JP5589406B2 - Adhesive film for semiconductor wafer processing and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェハのバックグラインド時に適用される半導体ウェハ加工用テープとして半導体ウェハに供給され、さらに、半導体回路をフェイスダウンボンディング方式で回路基板に接続する際の回路部材接続用接着剤として適用されるテープの両方の機能を有する半導体ウェハ加工用接着フィルムに関するものである。 The present invention is supplied to a semiconductor wafer as a semiconductor wafer processing tape applied during back grinding of a semiconductor wafer, and further applied as an adhesive for connecting a circuit member when a semiconductor circuit is connected to a circuit board by a face-down bonding method. The present invention relates to an adhesive film for processing a semiconductor wafer having both functions of a tape.
従来、このような技術の分野として、下記特許文献１、２に記載の半導体装置製造方法が知られている。特許文献１記載の製造方法では、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層を有してなるウェハ加工用テープが準備される。そして、この加工用テープが半導体ウェハの突出電極が形成された面に張り合わされた状態で半導体ウェハのバックグラインド処理が行われる。一方、特許文献２記載の製造方法では、合成樹脂フィルム上に熱硬化性樹脂層を設けてなる半導体チップ接着用シートが製造され、半導体チップのバンプ電極面に熱硬化性樹脂層を圧着し、合成樹脂フィルムを引き剥がして回路基板に接続が行われる。
Conventionally, semiconductor device manufacturing methods described in
半導体ウェハのバックグラインド処理にあたって、ウェハ加工用テープはテープラミネータ等を用いてロール・トゥ・ロール方式で供給され、加圧ローラによりウェハに貼り付けられた後、ウェハ外周に沿ってカッターナイフを挿入、移動することによりウェハ形状に切り出される。切り出しの際には、ウェハ加工用フィルムを構成している全ての構成材に切り込みを入れカットされるのが一般的である。 For backgrinding of semiconductor wafers, wafer processing tape is supplied in a roll-to-roll manner using a tape laminator, etc., attached to the wafer with a pressure roller, and then inserted with a cutter knife along the wafer periphery The wafer is cut into a wafer shape by moving. At the time of cutting, it is common to cut and cut all the constituent materials constituting the wafer processing film.
前記カッターナイフは切断に供される過程で磨耗し、切断能力は徐々に劣化する。実装材料としての機能を有する前記半導体ウェハ加工用接着フィルムの場合、半導体装置に要求される耐はんだリフロー性や冷熱衝撃試験といった接続信頼性を満足する必要があるため、接着剤中に無機フィラー等の添加物を含む硬度が高く脆弱なフィルム形成がなされ、これを切断するカッターナイフの劣化が加速され、寿命がいっそう短くなるとともに、切断によるバリの形成や切削屑等が発生しやすくなるといった問題を生じる。 The cutter knife is worn in the process of being cut and the cutting ability gradually deteriorates. In the case of the adhesive film for processing a semiconductor wafer having a function as a mounting material, it is necessary to satisfy connection reliability such as solder reflow resistance and a thermal shock test required for a semiconductor device. The formation of a fragile film with a high hardness containing the additive is accelerated, the deterioration of the cutter knife that cuts it is accelerated, the life is further shortened, and the formation of burrs and cutting debris due to cutting is likely to occur. Produce.
そこで本発明は、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、半導体ウェハ貼り合せ後の切り出しにおいてカッターナイフの劣化を抑制するとともに、バリの形成や切削屑等の発生させない半導体加工用接着フィルムとその製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides an adhesive film for processing a semiconductor wafer in which protruding electrodes protrude from the main surface, and suppresses deterioration of a cutter knife in cutting after bonding of the semiconductor wafer, It is an object of the present invention to provide an adhesive film for semiconductor processing that does not generate the above and a manufacturing method thereof.
上記課題を解決するために、本発明は、下記（１）に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム並びに下記（２）〜（５）に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法を提供する。
（１）突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなり、前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。
（２）突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層を形成してなる第１の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に接着剤層を形成してなる第２の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材フィルムを剥がし、前記基材テープ上に前記分離層及び前記接着剤層をこの順に有してなり、前記分離層と前記接着剤層とからなる積層体を半導体ウェハと略同一サイズで前記基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去し、前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下である半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする、半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
（３）突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層、接着剤層をこの順で有してなる加工用テープの半導体ウェハへの貼合せに適用する部分を基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去し、前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下である半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする、半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
（４）突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層を有してなる第１の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズの接着剤層を間欠的にパターン形成してなる第２の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材フィルムを剥がし、前記分離層と前記接着剤層とからなる第３の積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去し、前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下である半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
（５）突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された分離層と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された接着剤層とを相対向させて重なり合うように貼り合わせ、基材フィルムを剥がし、該分離層と該接着剤層とからなる積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去し、前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下である半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
In order to solve the above problems, the present invention provides an adhesive film for processing a semiconductor wafer described in (1 ) below and a method for producing an adhesive film for processing a semiconductor wafer described in ( 2 ) to ( 5 ) below.
(1) A process for the adhesive film for a semiconductor wafer which protruding electrodes are formed to protrude from the main surface, Ri Na has a separating layer and an adhesive layer in this order on a substrate tape, the separation layer and the A laminate comprising an adhesive layer is intermittently formed on the base tape with a size substantially the same as a semiconductor wafer size, and the thickness of the separation layer is from 1 μm to 5 μm Adhesive film for processing.
( 2 ) A method for producing an adhesive film for processing a semiconductor wafer in which protruding electrodes protrude from a main surface, wherein the surface is separated from a first laminate formed by forming a separation layer on a base tape. A second laminate formed by forming an adhesive layer on a mold-treated base film is bonded with the separation layer and the adhesive layer facing each other, and the base film is peeled off. Ri on wood tape name has the separation layer and the adhesive layer in this order, leaving the laminate comprising said isolation layer and the adhesive layer in the semiconductor wafer and substantially the same size onto the base tape, The other part is removed, and the laminate composed of the separation layer and the adhesive layer is intermittently formed on the base tape with the same size as the semiconductor wafer size, and the thickness of the separation layer is semiconductor wafer processing adhesive is 1μm or more 5μm or less Wherein the obtaining Irumu method of the adhesive film for processing semiconductor wafers.
( 3 ) A method for producing an adhesive film for processing a semiconductor wafer in which protruding electrodes protrude from a main surface, wherein the processing tape has a separation layer and an adhesive layer in this order on a base tape. The part applied to the semiconductor wafer is left on the base tape, the other part is removed , and the laminate composed of the separation layer and the adhesive layer is substantially the same size as the semiconductor wafer. A method for producing an adhesive film for processing a semiconductor wafer, wherein the adhesive film is formed intermittently on a base tape, and the separation layer has a thickness of 1 μm or more and 5 μm or less .
( 4 ) A method for producing an adhesive film for processing a semiconductor wafer in which projecting electrodes are projected from a main surface, wherein the surface is separated from a first laminate having a separation layer on a base tape. A second laminate formed by intermittently patterning an adhesive layer having a size larger than that of a semiconductor wafer on a mold-treated base film is bonded to the separation layer and the adhesive layer facing each other. The base film is peeled off, the third laminate composed of the separation layer and the adhesive layer is left on the base tape in substantially the same size as the semiconductor wafer, and other portions are removed, and the separation layer is removed. And a laminated body composed of the adhesive layer is intermittently formed on the base tape with substantially the same size as the semiconductor wafer size, and the separation layer has a thickness of 1 μm or more and 5 μm or less. to obtain a film Production method of the adhesive film for processing a semiconductor wafer according to symptoms.
( 5 ) A manufacturing method of an adhesive film for processing a semiconductor wafer in which protruding electrodes are formed to protrude from a main surface, wherein the separation layer is intermittently patterned in a size larger than the semiconductor wafer on a base tape; An adhesive layer patterned intermittently with a size larger than that of a semiconductor wafer is laminated on the base film whose surface has been subjected to a release treatment so as to face each other, and the base film is peeled off. The laminated body composed of the adhesive layer is left on the base tape in substantially the same size as the semiconductor wafer, the other portions are removed , and the laminated body composed of the separation layer and the adhesive layer is substantially the same as the semiconductor wafer size. of being intermittently formed on the base tape in size, half, characterized in that the thickness of the separation layer to obtain an adhesive film for processing semiconductor wafers is 1μm or more 5μm or less Method for producing a body wafer processing adhesive film.
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは、半導体ウェハに貼合され略同一に切り出される際、基材テープへの切込みだけになるので、カッターナイフの劣化が抑えられるとともに、切削屑を発生させず使用することができる。
また、上記（２）に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルムでは、分離層及び接着剤層からなる積層体が半導体ウェハと略同一のサイズに間欠的に形成されているため、半導体ウェハ加工用接着フィルムを半導体ウェハへ貼り付け後、カッターナイフによる半導体ウェハ形状への切り出しの際に前記積層体へ切込むことが無く基材テープへの切り込みだけになるため、カッターナイフの劣化を防止できるとともに、バリや切削屑等の発生を抑え、半導体ウェハ裏面の薄化研削において均一・平坦な加工ができるという効果がある。
Since the adhesive film for processing a semiconductor wafer of the present invention is only cut into the base tape when it is bonded to a semiconductor wafer and cut out substantially the same, the deterioration of the cutter knife is suppressed, and cutting waste is not generated. Can be used.
In the adhesive film for processing a semiconductor wafer described in the above (2), since the laminate composed of the separation layer and the adhesive layer is intermittently formed in substantially the same size as the semiconductor wafer, the adhesive for processing the semiconductor wafer is used. After sticking the film to the semiconductor wafer, when cutting into the semiconductor wafer shape with a cutter knife, because it will only cut into the base tape without cutting into the laminate, it can prevent the deterioration of the cutter knife, This has the effect of suppressing the generation of burrs and cutting waste, and enabling uniform and flat processing in the thinning grinding of the back surface of the semiconductor wafer.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
図１は本発明の実施形態に係る半導体ウェハ加工用接着フィルムの断面を示す外観図である。 FIG. 1 is an external view showing a cross section of an adhesive film for processing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
まず、図１に示されるような半導体ウェハ加工用接着フィルムＦ１は、基材テープ１上に分離層２、接着剤層３がこの順に積層された構造を有している。
First, an adhesive film F1 for processing a semiconductor wafer as shown in FIG. 1 has a structure in which a
続いて、図２に半導体ウェハ加工用接着フィルムＦ１の外観を示す。図２は、基材テープ１上に分離層２、接着剤層３からなる積層体が間欠的に半導体ウェハ１０に略同一のサイズで形成されている様子を示している。
Then, the external appearance of the adhesive film F1 for semiconductor wafer processing is shown in FIG. FIG. 2 shows a state in which a laminated body composed of the
本発明の好ましい一形態として、図３に半導体ウェハ１０に加工用接着フィルムＦ１を貼合し、カッターナイフ３０により半導体ウェハ１０のサイズに切り出す様子の断面図を示す。加工用接着フィルムＦ１を準備し、接着剤層３側を半導体ウェハ１０の突出電極１０ａが形成された回路面Ｓ１に向けた状態で、加工用接着フィルムＦ１を半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１に貼り付ける。この加工用接着フィルムＦ１の半導体ウェハ１０への貼付けは、例えばステージ及び加圧ロールに加熱機構が施されたラミネータもしくは加熱機構と吸引機構と加圧ロール機構を備えたラミネータを用いて行うことができる。
As a preferred embodiment of the present invention, FIG. 3 shows a cross-sectional view of a state in which a processing adhesive film F1 is bonded to a
このとき、加工用接着フィルムＦ１は半導体ウェハ１０のサイズと略同一に間欠的に形成されているため、半導体ウェハ１０に貼合され切り出される際、基材テープ１への切込みだけになるので、カッターナイフ２０の劣化を抑制し、切削屑を発生させず半導体ウェハ裏面Ｓ２の薄化研削を均一・平坦に加工することができる。
At this time, since the processing adhesive film F1 is intermittently formed substantially the same as the size of the semiconductor wafer 10, when it is bonded to the
加工用接着フィルムＦ１は、例えば、基材テープ1に分離層２が形成されたものと、表面を離型処理した基材フィルム４に接着剤層３が形成されたものを、分離層２と接着剤層３を貼り合せるように、室温ないしは加温してラミネートし、基材フィルムを剥がし除去することで形成される。また、加工用接着フィルムＦ１は、例えば、基材テープ１に分離層組成物を塗工した後に乾燥することによって形成された分離層２へ、接着剤組成物を塗工した後に乾燥することによって接着剤層３を形成することで形成される。
The processing adhesive film F1 includes, for example, a
さらに、加工用接着フィルムＦ１は、例えば、基材テープ１に分離層２、接着剤層３がこの順に形成された積層体Ｒ１の半導体ウェハ１０への貼合せに適用する部分を基材テープ１上へ残し、それ以外の部分を除去することで得られる。
Further, the processing adhesive film F1 is, for example, a portion of the
加工用接着フィルムＦ１は、例えば、基材テープ１に分離層２が形成されたものと、表面を離型処理した基材フィルム４上に半導体ウェハ１０より大きいサイズで間欠的にパターン形成された接着剤層３とを相対向させて貼り合わせ、分離層２と接着剤層３とからなる積層体Ｒ１を半導体ウェハ１０と略同一サイズで基材テープ１上へ残し、それ以外の部分を除去することで得られる。加工用接着フィルムＦ１は、例えば、基材テープ１上に半導体ウェハ１０より大きいサイズで間欠的にパターン形成された分離層２と、表面を離型処理した基材フィルム４上に半導体ウェハ１０より大きいサイズで間欠的にパターン形成された接着剤層３とを相対向させて重なり合うように貼り合わせ、分離層２と接着剤層３とからなる積層体を半導体ウェハ１０と略同一サイズで基材テープ１上へ残し、それ以外の部分を除去することで得られる。前記の不要部分の除去としては、例えば、カッターナイフ２０を用いて前記積層体Ｒ１のみを所定の形状にハーフカットして不要部分を取り除くことが出来る。
For example, the processing adhesive film F1 was intermittently patterned in a size larger than that of the semiconductor wafer 10 on the
なお、加工用接着フィルムＦ１において、基材テープ１もしくは基材フィルム４上に分離層２または接着剤層３を間欠的に形成する方法としては、例えば、塗工液への加圧力を制御しダイからの吐出量を調整することで塗工液を基材に間欠的に塗着するダイコート塗工法、回転するコーティングロールに塗工液を所定量担持させ基材に転写して塗着するマイクログラビア塗工法等が挙げられるが、加工用接着フィルムＦ１はバックグラインド工程において半導体ウェハ１０の平坦性を保持する必要がありフィルム厚みの均一性が必要とされるため、分離層２または接着剤層３の所定の厚み範囲で塗工厚み精度の高い塗工方法であることが好ましい。
As a method for intermittently forming the
接着剤層３は、少なくとも熱硬化性樹脂、高分子量成分及び架橋反応を開始させるための化合物を含有する樹脂組成物と、樹脂組成物との屈折率差が±０．０６の範囲のフィラーと、を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。高分子量成分は室温では固体であり、接着剤層のフィルム形成性を向上させると共に、加熱によって軟化する。架橋反応を開始させるための開始剤は固体もしくは液状であり、架橋反応を起こすための加熱時に熱硬化性樹脂と反応または熱硬化性樹脂の反応を促進する一方、室温から貼付温度までの作業温度では反応しない、もしくは反応速度が遅くフリップチップ接続時の接着性が十分に発現される程度まで反応性を保持した状態を維持させることができる。フィラーは樹脂組成物の未硬化時の凝集力を高くすると共に、硬化後の線膨張係数を低減させる。
The
接着剤層３の厚みは、接着剤層３が半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。また、半導体ウェハの突出電極を埋め込んだ状態であっても突出電極高さよりも厚みが大きい接着剤層である。通常、接着剤層３の厚みが、突出電極の高さと回路基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと回路基板との間を十分に充填できる。
The thickness of the
分離層２は、常温において固体である。分離層２は、少なくとも熱硬化性樹脂、高分子量成分及び架橋反応を開始させるための化合物からなる樹脂組成物を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。高分子量成分は室温では固体であり、分離層のフィルム形成性を向上させると共に、加熱によって軟化する。架橋反応を開始させるための開始剤は固体もしくは液状であり、架橋反応を起こすための加熱により熱硬化性樹脂と反応または熱硬化性樹脂の反応を促進する一方、室温から、貼付温度までの作業温度では反応しない、もしくは反応速度が遅く、フリップチップ接続時の接着性が十分に発現される程度まで反応性を保持した状態を維持させることができる。
The
分離層２はバックグラインド工程後に基材を引き剥がす工程で分離層と基材の界面はく離、分離層２の凝集破壊、及び分離層２と接着剤層３の界面はく離のいずれか単独もしくは混合の破壊モードで引き剥がされることによって、接着剤層３が半導体ウェハから剥がれることなく基材を引き剥がすことが出来る。分離層２の破壊を伴って接着剤層３から引き剥がされた後、接着剤層３を透過してウェハ回路面のスクライブラインまたはアライメントマークを認識させる必要があり、分離層２が厚すぎる場合には破壊後の凹凸が乱反射の原因となって認識性が低下するため、好ましくない。一方分離層２が薄すぎる場合の不具合は特に無いものの、均一な塗工状態を確保するために、分離層２の厚みは１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは１μｍ以上３μｍ以下が好ましい。
分離層２と接着剤層３の凝集力の関係は、分離層２の凝集力＜接着剤層３の凝集力、である。分離層２の凝集力が接着剤層３の凝集力よりも大きい場合、基材を引き剥がす際に接着剤層の凝集破壊を伴う危険性があるため、好ましくない。分離層２と接着剤層３の凝集力の差は、例えば配合成分の量、種類を変更することによって分離層２の凝集力＜接着剤層３の凝集力とすることが出来る。例えば、高分子量成分の分子量を分離層２＜接着剤層３とすること、樹脂組成物中に含ませる液状成分の量を分離層２＞接着剤層３とすること、接着剤層３にフィラーを含有させることによって達成することが出来る。分離層２と接着剤層３の凝集力が分離層２＝接着剤層３である場合および分離層２＞接着剤層３である場合、基材を引き剥がす際に接着剤層３の分離層２側からの一部もしくは厚み方向全体が抜き取られてしまい、フリップチップ接続した際の樹脂充てんが不十分になり、半導体装置の信頼性が損なわれるため、好ましくない。
The relationship between the cohesion force of the
分離層２と接着剤層３に凝集力の差を設けるための設計時の測定手法として、分離層２および接着剤層３の凝集力は、分離層２を形成させるための樹脂組成物と、接着剤層３を形成させるための組成物それぞれを離形処理が施された塗工用フィルム基材に塗布後乾燥し、それぞれ単独の層で形成したフィルムを作製後、テンシロンなどの引っ張り試験機で引っ張り測定を行うことで比較出来る。また、分離層２を形成させるための樹脂組成物と、接着剤層３を形成させるための組成物それぞれを離形処理が施された塗工用フィルム基材に塗布後乾燥し、作製したフィルムについて粘弾性測定装置を用い、引っ張りモードで周波数を加えて室温の弾性率を測定することによっても比較することができる。周波数は相対評価のため、比較対象間で同一であれば良く、任意の周波数を選択することが出来る。または、前記作製したフィルムをずり粘弾性測定装置を用い、ずりモードで周波数を加えて室温の弾性率を測定することによっても比較することができる。周波数は相対評価のため、比較対象間で同一であれば良く、任意の周波数を選択することが出来る。また、基材フィルム上に分離層２、接着剤層３の順に積層した積層体とした後、接着剤層３を半導体ウェハに貼付け、基材フィルムを引き剥がす、または接着剤層３を両面テープで適当な基材表面に固定した後、基材フィルムを引き剥がす。引き剥がした後、基材フィルム上に残った樹脂の厚みをマイクロメータ等の厚みを計測する装置で計測し、基材フィルムに塗布した際の分離層２の厚みと同等もしくはこれ以下であれば凝集力の関係が分離層２＜接着剤層３であり、基材フィルム上に残った樹脂の厚みが当初の分離層の厚みよりも厚くなった場合は、凝集力の関係が分離層＝接着剤層、または分離層＞接着剤層であると判定することが出来る。
As a measurement method at the time of design for providing a difference in cohesive force between the
基材テープ１として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。
Examples of polymers that can be selected as the
基材フィルム４として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ＰＥＴ、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。例えばシリコーン系離型処理剤によって表面に離型層5を形成したＰＥＴ基材が挙げられる。 Examples of polymers that can be selected as the base film 4 include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid. Homopolymers or copolymers of α-olefins such as ethyl copolymers, ethylene-methyl acrylate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ionomers or mixtures thereof, PET, polycarbonate, polymethyl methacrylate, etc. Engineering plastics, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, thermoplastic elastomers such as polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof can be listed. For example, a PET substrate having a release layer 5 formed on the surface with a silicone-based release treatment agent can be used.
離形層が形成されていない基材フィルムに接着剤樹脂組成物を塗工した場合、基材の引き剥がしが困難となったり、引き剥がせた場合でも接着剤樹脂組成物の一部をも引き剥がしてしまうという問題がある。これに対して、基材フィルムに離形層が形成されている場合、接着剤層から基材を容易に剥離することができる。離型層の厚みは特に限定されないが、５０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．５〜５μｍであるのがより好ましい。０．５μｍより薄い場合には、離型層の均一な分布が損なわれ離型性が低下するため、好ましくない。５μｍより厚い場合には、特に不具合はないものの、離型処理剤が転写し接着剤層の接着特性を低下させることを防止するため、３μｍ以下であることが好ましい。 When the adhesive resin composition is applied to a base film on which a release layer is not formed, it becomes difficult to peel off the base material, or even if it is peeled off, a part of the adhesive resin composition is retained. There is a problem of peeling off. On the other hand, when the release layer is formed on the substrate film, the substrate can be easily peeled from the adhesive layer. Although the thickness of a mold release layer is not specifically limited, It is preferable that it is 50 micrometers or less, More preferably, it is more preferable that it is 0.5-5 micrometers. When the thickness is less than 0.5 μm, the uniform distribution of the release layer is impaired, and the releasability is lowered. If it is thicker than 5 μm, there is no particular problem, but it is preferably 3 μm or less in order to prevent the release treatment agent from transferring and deteriorating the adhesive properties of the adhesive layer.
分離層２及び接着剤層３に使用される熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。分離層５と接着剤層２に使用される熱硬化性樹脂は同種であっても、別種であっても構わないが、好ましくは反応機構、保存性、反応温度が同種の熱硬化性樹脂であることが好ましい。
Examples of thermosetting resins used for the
高分子量成分としては、室温で固体状態となり、加熱によって軟化するポリマーであって、重量平均分子量で１万以上のポリマーであることが好ましい。このような高分子量成分として、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレンブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。また、これらの高分子量成分には熱硬化性樹脂と反応する官能基を側鎖もしくは末端に有することもできる。このような官能基としては、エポキシ基、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、アミン等が挙げられる。これらの官能基は反応時に解裂する保護基や立体障害で反応性を抑制したキャッピングが施されていても良い。 The high molecular weight component is preferably a polymer that becomes a solid state at room temperature and softens by heating, and has a weight average molecular weight of 10,000 or more. Examples of such a high molecular weight component include polyester resin, polyether resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyimide resin, polyarylate resin, polyvinyl butyral resin, polyurethane resin, phenoxy resin, polyacrylate resin, polybutadiene, and acrylonitrile butadiene. Examples thereof include a polymer (NBR), an acrylonitrile butadiene rubber styrene resin (ABS), a styrene butadiene copolymer (SBR), and an acrylic acid copolymer. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, these high molecular weight components may have a functional group that reacts with a thermosetting resin at a side chain or at a terminal. Examples of such functional groups include epoxy groups, phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, carboxyl groups, and amines. These functional groups may be capped with their reactivity suppressed by a protective group that is cleaved during the reaction or steric hindrance.
架橋反応を開始させるための化合物としては、熱硬化性樹脂の高反応性と保存安定性を両立させるための潜在性を有する化合物であることが好ましい。潜在性は、例えばマイクロカプセルによる保護、分解温度と保存温度の差を広げること、融点を有し保存時は固体で反応時には融解することにより反応性を発現するものであって保存温度と融解温度の差を広げること、反応温度で解裂する保護基を導入し保存時は安定とする、等の方法によって発現することが出来る。マイクロカプセル型硬化剤は例えば、硬化剤を核としてポリウレタン、ポリスチレン、ゼラチン及びポリイソシアネート等の高分子物質や、ケイ酸カルシウム、ゼオライトなどの無機物、及びニッケルや銅などの金属薄膜などの被膜により実質的に覆われており、平均粒径が１μｍ以下、好ましくは５μｍ以下のものである。前述の架橋反応を開始させるための化合物は熱硬化性樹脂の反応機構に最適な化合物を選択することが出来る。例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、重合促進にイミダゾールやアミン系の化合物を選択することが出来る。付加反応で架橋が進行する場合にはトリフェニルフォスフィンやＤＢＵ等の重合触媒を使用することができる。この他にも、接着剤樹脂組成物は三次元架橋性樹脂と反応する成分としてフェノール系、イミダゾール系、ヒドラジド系、チオール系、ベンゾオキサジン、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド、有機過酸化物系の化合物を含んでも良い。また、これらの硬化剤の可使時間を長くするためポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化してもよい。 The compound for initiating the crosslinking reaction is preferably a compound having the potential to achieve both high reactivity and storage stability of the thermosetting resin. The potential is, for example, protection by microcapsules, widening the difference between decomposition temperature and storage temperature, and having a melting point and solidity during storage and melting during reaction, so that the reactivity is expressed. Storage temperature and melting temperature It can be expressed by a method such as widening the difference between them, or introducing a protecting group that cleaves at the reaction temperature to make it stable during storage. The microcapsule type curing agent is, for example, substantially composed of a polymer material such as polyurethane, polystyrene, gelatin and polyisocyanate with a curing agent as a core, an inorganic material such as calcium silicate and zeolite, and a metal thin film such as nickel and copper. The average particle size is 1 μm or less, preferably 5 μm or less. As the compound for initiating the above-described crosslinking reaction, an optimum compound can be selected for the reaction mechanism of the thermosetting resin. For example, when the thermosetting resin is an epoxy resin, an imidazole or amine compound can be selected for promoting the polymerization. When crosslinking proceeds by an addition reaction, a polymerization catalyst such as triphenylphosphine or DBU can be used. In addition to this, the adhesive resin composition is a phenolic, imidazole, hydrazide, thiol, benzoxazine, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amineimide, polyamine as a component that reacts with the three-dimensional crosslinkable resin. Or a dicyandiamide or organic peroxide compound. Further, in order to extend the pot life of these curing agents, they may be microencapsulated by coating with a polyurethane or polyester polymer material.
フィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。接着剤層３にフィラーを添加することによって凝集力を向上させられるため、分離層との凝集力差を設けることが容易である。また、フィラーによって接着剤層硬化後の線膨張係数を小さくすることが出来る。線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウェハF1から製造された半導体チップが回路基板に搭載された後も、突出電極と回路基板の配線との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと回路基板とを接続することによって製造される半導体装置の信頼性を向上させることができる。
前述のフィラーとしては化学組成が単一の化合物として表されるものであっても、複数の組成からなる化合物として表されるフィラーであっても良い。単一の化合物として表されるフィラーの例としては、シリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア等の酸化物フィラー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物フィラー、硫酸バリウム、硫酸ナトリウム等の硫酸化物フィラー等が挙げられる。複数の組成からなる化合物として表されるフィラーの例として、亜鉛、アルミニウム、アンチモン、イッテルビウム、イットリウム、インジウム、エルビウム、オスミウム、カドミウム、カルシウム、カリウム、銀、クロム、コバルト、サマリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、錫、セリウム、タングステン、ストロンチウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ナトリウム、ニオブ、ニッケル、バナジウム、ハフニウム、パラジウム、バリウム、ビスマス、プラセオジム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ユウロピウム、ランタン、リン、ルテチウム、ルテニウム、ロジウム、ボロン等金属元素を含む酸化物が挙げられる。これらは混合して用いることも出来る。複合酸化物は２種類以上の金属を原料として含み、原料金属が単独で酸化物となったときの構造とは異なる構造を有する化合物であることが好ましい。特に好ましくはアルミニウム、マグネシウムまたはチタンから選ばれる少なくとも１種類の金属元素と、他の元素の２種類以上を原料に含む酸化物の化合物からなる複合酸化物粒子である。このような複合酸化物としてはホウ酸アルミニウム、コージェライト、フォルスライト、ムライト、などが挙げられる。複合酸化物粒子の線膨張係数は0℃から700℃以下の温度範囲で７×F1-6/℃以下であることが好ましく、さらに好ましくは3×F1-6/℃以下である。熱膨張係数が大きい場合は回路部材接続用接着剤の熱膨張係数を下げるために複合酸化物粒子を多量に添加する必要が発生するため、好ましくない。
The filler may be crystalline or non-crystalline. Since the cohesion force can be improved by adding a filler to the
The filler described above may be a chemical compound expressed as a single compound or a filler expressed as a compound composed of a plurality of compositions. Examples of fillers expressed as a single compound include oxide fillers such as silica, alumina, titania and magnesia, hydroxide fillers such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, and sulfates such as barium sulfate and sodium sulfate. A filler etc. are mentioned. Examples of fillers expressed as compounds having multiple compositions include zinc, aluminum, antimony, ytterbium, yttrium, indium, erbium, osmium, cadmium, calcium, potassium, silver, chromium, cobalt, samarium, dysprosium, zirconium, tin , Cerium, tungsten, strontium, tantalum, titanium, iron, copper, sodium, niobium, nickel, vanadium, hafnium, palladium, barium, bismuth, praseodymium, beryllium, magnesium, manganese, molybdenum, europium, lanthanum, phosphorus, lutetium, ruthenium And oxides containing metal elements such as rhodium and boron. These can also be mixed and used. The composite oxide preferably contains two or more kinds of metals as raw materials, and is a compound having a structure different from the structure when the raw metal becomes an oxide alone. Particularly preferred are composite oxide particles comprising an oxide compound containing at least one metal element selected from aluminum, magnesium or titanium and two or more other elements as raw materials. Examples of such complex oxides include aluminum borate, cordierite, false light, and mullite. The linear expansion coefficient of the composite oxide particles is preferably 7 × F 1-6 / ° C. or less, more preferably 3 × F 1-6 / ° C. or less, in the temperature range of 0 ° C. to 700 ° C. or less. A large thermal expansion coefficient is not preferable because a large amount of complex oxide particles need to be added to lower the thermal expansion coefficient of the circuit member connecting adhesive.
分離層２及び接着剤層３は、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。
The
接着剤層３には導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極の高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、接着剤層３を異方導電性の接着剤層とすることができる。
Conductive particles may be dispersed in the
本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムが適用される半導体ウェハは、ダイシング工程の後に半導体チップを得ることが出来るものである。半導体チップは突出した接続端子を有している。半導体チップの突出した接続端子は、金ワイヤを用いて形成される金スタッドバンプ、金属ボールを半導体チップの電極に熱圧着や超音波併用熱圧着機によって固定したもの、及びめっきや蒸着によって形成されたものでもよい。突出した接続端子は単一の金属で構成されている必要はなく、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス等複数の金属成分を含んでいてもよいし、これらの金属層が積層された形をしていてもよい。また、突出した接続端子を有する半導体チップは、突出した接続端子を有する半導体ウェハの状態でも構わない。 The semiconductor wafer to which the adhesive film for processing a semiconductor wafer according to the present invention is applied can obtain a semiconductor chip after the dicing process. The semiconductor chip has a protruding connection terminal. The protruding connection terminal of the semiconductor chip is formed by a gold stud bump formed using a gold wire, a metal ball fixed to the electrode of the semiconductor chip by a thermocompression bonding or ultrasonic thermocompression bonding machine, or plating or vapor deposition. May be good. The protruding connection terminal does not need to be made of a single metal, and may contain a plurality of metal components such as gold, silver, copper, nickel, indium, palladium, tin, and bismuth. May be laminated. Further, the semiconductor chip having the protruding connection terminal may be in the state of a semiconductor wafer having the protruding connection terminal.
１…基材テープ、２…分離層、３…接着剤層、４…基材フィルム、１０…半導体ウェハ、１０a…突出電極、２０…カッターナイフ、Ｒ１…積層体、Ｆ１…加工用テープ、Ｓ１…回路面、Ｓ２…裏面。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されており、
前記分離層の厚みが１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。 A process for the adhesive film of the semiconductor wafer which protruding electrodes are formed to protrude from the main surface, Ri Na has a separating layer and an adhesive layer in this order on a substrate tape,
A laminate composed of the separation layer and the adhesive layer is intermittently formed on the base tape with a size substantially the same as a semiconductor wafer size,
An adhesive film for processing a semiconductor wafer, wherein the separation layer has a thickness of 1 μm or more and 5 μm or less .
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