JP5562496B2 - Sramメモリカード及び電圧監視回路 - Google Patents
Sramメモリカード及び電圧監視回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5562496B2 JP5562496B2 JP2013553160A JP2013553160A JP5562496B2 JP 5562496 B2 JP5562496 B2 JP 5562496B2 JP 2013553160 A JP2013553160 A JP 2013553160A JP 2013553160 A JP2013553160 A JP 2013553160A JP 5562496 B2 JP5562496 B2 JP 5562496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- battery
- memory card
- circuit
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
- G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/021—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in voltage or current generators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Sources (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
電池20でバックアップしているSRAM(Static Random Access Memory)メモリカード1は、図1に示すように、装置APに着脱可能に装着される。装置APは、電源PSを含む装置であり、例えば、PLC(Programmable Logic Controller)などである。
10 インターフェース部
20 電池
21 接点
22 抵抗
30 切り替え部
31 ダイオード
40 保持関連回路
50、50i オン・オフ検知部
60 チャタリング防止回路
61 容量素子
61a 第1電極
61b 第2電極
70 放電回路
70a 一端
70b 他端
71 抵抗素子
72 スイッチ
72a 電界効果型トランジスタ
80 監視部
90 読み書き制御部
100 電圧監視回路
Claims (8)
- 電源を含む装置に着脱可能に装着されるSRAMメモリカードであって、
前記SRAMメモリカードが前記装置に装着された状態で前記装置の前記電源がオンしている場合、前記装置から少なくとも電源電圧を受けるインターフェース部と、
電源電圧の供給を受けて、データを保持するための動作を行う保持関連回路と、
電源電圧を発生させる電池を前記保持関連回路に電気的に接続するための接点と、
前記装置の前記電源がオン状態の場合に、前記インターフェース部が前記装置から受けた電源電圧が前記保持関連回路に供給され、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、前記電池が発生させた電源電圧が前記接点を介して前記保持関連回路に供給されるように、切り替える切り替え部と、
前記接点に電気的に接続された第1電極と基準電位に電気的に接続された第2電極とを有する容量素子を含むチャタリング防止回路と、
前記接点を介して前記電池の発生させる電源電圧を監視し、前記接点の電位が閾値より低い場合にアラーム信号にON値を設定し前記接点の電位が前記閾値以上である場合に前記アラーム信号にOFF値を設定し、前記インターフェース部を介して前記装置へ前記アラーム信号を出力する監視部と、
前記インターフェース部を介して前記装置の前記電源のオン・オフ状態を検知する検知部と、
前記検知部により検知された前記装置の前記電源のオン・オフ状態に応じて、前記容量素子の前記第1電極に蓄積された電荷を放電する放電回路と、
を備えたことを特徴とするSRAMメモリカード。 - 前記放電回路は、前記装置の前記電源がオン状態の場合に、前記容量素子の前記第1電極に蓄積された電荷を放電し、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、前記容量素子の前記第1電極に蓄積された電荷を放電しない
ことを特徴とする請求項1に記載のSRAMメモリカード。 - 前記放電回路は、
前記容量素子の前記第1電極に電気的に接続された一端と、
前記基準電位に電気的に接続された他端と、
前記一端及び前記他端を電気的に接続するスイッチと、
を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のSRAMメモリカード。 - 前記スイッチは、前記装置の前記電源がオン状態の場合に、前記放電回路の前記一端及び前記他端を電気的に接続し、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、前記放電回路の前記一端及び前記他端を電気的に遮断する
ことを特徴とする請求項3に記載のSRAMメモリカード。 - 前記スイッチは、
前記装置の前記電源がオン状態の場合に、アクティブレベルの制御信号がゲートに供給され、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、ノンアクティブレベルの制御信号がゲートに供給される電界効果型トランジスタを有する
ことを特徴とする請求項4に記載のSRAMメモリカード。 - 前記放電回路は、前記一端及び前記他端の間で前記スイッチに直列に接続された抵抗素子をさらに有する
ことを特徴とする請求項5に記載のSRAMメモリカード。 - 電源を含む装置に着脱可能に装着されるSRAMメモリカードの電圧監視回路であって、
電源電圧を発生させる電池を、データを保持するための保持関連回路に電気的に接続するための接点と、
前記装置の前記電源がオン状態の場合に、前記SRAMメモリカードのインターフェース部が前記装置から受けた電源電圧が前記保持関連回路に供給され、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、前記SRAMメモリカード内の電池が発生させた電源電圧が前記保持関連回路に供給されるように、切り替える切り替え部と、
前記接点に電気的に接続された第1電極と基準電位に電気的に接続された第2電極とを有する容量素子を含むチャタリング防止回路と、
前記接点を介して前記電池の発生させる電源電圧を監視し、前記接点の電位が閾値より低い場合にアラーム信号にON値を設定し前記接点の電位が前記閾値以上である場合に前記アラーム信号にOFF値を設定し、前記インターフェース部を介して前記装置へ前記アラーム信号を出力する監視部と、
前記インターフェース部を介して前記装置の前記電源のオン・オフ状態を検知する検知部と、
前記検知部により検知された前記装置の前記電源のオン・オフ状態に応じて、前記容量素子の前記第1電極に蓄積された電荷を放電する放電回路と、
を備えたことを特徴とする電圧監視回路。 - 前記放電回路は、前記装置の前記電源がオン状態の場合に、前記容量素子の一端に蓄積された電荷を放電し、前記装置の前記電源がオフ状態の場合に、前記容量素子の一端に蓄積された電荷を放電しない
ことを特徴とする請求項7に記載の電圧監視回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/050569 WO2013105261A1 (ja) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5562496B2 true JP5562496B2 (ja) | 2014-07-30 |
JPWO2013105261A1 JPWO2013105261A1 (ja) | 2015-05-11 |
Family
ID=48781232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553160A Expired - Fee Related JP5562496B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9117551B2 (ja) |
JP (1) | JP5562496B2 (ja) |
KR (1) | KR101553793B1 (ja) |
CN (1) | CN104081418B (ja) |
DE (1) | DE112012005664T5 (ja) |
TW (1) | TWI500030B (ja) |
WO (1) | WO2013105261A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6358497B2 (ja) * | 2014-04-19 | 2018-07-18 | Tianma Japan株式会社 | 制御装置 |
JP6409677B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2018-10-24 | 株式会社リコー | 情報処理装置及び情報処理方法 |
CN107767918A (zh) * | 2016-08-16 | 2018-03-06 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种mram芯片及其测试方法 |
KR20210006121A (ko) * | 2019-07-08 | 2021-01-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02267613A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリカード |
JPH0486052U (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | ||
JPH04326489A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icメモリカード |
JPH1040351A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icメモリカード |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693253B2 (ja) | 1988-06-17 | 1994-11-16 | 三菱電機株式会社 | Icメモリカード用バッテリ回路 |
US4965828A (en) * | 1989-04-05 | 1990-10-23 | Quadri Corporation | Non-volatile semiconductor memory with SCRAM hold cycle prior to SCRAM-to-E2 PROM backup transfer |
JP2815612B2 (ja) * | 1989-05-15 | 1998-10-27 | 株式会社ナムコ | Cmos入力型icおよび電源切替回路 |
JPH039417A (ja) | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電源瞬断検出装置 |
JPH04145715A (ja) | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | チャタリング防止回路 |
JPH0546122U (ja) | 1991-11-13 | 1993-06-18 | ナイルス部品株式会社 | チヤタリング除去回路 |
JPH08205416A (ja) | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Inax Corp | 電池取外し検知装置 |
JP2002111787A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Nec Corp | 携帯電話装置 |
US6801994B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-10-05 | Microsoft Corporation | Software management systems and methods for automotive computing devices |
JP2005109659A (ja) | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
US6925025B2 (en) * | 2003-11-05 | 2005-08-02 | Texas Instruments Incorporated | SRAM device and a method of powering-down the same |
JP4223924B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2009-02-12 | フジノン株式会社 | 機器 |
US20060043933A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Latinis Gary R | Battery voltage monitor |
US7962776B2 (en) * | 2007-10-14 | 2011-06-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting component removal while operating in a battery backup mode |
WO2010135260A2 (en) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Boston-Power, Inc. | Energy efficient and fast charge modes of a rechargeable battery |
US8452353B2 (en) * | 2010-02-24 | 2013-05-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus and methods for providing intelligent battery management |
-
2012
- 2012-01-13 KR KR1020147022059A patent/KR101553793B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-13 JP JP2013553160A patent/JP5562496B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-13 DE DE112012005664.7T patent/DE112012005664T5/de not_active Withdrawn
- 2012-01-13 CN CN201280066697.1A patent/CN104081418B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-13 US US14/370,402 patent/US9117551B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-13 WO PCT/JP2012/050569 patent/WO2013105261A1/ja active Application Filing
- 2012-06-27 TW TW101122946A patent/TWI500030B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02267613A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリカード |
JPH0486052U (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | ||
JPH04326489A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icメモリカード |
JPH1040351A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Icメモリカード |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013105261A1 (ja) | 2013-07-18 |
DE112012005664T5 (de) | 2014-10-09 |
TWI500030B (zh) | 2015-09-11 |
KR101553793B1 (ko) | 2015-09-16 |
US9117551B2 (en) | 2015-08-25 |
CN104081418B (zh) | 2016-12-14 |
TW201329977A (zh) | 2013-07-16 |
JPWO2013105261A1 (ja) | 2015-05-11 |
US20150016182A1 (en) | 2015-01-15 |
KR20140116191A (ko) | 2014-10-01 |
CN104081418A (zh) | 2014-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5562496B2 (ja) | Sramメモリカード及び電圧監視回路 | |
US10931101B2 (en) | Electrostatic discharge protection circuit | |
JP2009010477A (ja) | 半導体装置 | |
CN108257643B (zh) | 数据储存装置以及其备用电力来源的储电能力监控方法 | |
US20190260198A1 (en) | Electronic Control Unit | |
JP2014017948A (ja) | 車載用電源装置 | |
US8450994B2 (en) | Voltage application time period measuring circuit and power supply apparatus including the same | |
KR101025535B1 (ko) | 단락보호회로를 구비한 스위치 제어 회로 | |
CN110967568B (zh) | 静电放电检测装置 | |
CN111427441A (zh) | 一种电源唤醒方法和装置 | |
CN102237667B (zh) | Usb端口过电流侦测电路 | |
JP2016075626A (ja) | 半導体装置 | |
TWI383167B (zh) | 檢測一電源儲存裝置之運作情形的方法及其相關電源儲存裝置 | |
US8633744B1 (en) | Power reset circuit with zero standby current consumption | |
US9874589B2 (en) | Inrush current recording module | |
JP2007193458A (ja) | 電源回路 | |
CN109326092B (zh) | 一种简易信号报警电路 | |
JP2002165155A (ja) | 電源電圧制御装置 | |
JP2006149132A (ja) | 瞬断復帰回路 | |
JP2005269812A (ja) | パワーシーケンス回路 | |
TWI405976B (zh) | Usb埠過電流偵測電路 | |
CN117871925A (zh) | 基准电压检测电路和电子设备 | |
JP2023045849A (ja) | 断線検知装置及び断線検知方法 | |
CN104182023A (zh) | 电源电路 | |
JP2007087237A (ja) | 電源種別識別装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5562496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |