JP5569353B2 - ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
項1 CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2からなるドライエッチングガス。
項2 CF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2をHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O2、CO及びCO2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスと混合してなるドライエッチングガス。
項3 CF2=CFCF=CF2及びCF3CF=CFCF=CF2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法。
項4 CF2=CFCF=CF2及びCF3CF=CFCF=CF2からなる群から選ばれる少なくとも1種とHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O2、CO及びCO2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスの混合ガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又は窒化シリコン膜をレジスト、シリコンに対して選択的にエッチングする方法。
項5 ウェハー温度を制御することにより、エッチングガス由来のポリマーをレジスト開口部位置に選択的に堆積させながら、CF2=CFCF=CF2及びCF3CF=CFCF=CF2からなる群から選ばれる少なくとも1種のエッチングガスプラズマでエッチングすることを特徴とするレジストパターンよりも微細なコンタクトホールを形成する方法。
項6 二重結合を二つ有する一般式(1):
CaFbHc(1)
(a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。)で表される化合物を少なくともひとつ含むドライエッチングガス。
項7 CF2=CFCF=CF2、CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFCF2CF2CF=CF2などからなるパーフロロメチル基-CF3を有しない二重結合を二つ持つ化合物、
CF3CF=CFCF=CF2、CF3CF=CFCF=CFCF3, CF2=CFCF2CF=CFCF3、
CF3CF=C(CF3)CF=CF2などからなる二重結合に直接結合したCF3CF部分と二重結合を二つ持つ化合物、
CF2=C(CF3)CF=CF2, CF2=C(CF3)C(CF3)=CF2, CF2=CFCF(CF3)CF=CF2、
CF2=CFCF2C(CF3)=CF2 、CF2=CFCF=C(CF3)2などからなる主鎖から分岐したパーフロロメチル基-CF3を有する二重結合を二つ持つ化合物及び
CF3CF2CF=CFCF=CF2, CF2=C(CF2CF3)CF=CF2などからなるパーフロロメチル基-CF3よりも大きい基を有する二重結合を二つ持つ化合物
からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスからなるドライエッチングガス。
項8
CF2=CFCF=CF2とCF2=CFCF2CF=CF2、
CF2=CFCF=CF2とCF3CF=CFCF=CF2、
CF2=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)CF=CF2、
CF2=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2、
CF2=CFCF2CF=CF2とCF3CF=CFCF=CF2、
CF2=CFCF2CF=CF2とCF2=C(CF3)CF=CF2、
CF2=CFCF2CF=CF2とCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2、
CF3CF=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)CF=CF2、
CF3CF=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2、
CF2=C(CF3)CF=CF2とCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2又は
CF3CF=CFCF=CFCF3とCF2=C(CF2CF3)CF=CF2
のいずれかの組み合わせからなるドライエッチングガス。
項9 さらに希ガス、不活性ガス、NH3、H2、炭化水素、O2、酸素化合物、ハロゲン化合物、HFC(Hydrofluorocarbon)及び二重結合を持つPFC(perfluorocarbon)ガスからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む項1、2、6〜8のいずれかに記載のドライエッチングガス。
項10 さらにHe、Ne、Ar、Xe、Krからなる群から選ばれる希ガス、N2からなる不活性ガス、NH3、H2、CH4、C2H6、C3H8、C2H4、C3H6などからなる炭化水素、O2、CO、CO2、(CF3)2C=O、CF3CFOCF2、CF3OCF3などからなる酸素化合物、CF3I、CF3CF2I、(CF3)2CFI、CF3CF2CF2I、CF3Br、CF3CF2Br、(CF3)2CFBr、CF3CF2CF2Br、CF3Cl、CF3CF2Cl、(CF3)2CFCl、CF3CF2CF2Cl、CF2=CFI、CF2=CFCl、CF2=CFBr、CF2=CI2、CF2=CCl2、CF2=CBr2などからなるハロゲン化合物、CH2F2、CHF3、CHF3、CF3CHF2、CHF2CHF2、CF3CH2F、CHF2CH2F、CF3CH3、CH2FCH2F、CF2=CHF、CHF=CHF、CH2=CF2、CH2=CHF、CF3CH=CF2、CF3CH=CH2、CH3CF=CH2などからなるHFC(Hydrofluorocarbon)及びCF2=CF2、c-C5F8などからなる二重結合を持つPFC(perfluorocarbon)ガスからなる群から選ばれる少なくとも1種のガスを含む項1、2及び6〜10のいずれかに記載のドライエッチングガス。
項11 項1、2及び6〜10のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
項12 項1、2及び6〜9のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマで、CF+イオンを主とするイオン群と密度の低いフルオロカーボンポリマー膜を形成する高分子ラジカルとのバランスをとって酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜などのシリコン系材料をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
一般式(1):
CaFbHc(1)
(a=4〜7、b=1〜12、c=0〜11、b+c=2a-2を示す。)で表される化合物を少なくとも1種をからなる。好ましい一般式(1)の化合物として、具体的には、以下の化合物が例示される。
CF2=CFCF=CF2, CF2=CHCF=CF2, CHF=CFCF=CF2, CF2=CHCH=CF2,
CF2=CFCF2CF=CF2 , CF2=CHCF2CF=CF2 , CF2=CFCHFCF=CF2 ,
CF2=CHCF2CH=CF2 , CF2=CFCH2CF=CF2 ,
CF2=CFCF2CF2CF=CF2 , CF2=CHCF2CF2CF=CF2 , CF2=CFCHFCF2CH=CF2 , CF2=CHCHFCF2CF=CF2 , CF2=CHCF2CF2CH=CF2 , CF2=CFCH2CF2CF=CF2 , CF2=CFCHFCHFCF=CF2 が好ましい。
CF3CF=CFCF=CF2、CF3CF=CHCF=CF2、CF3CH=CFCF=CF2、
CF3CF=CHCH=CF2、CF3CH=CFCH=CF2、
CF3CF=CFCF=CFCF3, CF3CF=CHCF=CFCF3, CF3CH=CFCF=CFCF3, CF3CF=CHCH=CFCF3, CF3CH=CHCF=CFCF3,CF3CH=CFCF=CHCF3,
CF2=CFCF2CF=CFCF3, CF2=CHCF2CF=CFCF3, CF2=CFCHF2CF=CFCF3,
CF2=CFCF2CF=CHCF3, CF2=CHCF2CH=CFCF3, CF2=CFCH2CF=CFCF3,
,CF2=CHCF2CF=CHCF3, CF2=CFCHFCF=CHCF3,
CF3CF=C(CF3)CF=CF2, CF3CF=C(CF3)CH=CF2 , CF3CH=C(CF3)CF=CF2 ,
CF3CH=C(CF3)CH=CF2が好ましい。
CF2=C(CF3)CF=CF2, CF2=C(CF3)CH=CF2 , CF2=C(CHF2)CF=CF2 ,
CF2=C(CHF2)CH=CF2,CF2=C(CH2F)CF=CF2,
CF2=C(CF3)C(CF3)=CF、
CF2=C(CHF2)C(CF3)=CF2, CF2=C(CHF2)C(CHF2)=CF2,
CF2=C(CH2F)C(CF3)=CF2,
CF2=CFCF(CF3)CF=CF2 , CF2=CHCF(CF3)CF=CF2 , CF2=CFCH(CF3)CF=CF2 ,
CF2=CFCF(CF3)CH=CF2 , CF2=CHCH(CF3)CF=CF2 ,
CF2=CHCF(CF3)CH=CF2 , CF2=CFCH(CF3)CH=CF2 ,
CF2=CFCF2C(CF3)=CF2, CF2=CHCF2C(CF3)=CF2, CF2=CFCHFC(CF3)=CF2,
CF2=CFCH2C(CF3)=CF2,CF2=CHCHFC(CF3)=CF2,
CF2=CFCF=C(CF3)2 , CF2=CHCF=C(CF3)2 , CF2=CFCF=C(CHF2) (CF3) ,
CF2=CHCH=C(CF3)2 , CF2=CFCF=C(CF3)(CH2F)が好ましい。
CF3CF2CF=CFCF=CF2, CF3CF2CF=CHCF=CF2, CF3CF2CF=CFCH=CF2,
CF3CF2CF=CHCH=CF2, CF3CF2CH=CHCF=CF2, CF3CF2CH=CFCH=CF2,
CF2=C(CF2CF3)CF=CF2, CF2=C(CF2CF3)CH=CF2, CF2=C(CHFCF3)CF=CF2,
CF2=C(CHFCF3)CH=CF2が好ましい。
aは4〜7の整数、好ましくは4〜6である。
bは1〜12の整数、好ましくは3〜12である。
cは0〜11の整数、好ましくは0〜4である。
CF2=CFCF=CF2、CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFCF2CF2CF=CF2;
二重結合に直接結合したCF3CF部分と二重結合二つ持つ化合物
CF3CF=CFCF=CF2、CF3CF=CFCF=CFCF3, CF2=CFCF2CF=CFCF3,
CF3CF=C(CF3)CF=CF2;
主鎖から分岐したパーフロロメチル基-CF3を有する二重結合を二つ持つ化合物
CF2=C(CF3)CF=CF2, CF2=C(CF3)C(CF3)=CF2,CF2=CFCF(CF3)CF=CF2、
CF2=CFCF2C(CF3)=CF2 、CF2=CFCF=C(CF3)2;
パーフロロメチル基-CF3よりも大きい基を有する二重結合を二つ持つ化合物
CF3CF2CF=CFCF=CF2, CF2=C(CF2CF3)CF=CF2;
で表される化合物を少なくとも1種;
或いは、
好ましくは、炭素数が5以下の
CF2=CFCF=CF2、CF2=CHCF=CF2、CHF=CFCF=CF2、CF2=CHCH=CF2,
CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CHCF2CF=CF2, CF2=CFCHFCF=CF2 ,
CF2=CHCF2CH=CF2, CF2=CFCH2CF=CF2,
二重結合に直接結合したCF3CF部分と二重結合二つ持つ化合物
CF3CF=CFCF=CF2、CF3CF=CHCF=CF2、CF3CH=CFCF=CF2、
CF3CF=CHCH=CF2、CF3CH=CFCH=CF2、
主鎖から分岐したパーフロロメチル基-CF3を有する二重結合を二つ持つ化合物
CF2=C(CF3)CF=CF2, CF2=C(CF3)CH=CF2 , CF2=C(CHF2)CF=CF2 ,
CF2=C(CHF2)CH=CF2,CF2=C(CH2F)CF=CF2,
さらに好ましくは、
パーフロロメチル基-CF3を有しない二重結合を二つ持つ化合物
CF2=CFCF=CF2、CF2=CFCF2CF=CF2,
二重結合に直接結合したCF3CF部分と二重結合二つ持つ化合物
CF3CF=CFCF=CF2
主鎖から分岐したパーフロロメチル基-CF3を有する二重結合を二つ持つ化合物
CF2=C(CF3)CF=CF2,
特に好ましくはCF3CF=CFCF=CF2及び/又はCF2=CFCF=CF2を含むエッチングガスである。
CF2=CFCF=CF2、CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFCF2CF2CF=CF2:
(2) 二重結合に直接結合したCF3CF部分と二重結合二つ持つ化合物;
CF3CF=CFCF=CF2、CF3CF=CFCF=CFCF3, CF2=CFCF2CF=CFCF3,
CF3CF=C(CF3)CF=CF2:
(3) 主鎖から分岐したパーフロロメチル基-CF3を有する二重結合を二つ持つ化合物;
CF2=C(CF3)CF=CF2, CF2=C(CF3)C(CF3)=CF2,CF2=CFCF(CF3)CF=CF2、
CF2=CFCF2C(CF3)=CF2 、CF2=CFCF=C(CF3)2:
(4) パーフロロメチル基-CF3よりも大きい基を有する二重結合を二つ持つ化合物;
CF3CF2CF=CFCF=CF2, CF2=C(CF2CF3)CF=CF2:
上述のように、表1に示したように、エッチング効率が低いCF+イオンとCFCF=CF2由来する高分子ラジカル(骨格の炭素が3個以上のラジカル)による密度の低いフルオロカーボンポリマー膜を形成する。すなわち、分子を大きくし、CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFCF2CF2CF=CF2をエッチングガスに用いると、フルオロカーボンポリマー膜はさらに密度の低い膜を形成する。エッチング効率の低いCF+と密度の低いフルオロカーボンポリマー膜により、ダメージの少ないエッチングが可能になる。よってレジストなどのマスクやシリコンなどの下地に対してエッチング選択比を上げることができる。
上述のように、これらのラジカルは構造上大きく、エッチング中に堆積するフルオロカーボンポリマー膜は立体構造を形成しやすい。そのため堆積したフルオロカーボンポリマー膜は、粗く密度の低い膜になる。しかし、表1に示したようにCF3CFフラグメントからは、エッチング効率が高いCF3 +を発生しやすく、CF3CFフラグメントに由来するラジカルにより密度の高いフルオロカーボンポリマー膜を堆積させる。CF3CFの数が増えれば、CF3 +イオンは多く発生し、フルオロカーボンポリマー膜の密度はさらに高くなる。膜密度が高い分、エッチング効率の高いCF3 +が多く発生しエッチングのバランスをとることができる。
このガス組成の制御で最も効果的なのは、CF3CFフラグメントを有する分子とそうでない分子との組み合わせである。かかる組み合わせは、これらのガスのガス流量比や圧力比を変えることで実現できる。
CF2=CFCF(CF3)CF=CF2、CF2=CFCF2C(CF3)=CF2 、CF2=CFCF=C(CF3)2
などが有効である。
CF3CF=C(CF3)CF=CF2などが有効である。
CF2=CFCF2CF=CF2, CF2=CFCF2CF2CF=CF2などが有効である。
(1)のCF2=CFCF=CF2と(1)のCF2=CFCF2CF=CF2
(1)のCF2=CFCF=CF2と(2)のCF3CF=CFCF=CF2
(1)のCF2=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2
(1)のCF2=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(1)のCF2=CFCF2CF=CF2と(2)のCF3CF=CFCF=CF2
(1)のCF2=CFCF2CF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2
(1)のCF2=CFCF2CF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CFCF3と(4)のCF2=C(CF2CF3)CF=CF2
(1)のCF2=CFCF=CF2と(2)のCF3CF=CFCF=CF2、
(1)のCF2=CFCF2CF=CF2と(2)のCF3CF=CFCF=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(3)のCF2=C(CF3)CF=CF2と(3)のCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
(2)のCF3CF=CFCF=CFCF3と(4)のCF2=C(CF2CF3)CF=CF2
などが挙げられる。
*ICP放電電力200−3000W、好ましくは400〜2000W;
*バイアス電力50−2000W、好ましくは100〜1000W;
*圧力100mTorr(13.3Pa)以下、好ましくは圧力50mTorr(6.65Pa)以下、より好ましくは2〜10mTorr(0.266〜1.33Pa)
*電子密度109−1013cm-3好ましくは1010−1012cm-3
*電子温度2−9eV好ましくは3−8eV
*ウェハー温度−40〜100℃、好ましくは−30〜50℃。
*チャンバー壁温度−30〜300℃、好ましくは、20〜200℃
レジストパターンよりも微細なコンタクトホールの形成は、ウェハー温度を制御することにより、エッチングガス由来のポリマーをレジスト開口部位置に選択的に堆積させてレジスト開口部を狭めさせながら、CF2=CFCF=CF2及びCF3CF=CFCF=CF2からなる群から選ばれる少なくとも1のエッチングガスを必要に応じてHe、Ne、Ar、Xe、Kr、O2、CO及びCO2からなる群から選ばれる少なくとも1種以上のガスと混合してエッチングすることにより達成できる。
ICP(Inductive Coupled Plasma)放電電力600W,バイアス電力200W,圧力3mTorr(0.399Pa)、電子密度8×1010−2×1011cm-3、電子温度5-7eVのエッチング条件で、環状c-C4F8, C3F6(構造CF3CF=CF2)とC4F6(構造CF2=CFCF=CF2), C5F8(構造CF3CF=CFCF=CF2)で、Si基板上に約1μm厚さのSiO2膜を有し、さらにその上にホール直径0.21μmのレジストパターンを有する半導体基板をエッチングした時のエッチング速度と選択比を以下の表2に示した。
ICP(Inductive Coupled Plasma)放電電力600W,バイアス電力200W,圧力3mTorr(0.399Pa)のエッチング条件で、c-C4F8, C3F6(構造CF3CF=CF2)と直鎖C4F6(構造CF2=CFCF=CF2), 直鎖C5F8(構造CF3CF=CFCF=CF2)の単独のガスプラズマでホール直径0.21μmのレジストパターンを有し、深さ約1μmのSiO2膜を有する半導体基板にコンタクトホールを形成するためにエッチングすると、c-C4F8, C3F6(構造CF3CF=CF2)では、ホール直径0.21μmのレジストパターン開口部が広がって0.43μm以上,アスペクト比2.4以下になるのに対して、直鎖C4F6(構造CF2=CFCF=CF2)では0.21μm, アスペクト比6.3、直鎖C5F8(構造CF3CF=CFCF=CF2)では、0.22μm,アスペクト比4.6でコンタクトホールの側壁がエッチングされないパターンをAr等を添加せずに形成できる。結果を表3に示す。
ホール直径0.21μmのレジストパターンにおいて、直鎖C4F6(構造CF2=CFCF=CF2)ガスプラズマ(ICP放電電力600W,バイアス電力150W,圧力4mTorr(0.532Pa))で、ウェハーを-11℃前後に冷却することにより、レジスト開口部に選択的にフルオロカーボン膜を堆積させ、ホール直径0.21μmのレジストパターンを小さくし、直径0.12μm,深さ0.95μm,アスペクト比7.9以上の微細コンタクトホールを形成することができる。
Claims (9)
- CF2=CFCF=CF2、並びに、
CF2=CHF、CHF=CHF、CH2=CF2、CH2=CHF、CF3CH=CF2、CF3CH=CH2及びCH3CF=CH2からなる群から選ばれる少なくとも1種のHFC (Hydrofluorocarbon)ガスを含み、前記CF 2 =CFCF=CF 2 を流量比10%程度以上、
前記HFC (Hydrofluorocarbon)ガスの少なくとも1種を流量比90%程度以下使用する、
ドライエッチングガス。 - 更に、He、Ne、Ar、Xe及びKrからなる希ガス;
N2からなる不活性ガス;
NH3及びH2からなるガス;
CH4、C2H6、C3H8、C2H4及びC3H6からなる炭化水素;
O2、CO、CO2、(CF3)2C=O、CF3CFOCF2及びCF3OCF3からなる酸素化合物;CF3I、CF3CF2I、(CF3)2CFI、CF3CF2CF2I、CF3Br、CF3CF2Br、(CF3)2CFBr、CF3CF2CF2Br、CF3Cl、CF3CF2Cl、(CF3)2CFCl、CF3CF2CF2Cl、CF2=CFI、CF2=CFCl、CF2=CFBr、CF2=CI2、CF2=CCl2及びCF2=CBr2からなるハロゲン化合物;
CF2=CF2及びc-C5F8からなる二重結合を持つPFC(perfluorocarbon)ガス;並びにCH2F2、CHF3、CH3F、CF3CHF2、CHF2CHF2、CF3CH2F、CHF2CH2F、CF3CH3及びCH2FCH2FからなるHFC (Hydrofluorocarbon)ガス
からなる群から選ばれる少なくとも1種の併用ガスを含み、前記CF 2 =CFCF=CF 2 を流量比10%程度以上、
前記併用ガス成分の少なくとも1種を流量比90%程度以下使用する、
請求項1に記載のドライエッチングガス。 - CF2=CFCF=CF2、並びに、
CF2=CHCF=CF2、CHF=CFCF=CF2、CF2=CHCH=CF2、CF2=CHCF2CF=CF2、CF2=CFCHFCF=CF2、CF2=CHCF2CH=CF2及びCF2=CFCH2CF=CF2からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスを含むドライエッチングガス。 - CF2=CFCF=CF2とCF2=CFCF2CF=CF2、
CF2=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)CF=CF2、又は、
CF2=CFCF=CF2とCF2=C(CF3)C(CF3)=CF2
のいずれかの組み合わせからなるドライエッチングガス。 - 更に、He、Ne、Ar、Xe及びKrからなる希ガス;
N2からなる不活性ガス;
NH3及びH2からなるガス;
CH4、C2H6、C3H8、C2H4及びC3H6からなる炭化水素;
O2、CO、CO2、(CF3)2C=O、CF3CFOCF2及びCF3OCF3からなる酸素化合物;CF3I、CF3CF2I、(CF3)2CFI、CF3CF2CF2I、CF3Br、CF3CF2Br、(CF3)2CFBr、CF3CF2CF2Br、CF3Cl、CF3CF2Cl、(CF3)2CFCl、CF3CF2CF2Cl、CF2=CFI、CF2=CFCl、CF2=CFBr、CF2=CI2、CF2=CCl2及びCF2=CBr2からなるハロゲン化合物;
CF2=CF2及びc-C5F8からなる二重結合を持つPFC(perfluorocarbon)ガス;並びにCH2F2、CHF3、CH3F、CF3CHF2、CHF2CHF2、CF3CH2F、CHF2CH2F、CF3CH3、CH2FCH2F、CF2=CHF、CHF=CHF、CH2=CF2、CH2=CHF、CF3CH=CF2、CF3CH=CH2及びCH3CF=CH2からなるHFC (Hydrofluorocarbon)ガス
からなる群から選ばれる少なくとも1種の併用ガスを含み、前記二重結合を二つ有するエッチングガス成分の少なくとも1種を流量比10%程度以上、
前記併用ガス成分の少なくとも1種を流量比90%程度以下使用する、
請求項3又は4に記載のドライエッチングガス。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又は窒化シリコン膜をレジスト又はシリコンに対して選択的にエッチングする方法。
- ウェハー温度を制御することにより、二重結合を二つ有するエッチングガス由来のポリマーをレジスト開口部位置に選択的に堆積させながら、請求項1〜5のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマでエッチングすることを特徴とするレジストパターンよりも微細なコンタクトホールを形成する方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマで、酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜のシリコン系材料をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のドライエッチングガスのガスプラズマで、CF+イオンを主とするイオン群と密度の低いフルオロカーボンポリマー膜を形成する高分子ラジカルとのバランスをとって酸化シリコン膜及び/又はシリコンを含有する低誘電率膜のシリコン系材料をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
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