JP5574597B2 - Cmpスラリの注入のための方法及び機器 - Google Patents
Cmpスラリの注入のための方法及び機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5574597B2 JP5574597B2 JP2008300248A JP2008300248A JP5574597B2 JP 5574597 B2 JP5574597 B2 JP 5574597B2 JP 2008300248 A JP2008300248 A JP 2008300248A JP 2008300248 A JP2008300248 A JP 2008300248A JP 5574597 B2 JP5574597 B2 JP 5574597B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- injector
- slurry
- polishing pad
- polishing
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims description 272
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 239
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 93
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 13
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 13
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 165
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 3
- 235000012087 Psidium araca Nutrition 0.000 description 2
- 244000233562 Psidium araca Species 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
起こす。この効果は、数秒間にわたって持続するので、ウエハが研磨される期間の25〜50パーセントの長さにわたって負の効果を及ぼす可能性があり、その結果、プロセス有効性及び製品品質の重大で大幅な低下をもたらす。
基板を化学的に研磨するためのプロセスを教示しており、スラリ溶液は、噴出流の形でパッドの表面に塗布され、研磨布と被研磨ウエハとの間に液体層を形成する。溶液は、吐出ボトルから塗布され、研磨布を最大限に洗浄してエッチング生成廃棄物を除去できるように、ウエハとプレートとのアセンブリに対して接線方向に塗布される。米国特許第4,549,374号(引用によって本明細書に組み込まれる)は、半導体ウエハを研磨するために特別に調合された、脱イオン水にモンモリロナイト粘土を含ませた研磨スラリの使用を示している。
スラリの大半は、ウエハの前縁にあるスラリのへさき波に蓄積しつづけ、そのほとんどは、前縁に沿って外向きに移動して、パッドの縁から放り出され、廃棄される。更に、ウエハ下にあった汚染された使用済みスラリは、パッドの回転とともにへさき波へ戻り、そこで新しいスラリと混ざり合うことによって、実際のCMPで使用されるスラリの品質を大幅に下げ、無駄を大幅に増大させる。そして、最終的には、先行技術のいずれの方法も、材料の除去と、ウエハ間に加えられる残留スラリ洗浄水の均一性とに対する負の効果を低減させていない。
本発明は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための機器であり、機器は、立体三日月形注入器を含み、該注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、最大1インチ(約2.54cm)の間隙を挟んで適合しており、注入器は、軽荷重によってパッドに載っており、底面は、パッドに面しており、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、注入器の上部にある1つ又は2つ以上の開口を通して導入され、機器の長さに及ぶチャネル又はリザーバを通って底部へ移動し、そこで、注入器の底部にある複数の開口から出て、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間の間隙に導入される。
ンチ(約1.27cm)の間隙を挟んで適合しており、注入器は、CMP研磨機の支持機構に取り付けられた、バネ及びツバを棒上に伴うステンレス鋼ポールによって保持されてパッドの表面に載っており、そうして、注入器にかかる荷重を3ポンド(約1.36kg)に設定され、パッド表面の許す範囲でバンク角及びピッチ角について自由にジンバル可能であるが水平面内では回転不可能であるように取り付けられ、パッドに面している注入器の底面は、原則的に平坦であるとともにパッドの表面に平行で尚且つ同表面に載っており、機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、重力流又は毛管現象によって、注入器の上部の、パッドがウエハと最も長時間接触する半径にある1つの開口を通して導入され、チャネルを通して注入器の底部へ移動し、そこで、注入器の底部の、注入器の後縁に平行する曲線沿いに、パッドの着地領域に対応する間隔で設けられた68個の開口から出て、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間に導入される。
本発明の発明者は、CMPプロセスにおけるスラリのより効率的な使用と、より多くの新しいスラリがウエハの下で移流され、より高い割合の古い使用済みスラリが廃棄物として処理されることを保証するとともに、CMPパッド上に残留する洗浄水が後続のスラリ濃度にひいては除去速度及び均一性に及ぼす有害な効果を克服する、パッドとウエハとの間へのより効率的なスラリ導入方法と、を実現しようとして、この問題を解決することを目指した少なからぬ研究及び努力を経た後に、先行技術のCMP研磨方法に特徴的な、スラリの無駄遣い、古いスラリと新しいスラリとの混ざり合い、及び残留洗浄水の希釈効果を大きく排除し、回転式CMP研磨装置のオペレータがウエハとパッドとの間へのスラリの導入を十分に制御することを可能にする、パッドとウエハとの間への効率的なスラリ導入のための機器及び方法を発見した。より具体的には、発明者は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において使用するための装置であって、ウエハの前縁の近くにおいて、パッドとウエハとの間の間隙に匹敵する厚さの薄膜状で、ウエハとパッドとの間にスラリを塗布することによって、ウエハ前縁のへさき波の量を大幅に低減させ、高い割合の未使用スラリが研磨に使用されることを保証する、装置を発明した。装置は、ウエハ前縁のへさき波から物理的に隔てられ尚且つ使用済みスラリ及び残留洗浄水のみを含有する第2のへさき波を、注入器の前縁に形成する。スラリの処分及び廃棄の大半は、この第2のへさき波からであり、これは、また、そうでなければパッドとウエハとの間の間隙に進入して除去速度及び均一性に対して負の効果を及ぼすであろう、研磨の開始時に存在するすすぎ水及びすすぎ水とスラリとの不完全な混合の大半を捕らえて処分する。これらの2つの要素を取り入れたこの装置は、ウエハにおける使用に先立って、未使用スラリと使用済みスラリとの混合及び洗浄水による制御不能なスラリの希釈を抑えることによって、そして未使用スラリの利用が100%に近づくことを保証することによって、そして使用済みスラリ及び洗浄水のみを第2のへさき波から排出させることによって、CMPツールが使用する流速全体を大幅に低下させることができる。
に平行で尚且つ同表面に接触しており、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、通常のスラリ供給システムであってよいスラリ又はスラリ成分のソースに一端を取り付けられるとともに注入器の上部にある入口にもう一端を取り付けられた1本又は2本以上のチューブを通して導入され、立体三日月形注入器の長さに及ぶとともにウエハに接触する研磨パッド部分の上方にある内部分配チャネル又は内部分配リザーバを通って移動し、立体三日月形注入器の底部を通り、そこで、立体三日月形注入器の底部にある複数の開口から出て、研磨パッド表面の上に薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されることを保証するのに十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間に導入される。
当該分野における問題及び必要性に応えて開発されたものである。したがって、本発明の全体的な目的は、先行技術の欠点を是正するCMPスラリ注入器及び関連の方法を提供することにある。
であって、先行技術のCMP研磨方法に特徴的なスラリの無駄遣いを大幅に排除し、研磨パッド表面において常に、より純粋で尚且つ未使用で尚且つ希釈されていないスラリの使用を可能にし、更に、CMP研磨装置のオペレータがウエハと研磨パッドとの間へのスラリの導入を十分に制御することを可能にする、機器及び装置を含む。より具体的には、先ず図1から始めると、本発明は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための機器を含み、機器は、立体三日月形注入器(10)を含み、その凹状後縁(12)は、ウエハ(28)の前縁(14)の大きさ及び形状に、最大1インチ(約2.54cm)の間隙(42)を挟んで適合しており、それは、軽荷重によって研磨パッド(26)に載っており、その底面(16)は、原則的に平坦であるとともに研磨パッド(26)の表面(36)に平行であり、それを通して、CMPスラリ又はCMPスラリの成分が、立体三日月形注入器(10)の上部(76)にある入口(20)に取り付けられた1本若しくは2本以上のチューブ(18)又はその他の適切な送り手段を通して導入され、立体三日月形注入器(10)の長さにわたるチャネル又はリザーバ(22)を通って上記チャネル又はリザーバ(22)の底部(78)へ流れ、そこで、立体三日月形注入器(10)の底部(16)にある複数の開口(24)を通って立体三日月形注入器(10)から出て立体三日月形注入器(10)の上記底部(16)と研磨パッド(26)との間で押圧され、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハ(28)と研磨パッド(26)との間に導入されるような十分に少ない量で尚且つ十分に薄い膜状で、ウエハ(28)の前縁(14)に沿って研磨パッド(26)の表面(36)とウエハ(28)との間の間隙に好ましくはパッド内の溝(32)間の「着地」(30)領域上に導入され、そうして、使用済みスラリは、立体三日月形注入器(10)の前縁(34)にある第2のへさき波(46)内に集中することによって、新しく注入されたスラリから、より効果的に隔てられた状態に維持される。
に、そうするにあたって、研磨パッド(26)の上又は上方に座している立体三日月形注入器(10)が、その底部(16)の平坦な向きを失うことなく、立体三日月形注入器(10)の前縁にあるへさき波(46)に使用済みスラリを効果的に分離することを可能にする。
Rohm and HaasのIC-10-A2 CMPパッドをAraca IncorporatedのAPD-500 200mmCMP研磨ツールに取り付け、更に、三菱マテリアル株式会社のTRDコンディショニングディスクも取り付けた。CMPツールの支持機構に締め付けられた可調整式梁の穴に、長さがおよそ6.5インチ(約16.5cm)で直径が0.3125インチ(約7.94mm)のステンレス鋼シャフトを通した。ツバと支持機構との間に、棒に沿ってバネを配した。バネは圧縮され、ツバは、位置決めネジによって棒に取り付けられた。これは、バネからの力を注入器を通じてパッドの表面に伝える効果があった。次いで、荷重を固定するため、そして棒を自身を軸にして回転させないために、可調整式梁内の棒のための別の位置決めネジを使用して、その棒を支持機構に取り付けた。
50〜200cc/分の水流速と10〜80RPMのプラテン回転速度とを使用した、注入器の完全性及び安定性の予備テストが成功に終わった後、以下のように、研磨テスト
を行った。パッドの寿命期間を通じてパッド表面の平坦性を最適にするように設計された「既知の最良方法」である調整スイープを使用し、Araca IncorporatedのAPD-500研磨機上の新しい3M A165 100グリット調整ディスクによって、45分間にわたり、新しいRohm and HaasのIC-10-A2パッドの調整を行った。次いで、テトラエトキシシランのソースから二酸化シリコンの層を堆積された直径200mmのウエハ(TEOSウエハとして知られる)を、55PRMのプラテン回転速度及び53RPMのキャリア回転速度でFujimiのPL4072ヒュームドシリカを使用したin-situ調整(研磨しつつ調整すること)によって、4PSIで1分間にわたって研磨した。各ウエハの研磨後は、2〜3リットルの脱イオン水をビーカから加えることによって、パッドから使用済みスラリを洗い流した。除去速度を測定するために使用されるウエハ(「速度ウエハ」)を通す前に、使用済み(「ダミー」)TEOSウエハを数分間にわたって処理し、次いで、平均摩擦係数(COF)が安定化するまで11枚の一連のTEOSダミーをそれぞれ1分間にわたって研磨した。次いで、2枚のTEOS速度ウエハを、150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で研磨した。55RPMのプラテン回転速度の場合にツールで使用される標準スラリ流速は、150cc/分である。流速が変化するたびに、速度ウエハを通す前にシステムを安定化させるべく、TEOSダミーを1分間にわたって通した。各流速で処理された2枚の速度ウエハのそれぞれに対する2回の直径スキャンをもとに、反射率計を使用して測定された平均除去速度は、150、130、90、60、及び30cc/分の各流速でそれぞれ2430、2408、2405、2276、及び2026オングストローム/分であった。せん断力の標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ3.0、3.4、4.0、4.2、及び6.0lb(約1.36、約1.54、約1.81、約1.91、及び約2.72kg)であった。せん断力の標準偏差は、ツールがどれくらいスムーズに作動しているかを測定するものであり、4PSIで加えられる201lb(約91.2kg)の全研磨力のほんの僅かを占めている。
注入器を取り外し、COFが安定化するまで7枚のTEOSダミーをそれぞれ1分間にわたって研磨し、次いで、150、120、90、60、及び30cc/分の流速でパッドの中央にスラリをポンプ投入(中央塗布)しつつ、2枚のウエハを研磨した。流速が減少するたびに、2枚の速度ウエハに先立って1枚のダミーウエハを研磨した。各ウエハの研磨後は、古いスラリを除去するために、パッドにすすぎ水(約2〜3リットル)を施した。中央にスラリを塗布し、ウエハとウエハとの間でウエハのすすぎを行うというのが、この研磨ツールの標準的な手順である。2枚の速度ウエハに対する合計4回の直径スキャンをもとにした平均除去速度は、150、130、90、60、及び30cc/分の各流速でそれぞれ2378、2329、2321、2125、及び1827オングストローム/分であった。したがって、どの流速でも、注入器を使用して達成された除去速度は、中央塗布とすすぎとからなる標準的な手順を使用して達成された速度を4〜11%上回った。150cc/分で実施される標準的な手順と比較すると、注入器を使用すれば、半分の量のスラリで同じ除去速度を達成することができる。中央塗布を用いた実験では、せん断力の標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ4.7、5.2、4.5、6.2、及び7.4lb(約2.13、約2.36、約2.04、約2.81、及び約3.36kg)であった。いずれの場合も、注入器を使用したせん断力標準偏差は、中央塗布によるよりも小さく、これは、注入器が、より高い除去速度及びよりスムーズな研磨プロセスの両方を促進することを示している。
実施例11〜20を得るため、ウエハ研磨工程間において、余分なスラリを除去するためのすすぎ水をパッドに施さないことを除き、実施例1と同じ手順を150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で実施した。除去速度は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ2571、2536、250
1、2464、及び2438オングストローム/分であった。せん断力標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ4.0、3.9、3.4、3.6、及び3.5lb(約1.81、約1.77、約1.54、約1.63、及び約1.59kg)であった。
比較実験6〜10を得るため、ウエハ研磨間において、余分なスラリを除去するためのすすぎ水をパッドに施さないことを除き、比較実験1と同じ手順を、150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で実施した。除去速度は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ2572、2522、2531、2488、及び2422オングストローム/分であった。せん断力標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ3.4、3.3、3.8、3.2、及び3.0lb(約1.54、約1.50、約1.72、約1.45、及び約1.36kg)であった。したがって、ウエハのすすぎが行われない場合は、各流速において、注入器を伴う場合と伴わない場合とで同じ除去速度及びせん断力標準偏差が測定された。これは、ウエハのすすぎが使用される場合に、注入器が、未使用スラリと研磨の開始時にパッド上にあるすすぎ水及び使用済みスラリとの混合を低減させることによって、中央塗布よりも高い除去速度及び滑らかな研磨プロセスを提供することを示している。
10は、立体三日月形注入器である。
12は、立体三日月形注入器10の凹状後縁である。
14は、ウエハの前縁である。
18は、スラリ供給チューブである。
20は、立体三日月形注入器10の上部にあるスラリ入口である。
22は、立体三日月形注入器10内においてスラリを導くためのチャネル又はリザーバである。この実施形態では、立体三日月形注入器10のボディが透明なポリカーボネートシートで形成されるゆえに、目で見ることができる。
26は、研磨パッドである。
28は、ウエハである。
34は、立体三日月形注入器の前縁である。
40は、立体三日月形注入器10をまとめあわせるボルトである。
42は、ウエハ26の前縁14と、立体三日月形注入器10の後縁12との間の間隙42である。
44は、立体三日月形注入器10の端にある角である。
46は、立体三日月形注入器10の前縁34の前方にある第2のへさき波である(なお、本発明は、間隙42内に通常形成されるであろう第1のへさき波を効果的に排除している)。
54は、チューブ18をスラリソース(不図示)につなぐクイックコネクタである。
66は、立体三日月形注入器10を保持する棒である。
68は、立体三日月形注入器10に取り付けられるとともに内部に棒66を据えられたジンバルである。
図2は、重りをかけられていない基本な立体三日月形注入器10の側面図である。ここに示されていない付番は、図1と同じである。
16は、立体三日月形注入器10の底面である。
24は、立体三日月形注入器10の底面16に開いた開口である。
30は、研磨パッドの上面上の着地領域である。
32は、着地領域30間の溝である。
36は、研磨パッド26の上面である。
20は、立体三日月形注入器10にスラリを入らせるための開口である。
56は、本発明の立体三日月形注入器10を構成するもとになる層である。
60は、チャネル又はリザーバ22の上面である。
62は、チャネル又はリザーバ22の下面である。
64は、注入器を支持する研磨ツール(不図示)からの梁である。
70は、立体三日月形注入器10全体にかかる荷重を設定するためのバネである。
72は、バネ70を棒66上に保持するためのツバである。
73は、ツバ72に対する位置決めネジである。
74は、棒66を梁64に対して保持するための位置決めネジである。
76は、立体三日月形注入器10の上面である。
図3は、底面16をバランスさせるために重りを加えられた立体三日月形注入器10の側面図である。
50は、底面16の平面性を調整するための重りである。
Claims (21)
- 半導体ウエハと化学的機械的研磨ツールの研磨パッドとの間にスラリを注入するための注入機器であって、
1つ又は2つ以上の注入器上面開口を含む注入器上面と、
複数の注入器底面開口を含み、研磨パッド上面に面するとともに前記研磨パッド上面に載っている注入器底面と、
前記化学的機械的研磨ツールの研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に適合している注入器凹状後縁と、
を備え、
前記1つ又は2つ以上の注入器上面開口を通して導入されるCMPスラリは、前記注入機器内のチャネルを通って移動し、前記複数の注入器底面開口を通って前記注入機器から前記研磨パッド上面上へ出ていき、
前記注入機器は、前記研磨パッド上面との接触を確実にするために、バネ及びツバを伴う棒に取り付けられ、前記注入機器は、前記研磨パッド上面の許す範囲で自由に移動可能であるように、ジンバルを含む、
注入機器。 - 請求項1に記載の機器であって、
前記注入機器を構成するために使用される材料は、3枚の硬質プラスチックシートの層を含み、
前記3枚の硬質プラスチックシートの層は、その3層の内に前記チャネルを有する、機器。 - 請求項1に記載の機器であって、
前記1つ又は2つ以上の注入器上面開口から前記複数の注入器底面開口への前記スラリの流速は、重力送りによって制御される、機器。 - 請求項1に記載の機器であって、
前記1つ又は2つ以上の注入器上面開口から前記複数の注入器底面開口への前記スラリの流速は、制御速度でのポンプ操作によって制御される、機器。 - 請求項1に記載の機器であって、
前記注入器上面開口の数は、1に等しい、機器。 - 請求項1に記載の機器であって、
前記複数の注入器底面開口は、曲線状のパターンで配され、前記複数の注入器底面開口のパターンは、前記注入器後縁に平行であり、前記複数の注入器底面開口は、前記研磨パッド上の1つ又は2つ以上の着地領域に揃うように間隔が空いている、機器。 - 請求項6に記載の機器であって、
前記複数の注入器底面開口の数は、68である、機器。 - 請求項5に記載の機器であって、
前記1つの注入器上面開口は、前記研磨パッドの中心からの、前記研磨パッド上面が前記ウエハと最も長時間接触する半径に位置する、機器。 - 半導体ウエハと化学的機械的研磨ツールの研磨パッドとの間にスラリを注入するための機器であって、
立体三日月形注入器を備え、
前記立体三日月形注入器は、
前記化学的機械的研磨ツールの研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、1.27cmの間隙を挟んで適合している凹状後縁と、
前記研磨パッドの上面に面し、実質的に平坦であるとともに前記研磨パッドの前記上面に平行で尚且つ同表面に載っている注入器底面と、
を含み、
前記機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、該3枚のポリカーボネートシートは、その3層の内にチャネルを有し、
前記機器は、前記研磨パッドの前記上面に載っており、ステンレス鋼の棒に結合され、前記ステンレス鋼の棒は、前記機器にかかる荷重が1.36kgに設定されるように、バネ及びツバを伴う前記化学的機械的研磨ツールの梁に結合され、前記機器は、前記研磨パッドの前記上面の許す範囲でバンク角及びピッチ角については自由にジンバル可能であるが水平面内では回転しないように、前記棒に取り付けられ、
化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記注入器の上面の開口を通して重力流によって導入され、前記注入器の前記上面の前記開口は、前記研磨パッドの、前記研磨パッドが前記半導体ウエハと最も長時間接触する半径に位置決めされ、
前記化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記チャネルを通って前記注入器底面へ移動し、前記化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記凹状後縁に平行する曲線沿いに前記研磨パッド上の1つ又は2つ以上のパッド着地領域に対応する可変間隔で位置決めされた前記注入器底面の68個の開口を通って前記機器から出ていき、
化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、薄膜状に広がり、前記スラリ又はその成分の全部又は大半が前記半導体ウエハと前記研磨パッドの前記上面との間に導入されるような量で、前記半導体ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの前記上面と前記半導体ウエハとの間に導入される、機器。 - 半導体ウエハの化学的機械的研磨においてウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための方法であって、装置によって半導体ウエハを研磨することを備え、
前記装置は、立体三日月形注入器を含み、
前記立体三日月形注入器は、
複数の注入器底面開口を含み、研磨パッド上面に面するとともに前記研磨パッド上面に載っている注入器底面と、
前記化学的機械的研磨ツールの研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、最大2.54cmの間隙を挟んで適合している注入器凹状後縁と、
を含み、
化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、1つ又は2つ以上の注入器上面開口を通して導入され、前記注入器内のチャネルを通って移動し、前記複数の注入器底面開口を通って前記注入器から前記研磨パッド上面上へ出て、薄膜状に広がり、前記スラリの大半が前記半導体ウエハと前記研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、前記半導体ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの前記上面と前記半導体ウエハとの間に導入され、
前記注入機器は、前記研磨パッド上面との接触を確実にするために、バネ及びツバを伴う棒に取り付けられ、前記注入機器は、前記研磨パッド上面の許す範囲で自由に移動可能であるように、ジンバルを含む、
方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記注入器を構成するために使用される材料は、3枚の硬質プラスチックシートの層を含み、
前記3枚の硬質プラスチックシートの層は、その3層の内に前記チャネルを有する、
方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記1つ又は2つ以上の注入器上面開口から前記複数の注入器底面開口への前記スラリの流速は、重力送りによって制御される、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記1つ又は2つ以上の注入器上面開口から前記複数の注入器底面開口への前記スラリの流速は、制御速度でのポンプ操作によって制御される、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記注入器上面開口の数は、1に等しい、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記複数の注入器底面開口は、曲線状のパターンで配され、前記複数の注入器底面開口のパターンは、前記注入器後縁に平行であり、前記複数の注入器底面開口は、前記研磨パッド上の1つ又は2つ以上の着地領域に揃うように間隔が空いている、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記複数の注入器底面開口の数は、68である、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記1つの注入器上面開口は、前記研磨パッドの中心からの、前記研磨パッド上面が前記ウエハと最も長時間接触する半径に位置する、方法。 - 化学的機械的研磨ツールによって半導体ウエハを研磨する方法であって、
機器によって、前記半導体ウエハと前記化学的機械的研磨ツールの研磨パッドとの間にスラリを注入することを備え、
前記機器は、立体三日月形注入器を含み、
前記立体三日月形注入器は、
前記化学的機械的研磨ツールの研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、1.27cmの間隙を挟んで適合している凹状後縁と、
前記研磨パッドの上面に面し、実質的に平坦であるとともに前記研磨パッドの前記上面に平行で尚且つ同表面に載っている注入器底面と、
を含み、
前記機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、該3枚のポリカーボネートシートは、その3層の内にチャネルを有し、
前記機器は、前記研磨パッドの前記上面に載っており、ステンレス鋼の棒に結合され、前記ステンレス鋼の棒は、前記機器にかかる荷重が1.36kgに設定されるように、バネ及びツバを伴う前記化学的機械的研磨ツールの梁に結合され、前記機器は、前記研磨パッドの前記上面の許す範囲でバンク角及びピッチ角については自由にジンバル可能であるが水平面内では回転しないように、前記棒に取り付けられ、
化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記注入器の上面の開口を通して重力流によって導入され、前記注入器の前記上面の前記開口は、前記研磨パッドの、前記研磨パッドが前記半導体ウエハと最も長時間接触する半径に位置決めされ、
前記化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記チャネルを通って前記注入器底面へ移動し、前記化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、前記凹状後縁に平行する曲線沿いに前記研磨パッド上の1つ又は2つ以上のパッド着地領域に対応する可変間隔で位置決めされた前記注入器底面の68個の開口を通って前記機器から出ていき、
化学的機械的研磨スラリ又はその成分は、薄膜状に広がり、前記スラリ又はその成分の全部又は大半が前記半導体ウエハと前記研磨パッドの前記上面との間に導入されるような量で、前記半導体ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの前記上面と前記半導体ウエハとの間に導入される、方法。 - 半導体ウエハと化学的機械的研磨ツールの研磨パッドとの間にスラリを注入するための注入機器であって、
注入器上面開口を含む注入器上面と、
前記研磨パッドに載っている注入器底面であって、前記注入器上面開口と流体連通している複数の注入器底面開口を含む注入器底面と、
を備え、
前記注入機器は、前記研磨パッド上面の許す範囲で自由に移動可能であるように、ジンバルを含む、
注入機器。 - 請求項19に記載の機器であって、
前記複数の注入器底面開口のそれぞれは、前記研磨パッド上の複数の着地領域の1つに揃う、機器。 - 請求項19に記載の機器であって、更に、
チャネルを備え、前記複数の注入器底面開口は、前記チャネルを通して前記注入器上面開口と流体連通している、機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/262,579 US8197306B2 (en) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | Method and device for the injection of CMP slurry |
US12/262,579 | 2008-10-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114398A JP2010114398A (ja) | 2010-05-20 |
JP2010114398A5 JP2010114398A5 (ja) | 2012-01-19 |
JP5574597B2 true JP5574597B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=40139596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008300248A Active JP5574597B2 (ja) | 2008-10-31 | 2008-11-25 | Cmpスラリの注入のための方法及び機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8197306B2 (ja) |
JP (1) | JP5574597B2 (ja) |
KR (1) | KR101394745B1 (ja) |
GB (1) | GB2464995A (ja) |
TW (1) | TWI486233B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100494470B1 (ko) | 2002-11-12 | 2005-06-10 | 삼성전기주식회사 | 광 마우스의 이미지 데이터 처리 장치 및 그 방법 |
JP6139188B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-05-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
KR101444611B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-09-24 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
US9962801B2 (en) * | 2014-01-07 | 2018-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Systems and methods for performing chemical mechanical planarization |
KR101710425B1 (ko) * | 2015-06-02 | 2017-03-08 | 주식회사 케이씨텍 | 슬러리 공급 유닛 및 이를 구비하는 화학 기계적 기판 연마장치 |
JP7134101B2 (ja) | 2016-06-24 | 2022-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨用スラリー分配装置 |
KR102070705B1 (ko) * | 2018-02-13 | 2020-01-29 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 랩핑 장치의 정반 홈파기 장치 |
WO2024049719A2 (en) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | Rajeev Bajaj | Advanced fluid delivery |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3342652A (en) | 1964-04-02 | 1967-09-19 | Ibm | Chemical polishing of a semi-conductor substrate |
US4549374A (en) | 1982-08-12 | 1985-10-29 | International Business Machines Corporation | Method for polishing semiconductor wafers with montmorillonite slurry |
US4910155A (en) | 1988-10-28 | 1990-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer flood polishing |
JPH0697132A (ja) | 1992-07-10 | 1994-04-08 | Lsi Logic Corp | 半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド |
US5216843A (en) | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
US5554064A (en) | 1993-08-06 | 1996-09-10 | Intel Corporation | Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication |
US5643053A (en) | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
JPH07299738A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨装置 |
US5709593A (en) | 1995-10-27 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system |
US5873769A (en) | 1997-05-30 | 1999-02-23 | Industrial Technology Research Institute | Temperature compensated chemical mechanical polishing to achieve uniform removal rates |
US5997392A (en) * | 1997-07-22 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing |
JPH11114811A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Ebara Corp | ポリッシング装置のスラリ供給装置 |
US5964413A (en) | 1997-11-05 | 1999-10-12 | Mok; Peter | Apparatus for dispensing slurry |
US6135868A (en) | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
KR20000000583A (ko) | 1998-06-01 | 2000-01-15 | 윤종용 | 화학 물리적 연마 장치 |
US6184139B1 (en) | 1998-09-17 | 2001-02-06 | Speedfam-Ipec Corporation | Oscillating orbital polisher and method |
US6347979B1 (en) * | 1998-09-29 | 2002-02-19 | Vsli Technology, Inc. | Slurry dispensing carrier ring |
US6187681B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarization of a substrate |
JP2000246621A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-12 | Toshiba Circuit Technol Kk | ウエーハ研磨装置 |
US6429131B2 (en) | 1999-03-18 | 2002-08-06 | Infineon Technologies Ag | CMP uniformity |
US6283840B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus |
US6284092B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | CMP slurry atomization slurry dispense system |
US6193587B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-02-27 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for cleansing a polishing pad |
US6623343B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-09-23 | Multi Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control |
US6500054B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical polishing pad conditioner |
JP2002178260A (ja) | 2000-12-15 | 2002-06-25 | Nec Kansai Ltd | ポリッシング装置 |
JP2002217146A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
US6398627B1 (en) | 2001-03-22 | 2002-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles |
US6641461B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-11-04 | Multi Planar Technologyies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus having edge, center and annular zone control of material removal |
US6523215B2 (en) | 2001-04-04 | 2003-02-25 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Polishing pad and system |
JP2002370168A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-24 | Hitachi Ltd | 研磨方法および研磨装置 |
US6887132B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-05-03 | Multi Planar Technologies Incorporated | Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same |
US6939198B1 (en) | 2001-12-28 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Polishing system with in-line and in-situ metrology |
TWI252791B (en) * | 2002-01-18 | 2006-04-11 | Promos Technologies Inc | Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus |
US6686284B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Chemical mechanical polisher equipped with chilled retaining ring and method of using |
US6947862B2 (en) * | 2003-02-14 | 2005-09-20 | Nikon Corporation | Method for simulating slurry flow for a grooved polishing pad |
US6764387B1 (en) | 2003-03-07 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Control of a multi-chamber carrier head |
US7052371B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-05-30 | Tbw Industries Inc. | Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk |
US7021099B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-04-04 | General Motors Corporation | Extraction system for hot formed parts |
US6984166B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-01-10 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Zone polishing using variable slurry solid content |
KR100506942B1 (ko) | 2003-09-03 | 2005-08-05 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마장치 |
US6929533B2 (en) | 2003-10-08 | 2005-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Methods for enhancing within-wafer CMP uniformity |
US7335239B2 (en) | 2003-11-17 | 2008-02-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical planarization pad |
US6908370B1 (en) | 2003-12-04 | 2005-06-21 | Intel Corporation | Rinse apparatus and method for wafer polisher |
US7008302B2 (en) | 2004-05-07 | 2006-03-07 | United Microelectronics Corp. | Chemical mechanical polishing equipment and conditioning thereof |
US6945857B1 (en) | 2004-07-08 | 2005-09-20 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling |
US7097542B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning a polishing pad |
US20070224864A1 (en) | 2005-05-24 | 2007-09-27 | John Burns | CMP retaining ring |
KR100632468B1 (ko) | 2005-08-31 | 2006-10-09 | 삼성전자주식회사 | 리테이너 링, 연마 헤드 및 화학적 기계적 연마 장치 |
US7201634B1 (en) | 2005-11-14 | 2007-04-10 | Infineon Technologies Ag | Polishing methods and apparatus |
JP2007180309A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 研磨装置および研磨方法 |
TW200736001A (en) | 2006-03-27 | 2007-10-01 | Toshiba Kk | Polishing pad, method of polishing and polishing apparatus |
JP2008263120A (ja) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | ウエハ研磨装置 |
US20100216373A1 (en) | 2009-02-25 | 2010-08-26 | Araca, Inc. | Method for cmp uniformity control |
-
2008
- 2008-10-31 US US12/262,579 patent/US8197306B2/en active Active
- 2008-11-07 GB GB0820451A patent/GB2464995A/en not_active Withdrawn
- 2008-11-19 KR KR1020080115432A patent/KR101394745B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-25 JP JP2008300248A patent/JP5574597B2/ja active Active
-
2009
- 2009-10-30 TW TW098136878A patent/TWI486233B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101394745B1 (ko) | 2014-05-26 |
GB2464995A (en) | 2010-05-05 |
US8197306B2 (en) | 2012-06-12 |
US20100112911A1 (en) | 2010-05-06 |
GB0820451D0 (en) | 2008-12-17 |
TWI486233B (zh) | 2015-06-01 |
KR20100048830A (ko) | 2010-05-11 |
TW201034794A (en) | 2010-10-01 |
JP2010114398A (ja) | 2010-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5574597B2 (ja) | Cmpスラリの注入のための方法及び機器 | |
US8845395B2 (en) | Method and device for the injection of CMP slurry | |
JP2622069B2 (ja) | 研磨布のドレッシング装置 | |
US20100216373A1 (en) | Method for cmp uniformity control | |
EP1579956A2 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
US7037178B2 (en) | Methods for conditioning surfaces of polishing pads after chemical-mechanical polishing | |
CN110802519B (zh) | 研磨装置及研磨方法 | |
TW201103697A (en) | Equipment and method for cleaning polishing cloth | |
US20150079885A1 (en) | Device for cleaning fixed abrasives polishing pad | |
JP2628915B2 (ja) | 研磨布のドレッシング装置 | |
WO2003076132A1 (fr) | Procede et systeme de meulage de plaque de verre | |
CN110802506B (zh) | 研磨装置及研磨方法 | |
US11980997B2 (en) | Dressing apparatus and polishing apparatus | |
US9296088B2 (en) | Method and device for the injection of CMP slurry | |
JP7152937B2 (ja) | 研削方法及び研削装置 | |
JP6189032B2 (ja) | 銀貫通電極付きセラミック基板の研削方法 | |
JP6949296B2 (ja) | ドレッシング方法及びドレッシング装置 | |
KR20060114994A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치의 컨디셔너 세정 장치 및 그 세정방법 | |
US6439977B1 (en) | Rotational slurry distribution system for rotary CMP system | |
JPH11277411A (ja) | 基板の研磨装置 | |
KR20100044988A (ko) | 화학적 기계적 연마 장비의 폴리싱 패드 이물질 제거장치 | |
CN116061091A (zh) | 研磨液喷洒装置、化学机械抛光设备及研磨方法 | |
KR20070028189A (ko) | 폴리싱 패드 컨디셔너 | |
JP2628915C (ja) | ||
KR20050065746A (ko) | 폴리싱 패드 컨디셔너 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130523 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130528 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130701 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130724 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5574597 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |