JP5578439B2 - 絶縁電線 - Google Patents
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Description
[1]導体と、前記導体上に、芳香族ジイソシアネートを主成分として含有するイソシアネート成分、及び分子鎖中にハロゲン元素を含まない芳香族ジカルボン酸を主成分として含有する酸成分からなる芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けして形成される絶縁皮膜と、を有することを特徴とする絶縁電線。
[2]前記イソシアネート成分において前記芳香族ジイソシアネートが占める割合は60〜100モル%であり、前記酸成分において前記芳香族ジカルボン酸の占める割合は70〜100モル%であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁電線。
[3]前記芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料の末端基であるイソシアネート基がウレタン結合で封止されている請求項1に記載の絶縁電線。
[4]前記芳香族ジイソシアネートは、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートのいずれかを主成分とする請求項1に記載の絶縁電線。
[5]前記芳香族ジイソシアネートは、トリレンジイソシアネート、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネートのいずれかを主成分とする請求項4に記載の絶縁電線。
[6]前記芳香族ポリカルボン酸は、イソフタル酸、テレフタル酸のいずれかを主成分とする請求項1に記載の絶縁電線。
[7]前記イソシアネート基を封止する封止剤がアルコール類、フェノール類及びオキシム類のうちのいずれかからなる請求項3に記載の絶縁電線。
〈絶縁電線〉
図1に本発明に係る絶縁電線の構造例を示す。この絶縁電線は、導体上に芳香族ポリアミド樹脂絶縁皮膜2を形成したものであり、導体1の周囲に以下の実施の形態で説明する芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けすることにより得られる。
本発明の絶縁電線において、絶縁皮膜を形成するために用いられる芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料は、イソシアネートと酸成分がすべて芳香族ジイソシアネートと芳香族ジカルボン酸とからなる成分から合成される全芳香族ポリアミドだけではなく、前記の芳香族ジイソシアネートと芳香族ジカルボン酸をそれぞれ主成分として含むイソシアネート成分と酸成分から合成されるポリアミドをも含む。
本発明の芳香族ポリアミド樹脂を構成するイソシアネート成分としては、200℃以上の耐熱性や高い機械的強度を実現するために、芳香族ジイソシアネートを主成分として使用する。ここで、主成分とはイソシアネートの全成分に対して50モル%以上の構造単位を有する成分のことを意味する。芳香族イソシアネートとしては、例えば、フェニレンー1,3−ジイソシアネート、フェニレンー1,4−ジイソシアネート、トリレンー2,6−ジイソシアネート、トリレン−2,4−ジイソシアネート、1−メトキシベンゼンー2,4−ジイソシアネート、1−メトキシベンゼン−2,4−ジイソシアネート、1−クロロフェニレンジイソシアネート、テトラクロロフェニレンジイソシアネート、ジフェニルメタンー4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタンー2,4’−ジイソシアネート、ジフェニルスルフィド−4,4−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルエーテルー4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルエーテルー3,4’−ジイソシアネート、ジフェニルケトンー4,4’−ジイソシアネート、ナフタレン−2,6−ジイソシアネート、ナフタレン−1,4−ジイソシアネート、ナフタレン−1,5−ジイソシアネート、2,4’−ビフェニルジイソシアネート、4,4’−ビフェニルジイソシアネート、3,3’−メトキシ−4,4’−ビフェニルジイソシアネート、アントラキノン−2,6−ジイソシアネート、トリフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、アゾベンゼン−4,4’−ジイソシアネート等が挙げられるが、工業的に入手が容易で、ポリアミド樹脂の溶媒に対する溶解性を向上させる意味で、ジフェニルメタンジイソシアネート又はトリレンジイソシアネートが好適である。本発明では、特にジフェニルメタンー4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタンー2,4’−ジイソシアネート、トリレンー2,6−ジイソシアネート、トリレン−2,4−ジイソシアネート、又はトリレンー2,6−ジイソシアネートとトリレン−2,4−ジイソシアネートとの混合物であるm−トリレン−ジイソシアネートがより好適である。
本発明の芳香族ポリアミド樹脂を構成する酸成分としては、イソフタル酸、テレフタル酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、1,6−ナフタレンジカルボン酸、1,7−ナフタレンジカルボン酸、2,5−ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2,7−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸を主成分として使用することができる。これらの芳香族ジカルボン酸は、耐熱性を向上できるだけではなく、ポリアミド樹脂の溶剤に対する溶解性を向上させる点で好適である。これらの芳香族ジカルボン酸の中で、特に、イソフタル酸及びテレフタル酸が密着性の点で好ましい。
ポリアミド樹脂絶縁塗料に含有され、ポリアミド樹脂の末端基であるイソシアネート基をウレタン結合で封止する封止材としては、アルコール類、フェノール類及びオキシム類のいずれかの化合物を使用するのが有効である。本実施の形態に用いるアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ベンジルアルコールが挙げられる。フェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール等が挙げられる。オキシム類としては、例えば、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキシルオキシム、ベンゾフェノンオキシム等が挙げられる。これらは単独又は2種類以上を混合して使用することによって、塗料の増粘を抑制することができるため、ポットライフに優れ、使い勝手の良好な塗料とすることができる。他の封止剤、例えば、安息香酸等の1価のカルボン酸等は、本発明で合成される芳香族ポリアミド樹脂において、塗料の増粘を抑制する効果が小さい。
下記の実施例及び比較例の絶縁電線を以下のようにして製造した。
(1)密着性
密着性試験(ピール)は、「JISC 3003「8.1b」ねじり法」に準拠して測定を行った。このとき、絶縁皮膜が導体から浮いたときの回転回数(回数:360°を1回とする。)が130回以上であるものを合格(○)とし、130回未満であるものを不合格(×)として評価した。
可とう性試験(無伸長)は、伸長していない絶縁電線を、当該絶縁電線の導体径の1〜10倍の直径を有する巻き付け棒へ「JISC 3003「7.1.1a」巻付け」に準拠した方法で巻き付け、光学顕微鏡を用いて絶縁皮膜に亀裂の発生が見られない最少巻き付け倍径(d)を測定した。このとき、絶縁皮膜に亀裂の発生がみられない最少巻き付け倍径(d)が1d以下であるものを合格(○)とし、2d以上であるものを不合格(×)とした。
耐摩耗性の試験はJISC 3003に準拠し、往復摩擦をかけたときの皮膜が摩耗して導体が露出するまでの回数を測定した。このとき、導体が露出するまでの回数が200回以上であるものを合格(○)とし、200回未満であるものを不合格(×)として評価した。
耐軟化性は、「JISC 3003「11.2」B法」に準じて、短絡したときの温度(短絡温度)を測定した。このとき、短絡温度が350℃以上のものを合格(○)とし、350℃未満のものを不合格(×)として評価した。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)162.4g(0.9322モル)、酸成分としてイソフタル酸151.8g(0.9135モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)121.8g(0.6992モル)とヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート(HDI)39.2g(0.2330モル)、酸成分としてイソフタル酸129.0g(0.7765モル)とアジピン酸20.0g(0.1370モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)97.4g(0.5593モル)とヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート(HDI)62.7g(0.3729モル)、酸成分としてイソフタル酸74.3g(0.6395モル)とアジピン酸40.0g(0.2741モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(4,4’−MDI)188.7g(0.7540モル)、酸成分としてイソフタル酸を122.8g(0.7390モル)、封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分として4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(4,4’−MDI)151.0g(0.6032モル)とヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート(HDI)25.4g(0.1508モル)、酸成分としてイソフタル酸を122.8g(0.7390モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分として2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(2,4’−MDI)188.7g(0.7540モル)、酸成分としてテレフタル酸122.8g(0.7390モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分として2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(2,4’−MDI)188.7g(0.7540モル)、酸成分としてテレフタル酸110.5g(0.6651モル)とアゼライン酸13.9g(0.0739モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)162.4g(0.9322モル)、酸成分としてテレフタル酸151.8g(0.9135モル)、封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)146.1g(0.8390モル)とmーキシリレンジイソシアネート(XDI)17.5g(0.0932モル)、酸成分としてテレフタル酸139.3g(0.8384モル)とアジピン酸13.6g(0,0932モル)、封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)89.3g(0.5127モル)とmーキシリレンジイソシアネート(XDI)79.0g(0.4195モル)、酸成分としてテレフタル酸139.3g(0.8384モル)とアジピン酸13.6g(0,0932モル)、封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)162.4g(0.9322モル)、酸成分としてイソフタル酸154、9g(0.9322モル)を用いて、実施例1と同じ方法で合成を行った後、放冷してNMPで希釈して、樹脂分濃度(不揮発分)が約31重量%の芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。本実施例では、イソシアネート成分と酸成分の比を1.0:1.0とし、封止剤によるイソシアネート成分の末端基の封止は行わなかった。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)162.4g(0.9322モル)、酸成分としてイソフタル酸151、8g(0.9135モル)、及び封止剤としてフェノール8.7gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)162.4g(0.9322モル)、酸成分としてイソフタル酸151、8g(0.9135モル)、及び封止剤としてメチルエチルケトオキシム(MEケトオキシム)8.1gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
市販の高密着ポリアミドイミド樹脂絶縁塗料(日立化成工業社製AJ4−26)を使用した。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシアネート(TDI:トリレンー2,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)73.1g(0.4195モル)とヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート86.2g(0.5127モル)、酸成分としてイソフタル酸136.6g(0.8222モル)とアジピン酸13.3g(0.0913モル)、及び封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
イソシアネート成分としてトリレンジイソシナネート(TDI:トリレンー1,4−ジイソシアネートとトリレンー2,6−ジイソシアネートとの混合物)73.1g(0.4195モル)とmーキシリレンジイソシアネート(XDI)96.5g(0.5127モル)、酸成分としてテレフタル酸68.3g(0.4111モル)とアジピン酸73.4g(0、5024モル)、封止剤としてベンジルアルコール10gを用いて、芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を得た。
Claims (7)
- 導体と、
前記導体上に、芳香族ジイソシアネートを主成分として含有するイソシアネート成分、及び分子鎖中にハロゲン元素を含まない芳香族ジカルボン酸を主成分として含有する酸成分からなる芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料を塗布、焼付けして形成される絶縁皮膜と、
を有することを特徴とする絶縁電線。 - 前記イソシアネート成分において前記芳香族ジイソシアネートが占める割合は60〜100モル%であり、前記酸成分において前記芳香族ジカルボン酸の占める割合は70〜100モル%であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁電線。
- 前記芳香族ポリアミド樹脂絶縁塗料の末端基であるイソシアネート基がウレタン結合で封止されている請求項1に記載の絶縁電線。
- 前記芳香族ジイソシアネートは、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートのいずれかを主成分とする請求項1に記載の絶縁電線。
- 前記芳香族ジイソシアネートは、トリレンジイソシアネート、2.4’−ジフェニルメタンジイソシアネートのいずれかを主成分とする請求項4に記載の絶縁電線。
- 前記芳香族ジカルボン酸は、イソフタル酸、テレフタル酸のいずれかを主成分とする請求項1に記載の絶縁電線。
- 前記イソシアネート基を封止する封止剤がアルコール類、フェノール類及びオキシム類のうちのいずれかからなる請求項3に記載の絶縁電線。
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