JP5562652B2 - シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置 - Google Patents

シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5562652B2
JP5562652B2 JP2009552094A JP2009552094A JP5562652B2 JP 5562652 B2 JP5562652 B2 JP 5562652B2 JP 2009552094 A JP2009552094 A JP 2009552094A JP 2009552094 A JP2009552094 A JP 2009552094A JP 5562652 B2 JP5562652 B2 JP 5562652B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compounds
mixture
semiconductor
mmol
isomers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009552094A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010520241A (ja
JP2010520241A5 (ja
Inventor
ジョン イー． アンソニー、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Kentucky Research Foundation
Original Assignee
University of Kentucky Research Foundation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Kentucky Research Foundation filed Critical University of Kentucky Research Foundation
Publication of JP2010520241A publication Critical patent/JP2010520241A/ja
Publication of JP2010520241A5 publication Critical patent/JP2010520241A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5562652B2 publication Critical patent/JP5562652B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/451—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a metal-semiconductor-metal [m-s-m] structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、一般に、有機半導体の分野、およびより特には、シリルエチニル化されたヘテロアセン類ならびにこれらの化合物で作製された配合物および電子装置に関する。
ディスプレイ技術は、将来、ハイテク産業の有力な部門になるものと期待されている。また、有機半導体を使用することで、安価、柔軟、軽量、完全に携帯可能なフラットパネルディスプレイを、それらの大きさを明らかには制限することなく製造できるようになり、フラットパネルディスプレイ技術に革命がもたらされるとも期待されている。製造コストがより低いため、いずれは、有機半導体系ディスプレイが非晶質シリコン系の対応するディスプレイよりも優勢となり、それぞれの市場シェアは２００７年までに１６億ドルに成長するものと予想されている。しかしながら、これらの目的を実現するためには、有機半導体材料および装置加工の分野において大幅な飛躍的進歩が起きなければならない。
ディスプレイ、センサーおよび他の面積が大きい電子的用途で使用可能な有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に対する関心が、急速に増加してきた。報告された有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）装置のなかで最も優れるものの性能は、水素化非晶質シリコン装置のそれに匹敵または勝るものであり、ＯＴＦＴの加工温度が低いため、布、紙または低温重合体基材を含む表面領域上での製造を行える。
ＯＴＦＴにおいて使用するための有機半導体は、概して、高および低移動度材料として２つのグループに分けることができる。高移動度材料は０．１ｃｍ２／Ｖ・ｓを超える移動度を有し、キャリアの広いエネルギー帯域幅（＞０．１ｅＶ）を有用に有し、温度による移動度の活性化が弱いか、しばしば存在しない。これまで、最も高い移動度の有機半導体は小分子材料（最も注目に値する例としてペンタセンによる）であり、ほとんどが、真空昇華によるか、溶液前駆体より高温（＞１５０℃）の転化工程によって沈積される。低移動度材料は約１０−５〜１０−１ｃｍ２／Ｖ・ｓの移動度を有し、典型的にはホッピングによる輸送キャリアを有し、温度によって移動度が強く活性化される。ほとんどの重合体有機半導体はこのグループに該当し、多くは溶液より沈積できる潜在的な利点を有する。
これまで、低温の溶液で加工された高移動度の有機半導体の報告は僅かである。加えて、低移動度材料についてすら、真空蒸着技術と比較して、現在の溶液沈積技術により材料の構造、厚みおよび特性を制御することは立証されていない。
Ｍ．Ｐａｙｎｅ、Ｓ．Ｏｄｏｍ、Ｒ．Ｐａｒｋｉｎ、Ｊ．Ａｎｔｈｏｎｙ、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００４年、６巻、１９号、３３２５〜３３２８頁
有利な特性、特に、比較的低いＯＴＦＴ加工温度および比較的高い移動度の新規な有機半導体化合物を提供することを本発明の目的とした。本発明のもう一つ目的は、当業者が入手可能な有機半導体化合物の蓄積を広げることであった。本発明の他の目的は、以下の詳細な記載より、当業者には直ちに明らかである。
本発明において特許請求される通りの新規でシリルエチニル化されたヘテロアセン類を提供することで、これらの目的を達成できることが見出された。
Ｍ．Ｐａｙｎｅ、Ｓ．Ｏｄｏｍ、Ｒ．Ｐａｒｋｉｎ、Ｊ．Ａｎｔｈｏｎｙ、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００４年、６巻、１９号、３３２５〜３３２８頁（非特許文献１）にはシリルエチニル化されたヘテロアセン類が開示されているが、本発明による化合物は開示されていない。
本発明は、式Ｉの化合物に関する。
Figure 0005562652
 式中、
Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ”’−であり、
Ｒは、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有し、環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それら全てはフッ素化またはペルフッ素化されていてもよく、ＳｉＲ３は、好ましくは、トリアルキルシリルであり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有しフッ素化またはペルフッ素化されていてもよい直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、６〜３０個のＣ原子を有しフッ素化またはペルフッ素化されていてもよいアリール、好ましくは、Ｃ６Ｆ５、またはＣＯ２Ｒ”であり、ただし、Ｒ”は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル、または２〜３０個、好ましくは５〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールであり、
Ｒ”’は、Ｈ、または１〜１０個のＣ原子で、環状、直鎖状または分岐状のアルキルであり、好ましくは、Ｈであり、
ｍは、０または１であり、
ｎは、０または１である。
更に、本発明は、式Ｉの１種類以上の化合物を含み、１種類以上の有機溶媒を更に含む配合物に関する。
更に、本発明は、式Ｉの１種類以上の化合物またはそれを含む配合物を含む電子装置、特に、トランジスタ、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機光起電（ＯＰＶ）装置、集積回路（ＩＣｓ）、センサー、無線識別（ＲＦＩＤ）タグおよび太陽電池に関する。
本明細書に組み込まれ一部を形成する添付の図面は本発明の幾つかの態様を図解し、記載と共に本発明の特定の原理を説明するのに役立つ。
本発明の電界効果トランジスタのための可能な実施形態の概略的な説明図である。 本発明の電界効果トランジスタのための可能な実施形態の概略的な説明図である。 本発明の電界効果トランジスタのための可能な実施形態の概略的な説明図である。 本発明の光起電装置の可能な実施形態を図解する概略的な表示図である。 本発明の光起電装置の可能な実施形態を図解する概略的な表示図である。 ここで、添付の図面図に図解される通りに、本発明の好ましい本実施形態を詳細に引用する。
本発明の新規化合物は、広く、シリルエチニル化されたヘテロアセン類（アントラ（ジヘテロ環類）、テトラ（ジヘテロ環類）およびペンタ（ジヘテロ環類）化合物）として記載できる。
式Ｉの好ましい化合物は、Ｙ１＝Ｙ３およびＹ２＝Ｙ４のもの、およびＹ１＝Ｙ４およびＹ２＝Ｙ３のものである。
式Ｉの好ましい化合物は、以下の式より選択される。
Figure 0005562652
Figure 0005562652
 式中、Ｒ、Ｒ’およびＸは、上で定義される通りである。
本発明の更なるもう一つの態様によれば、式Ｉ、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１またはＣ２の１種類以上の新規化合物と、１種類以上の溶媒とを含む配合物が提供される。溶媒は、好ましくは、有機溶媒、非常に好ましくは、トルエンおよびキシレンなどのアルキル化および／またはフッ素化または塩素化されたベンゼン類、アニソールまたはそれのアルキル化および／またはフッ素化された誘導体、テトラリン、インダン、デカリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはピリジンより選択される。
本発明の更なるもう一つの態様によれば、トランジスタが提供される。トランジスタは、好ましくは、ゲート電極と、本発明の新規な化合物または配合物から構成される半導体と、前記ゲート電極および前記半導体間の絶縁体と、ソース電極と、ドレイン電極とを含む。
本発明の更なるもう一つの態様によれば、光起電装置が提供される。光起電装置は、好ましくは、透明アノードと、本発明の新規な化合物または配合物から構成される半導体と、ｎ型材料と、カソードとを含む。
トランジスタおよび光起電装置などの電子装置、およびそれらの部品、例えば、ゲート、ソースまたはドレイン電極、カソード、アノードまたはｎ型材料（電子輸送体）などを調製するための適切な方法および材料は当業者に既知で文献に記載されており、例えば、国際特許出願公開第０２／４５１８４号パンフレット、国際特許出願公開第０３／０５２８４１号パンフレット、国際特許出願公開第２００４／０１３９２２号パンフレットおよびそこで引用されている文献である。
非常に好ましくは、式Ｉ、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１またはＣ２において、
−Ｘが、−Ｏ−、−Ｓｅ−または−ＮＨ−である化合物、
−Ｘが、−Ｓ−である化合物、
−Ｒ’が、Ｈではない化合物、
−Ｒ’が、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＣＯＯＨ、非常に好ましくは、Ｆ、ＣｌまたはＢｒ、最も好ましくは、Ｆである化合物、
−Ｒが、１〜８個のＣ原子を有する直鎖状または分岐状のアルキル、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルであるプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルであるブチルである化合物、
−Ｒ”’が、Ｈである化合物、
−ｍ＝ｎ＝０である化合物、
−ＸがＳの場合、Ｒ’はＨではない化合物、
−ｍ＝ｎ＝０およびＸがＳの場合、Ｒ’は、６〜３０個のＣ原子を有しフッ素化またはペルフッ素化されていてもよいアリール、好ましくは、Ｃ６Ｆ５、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮおよびＣＯ２Ｒ”より、非常に好ましくは、Ｆ、ＣｌおよびＢｒより選択される化合物である。
シリルエチニル化されたヘテロアセン類は、通常、異性体の混合物として調製される。よって、式Ｉは、第１の異性体がＹ１＝Ｙ３およびＹ２＝Ｙ４、および第２の異性体がＹ１＝Ｙ４およびＹ２＝Ｙ３である異性体の組を網羅する。
式Ａ１およびＡ２は、アントラ（ジヘテロ環類）の２種類の異性体を表す。式Ｂ１およびＢ２は、テトラ（ジヘテロ環類）の２種類の異性体を表す。式Ｃ１およびＣ２は、ペンタ（ジヘテロ環類）の２種類の異性体を表す。本発明の新規化合物は、式Ａ１、Ａ２；Ｂ１、Ｂ２；またはＣ１、Ｃ２の異性体の混合物と、純粋な異性体Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１またはＣ２との両者を含む。
式Ａ１、Ａ２；Ｂ１、Ｂ２；またはＣ１、Ｃ２の異性体の混合物より、異性体Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１またはＣ２を、当業者に既知の方法によって精製でき、限定することなく、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）が挙げられる。
本発明の新規化合物は、比較的単純および直接的な方法により調製できる。具体的には、アルキニルリチウムを対応するアセンキノンに付加し、続いてＨＩまたは塩化スズ（ＩＩ）のいずれかによる還元操作により、シリルエチニル化されたヘテロアセン類を容易に作製する。
Figure 0005562652
 このタイプの反応は、Ｍｉｌｌｅｒ、Ｇ．Ｐ．；Ｍａｃｋ、Ｊ．；Ｂｒｉｇｇｓ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２０００年、２巻、３９８３頁、Ａｎｔｈｏｎｙ、Ｊ、Ｅ、；Ｅａｔｏｎ、Ｄ．Ｌ．；Ｐａｒｋｉｎ、Ｓ．Ｒ．Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ、２００２年、４巻、１５頁、Ａｎｔｈｏｎｙ、Ｊ．Ｅ．；Ｂｒｏｏｋｓ、Ｊ．Ｓ．；Ｅａｔｏｎ、Ｄ．Ｌ．；Ｐａｒｋｉｎ、Ｓ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００１年、１２３巻、９４８２頁、Ｐａｙｎｅ、Ｍ．Ｍ．；Ｏｄｏｍ、Ｓ．Ａ．；Ｐａｒｋｉｎ、Ｓ．Ｒ．；Ａｎｔｈｏｎｙ、Ｊ．Ｅ．Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００４年、６巻、３３２５頁に良く記載されている。
アセンキノンは、ジアルデヒドおよび商業的に入手可能な１，４−シクロヘキサンジオンの間で４倍アルドール縮合により非常に容易に調製できる。
Figure 0005562652
 この縮合は、Ｄｅ ｌａ Ｃｒｕｚ、Ｐ．；Ｍａｒｔｉｎ、Ｎ．；Ｍｉｇｕｅｌ、Ｆ．；Ｓｅｏａｎｅ、Ｃ；Ａｌｂｅｒｔ、Ａ．；Ｃａｎｏ、Ｈ．；Ｇｏｎｚａｌｅｚ、Ａ．；Ｐｉｎｇａｒｒｏｎ、Ｊ．Ｍ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９２年、５７巻、６１９２頁に良く記載されている。
典型的には、これらのジアルデヒドの「Ｒ」基を、以下の順序で導入する。
Figure 0005562652
 この手順は、チオフェンジアルデヒドについて、Ｌａｑｕｉｎｄａｎｕｒａ、Ｊ．Ｇ．；Ｋａｔｚ、Ｈ．Ｅ．；Ｌｏｖｉｎｇｅｒ、Ａ．Ｊ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９８年、１２０巻、６６４頁に詳細に記載されている。
Ｒ’がハロゲン、例えば、ＦまたはＢｒである本発明の化合物は、反応スキーム１および２に類似することで調製できる。
Figure 0005562652
Figure 0005562652
 よって、これらの材料の全てにとって、「基礎単位」はヘテロ環ジアルデヒドである。これらのヘテロ環ジアルデヒドの多くは文献で既知であり、いくつかは商業的に入手可能ですらある。
チオフェン２，３−ジアルデヒドは、Ａｌｄｒｉｃｈ社およびＡｃｒｏｓ化学社より商業的に入手可能である。
フラン２，３−ジアルデヒドは、Ｚａｌｕｓｋｉ、Ｍ．Ｃ；Ｒｏｂｂａ、Ｍ．；Ｂｏｎｈｏｍｍｅ、Ｍ．Ｂｕｌｌ．Ｃｈｉｍ．Ｓｏｃ．Ｆｒ．１９７０年、４巻、１４４５頁に記載される通りに調製される。
セレノフェン２，３−ジアルデヒドは、Ｐａｕｌｍｉｅｒ、Ｃ；Ｍｏｒｅｌ、Ｊ．；Ｐａｓｔｏｕｒ、Ｐ．；Ｓｃｍａｒｄ、Ｄ．Ｂｕｌｌ．Ｃｈｉｍ．Ｓｏｃ．Ｆｒ．１９６９年、７巻、２５１１頁に記載される通りに調製される。
他のヘテロ環ジアルデヒドは、フランおよびセレノフェン化合物を合成するために概要を述べたものと同一の方法によって調製できる。以下の合成および例は本発明を更に例示するために用意されるもので、本発明を限定するとは考えない。
多くの有用な電子装置を、本発明の新規化合物より構築できる。図１ａに、本発明による典型的な電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（１０）を図解する。ＦＥＴ（１０）は、当該技術で既知のタイプのゲート電極（１２）、当該技術で既知のタイプの絶縁体またはゲート誘電体（１４）および本発明の化合物の薄層または膜の形態の半導体（１６）から成っている。加えて、ＦＥＴ（１０）は導電性ソース電極（１８）およびドレイン電極（２０）を含み、両者とも半導体（１６）に動作可能に接続されている。
絶縁体（１４）は、例えば、誘電体または酸化金属または更にポリ（メチルメタクリレート）などの絶縁性ポリマーでよい。導電性ソースおよびドレイン電極（１８）、（２０）は、当該技術において電極として有用であることが知られている金属、高度にドープされたシリコンなどの半導体または更に導電性ポリマーでよい。
図１ａに図解されるＦＥＴは、ボトム−ゲート・トップ−コンタクト配置として知られている。本発明のＦＥＴ（１０）の別の実施形態が、図１ｂに図解されている。この配置は、ボトム−ゲート・ボトム−コンタクト配置として知られている。
本発明のＦＥＴ（１０）のもう一つの別の実施形態が、図１ｃに図解されている。この配置はトップ−ゲート配置として知られており、当該技術で既知のタイプの基体（２２）、導電性ソース電極（１８）およびドレイン電極（２０）から成っており、両者とも本発明の化合物の薄層または膜の形態の半導体（１６）に動作可能に接続されており、当該技術で既知のタイプの絶縁体またはゲート誘電体（１４）、および当該技術で既知のタイプのゲート電極（１２）から成っている。
ゲート電極（１２）、ソース電極（１８）およびドレイン電極（２０）も任意の種類の導電体でよく：金、銀、アルミニウム、白金、高度にドープされたシリコンまたは有機導電性ポリマーである。絶縁体またはゲート誘電体（１４）は、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンなどの酸化物、またはポリ（メチルメタクリレート）などの絶縁性ポリマーでよい。いずれの配置においても、半導体（１６）を形成するための溶液または蒸気法のいずれかによって、本発明の化合物を適用できる。
場合により、半導体（１６）は１つ以上の有機バインダーを含んでおり、好ましくは、例えば、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットに記載されているような重合体バインダーであり、レオロジー特性を調節し、好ましくは、バインダーの半導体に対する比率は、重量で、２０：１〜１：２０、好ましくは、１０：１〜１：１０、より好ましくは、５：１〜１：５である。バインダーポリマーは、半導電性でもよい。
図２ａに、本発明による典型的な光起電装置（２２）を図解する。光起電装置（２２）は、透明導電性電極またはアノード（２４）、本発明の化合物の薄層または膜の形態の半導体（２６）およびボトム電極またはカソード（２８）を含む。
図２ａで図解される光起電装置の実施形態において、ｎ型材料の層（３０）は半導体（２６）およびカソード（２８）の間に提供されている。図２ｂで図解される光起電装置（２２）においては、半導体（２６）が、ｎ型材料と混合された本発明の化合物を含む。
有機太陽電池の場合、典型的には、本発明の化合物を正孔輸送体（「ｐ型」材料）として使用する。この材料はｎ型材料と連結して（即ち、混合体として）使用しなければならず、任意の電子受容化合物として定義される。ｎ型または受容体材料として適切および好ましい例は、Ｃ６０などのフラーレン類、またはそれらの可溶化された誘導体、またはＰＴＣＢＩ（３，４，９，１０−ペリレン四酢酸ビスベンズイミダゾール）などのペリレンジイミド類である。
光起電装置（２２）は、典型的には、図２ａおよび２ｂで図解される２通りに構築できる。図２ａに図解される通り、逐次の工程において蒸気または溶液よりｐ型化合物およびｎ型化合物の両者を沈積し、単一のヘテロ接合界面とする。あるいは、図２ｂに図解される通り、カソード材料を沈積する前に、ｐ型材料およびｎ型材料を混合し溶液よりアノード上に沈積することもできる。この実施形態においては、ｐ型およびｎ型材料相が分離し、大量の複数のヘテロ接合となる。両者の場合において、典型的には、アノード材料は高い作業性能を有し、透明である（ＩＴＯ、またはガラスまたはプラスチック上の酸化物（１０））。これに対し、カソード（２８）は作業性能の低い導電体で、典型的には、効率を向上するために反射性とする（アルミニウム、銀またはインジウム−ガリウム共晶混合物）。いずれかの場合、電荷注入効率を向上するために、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））またはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（スチレンスルホネート））混合体など市販の導電性ポリマーでアノード層を事前に被覆できる。
以下の例は、本発明を限定することなく説明することを意図する。また、以降に記載される方法、構造および特性を、本発明において特許請求されているが先述の明細書または例において明らかには記載されていない材料にも、適用または転用できる。
他に明言しない限り、上および下のパーセンテージは重量による百分率であり、温度は摂氏度で与えられる。
＜例１＞
５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンおよび５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン
オーブンで乾燥されＮ２下で冷却された撹拌棒を備える２５０ｍＬの丸底フラスコにヘキサン（２０ｍｌ）および０．３８ｍＬのトリエチルシリルアセチレン（２．０ｍｍｏｌ）を加え、続いて、０．７３ｍｌのｎ−ＢｕＬｉ（１．８ｍｍｏｌ、ヘキサン中２．４６Ｍ溶液）を滴下により加えた。混合物を１時間撹拌し、次いで、ヘキサン（８０ｍｌ）およびアントラジチオフェンキノン（Ｄｅ ｌａ Ｃｒｕｚ、Ｐ．ら、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９２年、５７巻、６１９２頁に記載される方法によって調製）（０．１６ｇ、０．３４ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を６０℃で一晩加熱し、次いで、０．５ｍＬの水により反応を停止した。１０％ＨＣｌ水溶液（１ｍＬ）中のＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ（０．５０ｇ、２．２ｍｍｏｌ）を加え、混合物を６０℃で２時間撹拌した。溶液をＭｇＳＯ４上で乾燥し、次いで、シリカの厚手パッドに装填した。シリカをヘキサン（５００ｍｌ）で濯ぎ、次いで、生成物をヘキサン：ＤＣＭ（５：１）を使用して溶離した。溶媒を除去し、０．１８ｇ（０．３１ｍｍｏｌ、９１％）の赤みがかった粉体を生じた。ヘキサンより再結晶し、粘稠な濃い赤色の板状物を生じた。ヘキサンより３回再結晶した。収率：９１％。融点：１５１℃。１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ＝９．１８（ｓ、２Ｈ）、９．１３（ｓ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、２Ｈ、対称異性体）、７．５７（ｄ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、２Ｈ、反対称異性体）、７．４７（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、２Ｈ）、１．２７（ｔｔ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１．６Ｈｚ、１８Ｈ）、０．９４（ｑ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１．２Ｈ）。１３Ｃ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ＝１４０．２７、１４０．１８、１．３９．８２、１３９．６８、１３３．７０、１３０．１１（２Ｃ）、１３０．０１（２Ｃ）、１２９．９２（２Ｃ）、１２９．８１、１２９．１７、１２３．９５、１２１．５０、１２１．４４、１２０．２０、１１８．０５、１１７．６９、８．０４（２Ｃ）、７．８２、４．９３（２Ｃ）、４．５０。解析的計算値、Ｃ：７２．０２％、Ｈ：６．７５％。実測値、Ｃ：７１．６８％、Ｈ：６．７５％。
別の「Ｒ」基の系を調製するために、上の調製においてトリエチルシリルアセチレンを異なるアセチレンに置き換える。「Ｒ’」が「Ｈ」と異なる系を調製するためには、不可欠となる前駆体キノンを、Ｌａｑｕｉｎｄａｎｕｍ、Ｊ．Ｇ．ら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ、１９９８年、１２０巻、６６４頁における記載通りに調製できる。
＜例２＞
テトラ［２，３−ｂ：８，９−ｂ’］ジチオフェン−５，１３−ジオンおよびテトラ［２，３−ｂ：９，８−ｂ’］ジチオフェン−５，１３−ジオン
撹拌棒を備える５００ｍｌの丸底フラスコ中において、２，３−チオフェンジカルボキサルデヒド（０．８５ｇ、６．０７ｍｍｏｌ）およびベンゾ［１，２−ｂ］チオフェン−４，５−ジカルボキサルデヒド（１．６６ｇ、８．７０ｍｍｏｌ）の１：２混合物をＴＨＦ（２００ｍｌ）に溶解し、次いで、１，４−シクロヘキサンジオン（０．８３ｇ、７．４０ｍｍｏｌ）を加え、均一になるまで溶液を撹拌した。１５％ＫＯＨ（２ｍｌ）を添加後、直ちに沈殿の形成が始まり、激しい撹拌を一晩続けた。溶液を濾過して、不溶性のキノン類で構成される３．８７ｇの薄茶色の粉体を生じ、次の工程で直接使用した：ＭＳ（７０ｅＶ、Ｅｌ）ｍ／ｚ ３７０（１００％、Ｍ＋）。
５，１３−ビス（トリス（トリメチルシリル）シリルエチニル）テトラ［２，３−ｂ：８，９−ｂ’］ジチオフェンおよび５，１３−ビス（トリス（トリメチルシリル）シリルエチニル）テトラ［２，３−ｂ：９，８−ｂ’］ジチオフェン
オーブンで乾燥されＮ２下で冷却された撹拌棒を備える５００ｍＬの丸底フラスコに、ヘキサン（１５０ｍｌ）およびトリス（（トリエチルシリル）シリルアセチレン（１４ｇ、５１．１ｍｍｏｌ）を加えた。ｎ−ＢｕＬｉ（１９．５ｍｌ、４７，９ｍｍｏｌ、ヘキサン中２．６Ｍ）を滴下により加え、混合物を２時間撹拌した。上のキノン混合物（３．８７ｇ）を加え、撹拌を一晩続け、次いで、無水のＴＨＦ（２０ｍｌ）を加え、更に２日間撹拌した。水（２ｍｌ）および１０％ＨＣｌ（２０ｍｌ）中のＳｎＣｌ２・Ｈ２Ｏ（１０．０ｇ、４４ｍｍｏｌ）を加え、溶液を２時間撹拌した。次いで、ＤＣＭ（１００ｍｌ）を加え、有機層を分離し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、シリカの厚手パッドを通して濯いだ（ＤＣＭ）。体積１０ｍｌまで溶媒を濃縮し、次いで、ヘキサン（２００ｍｌ）で希釈し、シリカの厚手パッド上で濯いだ。シリカをヘキサン（６００ｍｌ）で濯ぎ、次いで生成混合物を溶離するためヘキサン：ＤＣＭ（１：１）で濯ぎ、この２回目の画分より溶媒を除去した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル（９：１））を使用して、０．８２ｇの所望のテトラジチオフェンを単離した。テトラジチオフェンをアセトンより再結晶し、濃い青色の針状物を生じた。１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣＩ３）δ＝９．５３（ｓ、１Ｈ）、９．４５（ｓ、１Ｈ）、９．１６（ｓ、１Ｈ）、９．１３（ｓ、１Ｈ）、８．５３（ｓ、１Ｈ）、８．４９（ｓ、１Ｈ）、７．５４（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、１Ｈ）、７．５０（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．４１（ｓ、１Ｈ）、７．４０（ｓ、１Ｈ）、１．０８（ｓ、５４Ｈ）。１３Ｃ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ＝１４０．４９、１４０．４６、１４０．２０、１４０．１９、１３９．９２、１３９．８６、１３８．９８、１３８．９０、１３０．２７、１２９．７４、１２９．６１、１２６．８４、１２５．３５、１２４．０２、１２３．７２、１２２．３４、１２２．２９、１２１．６４、１２１．０４、１２０．９９、１２０．２９、１０７．０５、１０６．７２、１０５．６４、１０４．８５、１０４．７６、１１．５。ＵＶ−ＶＩＳ（ＤＣＭ）：γａｂｓ（ε）：２４４（１８７００）、３００（３２４００）、３２８（６１８００）、３７２（６９４０）、３９２（５６１０）、４６５（２１１０）、５２８（７６６）、５５５（１３４０）、５９９（２８１０）、６５３（４９６０）。ＩＲ（ＫＢｒ）νｍａｘ（ｃｍ−１）：２９５６（ｍ）、２９４５（ｍ）、２８６０（ｓ）、２１２９（ｍ）、１４６０（ｍ）、１４００（ｍ）、１３６６（ｓ）、１０６１（ｍ）、９９７（ｗ）、８８２（ｓ）、７５２（ｓ）、７２０（ｖｓ）、６６１（ｓ）、５８６（ｍ）。
＜例３＞
ペンタ［２，３−ｂ：９，１０−ｂ’］ジチオフェン−６，１４−ジオンおよびペンタ［２，３−ｂ：１０，９−ｂ］ジチオフェン−６，１４−ジオン
撹拌棒を備える５００ｍＬの丸底フラスコ中において、ベンゾ［１，２−ｂ］チオフェン−４，５−ジカルボキサルデヒド（２．３５ｇ、１２．４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２００ｍｌ）中に溶解した。１，４−シクロヘキサンジオン（０．７０ｇ、６．２ｍｍｏｌ）を加え、溶液が均一になるまで撹拌し、次いで、１５％ＫＯＨ（２ｍｌ）を添加した。激しい撹拌を一晩続け、次いで、溶液を濾過し、エーテル（２０ｍｌ）およびＤＣＭ（２０ｍｌ）で濯いだ。茶色の固体をＤＭＦ（４００ｍｌ）中で２時間加熱して還流し、次いで、冷却および濾過し、薄茶色の不溶性の粉体として１．６ｇ（３．８ｍｍｏｌ）の所望のキノンを得た。ＭＳ（７０ｅＶ、Ｅｌ）ｍ／ｚ ４２０（４２％、Ｍ＋）。
６，１４−ビス（トリ（ｔ−ブチル）シリルエチニル）−ペンタ［２，３−ｂ：９，１０−ｂ’］ジチオフェンおよび６，１４−ビス（トリ（ｔ−ブチル）シリルエチニル）−ペンタ［２，３−ｂ：１０，９−ｂ’］ジチオフェン（６ｂ）
オーブンで乾燥されＮ２下で冷却された撹拌棒を備える２５０ｍｌの丸底フラスコに、無水のＴＨＦ（４０ｍＬ）およびトリ（ｔ−ブチル）シリルアセチレン（３．５９ｇ、１６，０ｍｍｏｌ）を加えた。ｎ−ＢｕＬｉ（５．７ｍｌ、１４ｍｍｏｌ、ヘキサン中２．６Ｍ）を滴下により加え、溶液を１時間撹拌し、次いで、上述のキノン（１．６ｇ、３，８ｍｍｏｌ）を加えた。２４時間撹拌後、追加の無水のＴＨＦ（４０ｍｌ）を加え、撹拌を３日間続けた。水（２ｍｌ）および１０％ＨＣｌ（２ｍｌ）中のＳｎＣｌ２・Ｈ２Ｏ（１．０ｇ、４．４ｍｍｏｌ）を加え、溶液を２時間撹拌した。ＤＣＭ（２００ｍｌ）を加え、有機層を分離し、ＭｇＳＯ４上で乾燥し、シリカの厚手パッドを通して濯いだ（ＤＣＭ）。体積１０ｍｌまで溶媒を濃縮し、次いで、ヘキサン（２００ｍｌ）で希釈した。この溶液をシリカの厚手パッド上に注ぎ、ヘキサン（５００ｍｌ）で濯ぎ、生成物を溶離するためにヘキサン：ＤＣＭ（１：１）で濯いだ。溶媒を除去して、難溶性で緑色の粉体として０．４４ｇ（０．５３ｍｍｏｌ、１４％）の生成物を生じた。トルエン、次いで、ＣＳ２より再結晶し、細長く濃い緑色の針状物として６ｂを生じた。１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ＝９．４９（ｓ、２Ｈ）、９．４１（ｓ、２Ｈ）、８．４１（ｓ、２Ｈ）、８．３８（ｓ、２Ｈ）、７．４６（ｄ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．３６（ｓ、Ｊ＝５．６Ｈｚ、２Ｈ）、１．５０（ｓ、５４Ｈ）。１３Ｃ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＳ２／Ｃ６Ｄ６）δ＝１４０．５２、１３８．９１、１３０．９８、１３０．８６、１３０．６７、１３０．５５、１２９．５７、１２８．９２、１２８．８８、１２８．７８、１２８．７５、１２８．２６、１２７．９６、１２７．９４、１２７．５９、１２６．１１、１２４．０８、１２２．９４、１２１．６１、１０９．１０、１０６．７０、９７．９４、３１．１２、３０．８１、２８．８９、２２．７３。ＵＶ−ＶＩＳ（ＤＣＭ）：λａｂｓ、（ε）：２７７（４２５００）、３４２（６９５００）、３７３（６３５０）、３９８（２７７０）、４１６（２７４０）、４４１（２２２０）、４７５（１７３０）、５７７（１４５）、６２３（４７４）、６９０（１１７０）、７６２（２６００）。ＩＲ（ＫＢｒ）νｍａｘ（ｃｍ−１）：（ｃｍｏｌ）：３４００（ｗ）、２９７２（ｍ）、２９３５（ｍ）、２８５９（５）、２１３３（５）、１６４８（ｗ）、１３８５（ｓ）、１１１５（ｍ）、１０３２（ｗ）、８９０（ｓ）、８２０（ｓ）、７４８（ｓ）、６１９（ｓ）。Ｃ５４Ｈ６６Ｓ２Ｓｉ２・Ｈ２Ｏに対する解析的計算値、Ｃ：７５．９９％、Ｈ：８．０３％。実測値、Ｃ：７５．６１％、Ｈ：７．９３％。ＭＳ（７０ｅＶ、Ｅｌ）ｍ／ｚ ８３４（１００％、Ｍ＋）、７７７（６３％、Ｍ＋−Ｃ４Ｈ９）。融点：２６８℃（度）。
＜例４＞
２，８−ジブロモ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンおよび２，８−ジブロモ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン
＜工程１：５−ブロモ−チオフェン−２，３−ジカルバルデヒド＞
２，３−ビス（１，３−ジオキソラン−２−イル）チオフェン（１３．５１ｇ、５９．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２００ｍｌ）中に溶解し、続いて、Ｎ−ブロモコハク酸イミド（１１．０ｇ、６１．２ｍｍｏｌ）を添加した。この混合物を遮光して一晩（１５時間程度）撹拌し、次いで、水（３００ｍｌ）を加え、生成物をエーテルで抽出（２００ｍｌで３回）した。有機相を合わせて、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液および塩水で洗浄し、次いで、Ｎａ２ＳＯ４上で乾燥した。溶媒を減圧下で除去した。残渣をＴＨＦ（１５０ｍｌ）中に溶解し、次いで、２ＮのＨＣｌ溶液（４０ｍｌ）を加えた。この混合物を、還流で１時間加熱した。室温まで冷却後、反応混合物を水中（３００ｍｌ）に注ぎ、エーテルで抽出した（２００ｍｌで３回）。抽出物を合わせて、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液、水および塩水で洗浄し、次いで、Ｎａ２ＳＯ４上で乾燥した。溶媒を減圧下で除去した。残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、石油エーテル／酢酸エチル（１０：０〜７：３）で溶離し、茶色の固体（１．４３ｇ、１１％）を与えた。１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１０．３８（ｓ、１Ｈ、ＣＨＯ）、１０．２６（ｓ、１Ｈ、ＣＨＯ）、７．６０（ｓ、１Ｈ、Ａｒ−Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１８３．３、１８１．４、１４８．４、１４３．６、１３２．４、１２３．９；ＭＳ（ｍ／ｅ）：２２０（Ｍ＋）、２１８（Ｍ＋）、１９１、１８９、１６１、１６３、１１１、８２、５７、３９。
＜工程２：２，８−ジブロモアントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン−５，１１−ジオンおよび２，８−ジブロモアントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン−５，１１−ジオン＞
５−ブロモ−チオフェン−２，３−ジカルボキサルデヒド（０．９１ｇ、４．２ｍｍｏｌ）をＥｔＯＨ（１５０ｍｌ）中に溶解し、続いて、１，４−シクロヘキサンジオン（０．２４ｇ、２．１ｍｍｏｌ）を加えた。強く撹拌しながら１５％ＫＯＨ溶液（５ｍｌ）を加えると、直ちに沈殿が形成し始めた。混合物を更に１時間撹拌した。沈殿を回収し、水およびエタノールで洗浄し、次いで、真空下で乾燥して、溶解度の低い黄色の固体（０．８５ｇ、８６％）を与えた。ＩＲ（ｃｍ−１）：１６６８（Ｃ＝Ｏ）、１５７４、１４８８、１３１７、１２５３。
＜工程３：２，８−ジブロモ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンおよび２，８−ジブロモ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン＞
ジオキサン（７０ｍｌ）中のトリエチルシリルアセチレン（１．２０ｇ、８．５５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＢｕＬｉ（ヘキサン中１．６Ｍ、５．３ｍｌ、８．４８ｍｍｏｌ）を滴下で室温において加えた。この溶液を３０分撹拌し、続いて、２，８−ジブロモアントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェン−５，１１−ジオン（０．８０ｇ、１．６７ｍｍｏｌ）を加えた。結果として生じた混合物を、還流で３時間加熱した。冷却後、固体のＳｎＣｌ２（５ｇ）を加え、次いで、濃ＨＣｌ溶液（１０ｍｌ）を加え、混合物を３０分撹拌した。沈殿を濾過によって回収し、水およびアセトンで洗浄し、濃い紫色の固体を与え、アセトン／ＴＨＦで再結晶して紫色の結晶を与えた（０．５９ｇ、４９％）。１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）８．９３（ｍ、４Ｈ、Ａｒ−Ｈ）、７．４５（ｓ、１Ｈ、Ａｒ−Ｈ）、７．４６（ｓ、１Ｈ、Ａｒ−Ｈ）、１．２３（ｍ、１８Ｈ、ＣＨ３）、０．９１（ｍ、１２Ｈ、ＣＨ２）；１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１４０．７、１４０．６、１３９．８、１３９．７、１３０．０、１２９．９、１２９．６、１２９．５、１２６．４、１２０．３、１２０．２、１１９．６４、１１９．５９、１１９．１２、１１９．０６、１１７．７、１０７．３、１０２．９、７．８５、４．７０；ＩＲ：２１２６ｃｍ−１（Ｃ≡Ｃ）。
＜例５＞
２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：６，７−ｂ’］ジチオフェンおよび２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン
例４に記載される通りに合成を行ったが、臭化物の代わりに対応するフッ化物を使用した。
１Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）８．９１（ｓ、２Ｈ）、８．８４（ｓ、２Ｈ）、６．８１（ｄ、２Ｈ）、１．２２（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）；１３Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）１６７．８３、１６３．８６、１３６．６６、１３６．６１、１３６．５７、１３３．８９、１３０．１４、１２９．９４、１２９．５８、１２９．４０、１２０．８０（ＣＨ）、１２０．６８（ＣＨ）、１２０．５９（ＣＨ）、１２０．４６（ＣＨ）、１２０．３６（ＣＨ）、１０２．７５（ＣＨ）、１０２．６０（ＣＨ）、７．８２（ＣＨ３）、４．６７（ＣＨ２）；ＩＲ：２１３３ｃｍ−１（Ｃ≡Ｃ）。ＭＳ（ｍ／ｅ）：６０２（Ｍ＋）。
本発明の化合物は、卓越した物理的および電子的特性を明示する。内部の芳香族環上に置換されたシリルアセチレン単位は、２つの重要な目的に役立つ。第一に、シリルアセチレン単位は分子を可溶とし、簡易で溶液を基礎とする方法による加工を可能とする。第二に、および恐らくより重要なこととして、この官能基のために分子がπ積層配列に自己集合し、このことは改良された装置性能にとって決定的な意味を有する。より具体的には、この分子配列によって導電性が改良され、バンドギャップが低減され、０．００１〜１．０ｃｍ２／Ｖｓを超える正孔移動度の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置に至る。
＜例６＞
図１ａに示される通りの電界効果トランジスタを与えた。電界効果トランジスタ用の基体は熱的に成長させた酸化物層（３７０ｒａｎ）を有する高度にドープされたＳｉウエハーから成るもので、ゲート電極および誘電体として機能させた。金製のソースおよびドレインコンタクトを蒸着し、チャネル長が２２μｍおよびチャネル幅が３４０μｍの装置を得た。次いで、金製電極をペンタフルオロベンゼンチオールで処理し、電極接触面を改良した。例１のトリエチルシリルアントラジチオフェン誘導体のトルエン中１〜２重量％溶液を、プラスチックブレードを使用して装置表面の全体に広げ、放置して溶媒を蒸発させた。次いで、装置を空気中において９０℃で２分間加熱し、残存する溶媒を除去した。
例１のトリエチルシリルアントラジチオフェン誘導体は優れた品位の均一なフィルムを形成し、優れたオン／オフ電流比（１０７）と共に１．０ｃｍ２／Ｖｓの正孔移動度を生じた。この材料の性能は、結晶中における密接なπ積層相互作用による可能性が高い。トリエチルシリルアントラジチオフェン誘導体は、π面が約３．２５Å離れている２次元π積層配列をとっている。また、トリエチルシリルアントラジチオフェン誘導体は、１．５７Å２のπ重複および２．７５、１．７６Åの横ズレによっても特徴付けられた。全ての測定は空気中で室温において行い、移動度は飽和電流より計算した。
＜例７＞
図１ｃに示される通りの電界効果トランジスタを以下の通り与えた：パターン化されたＡｕソースおよびドレイン電極を、ガラス基体上にシャドーマスクにより与えた。ペンタフルオロベンゼンチオールの自己集合単分子層（電極注入層）をＡｕ電極上にスピンコートし、ＩＰＡで洗浄した。４−メチルアニソール中に２重量％の濃度で例５のジフルオロトリエチルシリルアントラジチオフェン誘導体を溶解して、半導体配合物を調製した。次いで、空気中、室温で、５００ｒｐｍにおいて１８秒間、続いて、２０００ｒｐｍにおいて６０秒間で半導体溶液を基体上にスピンコートし、溶媒を蒸発させた。絶縁体材料（サイトップ（登録商標）８０９Ｍ、旭硝子社より入手可能）の３部を２部のペルフッ素溶媒（ＦＣ７５、Ａｃｒｏｓ社カタログ番号１２３８０）に混合し、次いで、半導体上にスピンコートし、約１μｍの厚みを与え、溶媒を蒸発させた。シャドーマスクを通して蒸着により、装置のチャネル領域上に金製のゲートコンタクトを配置した。
電気計測のために、トランジスタのサンプルをサンプルホルダーに搭載した。Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ ＰＨ１００小型プローブヘッドを使用して、ゲート、ドレインおよびソース電極にマイクロプローブを接続した。これらをＨｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ ４１５５Ｂパラメータ分析計に連結した。ドレイン電圧を−５Ｖに設定し、ゲート電圧を＋２０〜−６０Ｖに走査し、１Ｖずつ＋２０Ｖに戻した。電界効果移動度の値を、線形域（線形移動度）および飽和域（飽和移動度）において特性付けられるＶＧ（ゲート電圧）に対するＩＳＤ（ソース−ドレイン電流）の勾配より計算した。全ての測定は、空気中で室温において行った。結果を下にまとめる。
線形移動度＝１．７ｃｍ２／Ｖｓ
飽和移動度＝２．２ｃｍ２／Ｖｓ
オン／オフ比 １０３

Claims (9)

  1. 式Ｉの化合物。
    Figure 0005562652
     （式中、
    Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
    Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
    Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ”’−であり、
    Ｒは、１〜２０個のＣ原子を有し、環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それら全てはフッ素化またはペルフッ素化されていてもよく、
    Ｒ’は、Ｆであり、
    Ｒ”’は、Ｈ、または１〜１０個のＣ原子で、環状、直鎖状または分岐状のアルキルであり、
    ｍは、０または１であり、
    ｎは、０または１である。）
  2. 以下の式より選択される請求項１に記載の化合物。
    Figure 0005562652
    Figure 0005562652
     （式中、
    ＲおよびＸは、請求項１において定義される通りであり、
    Ｒ’はＦである。）
  3. 以下の式の異性体の混合物である請求項１に記載の化合物。
    Figure 0005562652
     （式中、
    ＲおよびＸは、請求項１において定義される通りであり、
    Ｒ’はＦである。）
  4. 以下の式の異性体の混合物である請求項１に記載の化合物。
    Figure 0005562652
     （式中、
    ＲおよびＸは、請求項１において定義される通りであり、
    Ｒ’はＦである。）
  5. 以下の式の異性体の混合物である請求項１に記載の化合物。
    Figure 0005562652
     （式中、
    ＲおよびＸは、請求項１において定義される通りであり、
    Ｒ’はＦである。）
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の１種類以上の化合物または異性体の混合物を含み、１種類以上の有機溶媒を更に含む配合物。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の１種類以上の化合物、異性体の混合物または配合物を含む電子装置。
  8. ゲート電極；
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の１種類以上の化合物、混合物または配合物を含む半導体；
    前記ゲート電極および前記半導体間の絶縁体；
    ソース電極；および
    ドレイン電極
    を含むトランジスタである請求項７に記載の電子装置。
  9. 透明アノード；
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の１種類以上の化合物、混合物または配合物を含む半導体；
    ｎ型材料；および
    カソード
    を含む光起電装置である請求項７に記載の電子装置。
JP2009552094A 2007-03-07 2008-02-25 シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置 Expired - Fee Related JP5562652B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07004633.9 2007-03-07
EP07004633 2007-03-07
EP07005029.9 2007-03-12
EP07005029 2007-03-12
EP07006166 2007-03-26
EP07006166.8 2007-03-26
PCT/EP2008/001482 WO2008107089A1 (en) 2007-03-07 2008-02-25 Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014051016A Division JP2014193861A (ja) 2007-03-07 2014-03-14 シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010520241A JP2010520241A (ja) 2010-06-10
JP2010520241A5 JP2010520241A5 (ja) 2011-04-14
JP5562652B2 true JP5562652B2 (ja) 2014-07-30

Family

ID=39314905

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009552094A Expired - Fee Related JP5562652B2 (ja) 2007-03-07 2008-02-25 シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置
JP2014051016A Pending JP2014193861A (ja) 2007-03-07 2014-03-14 シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014051016A Pending JP2014193861A (ja) 2007-03-07 2014-03-14 シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP2132213B1 (ja)
JP (2) JP5562652B2 (ja)
KR (1) KR101591101B1 (ja)
CN (1) CN101657458B (ja)
GB (1) GB2460579B (ja)
HK (1) HK1140768A1 (ja)
TW (1) TWI410427B (ja)
WO (1) WO2008107089A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014193861A (ja) * 2007-03-07 2014-10-09 Univ Kentucky Res Found シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178873B2 (en) 2007-12-17 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Solution processable organic semiconductors
EP2307427B1 (en) 2008-05-30 2015-02-18 3M Innovative Properties Company Silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same
WO2009154877A1 (en) * 2008-06-19 2009-12-23 3M Innovative Properties Company Solution processable organic semiconductors
WO2010049321A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors
KR101746873B1 (ko) 2009-05-27 2017-06-14 바스프 에스이 유기 반도체 장치에 사용하기 위한 디케토피롤로피롤 중합체
WO2010138807A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 3M Innovative Properties Company Fluorinated silylethynyl pentacene compounds and compositions and methods of making and using the same
KR101097313B1 (ko) * 2009-08-10 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101626363B1 (ko) * 2009-12-16 2016-06-02 엘지디스플레이 주식회사 안트라세닐계 교호 공중합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터
US9178156B2 (en) 2009-12-23 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Compositions comprising polymeric binders
KR20120123361A (ko) 2009-12-23 2012-11-08 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 화합물을 포함하는 조성물
US20130026421A1 (en) 2010-04-12 2013-01-31 Merck Patent Gmbh Composition and method for preparation of organic electronic devices
WO2011128034A1 (en) 2010-04-12 2011-10-20 Merck Patent Gmbh Composition having improved performance
JP2013533895A (ja) 2010-05-19 2013-08-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 有機半導体デバイスにおいて使用するためのジケトピロロピロール系ポリマー
EP2576724B1 (en) 2010-05-27 2019-04-24 Merck Patent GmbH Method for preparation of organic electronic devices
WO2012017005A2 (en) 2010-08-05 2012-02-09 Basf Se Polymers based on benzodiones
KR101837791B1 (ko) * 2010-08-13 2018-04-19 메르크 파텐트 게엠베하 안트라[2,3-b:7,6-b']디티오펜 유도체 및 유기 반도체로서의 이의 용도
WO2012028244A1 (en) 2010-09-02 2012-03-08 Merck Patent Gmbh Process for preparing an organic electronic device
KR20130103530A (ko) 2010-09-10 2013-09-23 메르크 파텐트 게엠베하 안트라［２，３－ｂ：７，６－ｂ＇］디티오펜 유도체 및 유기 반도체로서 이의 용도
EP2649082B1 (en) * 2010-12-06 2015-01-14 Merck Patent GmbH Non-linear acene derivatives and their use as organic semiconductors
GB201108865D0 (en) 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Semiconductor compounds
GB201108864D0 (en) * 2011-05-26 2011-07-06 Ct For Process Innovation The Ltd Transistors and methods of making them
ITMI20111447A1 (it) * 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente
CN103906786B (zh) 2011-10-04 2017-06-09 巴斯夫欧洲公司 基于苯并二酮的聚合物
EP2789024B1 (en) 2011-12-07 2015-11-18 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices
GB201203159D0 (en) 2012-02-23 2012-04-11 Smartkem Ltd Organic semiconductor compositions
WO2013149897A1 (en) 2012-04-02 2013-10-10 Basf Se Phenanthro[9,10-b]furan polymers and small molecules for electronic applications
US9293718B2 (en) 2012-04-04 2016-03-22 Basf Se Diketopyrrolopyrrole polymers and small molecules
JP6207606B2 (ja) 2012-07-23 2017-10-04 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ジチエノベンゾフランポリマーおよび電子的な応用のための小分子
US9748487B2 (en) 2012-11-07 2017-08-29 Basf Se Polymers based on naphthodiones
CN104797624B (zh) 2012-12-04 2018-08-10 巴斯夫欧洲公司 用于电子应用的官能化苯并二噻吩聚合物
US9698348B2 (en) 2013-06-24 2017-07-04 Basf Se Polymers based on fused diketopyrrolopyrroles
EP2818493A1 (en) 2013-06-25 2014-12-31 Basf Se Near infrared absorbing polymers for electronic applications
WO2015028768A1 (en) 2013-08-28 2015-03-05 Smartkem Limited Polymyeric organic semiconductor compositions
CN103554138B (zh) * 2013-10-31 2016-02-17 兰州大学 一种具有有机场效应晶体管性质的材料及其制备方法
US9444060B2 (en) 2014-04-29 2016-09-13 Sabic Global Technologies B.V. Synthesis of new small molecules/oligomers with high conductivity and absorption for optoelectronic application
JP2017017216A (ja) * 2015-07-02 2017-01-19 Dic株式会社 半導体組成物、半導体インク
KR102643183B1 (ko) 2015-07-15 2024-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도전성 화합물들을 포함하는 조성물
WO2017068009A1 (en) 2015-10-21 2017-04-27 Basf Se Polymers and compounds based on dipyrrolo[1,2-b:1',2'-g][2,6]naphthyridine-5,11-dione
WO2017202635A1 (en) 2016-05-25 2017-11-30 Basf Se Semiconductors
TW201835300A (zh) * 2016-12-22 2018-10-01 德商麥克專利有限公司 包含至少二種有機官能性化合物之混合物

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100303934B1 (ko) * 1997-03-25 2001-09-29 포만 제프리 엘 낮은작동전압을필요로하는유기반도체를갖는박막전장효과트랜지스터
US5936259A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistor and organic semiconductor material thereof
EP1048084A4 (en) * 1998-08-19 2001-05-09 Univ Princeton ORGANIC OPTOELECTRONIC LIGHT SENSITIVE DEVICE
JP5089986B2 (ja) * 2003-11-28 2012-12-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機半導体層およびその改善
CN100431169C (zh) * 2004-01-15 2008-11-05 松下电器产业株式会社 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
JP2005253231A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd 無停電電源装置、無停電電源管理システム及び無停電電源管理方法
JP2006125270A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Takeshi Uchida 回転駆動装置
WO2006054686A1 (ja) * 2004-11-18 2006-05-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ
JP2006168085A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Nissan Motor Co Ltd 情報化核酸含有木質材料及びその製造方法
JP2006283536A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Kagawa Setsubi Kogyosho:Kk 配管用貫通穴埋め治具
US20060220007A1 (en) * 2005-04-05 2006-10-05 Bailey David B Acene compounds having a single terminal fused thiophene as semiconductor materials for thin film transistors and methods of making the same
JP2007067262A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
JP2006151379A (ja) * 2005-11-21 2006-06-15 Yuji Nishimura 盗難防止兼用サドルカバー
WO2007105473A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
US7372071B2 (en) * 2006-04-06 2008-05-13 Xerox Corporation Functionalized heteroacenes and electronic devices generated therefrom
JP2007299852A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
JP2007324288A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体膜及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2007335760A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp 光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子
US20080042127A1 (en) * 2006-08-17 2008-02-21 Watson Mark D Transition metal free coupling of highly fluorinated and non-fluorinated pi-electron systems
JP2008103464A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
WO2008107089A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-12 University Of Kentucky Research Foundation Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014193861A (ja) * 2007-03-07 2014-10-09 Univ Kentucky Res Found シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101591101B1 (ko) 2016-02-03
TWI410427B (zh) 2013-10-01
JP2010520241A (ja) 2010-06-10
CN101657458B (zh) 2014-07-02
CN101657458A (zh) 2010-02-24
KR20100015372A (ko) 2010-02-12
GB2460579A (en) 2009-12-09
GB0917170D0 (en) 2009-11-11
WO2008107089A1 (en) 2008-09-12
GB2460579B (en) 2011-11-02
JP2014193861A (ja) 2014-10-09
TW200904821A (en) 2009-02-01
EP2132213B1 (en) 2013-05-15
EP2132213A1 (en) 2009-12-16
HK1140768A1 (en) 2010-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5562652B2 (ja) シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置
US7385221B1 (en) Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
US7355199B2 (en) Substituted anthracenes and electronic devices containing the substituted anthracenes
KR101788329B1 (ko) 유기 반도체
JP5307349B2 (ja) 官能化ヘテロアセン類およびそれから作製された電子デバイス
TWI588150B (zh) 雜環化合物及其利用
GB2472413A (en) Semiconducting compounds useful for organic thin film resistors
TWI469973B (zh) 四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體
TWI674266B (zh) 有機化合物及其用途
JP5344441B2 (ja) 新規化合物及びその製造方法、並びに有機半導体材料及び有機半導体デバイス
TWI614254B (zh) 新穎之縮合多環芳香族化合物及其用途
JP2015199716A (ja) 多環縮環化合物、有機半導体材料、有機半導体デバイス及び有機トランジスタ
TW201247676A (en) Method for producing dianthra [2,3-b:2',3'-f] thieno [3,2-b] thiophen and application thereof
JP2015501298A (ja) ピロロ−ピロールジオン−チオフェンキノン化合物、調製方法およびその使用
KR20130094720A (ko) 유기 반도체
JP2010056476A (ja) ｎ型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ
US20110130594A1 (en) Class of soluble, photooxidatively resistant acene derivatives
KR20110104218A (ko) 용액공정용 펜타센 유도체 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기박막 트렌지스터
WO2016071140A1 (en) Phenacene compounds for organic electronics
JP7464397B2 (ja) ペリレン誘導体化合物、該化合物を用いた有機半導体用組成物、該有機半導体用組成物を用いた有機薄膜トランジスタ
KR100901856B1 (ko) 전자주게 치환기를 갖는 나프탈렌으로 말단 기능화된새로운 올리고머 반도체 화합물과 이를 이용한유기박막트랜지스터
KR101736920B1 (ko) 아릴기가 치환된 안트라센 화합물, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터
KR100877177B1 (ko) 아세틸렌기가 치환된 안트라센 구조의 유기반도체 화합물및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
KR100901885B1 (ko) 전자주게 치환기를 갖는 나프탈렌으로 말단 기능화된새로운 올리고머 반도체 화합물과 이를 이용한유기박막트랜지스터
JP2014036039A (ja) 有機半導体材料及びそれを用いた有機半導体デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110224

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130812

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20140317

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140415

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140513

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5562652

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees