JP5594027B2 - 誘電体薄膜形成用組成物及び誘電体薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてプロピオン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてイソ酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−吉草酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてイソ吉草酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−メチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてピバル酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ヘキサン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,2−ジメチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として3−メチルペンタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4−メチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ヘプタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−メチルヘキサン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として5−メチルヘキサン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表1に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4−エチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,2−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,4−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4,4−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてカルシウムジメトキシエトキシド、銅源として銅ジメトキシエトキシド、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2/2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.67)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてカルシウムジメトキシエトキシド、銅源として銅ジメトキシエトキシド、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてカルシウムジメトキシエトキシド、銅源として銅ジメトキシエトキシド、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.7/3.3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてプロピオン酸と2−エチル酪酸をモル比で等量になるように混合した混合カルボン酸溶媒をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸とn−ブタノールをモル比で等量になるように混合した混合カルボン酸・アルコール溶媒をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてプロピオン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−酪酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてイソ酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−吉草酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてイソ吉草酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−メチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表2に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてピバル酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ヘキサン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,2−ジメチル酪酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として3−メチルペンタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4−メチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ヘプタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−メチルヘキサン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として5−メチルヘキサン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4−エチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,2−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=0.4/3.6/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1.2)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2,4−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として4,4−ジメチルペンタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=2.8/1.2/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=0.4)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として酢酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として酢酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−オクタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−オクタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−オクタン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−オクタン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ノナン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源としてナフテン酸カルシウム、銅源としてナフテン酸銅、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてn−ノナン酸をそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてジエタノールアミンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例2と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒として2−エチルヘキサン酸をそれぞれ用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
先ず、以下の表3に示すように、カルシウム源として酢酸カルシウム・1水和物、銅源として酢酸銅・1水和物、チタン源としてチタンテトライソプロポキシド、有機溶媒としてp−キシレンをそれぞれ用意した。また、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンを用意した。次に、カルシウム源と銅源とチタン源と安定化剤とを加え、各金属比がCa/Cu/Ti=1/3/4(一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12のx=1)になるように、窒素雰囲気下、有機溶媒中で150℃に加熱して還流することにより、酸化物換算で10質量%濃度の薄膜形成用組成物を得た。それ以外は、実施例1と同様にして基板上に誘電体薄膜を形成した。
実施例1〜32及び比較例1〜37で得られた誘電体薄膜を形成した基板について、メタルマスクを用い、表面に250μm□のPt上部電極をスパッタリング法にて作製し、誘電体薄膜直下のPt下部電極間にてC−V特性(静電容量の電圧依存性)を周波数1kHzにて−5〜5Vの範囲で評価し、静電容量の最大値より比誘電率εrを算出した。なお、C−V特性の測定にはHP社製4284A precision LCR meterを用い、Bias step 0.1V、Frequency 1kHz、Oscillation level 30mV、Delay time 0.2sec、Temperature 23℃、Hygrometry 50±10%の条件で測定した。
Claims (5)
- 一般式:Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≦x≦1.1)で示される複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状誘電体薄膜形成用組成物であり、
前記複合金属酸化物を構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、一般式:CnH2n+1COOH(但し、nが5〜6の整数。)で表される直鎖、或いは1本又は2本以上の側鎖を有するカルボン酸を主成分とする有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなり、
前記複合金属酸化物を構成するための原料が、酢酸カルシウム、酢酸銅及びチタンテトライソプロポキシドであるか、ナフテン酸カルシウム、ナフテン酸銅及びチタンテトライソプロポキシドであるか、又はカルシウムジメトキシエトキシド、銅ジメトキシエトキシド及びチタンテトライソプロポキシドである
ことを特徴とする誘電体薄膜形成用組成物。 - β−ジケトン、β−ケトン酸、β−ケトエステル、オキシ酸、ジオール、トリオール、アルカノールアミン及び多価アミンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の安定化剤を、前記組成物中の合計量1モルに対して、3モル以下の割合で更に含有する請求項1記載の誘電体薄膜形成用組成物。
- 前記有機溶媒の主成分であるカルボン酸が、n−ヘキサン酸、2−エチル酪酸、2,2−ジメチル酪酸、3,3−ジメチル酪酸、2,3−ジメチル酪酸、3−メチルペンタン酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、3−メチルヘキサン酸、4−メチルヘキサン酸、5−メチルヘキサン酸、2−エチルペンタン酸、3−エチルペンタン酸、4−エチルペンタン酸、2,2−ジメチルペンタン酸、3,3−ジメチルペンタン酸、4,4−ジメチルペンタン酸、2,3−ジメチルペンタン酸、2,4−ジメチルペンタン酸、3,4−ジメチルペンタン酸、2,2,3−トリメチルブタン酸又は2,3,3−トリメチルブタン酸である請求項1又は2記載の誘電体薄膜形成用組成物。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を1回行うか又は所定の厚さの膜が得られるまで繰返し行い、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に該膜を結晶化温度以上で焼成することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。
- 請求項4記載の方法で形成された誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタ、積層薄膜キャパシタ、IPD、DRAMメモリ用キャパシタ、積層キャパシタ、トランジスタのゲート絶縁体、又はLCノイズフィルタ素子の複合電子部品の製造方法。
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