JP5606180B2 - シリカ微粒子の測定方法 - Google Patents
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Description
[精密部品]
本実施形態は、種々の精密部品に適用することが可能である。精密部品は、基本的には、二酸化ケイ素を基本とするものであり、ハードディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス素材、半導体ウェハ等が例示される。
[不純物を含むコロイダルシリカの製造方法]
シリカ微粒子としてのコロイダルシリカは、反応媒体中でアルキルシリケートを加水分解、重縮合反応して作成される。この時、合成を行う反応媒体に不純物を溶解させることにより、コロイダルシリカの中に不純物を含有させることができる。本実施形態は、3nm〜100nmの粒子径を有するコロイダルシリカを製造するに有効である。
[研磨液]
上記コロイダルシリカは、分散媒としての研磨用粒子分散液と混ぜ、種々の精密部品の最終研磨に使用する研磨液の主成分となる。
[ガラス基板の製造方法]
図2を参照して、精密部品がガラス基板である場合、従来技術と同様に、溶融工程1および研削工程2を実施する。次いで、実施形態1または2で製造されたコロイダルシリカを含有する研磨液を用いて、研磨工程3を行った後、洗浄工程4を施される。次いで、本実施形態では、サンプル検査工程10を実施する。
[半導体ウェハの製造方法]
図3を参照して、精密部品が半導体ウェハの場合、インゴット成長工程20、外形研削工程21、エッチング工程22、スラッシング工程23、面取り工程24、ラッピング工程25、エッチング工程26、鏡面研磨工程27、洗浄工程28、並びにサンプル検査工程29が実施される。
(1)外周研磨工程
まず、エッチング工程26を経たウェハは、外周部が外周研磨される。これにより、ウェハの面取り面が鏡面仕上げされる。外周研磨工程では、ウェハの面取り面を、遊離砥粒を含有する研磨液を供給しながら研磨布に押し付けて、鏡面に研磨する。
(2)粗研磨工程
次に、外周研磨工程を経たウェハは、表裏面を同時に研磨する両面研磨装置又は表裏面を片面ずつ研磨する片面研磨装置を用いて、表面が粗研磨される。粗研磨工程では、ウェハの所定の面を、遊離砥粒を含有する研磨液を供給しながら研磨布に押し付けて、5〜10μmの研磨量で研磨する。研磨布としては、例えばポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させた多孔性の不織布タイプの研磨布が挙げられる。なお、この粗研磨は1段階でもよく(1次研磨)、多段階でもよい(1次研磨、2次研磨、・・・)。すなわち、この粗研磨とは、最終的な鏡面仕上げを行う仕上げ研磨の前の全ての研磨工程を意味する。
(3)仕上げ研磨工程
粗研磨工程を経たウェハには、さらに表裏面を同時に研磨する両面同時研磨装置又は表裏面を片面ずつ研磨する片面研磨装置を用いて、仕上げ研磨が行われる。仕上げ研磨工程では、上述した本実施形態の研磨液をウェハの所定の面に供給しながら研磨布に押し付けて、1μm以下の研磨量で鏡面に研磨する。研磨布としては、例えば不織布の基布の上にポリウレタンを発泡させた2層のスウェード状研磨布が挙げられる。この仕上げ研磨により、鏡面研磨が完了する。
Claims (3)
- マーカーとして検出可能な不純物が組成内に含有されるよう調製されたシリカ微粒子を含む研磨液で二酸化ケイ素を基本とする精密部品を研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の精密部品を洗浄する洗浄工程とを経た前記精密部品に残存しているシリカ微粒子を測定するシリカ微粒子の測定方法であって、
前記洗浄工程後に、前記精密部品の表面を溶液で溶解する溶解ステップと、
前記溶解ステップを経た溶液中の不純物量からシリカ微粒子を定量する定量ステップと
を備えていることを特徴とするシリカ微粒子の測定方法。 - 請求項1に記載のシリカ微粒子の測定方法において、
前記不純物は、チタン、バナジウム、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ルビジウム、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、錫、アンチモン、テルル、セシウム、バリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマス、並びに希土類元素のグループから一以上選択される元素である
ことを特徴とするシリカ微粒子の測定方法。 - 請求項1または2に記載のシリカ微粒子の測定方法において、
前記不純物の含有量は、総質量の1ppmから10,000ppmまでの範囲である
ことを特徴とするシリカ微粒子の測定方法。
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