされた方向に対して垂直方向に長い楕円形)を備えている。
なお、図1では、絶縁膜50の先端近傍に形成された開口部51を介して、第1接続部45を設ける形態を示している。しかしながら、開口部51を形成せずに、延伸部41の先端に第1接続部45を設けてもよい。例えば、図7のように、延伸部41の長手方向において延伸部41を絶縁膜50よりも長く形成すれば、延伸部41の先端は、絶縁膜50を越えて透光性電極70に接触し、第1接続部45が形成される。
図1において、上側から下向きに伸びるp側電極40は、左右に分岐したのちに弧を描きながら下方向に延びている。「U字状の延伸部41」とは、図1のp側電極40において、左右に分岐して下方向に伸びている部分を指している。
すなわち、延伸部41をU字状にすることにより、任意の位置に第1接続部45(開口部51)を形成しても、発光むらを抑えることができる。
特に、大面積の半導体発光素子1を形成する場合には、複数の電極対50を形成することにより、半導体発光素子1の全体を発光させることができる。よって、大面積の半導体発光素子1であっても、発光むらを抑えることができる。
1つのnパッド33には、隣接する電極対20のn側電極30から、それぞれ1本(合計2本)のn側配線37が接続されている。そして、全ての(図3では3つの)n側電極30が、nパッド33とn側配線37によって接続されている。
また、1つのpパッド43には、隣接する電極対20のp側電極40から、それぞれ1本(合計2本)の第1配線(p側配線)47が接続されている。そして、全ての(図3では3つの)p側電極40が、pパッド43とp側配線47によって接続されている。
n側配線37及びp側配線47を上述のように接続することにより、複数の電極対50が並列に接続される。
なお、隣接する2つのn側電極30は、nパッド33と接続する前に、互いのn側配線37によって接続されてもよい。また、隣接する2つのp側電極40も、pパッド43と接続する前に、互いのp側配線47によって接続されてもよい。
また、隣り合う発光部10と発光部10との間から、基板3が露出されている。
そして、縦方向(隣接する発光部10間)に配列した3つの電極対20は、直列に接続される。つまり、縦方向に隣接する電極対20の一方に含まれるn側電極30(例えば、一番上の発光部10のn側電極30)と、他方に含まれるp側電極40(例えば、まん中の発光部10のp側電極40)とが、n側配線37及びp側配線47を介して接続されている。そして、一番上の発光部10のp側電極40は、p側配線47を介してpパッド43に接続さる。また、一番下の発光部10のn側電極30は、n側配線37を介してnパッド33に接続される。
また、断面図における具体的なpパッド43の形成位置としては、基板3上又はn型半導体層11上が挙げられる。これらの位置は、直下に発光層12を含まないので、発光の吸収や遮光の影響を少なくできる。なお、n型半導体層11上にpパッド43を形成する場合には、絶縁膜等を介して絶縁する必要がある。
また、断面図における具体的なnパッド33の形成位置としては、基板3上又はn型半導体層11上が挙げられる。これらの位置は、直下に発光層12を含まないので、発光の吸収や遮光の影響を少なくできる。
p型の窒化物半導体層は、n型の窒化物半導体層に比べて非常に抵抗が高いので、電流が面内に広がりにくい。しかしながら、本発明では、p型半導体層13の表面に透光性電極70を有しており、この透光性電極70が、p型半導体層13の面内に電流を広げる補助として機能するので、発光層12に流れる電流も、面内に均一に流れやすくなる。よって、本発明は、p型半導体層13をp型窒化物半導体層から形成するのに好適である。
基板3は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるのに適した材料から形成される。窒化物半導体のエピタキシャル成長に適した基板3としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイア(A12O3)やスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、またSiC(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;LiNbO3、NdGaO3等の酸化物基板、窒化物半導体基板(GaN、AlN等)等が挙げられる。また、半導体成長面がオフアングルした基板、或いは凹凸構造が設けられた基板であってもよい。なお、基板3は、最終的に除去することもできる。さらに、透光性を有する基板であれば、半導体素子構造を積層した主面に対向するもう一方の主面側を光取り出し面とすることも可能である。
半導体発光素子1を構成する発光部10としては、いわゆる発光ダイオード、レーザーダイオードなどが好適である。発光部10の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形又はこれに近い形状のものを利用することができる。特に、三角形、四角形、六角形などの形状であると、半導体発光素子1を形成する際に、複数の発光部10を緻密に配置できるので好ましい。
電極30、40は、第1接続部45及び第2接続部35を形成する際に、n型半導体層11もしくは透光性電極70と接続される。よって、第1接続部45及び第2接続部35が低抵抗な状態で接続できるように、電極30、40の材料が選択される。電極30、40を積層構造で設ける場合、例えばAu、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Tiのいずれかの金属またはこれらの合金やそれらの組み合わせとすることができる。具体的な一例として、窒化物半導体層や透光性電極70と接続する側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Rhなどを用いて構成することができる。
発光部上の第2導電型半導体層に設けられる透光性電極70は、第2導電型半導体層の全面に設けられることが好ましい。発光層12からの光は、この透光性電極70を通って外部に放出される。そのため、透光性電極70には、特に、発光層で発生する光の波長域における光透過率が大きい材料が好適に用いられる。例えば、透光性電極70としては、In、Zn、Sn、Ga、W、Tiから選択される少なくとも1種を含む導電性の酸化物、具体的には、ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2、TiO2及びこれらの複合酸化物が挙げられる。
絶縁膜50、60は、p型半導体層13よりも屈折率の小さい材料から形成するのが好ましい。これにより、p型半導体層13側から入射した光は、p型半導体層13と絶縁膜50、60との界面で全反射が起こりやすくなる。よって、絶縁膜50、60の上側に形成されたn側電極30(n側配線37を含む)及びp側電極40(p側配線47を含む)に入射する発光を効果的に低減して、それらの電極30、40に吸収される発光を低減することができる。その結果、半導体発光素子1の発光の取出し効率を向上させることができる。
p型半導体層13がGaNに代表される窒化物半導体層(n=2.5〜2.6)から成る場合、絶縁膜50、60は、屈折率が2.5未満(n<2.5)の材料が適している。
透光性電極70がITO(屈折率:n=2.1〜2.2)である場合、絶縁膜50、60に適した材料には、SiO2(n=1.46)、Al2O3(n=1.6)などがある。
図5は、延伸部41に第1接続部45(開口部51)を3つ設けた点で、第1の実施形態と異なる。第1接続部45を3つ以上設けると、それらを結ぶ領域55が多角形となるため、領域55の面積は、主に第1接続部45の配置に依存する。よって、本実施の形態では、第1接続部45の寸法が小さくても、十分な面積の領域55を確保できる。
なお、第1の実施形態(図1参照)では、第1接続部45を2つだけ設けているので、第1接続部45を結んだ領域55の面積は、第1接続部45の寸法(例えば、延伸部41の延伸方向における第1接続部45の長さ)に依存する。よって、第1の実施形態では、領域55の面積を確保しながら、第1接続部45の寸法を小さくすることが難しい。
ここで、図6では、第1接続部453は、延伸部41に沿って測定したときに、隣接する中央の第1接続部452と端部の第1接続部541との間隔が等しくなるように配置されている。一方、図7では、図6に比べると、第1接続部453が先端の第1接続部451寄りに配置されている。
3 基板
10 発光部
11 第1導電型層(n型半導体層)
12 発光層
13 第2導電型層(p型半導体層)
15 切欠き部
20 電極対
30 第1電極(n側電極)
33 nパッド
35 第2接続部
37 第2配線(n側配線)
40 第2電極(p側電極)
41 延伸部
43 pパッド
45 第1接続部
47 第1配線(p側配線)
50、60 絶縁膜
51 開口部
55 領域
70 透光性電極
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上において、n型窒化物半導体層、発光層及びp型窒化物半導体層を順に積層した発光部と、
前記n型窒化物半導体層に接続されたn側電極と、前記p型窒化物半導体層上に設けた透光性電極に接続されたp側電極と、からなる電極対と、
を備えた半導体発光素子であって、
前記半導体発光素子を上面から見て、
前記p側電極は、前記基板上であって前記発光部の外側に、外部と接続されるパッド部を備え、前記パッド部から延伸し前記発光部上で前記n側電極を囲むように形成された略U字状の延伸部を含み、
前記延伸部は、その下部に絶縁膜を備えると共に、前記略U字状の延伸部の2つの先端に対応する位置を含む少なくとも3か所において前記透光性電極と電気的に接続される3以上の第1接続部を有し、
前記n側電極は、前記3以上の第1接続部を結ぶ領域に、前記n型窒化物半導体層と電気的に接続される第2接続部を有し、当該第2接続部と各第1接続部との間の距離が略等しいことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記n側電極は、n側配線を含み、
該n側配線の下部に、絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記発光部に前記電極対が複数形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 複数の前記発光部を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁膜が、前記透光性電極より屈折率の小さい材料からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
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