JP5566662B2 - シリカナノ粒子、シリカナノ粒子分散コロイド液、およびそれらの製造方法。 - Google Patents
シリカナノ粒子、シリカナノ粒子分散コロイド液、およびそれらの製造方法。 Download PDFInfo
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Description
このうち、液相法の代表的な例としては、ゾルゲル法、共沈法、水熱合成法などが挙げられる。しかし、これらの手法では、不純物の除去及び結晶構造創製のために、合成後の粒子を1000℃以上の高温に長時間晒すアニーリング処理を行うことが一般的で、このアニーリング過程において粒子同士が凝集・焼結するといった粒子サイズの増大を招きやすいという問題点があった。
また、通常の気相法では粒子は粉体として得られる。そのため、ハンドリングが困難であり、吸引の危険などがある。また、回収効率の向上が困難であるといった問題点があった。また、金属製のバーナで火炎を発生させるときに、バーナの燃料ガス成分が混入し、ナノ粒子の純度が低下するといった問題点があった。
(1)気化した原料物質を、回転しつつ引き上げる心棒に吹き付け、心棒表面で酸化物であるシリカを粒子状に生成させるとともに、該粒子を堆積させ、その後、堆積した粒子の凝集体を粉砕し、平均粒径が10〜1000nmであり、かつ、ζ電位の絶対値が30mV以上であるシリカナノ粒子を製造することを特徴とするシリカナノ粒子の製造方法、
(2)前記ζ電位の絶対値が、40mV以上である(1)項に記載のシリカナノ粒子の製造方法、
(3)前記(1)または(2)項に記載の方法で製造された粉体状のシリカナノ粒子、
(4)前記(3)項に記載の粉体状のシリカナノ粒子を水中で超音波によりさらに粉砕することを特徴とするシリカナノ粒子分散コロイド溶液の製造方法、および
(5)前記(4)項に記載の方法で製造されたシリカナノ粒子分散コロイド溶液、
を提供するものである。
H2は好ましくは0.5〜50L/min、さらに好ましくは1.0〜10L/minである。
O2は好ましくは0.5〜50L/min、さらに好ましくは1.0〜10L/minである。
原料物質(SiCl4)は好ましくは50〜1000cm3/min、さらに好ましくは100〜500cm3/minである。
バーナの炎温度は、好ましくは2000〜3500℃、さらに好ましくは2500〜3000℃である。
この粉体は、平均粒径が10〜1000nmであり、好ましくは100〜500nmである。平均粒径は次のようにして測定した。粉体の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。場所を変えて粒子200個を観察し、その平均値をもって平均粒径とした。
超音波処理の条件としては、超音波の周波数は好ましくは5〜30MHz、さらに好ましくは15〜25MHz、超音波の強度は好ましくは50〜200W/cm2、さらに好ましくは100〜200W/cm2である。超音波照射時間は1〜100minが好ましく、10〜50minがさらに好ましい。超音波処理には、通常の超音波分散機を用いることができる。
本発明の分散コロイド溶液のζ電位の絶対値は、気相合成のものとしては、例外的に大きく、単分散性の高いものであり、リチウムイオン電池、太陽電池、燃料電池の電極、電子部品、液晶、研磨材、光触媒、塗料、化粧品、蛍光材料の原料として好適なものである。
また、チタニアの分散コロイド溶液は、上記の方法において破砕された粉体を液体中で、さらに超音波を照射する工程を、同程度の照射強度とすることで製造することができる。得られたチタニアの分散コロイド溶液におけるζ電位の絶対値は、好ましくは30mV以上、さらに好ましくは40mV以上である。
<シリカナノ粒子>
(VAD法によるスート作製)
特開平6−127966号公報の図1に記載の光ファイバ母材製造装置を用いて、バーナの火炎中で合成したシリカ微粒子を、回転しつつ引上げるシリカガラスの種棒の下端に堆積させてシリカ微粒子凝集体の製造を行った。バーナの条件は、下記のようにした。
H2:5L/min
O2:5L/min
SiCl4:300cm3/min
炎温度:2800℃
バーナから供給されるシリカ微粒子が堆積し、微粒子凝集体を形成することができた。
次いで、この顆粒状の粉体を0.1mass%となるように水に分散させ、超音波分散機(株式会社エスエムテー製UH−600SRF)を用いて30分間分散処理を行い実施例1のシリカ粒子およびその分散コロイド溶液を得た。
実施例1の処理後の溶液を約0.01wt%となるよう希釈し、Malvern Instruments製ZETASIZER NANO ZEN3600を用いてζ電位を測定した。また、他の気相法で得られた粒子又は市販品(比較例1,3〜5)と液相法(ゾルゲル法)で得られた粒子(比較例6)についても同様にζ電位を測定した。結果を図1に示す。また、実施例1、比較例1および2については、その値を表1に合わせて示した。実施例1のVAD製粒子は液相法(比較例6)と同様の値約−50mVが得られ、他の気相法(比較例1〜5)ではいずれも絶対値が小さかった。なお、比較例1のJVD(Jacketed vapor desosition)法、および比較例2のFCM(Flash creation method)はともにその常法に従いシリカナノ粒子を製造したものである。
実施例1、比較例1,3〜5で得られたシリカ粒子の粉体を弗酸で溶解し、ICP発光分析装置で不純物金属の定量を行なった。その結果を表2に示す。
表1の純度の欄において「◎」は表2における金属不純物元素の濃度が20ng/g未満であることを示し、「△」は表2における金属不純物元素の濃度が20ng/g以上であることを示す。
その結果、他の気相法の比較例に対して実施例1のVAD法によるシリカ粒子に含まれる不純物はいずれも少なく、純度が高いことが示された。
実施例1、比較例2、4〜6について走査型電子顕微鏡写真により粒径を測定した、結果を表1および2に示す。実施例1では、比較例に比べ真球度の高い粒子であった。
実施例1、比較例1〜2の親水性を Malvern Instruments製ZETASIZER NANO ZEN3600を用いてζ電位により測定した。結果を表1に示す。表1の親水性の欄において「○」はζ電位の絶対値が30mV以上を示し、「×」は30mV未満を示す。
実施例1、比較例1〜2のスループットを単位時間当たりの酸化物ナノ粒子の生成量により評価した。結果を表1に示す。表1のスループットの欄において「○」は単位時間当たりの生成量が3kg/h以上であることを示し、「△」は3kg/hを下回ることを示す。
実施例1、比較例1〜2のハンドリング性能評価を表1に合わせて示した。
Claims (5)
- 気化した原料物質を、回転しつつ引き上げる心棒に吹き付け、心棒表面で酸化物であるシリカを粒子状に生成させるとともに、該粒子を堆積させ、その後、堆積した粒子の凝集体を粉砕し、平均粒径が10〜1000nmであり、かつ、ζ電位の絶対値が30mV以上であるシリカナノ粒子を製造することを特徴とするシリカナノ粒子の製造方法。
- 前記ζ電位の絶対値が、40mV以上である請求項1に記載のシリカナノ粒子の製造方法。
- 請求項1または2に記載の方法で製造された粉体状のシリカナノ粒子。
- 請求項3に記載の粉体状のシリカナノ粒子を水中で超音波によりさらに粉砕することを特徴とするシリカナノ粒子分散コロイド溶液の製造方法。
- 請求項4に記載の方法で製造されたシリカナノ粒子分散コロイド溶液。
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