JP5583278B2 - 細胞の磁気的な流れ測定方法および装置 - Google Patents
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Description
センサ装置の使用開始が行われ、使用開始のために少なくとも1つの第1の磁気抵抗素子および少なくとも1つの第2の磁気抵抗素子がホイートストンブリッジに対角線配置または並列配置で配列されて、流れ方向に相互に間隔をおいて配置され、少なくとも前記第1の磁気抵抗素子と少なくとも前記第2の磁気抵抗素子との間隔は検出されるべき細胞タイプに合わせられており、
細胞の磁気的なマーキングが行われ、
前記センサ装置を通る細胞の流れが生成され、細胞の流れは最初に前記第1の磁気抵抗素子、次に前記第2の磁気抵抗素子を通るように案内され、
個別細胞検出が行われ、前記センサ装置を通って流れていく磁気的にマーキングされた個々の細胞によって少なくとも3つの測定偏倚からなる特徴的なパターンをもつ測定信号が生成され、
測定信号の評価が行われ、該評価では測定偏倚の向きの順序に基づいて測定信号が個別細胞検出として識別される細胞の磁気的な流れ測定方法によって解決される(請求項1)。
細胞の磁気的な流れ測定方法に関する本発明の有利な実施態様は次の通りである。
・測定偏倚の数、測定偏倚の間隔、または測定偏倚の振幅のような特徴的な測定信号パターンに由来する少なくとも1つの別の情報が評価される(請求項2)。
・前記評価では前記磁気抵抗素子の既知の間隔に基づいて流速が算出される(請求項3)。
・前記評価では測定偏倚の間隔に基づいて細胞直径が算出される(請求項4)。
・前記評価では測定偏倚の振幅に基づいて信号対雑音比が求められる(請求項5)。
・細胞の磁気的なマーキングのために超常磁性マーカーが使用される(請求項6)。
・特徴的な細胞直径をもつ予め定められたタイプの細胞の磁気的な流れ測定をするために、前記第1の磁気抵抗素子および第2の磁気抵抗素子が流れ方向に細胞直径の最大2倍である相互の間隔をおいて配置される(請求項7)。
・前記センサ装置の使用開始のために4つの前記磁気抵抗素子は第1の対および第2の対をなすようにホイートストンブリッジに並列配置で配列され、細胞の流れが最初に第1の磁気抵抗素子、次に第2の磁気抵抗素子、次に第3の磁気抵抗素子、次に第4の磁気抵抗素子を通るように案内可能であるように直列に配置され、
細胞の流れは上記の順序で4つの前記磁気抵抗素子を通るように案内され、
前記評価では前記磁気抵抗素子の前記第1の対と第2の対との間の既知の間隔に基づいて流速が算出される(請求項8)。
前述の課題は、本発明によれば、細胞の磁気的な流れ測定を行なう装置において、
少なくとも1つの第1の磁気抵抗素子および少なくとも1つの第2の磁気抵抗素子を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジを含むセンサ装置を備え、前記磁気抵抗素子は対角線配置または並列配置で配列されるとともに、流れ通路に沿って相互に間隔をおきながら配置されており、少なくとも前記第1の磁気抵抗素子と少なくとも前記第2の磁気抵抗素子との間隔は検出されるべき細胞タイプに合わせられており、細胞の流れは最初に第1の磁気抵抗素子、次に第2の磁気抵抗素子を通るように案内可能であり、前記センサ装置は測定信号を検出するように構成されており、前記磁気抵抗素子の前記間隔は、前記測定信号が少なくとも3つの測定偏倚を含む1つの特徴的な測定信号パターンを示す値であり、
さらに、測定偏倚の向き(方向)の順序に基づいて測定信号を個別細胞検出として識別する評価電子装置を備えている細胞の磁気的な流れ測定装置によっても解決される(請求項9)。
細胞の磁気的な流れ測定装置に関する本発明の有利な実施態様は次の通りである。
・前記磁気抵抗素子の前記間隔は最大で50μmである(請求項10)。
・前記評価電子装置は前記測定信号パターンから前記磁気抵抗素子の既知の前記間隔に基づいて流速を算出する(請求項11)。
・前記評価電子装置は測定偏倚の間隔に基づいて細胞直径を算出する(請求項12)。
・前記評価電子装置は測定偏倚の振幅に基づいて信号対雑音比を求める(請求項13)。
・前記センサ装置はホイートストンブリッジの4つの磁気抵抗素子を含んでおり、これらの4つの磁気抵抗素子は、磁気抵抗素子からなる第1の対および第2の対をなすように並列配置で配列され、細胞の流れが最初に第1の前記磁気抵抗素子、次に第2の前記磁気抵抗素子、次に第3の前記磁気抵抗素子、次に第4の前記磁気抵抗素子を通るように案内可能であるように直列に配置され、前記評価電子装置は、前記磁気抵抗素子の前記第1の対と第2の対との間の既知の対間隔に基づいて流速を算出する(請求項14)。
・前記磁気抵抗素子の前記第1の対と第2の対との間の対間隔は、1つの対内の個々の磁気抵抗素子間の間隔よりも大きい(請求項15)。
まず、センサ装置の使用開始が行われる。このとき少なくとも1つの第1の磁気抵抗素子および少なくとも1つの第2の磁気抵抗素子が、ホイートストンブリッジに対角線配置または並列配置で配列される。ここで対角線配置とは、ホイートストンブリッジの対角線上で互いに向かい合う抵抗器が磁気抵抗素子であることを意味しており、並列配置とは、ホイートストンブリッジの相並んで位置する抵抗器が磁気抵抗素子であることを意味している。磁気抵抗素子は流れ方向に相互間隔をおいて配置される。特にこの間隔は、検出されるべき細胞のタイプに合わせられる。さらに、細胞の磁気的なマーキングが行われる。使用開始と細胞のマーキングの後、センサ装置を通る細胞の流れが生成される。細胞の流れは、最初に第1の磁気抵抗素子、次に第2の磁気抵抗素子を通るように案内される。このとき個別細胞検出が行われる。センサ装置を通って流れていく磁気的にマーキングされた個々の細胞の磁界によって、少なくとも3つの測定偏倚(Messausschlg)からなる特徴的なパターンをもつ測定信号が生成される。特徴的な測定信号パターンは、測定偏倚の数、測定偏倚の間隔、測定偏倚の振幅、測定偏倚の向き(方向)、測定偏倚の向き(方向)の順序などの情報を提供する。個別細胞検出に引き続いて測定信号の評価が行われ、この評価では、測定信号が特徴的な測定偏倚の順序に基づいて個別細胞検出として識別される。
1.たとえば未結合の粒子のようなバックグラウンドに関わりのない、正の測定偏倚および負の測定偏倚の交互の順序による個々の細胞の特徴的な指紋。
2.インビトロ流速測定(ガラス管内での流速測定)。それにより、細胞凝集や凝集したマーカーの偽の正信号を排除することができる。
3.上側閾および下側閾値に基づいて振幅の評価。
4.測定信号パターン内部における個々の測定偏倚の間隔を通じての細胞サイズの推定。
20 流れ、流れ方向
40 対角線配置
90 並列配置
R1,R2,R3,R4 磁気抵抗素子
Claims (15)
- 細胞(10)の磁気的な流れ測定を行なう方法において、
センサ装置の使用開始が行われ、使用開始のために少なくとも1つの第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)および少なくとも1つの第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)がホイートストンブリッジに対角線配置(40)または並列配置(90)で配列されて、流れ方向(20)に相互に間隔(Δx)をおいて配置され、少なくとも前記第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)と少なくとも前記第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)との間隔は検出されるべき細胞タイプに合わせられており、
細胞(10)の磁気的なマーキングが行われ、
前記センサ装置を通る細胞の流れが生成され、細胞(10)の流れ(20)は最初に前記第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)、次に前記第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)を通るように案内され、
個別細胞検出が行われ、前記センサ装置を通って流れていく磁気的にマーキングされた個々の細胞(10)によって少なくとも3つの測定偏倚からなる特徴的なパターンをもつ測定信号が生成され、
測定信号の評価が行われ、該評価では測定偏倚の向きの順序に基づいて測定信号が個別細胞検出として識別される細胞の磁気的な流れ測定方法。 - 測定偏倚の数、測定偏倚の間隔(Δt)、または測定偏倚の振幅(A)のような特徴的な測定信号パターンに由来する少なくとも1つの別の情報が評価される請求項1に記載の方法。
- 前記評価では前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の既知の間隔(Δx)に基づいて流速が算出される請求項1または2に記載の方法。
- 前記評価では測定偏倚の間隔(Δt)に基づいて細胞直径が算出される請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記評価では測定偏倚の振幅(A)に基づいて信号対雑音比が求められる請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 細胞の磁気的なマーキングのために超常磁性マーカーが使用される請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- 特徴的な細胞直径をもつ予め定められたタイプの細胞(10)の磁気的な流れ測定をするために、前記第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)および第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)が流れ方向(20)に細胞直径の最大2倍である相互の間隔(Δx)をおいて配置される請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサ装置の使用開始のために4つの前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)は第1の対(R1,R2)および第2の対(R3,R4)をなすようにホイートストンブリッジに並列配置(160)で配列され、細胞(10)の流れ(20)が最初に第1の磁気抵抗素子(R1)、次に第2の磁気抵抗素子(R2)、次に第3の磁気抵抗素子(R3)、次に第4の磁気抵抗素子(R4)を通るように案内可能であるように直列に配置され、
細胞(10)の流れ(20)は上記の順序で4つの前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)を通るように案内され、
前記評価では前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の前記第1の対(R1,R2)と第2の対(R3,R4)との間の既知の間隔(ΔX)に基づいて流速が算出される請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。 - 細胞(10)の磁気的な流れ測定を行なう装置において、
少なくとも1つの第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)および少なくとも1つの第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジを含むセンサ装置を備え、前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)は対角線配置(40)または並列配置(90)で配列されるとともに、流れ通路に沿って相互に間隔(Δx)をおきながら配置されており、少なくとも前記第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)と少なくとも前記第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)との間隔は検出されるべき細胞タイプに合わせられており、細胞(10)の流れ(20)は最初に第1の磁気抵抗素子(R1,R2,R3)、次に第2の磁気抵抗素子(R2,R3,R4)を通るように案内可能であり、前記センサ装置は測定信号を検出するように構成されており、前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の前記間隔(Δx)は、前記測定信号が少なくとも3つの測定偏倚を含む1つの特徴的な測定信号パターンを示す値であり、そして、
測定偏倚の向きの順序に基づいて測定信号を個別細胞検出として識別する評価電子装置を備えている細胞の磁気的な流れ測定装置。 - 前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の前記間隔(Δx)は最大で50μmである請求項9に記載の装置。
- 前記評価電子装置は前記測定信号パターンから前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の既知の前記間隔(Δx)に基づいて流速を算出する請求項9または10に記載の装置。
- 前記評価電子装置は測定偏倚の間隔(Δt)に基づいて細胞直径を算出する請求項9から11のいずれか1項に記載の装置。
- 前記評価電子装置は測定偏倚の振幅(A)に基づいて信号対雑音比を求める請求項9から12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記センサ装置はホイートストンブリッジの4つの磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)を含んでおり、これらの4つの磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)は、磁気抵抗素子からなる第1の対(R1,R2)および第2の対(R3,R4)をなすように並列配置(160)で配列され、細胞(10)の流れ(20)が最初に第1の前記磁気抵抗素子(R1)、次に第2の前記磁気抵抗素子(R2)、次に第3の前記磁気抵抗素子(R3)、次に第4の前記磁気抵抗素子(R4)を通るように案内可能であるように直列に配置され、前記評価電子装置は、前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の前記第1の対(R1,R2)と第2の対(R3,R4)との間の既知の対間隔(ΔX)に基づいて流速を算出する請求項9から13のいずれか1項に記載の装置。
- 前記磁気抵抗素子(R1,R2,R3,R4)の前記第1の対(R1,R2)と第2の対(R3,R4)との間の対間隔(ΔX)は、1つの対内の個々の磁気抵抗素子間の間隔(Δx)よりも大きい請求項14に記載の装置。
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