JP5597498B2 - エポキシ樹脂組成物、回路基板及び発光装置 - Google Patents
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しかし、これら処理は工程増となり、プライマー処理においては新しい樹脂層が形成され、エポキシ樹脂の特徴を十分に活かしきれなかった。
絶縁層が、分子量1000以上10000以下の高分子量エポキシ樹脂と、分子量300以上500以下の低分子量エポキシ樹脂と、エーテル結合を分子内に含む硬化剤、及び、球状酸化アルミニウムを有するエポキシ樹脂組成物であり、
高分子量エポキシ樹脂は、主鎖骨格がビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂のいずれかで、かつ、その骨格の末端にエポキシ基をもつエポキシ樹脂であり、
低分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂から選択される1種以上のエポキシ樹脂組成物であり、
かつ、回路層の表面粗さが1μm以下であり、JIS C 6481に基づき測定される、回路層と絶縁層の間における剥離強度が10N/cm以上である回路基板である。
この回路基板としては、回路層の表面粗さが3μm以下であり、回路層と絶縁層の間における剥離強度が10N/cm以上であるのが好ましい。
本発明の実施例1のエポキシ樹脂組成物は、
分子量1000以上10000以下の高分子量エポキシ樹脂として、高分子量エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(エピコート4010(登録商標)ジャパンエポキシレジン株式会社製 分子量8600)を、
分子量300以上500以下の低分子量エポキシ樹脂として、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂YX8000(ジャパンエポキシレジン株式会社製 分子量400)を、
エーテル結合を分子内に含む硬化剤として、エーテル結合を分子内に含むポリオキシプロピレンアミン(ジェファーミンD230(登録商標)三井化学株式会社製)、及び、ポリオキシプロピレンアミン(ジェファーミンD2000(登録商標)三井化学株式会社製)、
さらに、無機フィラーとして、球状アルミナDAW−10(電気化学工業株式会社製)、球状アルミナASFP−30(電気化学工業株式会社製)を、表1の配合比で作製したものである。表1の単位は容量%であり、実施例1で採用した無機フィラーは、実施例1で採用したエポキシ樹脂より熱伝導率の高いものである。
前述の高分子量エポキシ樹脂、低分子量エポキシ樹脂を130℃まで加熱した後、攪拌し溶解し、室温まで冷却した後、前述の硬化剤、無機フィラーをプラネタリーミキサーで15分間、攪拌混合し、エポキシ樹脂組成物を作製した。
本発明の形態の一つである回路基板は、金属板と、回路層とを有し、金属板と回路層の間に介した絶縁層を有する回路基板であって、絶縁層が実施例1のエポキシ樹脂組成物である回路基板である。
測定試料は、具体的には、金属板としての厚さ1.5mmのアルミニウム板上に、実施例1のエポキシ樹脂組成物を厚さ100μmとなるように塗布し、130℃で15分間加熱乾燥させた後、1cm幅に切断した70μm銅箔GTS−MP(古河サーキットフォイル株式会社製)の光沢面(表面粗さ約1μm)、70μm銅箔GTS−MPの粗化面(表面粗さ約7μm)、30μmニクロム箔(株式会社ニラコ製)、30μm銅ニッケル箔を基板上に配置し、プレス機によって面圧30kgf/cm2をかけながら140℃90分間加熱硬化したものである。銅箔、ニクロム箔、ニッケル箔は、回路基板としての回路層である。
剥離強度は、JIS C 6481に基づき、テンシロンU−1160(東洋ボールドウィン株式会社製)を用いて測定した。10N/cm以上の値が望ましい。
比較例1は、表1に示すように、低分子量エポキシ樹脂としての水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂YX8000(ジャパンエポキシレジン株式会社製 分子量400)27.4%、硬化剤としてのエーテル結合を分子内に含むポリオキシプロピレンアミン ジェファーミンD230((登録商標)三井化学株式会社製)11.5容量%、ポリオキシプロピレンアミン ジェファーミンD2000((登録商標)三井化学株式会社製)7.9容量%、無機フィラーとして球状アルミナDAW−10(電気化学工業株式会社製)37.1容量%、球状アルミナ、ASFP−30(電気化学工業株式会社製)15.9容量%をプラネタリーミキサーで15分間、攪拌混合しエポキシ樹脂組成物を作製した。比較例1は、高分子量エポキシ樹脂を含まないため、十分な応力緩和能力が得られず、銅箔光沢面、ニクロム箔及び銅ニッケル箔への剥離強度が不十分だった。
比較例2は、エーテル結合を分子内に含まない硬化剤を使用したものであり、具体的には、高分子量エポキシ樹脂としてのビスフェノールF型エポキシ樹脂のエピコート4010((登録商標)ジャパンエポキシレジン株式会社製 分子量8600)9.1容量%、低分子量エポキシ樹脂としての水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂YX8000(ジャパンエポキシレジン株式会社製 分子量400)29.4容量%、硬化剤として芳香族アミン H84B(日本合成加工株式会社製)8.6容量%、無機フィラーとして球状アルミナDAW−10(電気化学工業株式会社製)37.1容量%、球状アルミナ、ASFP−30(電気化学工業株式会社製)15.9容量%をプラネタリーミキサーで15分間、攪拌混合しエポキシ樹脂組成物を作製した。比較例2は硬化剤に芳香族アミンを使用したため、十分な応力緩和能力が得られず、銅箔光沢面、ニクロム箔、銅ニッケル箔への接着力が不十分だった。
Claims (3)
- 金属板と、回路層とを有し、金属板と回路層の間に介した絶縁層を有する回路基板であって、
絶縁層が、分子量1000以上10000以下の高分子量エポキシ樹脂と、分子量300以上500以下の低分子量エポキシ樹脂と、エーテル結合を分子内に含む硬化剤、及び、球状酸化アルミニウムを有するエポキシ樹脂組成物であり、
高分子量エポキシ樹脂は、主鎖骨格がビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂のいずれかで、かつ、その骨格の末端にエポキシ基をもつエポキシ樹脂であり、
低分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂から選択される1種以上のエポキシ樹脂組成物であり、
かつ、回路層の表面粗さが1μm以下であり、JIS C 6481に基づき測定される、回路層と絶縁層の間における剥離強度が10N/cm以上である回路基板。 - 回路層を構成する素材がニッケル、アルミニウム、銅のいずれか一つが回路層全体の50%以上である、請求項1に記載の回路基板。
- 請求項2または3に記載の回路基板と、回路基板上に設けられたLEDを有する発光装置。
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