JP5606403B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)は模式的平面図である。図1(b)は、図1(a)のA1−A2線断面図である。
図1(a)及び図1(b)に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110は、積層構造体10sと、透明電極50と、p側電極80と、n側電極70と、を含む。
Z軸は、積層構造体10sにおける、n形半導体層10、発光部30及びp形半導体層20の積層軸に対して平行である。
図2に表したように、発光部30は、複数の障壁層31と、複数の障壁層31どうしの間に設けられた井戸層32と、を含む。例えば、複数の障壁層31と、複数の井戸層32と、がZ軸に沿って交互に積層される。
これにより、光取り出し効率が向上できる。これにより、高効率の半導体発光素子が得られる。
第1参考例の半導体発光素子191(図示しない)においては、透明電極50の中間部分MPに孔55が設けられていない。これ以外は、半導体発光素子110と同様である。 このような半導体発光素子110及び191について、半導体発光素子を流れる電流密度Jz(A/cm2)と、発光強度IL(W/cm2)と、をシミュレーションにより求めた。
半導体発光素子の、X軸に沿う長さLdxは600μmで、Y軸に沿う長さLdyは600μmとした。透明電極50の、X軸に沿う長さLexは550μmで、Y軸に沿う長さLeyは550μmとした。Z軸に沿ってみたときに、半導体発光素子の中心の位置は、透明電極50の中心の位置と一致する。
図3(a)及び図3(b)は、本実施形態に係る半導体発光素子110に対応する。図3(c)及び図3(d)は、第1参考例の半導体発光素子191に対応する。図3(a)及び図3(c)は、電流分布(電流密度JzのX−Y平面の面内分布)を示している。図3(b)及び図3(d)は、発光分布(発光強度ILのX−Y平面の面内分布)を示している。図3(a)及び図3(c)において、図中の暗い部分は電流密度Jzが低い部分であり、明るい部分は電流密度Jzが高い部分である。図3(b)及び図3(d)において、図中の暗い部分は発光強度ILが低い部分であり、明るい部分は発光強度ILが高い部分である。
図4(a)は、模式的平面図であり、図4(b)は、模式的断面図である。図4(c)は、半導体発光素子中における位置と、光取り出し効率と、の関係を模式的に例示するグラフ図である。横軸は、X軸に沿った位置を示し、Y軸は、光取り出し効率Effを示す。
図5(a)は、本実施形態に係る半導体発光素子110の特性を例示している。図5(b)は、第1参考例の半導体発光素子191の特性を例示している。これらの図は、半導体発光素子における電流密度Jzの分布を模式的に示している。図中のハッチング領域Jzhは、電流密度Jzが高い領域に相当する。
図6に表したように、第2参考例の半導体発光素子192においては、p側電極80とn側電極70との間の中間部分MPにおいて、透明電極50に凹部56が設けられる。凹部56は、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通しない。凹部56の平面形状(Z軸に沿ってみたときの形状)は、例えば、半導体発光素子110における孔55の平面形状と同じである。
図7に表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子110aにおいては、透明電極50に設けられる孔55の平面形状(Z軸に沿ってみたときの形状)が、半導体発光素子110とは異なる。この他の構成は、半導体発光素子110と同様である。
図8(a)〜図8(c)に表したように、半導体発光素子151〜153においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。これら例では、孔55の形状は長方形である。孔55以外の構成は、図1(a)及び図1(b)に関して説明した半導体発光素子110の構成と同じである。
図9に表したように、半導体発光素子の発光面内において、4つの評価位置P1〜P4を設定した。評価位置P1とP2との間に孔55が配置される。評価位置P3とP4との間に、n側電極70、孔55及びp側電極80が配置される。
この図には、半導体発光素子151〜153に加え、既に説明した半導体発光素子110及び191の特性が示されている。同図の横軸は、発光強度ILの平均値(平均発光強度ILav)であり、縦軸は、発光強度ILの標準偏差ILsである。同図において、平均発光強度ILavは高いことが望ましく、標準偏差ILsは小さいことが望ましい。
図11(a)〜図11(c)は、半導体発光素子の構成を示す模式的平面図である。
図11(a)〜図11(c)に表したように、半導体発光素子161〜163においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。この例では、孔55の形状は正方形である。孔55のY軸に沿う幅Whは、100μmとし、孔55のX軸に沿う長さLhは、100μmとした。
半導体発光素子161においては、孔55はp側電極80に近く、半導体発光素子162においては、孔55はn側電極70に近く、半導体発光素子163においては、孔55は、中央に設けられている。
この図には、半導体発光素子161〜163に加え、半導体発光素子191の特性も示されている。
図13(a)〜図13(d)に表したように、半導体発光素子171〜174においても透明電極50に、透明電極50をZ軸方向に沿って貫通する孔55が設けられている。この例では、孔55の形状は台形である。半導体発光素子171〜173においては、孔55のうちのn側電極70の側の部分における孔55の幅Whnは、240μmである。孔55のp側電極80の側の部分の幅Whpは、40μmである。孔55のX軸に沿う長さLhは、80μmである。
半導体発光素子171においては、孔55はp側電極80に近く、半導体発光素子172においては、孔55はn側電極70に近く、半導体発光素子173においては、孔55は、中央に設けられている。
図14に表したように、半導体発光素子171〜174のいずれにおいても、半導体発光素子191に比べて、高い平均発光強度ILavが得られる。
このように、孔55の形状は、長方形よりも、n側電極70の側の端55enがp側電極80の側の端55epよりも長い台形であることが好ましい。
図15(a)に表したように、実施形態に係る半導体発光素子181においては、孔55のX軸に沿った幅が、Y軸における中央部分で小さい。この例において、孔55の平面形状のコーナー部は丸いが、コーナー部は丸く無くても良い。
図16(a)に表したように、実施形態に係る半導体発光素子184においては、半導体発光素子184をZ軸に沿ってみたときの平面形状の対角の2つのコーナー部の一方の近傍にp側電極80が配置され、他方の近傍にn側電極70が配置されている。
このように、p側電極80及びn側電極70のX−Y平面内における配置は任意である。なお、この例のように、距離Lnを距離Lpよりも短く設定しても良い。
図17(a)は、実施形態に係る半導体発光素子131〜133の模式的断面図である。図17(b)〜図17(d)は、半導体発光素子131〜133の模式的平面図である。
図18に表したように、半導体発光素子131〜133のいずれにおいても、半導体発光素子191に比べて、高い平均発光強度ILavが得られる。
図19(a)に表したように、実施形態に係る半導体発光素子134においては、積層構造体10sに設けられる凹部15は、p形半導体層20に設けられており、発光部30には到達していない。この場合も、孔55が設けられる中間部分MPの中間部分MPにおいて、電流経路が狭められる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (6)
- n形半導体層と、
前記n形半導体層の一部に対向するp形半導体層と、
前記n形半導体層の前記一部と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、
を含む積層構造体と、
前記積層構造体の前記p形半導体層の側の第1主面において前記p形半導体層に電気的に接続された透明電極と、
前記透明電極と電気的に接続されたp側電極であって、前記p側電極と前記p形半導体層との間に前記透明電極が配置されるp側電極と、
前記第1主面において前記n形半導体層の前記一部に電気的に接続されたn側電極と、
を備え、
前記透明電極は、前記p形半導体層から前記n形半導体層に向かう第1軸に沿う平面視において前記n側電極と前記p側電極との間に設けられた孔を有し、
前記孔は、前記透明電極を前記第1軸に沿って貫通し、
前記p側電極から前記n側電極に向かう第2軸に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第3軸に沿った前記孔の幅は、前記n側電極の前記第3軸に沿った幅及び前記p側電極の前記第3軸に沿った幅よりも大きく、
前記孔の前記n側電極の側の端と、前記n側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離は、前記孔の前記p側電極の側の端と、前記p側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - n形半導体層と、
前記n形半導体層の一部に対向するp形半導体層と、
前記n形半導体層の前記一部と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、
を含む積層構造体と、
前記積層構造体の前記p形半導体層の側の第1主面において前記p形半導体層に電気的に接続された透明電極と、
前記透明電極と電気的に接続されたp側電極であって、前記p側電極と前記p形半導体層との間に前記透明電極が配置されるp側電極と、
前記第1主面において前記n形半導体層の前記一部に電気的に接続されたn側電極と、
を備え、
前記透明電極は、前記p形半導体層から前記n形半導体層に向かう第1軸に沿う平面視において前記n側電極と前記p側電極との間に設けられた孔を有し、
前記孔は、前記透明電極を前記第1軸に沿って貫通し、
前記p側電極から前記n側電極に向かう第2軸に対して垂直で前記第1軸に対して垂直な第3軸に沿った前記孔の幅は、前記n側電極の前記第3軸に沿った幅及び前記p側電極の前記第3軸に沿った幅よりも大きく、
前記孔の前記n側電極の側の部分の前記第3軸に沿った幅は、前記孔の前記p側電極の側の部分の前記第3軸に沿った幅よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記孔の前記n側電極の側の端と、前記n側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離は、前記孔の前記p側電極の側の端と、前記p側電極と、の間の前記第2軸に沿った距離以下であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記積層構造体は、前記孔に繋がる凹部を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記凹部は、前記p形半導体層を前記第1軸に沿って貫通しており、前記発光部に到達していることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記凹部は、前記p形半導体層及び前記発光部を前記第1軸に沿って貫通しており、前記n形半導体層に到達していることを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。
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