JP5571355B2 - ガス増幅を使用した走査透過電子顕微鏡 - Google Patents
ガス増幅を使用した走査透過電子顕微鏡 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5571355B2 JP5571355B2 JP2009251999A JP2009251999A JP5571355B2 JP 5571355 B2 JP5571355 B2 JP 5571355B2 JP 2009251999 A JP2009251999 A JP 2009251999A JP 2009251999 A JP2009251999 A JP 2009251999A JP 5571355 B2 JP5571355 B2 JP 5571355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- sample
- electrons
- gas
- secondary electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2002—Controlling environment of sample
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2444—Electron Multiplier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2444—Electron Multiplier
- H01J2237/24445—Electron Multiplier using avalanche in a gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
- H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
ガス環境中に維持された試料に向かって電子の1次ビームを誘導するステップと、
前記試料を透過した電子からの電子信号を、ガス・カスケード増幅を使用して増幅するステップと、
増幅された前記電子信号を検出するステップと、
検出された前記電子信号を使用して前記試料の像を形成するステップと
を含む方法を提供する。
1次電子の供給源と、
前記1次電子でビームを形成し、前記ビームを偏向させる電子光学要素を含む電子光学カラムと、
試料領域と、
前記電子光学カラム内を前記試料領域内よりも低ガス圧に維持する圧力制限絞りと、
前記電子光学カラムとは反対側の前記試料の端に配置された少なくとも1つの電極を含む検出器であり、前記試料を透過した電子を検出し、この電子信号がガス・カスケード増幅によって増幅される検出器と
を備える装置が提供される。
102 対物レンズ
106 電子光学カラム
108 光軸
112 圧力制限絞り(PLA)
114 試料
116 試料領域
120 第1の電極
122 第2の電極
124 電極スタンド
126 隙間
130 絞り
200 走査透過電子顕微鏡
300 走査透過電子顕微鏡
400 走査透過電子顕微鏡
406 第1の電極
408 第3の電極
410 第2の電極
600 粒子−光学装置
604 STEM検出器
652 ピンホール磁気対物レンズ
653 試料室
654 試料セル
658 ステージ
660 1次電子ビーム
662 上部PLA
664 下部PLA
666 円錐部
670 2次電子
672 2次電子検出器
674 ガス入口
676 ガス出口
678 リーク弁
684 窓
686 レンズ
690 弁装置
694 処理ガス・フィード
696 画像化ガス・フィード
698 ステージ
700 ダクト
702 シール
704 2次電子デフレクタ
706 検出器
Claims (19)
- 試料を観察する方法であって、
ガス環境中に維持された試料に向かって電子の1次ビームを光軸に沿って誘導するステップと、
前記光軸からの第1の散乱角より小さい角度で前記試料を透過した前記1次ビームの第1の部分を、前記光軸に沿って前記試料と第2の電極の間に配置された第1の電極に向かって誘導して、前記第1の電極の位置で2次電子の明視野グループを生成するステップと、
前記光軸からの前記第1の散乱角より大きい角度で前記試料を透過した前記1次ビームの第2の部分を、前記第2の電極に向かって誘導して、前記第2の電極の位置で2次電子の暗視野グループを生成するステップと、
前記第1および第2の電極を選択的にバイアスして、ガス増幅を使用して前記2次電子の明視野グループまたは前記2次電子の暗視野グループを選択的に増幅するステップと、
前記増幅された2次電子の明視野グループまたは前記増幅された2次電子の暗視野グループを選択的に検出するステップと、
前記選択的に検出された増幅された2次電子の明視野グループまたは暗視野グループを使用して前記試料の像を形成するステップと
を含む方法。 - 前記第1および第2の電極を選択的にバイアスすることが、前記第2の電極を前記第1の電極に関して負にバイアスして前記2次電子の暗視野グループを選択的に増幅することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1および第2の電極を選択的にバイアスすることが、前記第2の電極を前記第1の電極に関して正にバイアスして前記2次電子の明視野グループを選択的に増幅することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の電極の平面を、前記平面の法線が前記光軸に関してある角度をなすように傾斜させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記増幅された2次電子の明視野グループを選択的に検出するステップが、前記増幅された2次電子の明視野グループを、前記第2の電極の位置において検出することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記増幅された2次電子の暗視野グループを選択的に検出するステップが、前記増幅された2次電子の暗視野グループを、前記第1の電極の位置において検出することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記増幅された2次電子の暗視野グループを選択的に検出するステップが、前記増幅された2次電子の暗視野グループを、前記試料と前記第2の電極の間に配置され、前記第1の電極および前記光軸について位置がずれた第3の電極の位置において検出することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記増幅された2次電子の明視野グループまたは2次電子の暗視野グループを検出するステップが、ガス・カスケード中において電子によって放出された光子を検出することを含む、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 高圧環境中の試料を観察する電子顕微鏡であって、
1次電子の供給源と、
前記1次電子を光軸に沿ったビームに形成する電子光学要素を含む電子光学カラムと、
試料領域と、
前記電子光学カラム内を前記試料領域内よりも低圧に維持する圧力制限絞りと、
第1および第2の電極を含む検出器であって、前記第1の電極は、前記光軸に沿って前記試料と前記第2の電極の間に配置され、第1の散乱角より小さい角度で前記試料を透過した前記ビームの第1の部分から2次電子の明視野グループを生成し、前記第2の電極は、前記光軸について位置がずれており、前記第1の散乱角より大きい角度で前記試料を透過した前記ビームの第2の部分から2次電子の暗視野グループを生成する、前記検出器と
を備える電子顕微鏡。 - 前記試料領域用のガス源をさらに備える、請求項9に記載の電子顕微鏡。
- 前記試料と前記第1の電極との間に配置された、絞りを含む構造を含み、前記絞りを含む構造が、ある所定の角度よりも大きい角度だけ散乱した透過電子を阻止する、請求項9および10のいずれかに記載の電子顕微鏡。
- 前記第1の電極が、前記第2の電極の平面から前記試料に向かって延びる柱の上に配置された、請求項9に記載の電子顕微鏡。
- 前記検出器が、前記第1および第2の電極の電位に応じて、明視野検出器または暗視野検出器として構成可能である、請求項9から11のいずれかに記載の電子顕微鏡。
- 前記第1の電極が、前記試料を透過した電子が前記光軸から前記第1の散乱角より小さい角度で衝突するように配置された、請求項13に記載の電子顕微鏡。
- 前記第2の電極が、前記試料を透過した電子による前記第1の散乱角より小さい角度での衝突時に前記第1の電極によって放出され、ガス増幅によって増幅された2次電子を検出するように構成可能であり、または前記試料を透過し、前記試料によって散乱した電子によって前記第1の散乱角より大きい角度で衝突されたときに2次電子を放出するように構成可能であり、前記2次電子がガス増幅によって増幅され、ガス増幅された信号が、前記第1の電極または前記試料と前記第2の電極の間に配置され、前記光軸について位置がずれた第3の電極によって検出される、請求項14に記載の電子顕微鏡。
- 前記第1の電極からの2次電子信号のガス増幅を提供するのに前記第1の電極から十分な距離のところに前記第2の電極が配置されており、前記第1の電極と前記第2の電極の間に適当な電位差が印加されたときに、前記ガス増幅された2次電子信号が前記第2の電極によって検出される、請求項15に記載の電子顕微鏡。
- 散乱した透過電子が前記第2の電極に衝突したときに放出される2次電子のガス増幅を提供するのに前記第2の電極から十分な距離のところに第3の電極が配置されており、前記第2の電極と前記第3の電極の間に適当な電圧が印加されたときに、前記ガス増幅された2次電子信号が前記第3の電極によって検出される、請求項15に記載の電子顕微鏡。
- 試料を収容すると共に、検出器を含む試料セルをさらに備え、前記試料セルが、前記ガス増幅用のガスを供給するガス入口を含む、請求項9から17のいずれかに記載の電子顕微鏡。
- 前記検出器が、前記ガス・カスケード中において電子によって生成された光子を検出する光子検出器を備える、請求項9から18のいずれかに記載の電子顕微鏡。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/264,805 US8299432B2 (en) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | Scanning transmission electron microscope using gas amplification |
US12/264,805 | 2008-11-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114081A JP2010114081A (ja) | 2010-05-20 |
JP5571355B2 true JP5571355B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=41467138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009251999A Active JP5571355B2 (ja) | 2008-11-04 | 2009-11-02 | ガス増幅を使用した走査透過電子顕微鏡 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8299432B2 (ja) |
EP (1) | EP2182546B1 (ja) |
JP (1) | JP5571355B2 (ja) |
AT (1) | ATE531070T1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7791020B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-07 | Fei Company | Multistage gas cascade amplifier |
JP2014521106A (ja) | 2011-07-21 | 2014-08-25 | ザ・トラスティーズ・オブ・コロンビア・ユニバーシティ・イン・ザ・シティ・オブ・ニューヨーク | 電子線回折データの収集・処理方法 |
EP2631929A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-08-28 | FEI Company | A holder assembly for cooperating with an environmental cell and an electron microscope |
WO2014022429A1 (en) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Fei Company | Environmental sem gas injection system |
JP5936484B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2016-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料観察方法 |
EP2722866A1 (en) * | 2012-10-22 | 2014-04-23 | Fei Company | Configurable charged-particle beam apparatus |
US9123506B2 (en) * | 2013-06-10 | 2015-09-01 | Fei Company | Electron beam-induced etching |
EP2838108A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-18 | Fei Company | Method of using an environmental transmission electron microscope |
US9633816B2 (en) * | 2015-05-18 | 2017-04-25 | Fei Company | Electron beam microscope with improved imaging gas and method of use |
CN108292580B (zh) * | 2015-12-03 | 2019-06-11 | 松定精度株式会社 | 荷电粒子线装置及扫描电子显微镜 |
CN106645250B (zh) * | 2016-11-21 | 2024-04-26 | 宁波聚瑞精密仪器有限公司 | 一种具备光学成像功能的扫描透射电子显微镜 |
US11852598B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-12-26 | Battelle Energy Alliance, Llc | Hyperdimensional scanning transmission electron microscopy and examinations and related systems, methods, and devices |
CN110686817B (zh) * | 2019-10-31 | 2020-06-23 | 电子科技大学 | 一种粒子束发射角的测量装置 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB820736A (en) * | 1956-02-11 | 1959-09-23 | Nat Res Dev | Method of and apparatus for electron multiplication |
JPS5026759U (ja) * | 1973-07-03 | 1975-03-27 | ||
AU534811B2 (en) * | 1979-07-03 | 1984-02-16 | Unisearch Limited | Atmospheric scanning electron microscope |
JPS56165255A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Hitachi Ltd | Image indicating method for transmission scan electron microscope |
US4601211A (en) * | 1984-12-12 | 1986-07-22 | The Perkin-Elmer Corporation | Multi-port valve in a gas collection system and method of using same |
JPH0687410B2 (ja) * | 1986-08-01 | 1994-11-02 | エレクトロ‐スキャン コーポレーション | 走査電子顕微鏡及び試料の表面を電子顕微鏡的に像形成する方法 |
US5250808A (en) * | 1987-05-21 | 1993-10-05 | Electroscan Corporation | Integrated electron optical/differential pumping/imaging signal system for an environmental scanning electron microscope |
US4785182A (en) * | 1987-05-21 | 1988-11-15 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
US4880976A (en) * | 1987-05-21 | 1989-11-14 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
US4823006A (en) * | 1987-05-21 | 1989-04-18 | Electroscan Corporation | Integrated electron optical/differential pumping/imaging signal detection system for an environmental scanning electron microscope |
JPH05174768A (ja) | 1991-02-26 | 1993-07-13 | Nikon Corp | 環境制御型走査電子顕微鏡 |
JPH05258701A (ja) | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US5396067A (en) * | 1992-06-11 | 1995-03-07 | Nikon Corporation | Scan type electron microscope |
US5412211A (en) * | 1993-07-30 | 1995-05-02 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
US5362964A (en) * | 1993-07-30 | 1994-11-08 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Grünewald, Wolfgang, Dr.rer.nat., 09122 Chemnitz | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
US6025592A (en) * | 1995-08-11 | 2000-02-15 | Philips Electronics North America | High temperature specimen stage and detector for an environmental scanning electron microscope |
US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
GB9623768D0 (en) * | 1996-11-15 | 1997-01-08 | Leo Electron Microscopy Limite | Scanning electron microscope |
US5985008A (en) | 1997-05-20 | 1999-11-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing system with high efficiency sorbent medium |
JP3547143B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2004-07-28 | 株式会社日立製作所 | 試料作製方法 |
US6011265A (en) * | 1997-10-22 | 2000-01-04 | European Organization For Nuclear Research | Radiation detector of very high performance |
AU737394B2 (en) * | 1997-11-24 | 2001-08-16 | Gerasimos Daniel Danilatos | Radiofrequency gaseous detection device (RF-GDD) |
JP4176159B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2008-11-05 | エフ イー アイ カンパニ | 改善された2次電子検出のための磁界を用いた環境制御型sem |
JP4084427B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2008-04-30 | エフ イー アイ カンパニ | 改善された2次電子検出のための多極界を用いた環境制御型sem |
US5945672A (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-31 | Fei Company | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope |
WO1999046797A1 (de) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
JP2000067796A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 走査電子顕微鏡 |
US6525317B1 (en) * | 1998-12-30 | 2003-02-25 | Micron Technology Inc. | Reduction of charging effect and carbon deposition caused by electron beam devices |
JP4069545B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2008-04-02 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微方法及びそれを用いた電子顕微鏡並び生体試料検査方法及び生体検査装置 |
US6583413B1 (en) * | 1999-09-01 | 2003-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method of inspecting a circuit pattern and inspecting instrument |
WO2001041180A1 (de) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Detektor für ein rasterelektronenmikroskop mit variablem druck und rasterelektronenmikroskop mit einem solchen detektor |
US7462839B2 (en) * | 2000-07-07 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector for variable pressure areas and an electron microscope comprising a corresponding detector |
GB2367686B (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-11 | Leo Electron Microscopy Ltd | Improvements in or relating to particle detectors |
AUPQ932200A0 (en) * | 2000-08-11 | 2000-08-31 | Danilatos, Gerasimos Daniel | Environmental scanning electron microscope |
US20050103272A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-05-19 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Material processing system and method |
CZ20022105A3 (cs) * | 2002-06-17 | 2004-02-18 | Tescan, S. R. O. | Detektor sekundárních elektronů, zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu |
US6979822B1 (en) * | 2002-09-18 | 2005-12-27 | Fei Company | Charged particle beam system |
WO2004027809A2 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Fei Company | Charged particle beam system |
JP4200104B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
EP1639621A4 (en) * | 2003-06-07 | 2008-01-09 | Edward W Sheehan | ION enrichment APERATURE ARRAYS |
EP1724809A1 (en) | 2005-05-18 | 2006-11-22 | FEI Company | Particle-optical apparatus for the irradiation of a sample |
US7429733B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-09-30 | Lsi Corporation | Method and sample for radiation microscopy including a particle beam channel formed in the sample source |
JP4851804B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム加工観察装置、集束イオンビーム加工観察システム及び加工観察方法 |
EP2002459B1 (en) * | 2006-03-31 | 2014-11-26 | Fei Company | Improved detector for charged particle beam instrument |
WO2007146375A2 (en) | 2006-06-14 | 2007-12-21 | Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Department Of Health And Human Services | Highly soluble pyrimido-dione-quinoline compounds and their use in the treatment of cancer |
JP4988308B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス増幅形検出器およびそれを用いた電子線応用装置 |
EP2365321B1 (en) * | 2006-12-19 | 2013-10-02 | JEOL Ltd. | Sample inspection apparatus, sample inspection method, and sample inspection system |
EP2109873B1 (en) | 2007-02-06 | 2017-04-05 | FEI Company | High pressure charged particle beam system |
EP1956633A3 (en) | 2007-02-06 | 2009-12-16 | FEI Company | Particle-optical apparatus for simultaneous observing a sample with particles and photons |
US7791020B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-07 | Fei Company | Multistage gas cascade amplifier |
-
2008
- 2008-11-04 US US12/264,805 patent/US8299432B2/en active Active
-
2009
- 2009-11-02 JP JP2009251999A patent/JP5571355B2/ja active Active
- 2009-11-03 AT AT09174824T patent/ATE531070T1/de not_active IP Right Cessation
- 2009-11-03 EP EP09174824A patent/EP2182546B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2182546A3 (en) | 2011-03-30 |
US20100108881A1 (en) | 2010-05-06 |
US8299432B2 (en) | 2012-10-30 |
EP2182546A2 (en) | 2010-05-05 |
ATE531070T1 (de) | 2011-11-15 |
EP2182546B1 (en) | 2011-10-26 |
JP2010114081A (ja) | 2010-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5571355B2 (ja) | ガス増幅を使用した走査透過電子顕微鏡 | |
US7718979B2 (en) | Particle-optical apparatus for simultaneous observing a sample with particles and photons | |
US7968855B2 (en) | Dual mode gas field ion source | |
US7541580B2 (en) | Detector for charged particle beam instrument | |
JP7302916B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
EP1826808B1 (en) | Charged particle beam device with ozone supply | |
US7601953B2 (en) | Systems and methods for a gas field ion microscope | |
JP2919170B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
EP0970503B1 (en) | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope | |
JP2002507045A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
EP0444085A1 (en) | Improved electron detector for use in a gaseous environment | |
JP2002516018A (ja) | 電界放出環境走査型電子顕微鏡 | |
US7193222B2 (en) | Secondary electron detector, especially in a scanning electron microscope | |
EP1956632A1 (en) | Particle-optical apparatus for simultaneous observing a sample with particles and photons | |
US20120091337A1 (en) | Charged particle beam devices | |
JP2002075264A (ja) | 低真空走査電子顕微鏡 | |
Jacka et al. | A differentially pumped secondary electron detector for low‐vacuum scanning electron microscopy | |
WO2005036583A2 (en) | Detector system of secondary and backscattered electrons for a scanning electron microscope | |
JP4291109B2 (ja) | 複合型荷電粒子ビーム装置 | |
KR102190383B1 (ko) | 시료 관찰 장치 및 방법 | |
Barge et al. | Electron microscopy: A review | |
KR20150034844A (ko) | 주사 전자 현미경 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131024 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140123 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140128 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5571355 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |