JP5593189B2 - 点灯装置 - Google Patents
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Description
尚、リモコンに利用される赤外線のキャリア周波数は38kHzや40kHzであるが、実際には30kHzから40kHzとバラツキがある。
101 整流回路
102 降圧回路
103,115 LED負荷
104,118,204,205,313 バイパス手段
105 駆動回路
106 電圧低下検出回路
107 ダイオードブリッジ
108,112 コンデンサ
109 パワーMOSFET
110 ダイオード
111 チョークコイル
113 電流検出手段
114,214 MOSFET
116,117,216 LED群
300 LED基板
301,302〜304,315 LEDモジュール
305 補助スイッチング素子
306,307,308,314 電極
309,310〜312 LED
Claims (10)
- 交流電源の電圧を直流電圧に変換する整流回路と、前記整流回路の出力である整流電圧を降圧して発光ダイオード負荷(以下、LED負荷と記す)に給電する降圧回路と、前記降圧回路が備えるスイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記整流電圧の低下を検出する電圧低下検出回路と、前記電圧低下検出回路の出力によって操作される少なくとも1個のバイパス手段とを備えた点灯装置であって、
前記LED負荷は、複数のLEDが直列に接続されたLED直列体を少なくとも1個備え、
前記バイパス手段は、前記LED直列体が備える一部のLEDと並列に接続され、
前記整流電圧は、前記交流電源の周波数の2倍の周波数で変動する直流電圧であり、前記電圧低下検出回路は、前記整流電圧が所定の設定値より低くなる度に、前記バイパス手段にバイパス指令信号を出力し、前記降圧回路のスイッチング周波数が所定の値より高い状態を維持することを特徴とする点灯装置。 - 請求項1に記載の点灯装置において、
前記バイパス手段は、前記LED直列体が備える一部のLEDと並列に接続される補助スイッチング素子を備え、
前記電圧低下検出回路は、前記整流電圧が設定値より低いとき、前記バイパス指令信号として前記補助スイッチング素子の駆動信号を出力することを特徴とする点灯装置。 - 請求項1に記載の点灯装置において、
前記LED直列体の1個あたりに、2個以上の前記バイパス手段が接続されることを特徴とする点灯装置。 - 請求項3に記載の点灯装置において、
前記電圧低下検出回路は、前記整流電圧が設定値より低いことを検出する度に、前記2個以上のバイパス手段に対してバイパス指令信号を順に出力することを特徴とする点灯装置。 - 請求項1から4の何れかに記載の点灯装置において、
前記駆動回路は、前記降圧回路に流れる電流を検出し、前記電流を電流設定値に従って制御するように前記スイッチング素子を駆動し、
前記電圧低下検出回路は、前記整流電圧が設定値より低いとき、前記電流設定値を大きくすることを特徴とする点灯装置。 - 請求項5に記載の点灯装置において、
前記駆動回路は、前記スイッチング素子がオンであるとき、前記降圧回路に流れる電流が電流設定値に達した時点で前記スイッチング素子をターンオフさせることを特徴とする点灯装置。 - 請求項1から6の何れかに記載の点灯装置において、
前記整流回路は、ダイオードブリッジと平滑用のコンデンサとを備え、
前記降圧回路は、ダイオードと前記スイッチング素子に相当するパワーMOSFETとチョークコイルとコンデンサと電流検出手段を備え、
前記駆動回路は、前記パワーMOSFETに流れる電流を検出し、前記パワーMOSFETがオンであるとき、前記パワーMOSFETに流れる電流が電流設定値に達した時点で前記パワーMOSFETをターンオフさせることを特徴とする点灯装置。 - 請求項1から7の何れかに記載の点灯装置において、
前記バイパス手段は、前記LEDが搭載される基板上に実装されることを特徴とする点灯装置。 - 請求項1から8の何れかに記載の点灯装置において、
前記バイパス手段は、複数のLEDを備えるLEDモジュールに内蔵されることを特徴とする点灯装置。 - 請求項1から9の何れかに記載の点灯装置において、
前記スイッチング素子のスイッチング周波数は40kHz以上であることを特徴とする点灯装置。
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