JP5559723B2 - Method for manufacturing connection structure - Google Patents

Method for manufacturing connection structure Download PDF

Info

Publication number
JP5559723B2
JP5559723B2 JP2011037631A JP2011037631A JP5559723B2 JP 5559723 B2 JP5559723 B2 JP 5559723B2 JP 2011037631 A JP2011037631 A JP 2011037631A JP 2011037631 A JP2011037631 A JP 2011037631A JP 5559723 B2 JP5559723 B2 JP 5559723B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anisotropic conductive
conductive material
connection structure
layer
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011037631A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012175004A (en
Inventor
彰 結城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2011037631A priority Critical patent/JP5559723B2/en
Publication of JP2012175004A publication Critical patent/JP2012175004A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5559723B2 publication Critical patent/JP5559723B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電材料を用いた接続構造体の製造方法であって、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続する接続構造体の製造方法に関する。   The present invention is a method for manufacturing a connection structure using an anisotropic conductive material including a plurality of conductive particles, and includes various connection objects such as a flexible printed circuit board, a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip. The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure that electrically connects electrodes of members.

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。   Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin or the like.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

また、上記接続構造体の製造方法の一例として、第一の回路電極を有する第一の回路部材と、第二の回路電極を有し、テープキャリアパッケージ又はフレキシブルプリント基板を構成する第二の回路部材とを、上記第一の回路電極と上記第二の回路電極とを対向配置させた状態で、異方性導電材料により接続する接続構造体の製造方法が開示されている。また、特許文献１には、熱硬化性組成物と光硬化性組成物とを含有する異方性導電材料としてフィルム状回路接続材料を用いて、該フィルム状回路接続材料に光を照射して、光硬化性樹脂組成物を硬化させて、フィルム状回路接続材料の流動性を低下させ、次に本接続時にフィルム状回路接続材料を加熱して、熱硬化性樹脂組成物を硬化させる方法が記載されている。   Moreover, as an example of the manufacturing method of the connection structure, a first circuit member having a first circuit electrode and a second circuit having a second circuit electrode and constituting a tape carrier package or a flexible printed circuit board A method for manufacturing a connection structure is disclosed in which a member is connected with an anisotropic conductive material in a state where the first circuit electrode and the second circuit electrode are arranged to face each other. Further, in Patent Document 1, a film-like circuit connecting material is used as an anisotropic conductive material containing a thermosetting composition and a photocurable composition, and the film-like circuit connecting material is irradiated with light. A method of curing the thermosetting resin composition by curing the photocurable resin composition, reducing the fluidity of the film-like circuit connecting material, and then heating the film-like circuit connecting material during the main connection. Have been described.

また、上記接続構造体の製造に用いる異方性導電材料として、下記の特許文献２には、樹脂粒子の表面が導電性薄膜により被覆された導電性粒子を含む異方性導電フィルムが開示されている。ここでは、上記樹脂粒子の室温で１０％圧縮変形したときのＫ値（１０％Ｋ値）が１×１０２〜２×１０３ｋｇｆ／ｍｍ２であること、上記樹脂粒子の室温で１０％圧縮変形したときの回復率が５％以上であることが記載されている。 Further, as an anisotropic conductive material used for manufacturing the connection structure, the following Patent Document 2 discloses an anisotropic conductive film including conductive particles whose surfaces of resin particles are covered with a conductive thin film. ing. Here, the K value (10% K value) when the resin particles are 10% compressed and deformed at room temperature is 1 × 10 2 to 2 × 10 3 kgf / mm 2 , and the resin particles are 10% at room temperature. It is described that the recovery rate when compressed and deformed is 5% or more.

特開２００５−２３５５３０号公報JP 2005-235530 A 特許第３３７９４５６号公報Japanese Patent No. 3379456

特許文献１に記載の接続構造体の製造方法では、異方性導電材料中の導電性粒子を除く成分が、導電性粒子と電極との間から十分に排除されないことがある。さらに、特許文献１に記載の接続構造体の製造方法では、電極間の電気的な接続の際に、異方性導電材料及び該異方性導電材料に含まれている導電性粒子が、硬化前に大きく流動することがある。このため、異方性導電材料により形成された硬化物層及び導電性粒子を特定の領域に配置できないことがある。さらに、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置できなかったり、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されたりすることがある。このため、得られる接続構造体の導通信頼性が低いことがある。   In the manufacturing method of the connection structure described in Patent Document 1, components other than the conductive particles in the anisotropic conductive material may not be sufficiently excluded from between the conductive particles and the electrode. Furthermore, in the manufacturing method of the connection structure described in Patent Document 1, the anisotropic conductive material and the conductive particles contained in the anisotropic conductive material are cured during electrical connection between the electrodes. May flow greatly before. For this reason, the hardened | cured material layer and electroconductive particle formed with the anisotropic electrically-conductive material may be unable to be arrange | positioned in a specific area | region. Furthermore, the conductive particles may not be disposed between the upper and lower electrodes to be connected, or adjacent electrodes that should not be connected may be electrically connected via a plurality of conductive particles. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability of the obtained connection structure may be low.

さらに、特許文献２に記載のように、導電性粒子の室温での１０％Ｋ値及び回復率を制御したとしても、電極間が導電性粒子により確実に接続されなかったり、硬化物層にボイドが生じたりして、得られる接続構造体の導通信頼性が低くなることがある。硬化物層にボイドがあると、電極間の導通信頼性が低下するだけでなく、半導体チップ又はガラス基板などの接続対象部材と硬化物層との接続信頼性も低くなる。   Further, as described in Patent Document 2, even if the 10% K value and the recovery rate at room temperature of the conductive particles are controlled, the electrodes are not reliably connected by the conductive particles, or the cured layer is voided. May occur, the conduction reliability of the obtained connection structure may be lowered. When there is a void in the cured product layer, not only the conduction reliability between the electrodes is lowered, but also the connection reliability between the connection target member such as a semiconductor chip or a glass substrate and the cured product layer is lowered.

さらに、従来の異方性導電材料を電極間の接続に用いた接続構造体に、冷熱サイクルなどの熱衝撃が与えられると、電極間の導通信頼性が低下することがある。すなわち、従来の異方性導電材料を用いた接続構造体では、耐熱衝撃特性が低いことがある。   Further, when a thermal shock such as a cooling cycle is applied to a connection structure using a conventional anisotropic conductive material for connection between electrodes, conduction reliability between the electrodes may be lowered. That is, a connection structure using a conventional anisotropic conductive material may have low thermal shock characteristics.

本発明の目的は、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供することである。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the connection structure which can improve the conduction | electrical_connection reliability between electrodes.

本発明の限定的な目的は、異方性導電材料が硬化した硬化物層にボイドを生じ難くすることができる接続構造体の製造方法を提供することである。   The limited object of this invention is to provide the manufacturing method of the connection structure which can make a void hard to produce in the hardened | cured material layer which the anisotropic electrically-conductive material hardened | cured.

本発明のさらに限定的な目的は、冷熱サイクルなどの熱衝撃に対する接続構造体の耐熱衝撃特性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供することである。   A further limited object of the present invention is to provide a method for manufacturing a connection structure that can improve the thermal shock resistance of the connection structure against a thermal shock such as a thermal cycle.

本発明の広い局面によれば、電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、硬化性化合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含有する異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、上記異方性導電材料層に光を照射することにより硬化を進行させて、上記異方性導電材料層をＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電材料層の上面に、電極を下面に有する第２の接続対象部材をさらに積層する工程とを備え、上記異方性導電材料層をＢステージ化する工程において、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層の温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’が５×１０２Ｐａ以上、１×１０５Ｐａ以下となるように、上記異方性導電材料層に光を照射し、上記導電性粒子として、１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５．９×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、５．９×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である導電性粒子を用いる、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, anisotropic conductivity containing a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles on a first connection target member having an electrode on the upper surface. A step of disposing an anisotropic conductive material layer using a material; a step of irradiating the anisotropic conductive material layer with light to cause curing to form a B-stage of the anisotropic conductive material layer; A step of further laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive material layer, wherein the anisotropic conductive material layer is converted into a B-stage. The storage elastic modulus G ′ at the temperature showing the lowest melt viscosity in the temperature range of 23 to 120 ° C. of the B-staged anisotropic conductive material layer is 5 × 10 2 Pa or more and 1 × 10 5 Pa or less. So that the anisotropic conductive material layer is irradiated with light, As particles, compressive modulus upon 20% compression deformation at 170 ° C. is 5.9 × 10 2 N / mm 2 or more, a conductive particle is 5.9 × 10 3 N / mm 2 or less, the connection structure A method of manufacturing a body is provided.

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層に熱を付与して硬化させ、硬化物層を形成する工程がさらに備えられる。   On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, the process of providing a heat | fever and hardening the said B-staged anisotropic conductive material layer, and forming a hardened | cured material layer is further provided.

本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記硬化物層を形成する工程において、上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’が０．８ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下となるように、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層を硬化させる。   In another specific aspect of the method for producing a connection structure according to the present invention, in the step of forming the cured product layer, the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer is 0.8 MPa or more and 5 MPa or less. The B-staged anisotropic conductive material layer is cured so as to be.

本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記異方性導電材料として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子とを含む異方性導電材料が用いられる。   In another specific aspect of the method for producing a connection structure according to the present invention, a thermosetting compound, a photocurable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles are used as the anisotropic conductive material. An anisotropic conductive material is used.

本発明に係る接続構造体の製造方法のさらに他の特定の局面では、上記異方性導電材料として、上記光硬化性化合物と上記熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜５０：５０で含む異方性導電材料が用いられる。   In still another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive material may have a weight ratio of the photocurable compound and the thermosetting compound of 1:99 to 50: An anisotropic conductive material including 50 is used.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記異方性導電材料として、異方性導電フィルムを用いてもよく、異方性導電ペーストを用いてもよい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記異方性導電材料として、異方性導電ペーストを用いることが好ましい。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste may be used as the anisotropic conductive material. In the connection structure manufacturing method according to the present invention, it is preferable to use an anisotropic conductive paste as the anisotropic conductive material.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いた異方性導電材料層に光を照射することにより硬化を進行させて、上記異方性導電材料層をＢステージ化するので、更に、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層の温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’が５×１０２Ｐａ以上、１×１０５Ｐａ以下となるように上記異方性導電材料層に光を照射し、しかも上記導電性粒子として、１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５．９×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、５．９×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である導電性粒子を用いるので、第１，第２の接続対象部材における電極間の接続時に、異方性導電材料中の導電性粒子を除く成分を、電極と導電性粒子との間から排除して、電極と導電性粒子とを精度よく接触させることができる。このため、接続構造体における電極間の導通信頼性を高めることができる。 In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, light is applied to an anisotropic conductive material layer using an anisotropic conductive material including a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles. Since the anisotropic conductive material layer is made to be B-stage by proceeding with curing, the temperature showing the lowest melt viscosity in the temperature range of 23 to 120 ° C. of the B-staged anisotropic conductive material layer The anisotropic conductive material layer is irradiated with light so that the storage elastic modulus G ′ at 5 × 10 2 Pa or more and 1 × 10 5 Pa or less is 20% at 170 ° C. as the conductive particles. Since the conductive particles having a compression elastic modulus of 5.9 × 10 2 N / mm 2 or more and 5.9 × 10 3 N / mm 2 or less when compressed and deformed are used, the first and second connection target members The conductive particles in the anisotropic conductive material are removed when connecting the electrodes in The components can be excluded from between the electrode and the conductive particles, and the electrode and the conductive particles can be brought into contact with each other with high accuracy. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between the electrodes in a connection structure can be improved.

図１は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。FIG. 1 is a partially cutaway front sectional view schematically showing a connection structure obtained by a method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための部分切欠正面断面図である。2 (a) to 2 (c) are partially cutaway front cross-sectional views for explaining each step of the method for manufacturing a connection structure according to one embodiment of the present invention. 図３は、電極に形成された凹部を説明するための模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a recess formed in the electrode. 図４（ａ）〜（ｄ）は、実施例及び比較例の接続構造体において、圧痕状態の評価における各判定基準で判定された圧痕状態の一例を示す画像である。4A to 4D are images showing an example of the indentation state determined by each determination criterion in the evaluation of the indentation state in the connection structures of the example and the comparative example.

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図１に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。   In FIG. 1, the connection structure obtained by the manufacturing method of the connection structure which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with a partial notch front sectional drawing.

図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を接続している接続部３とを備える。接続部３は、硬化物層である。接続部３は、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子５とを含む異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。上記異方性導電材料は、複数の導電性粒子５を含む。   A connection structure 1 shown in FIG. 1 includes a first connection target member 2, a second connection target member 4, and a connection part 3 connecting the first and second connection target members 2 and 4. Prepare. The connection part 3 is a cured product layer. The connection portion 3 is formed by curing an anisotropic conductive material including a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles 5. The anisotropic conductive material includes a plurality of conductive particles 5.

第１の接続対象部材２は上面２ａに、複数の電極２ｂを有する。第２の接続対象部材４は下面４ａに、複数の電極４ｂを有する。電極２ｂと電極４ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。   The first connection target member 2 has a plurality of electrodes 2b on the upper surface 2a. The second connection target member 4 has a plurality of electrodes 4b on the lower surface 4a. The electrode 2b and the electrode 4b are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 5.

接続構造体１では、第１の接続対象部材２としてガラス基板が用いられており、第２の接続対象部材４として半導体チップが用いられている。第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及びガラスエポキシ基板等の回路基板等が挙げられる。上記異方性導電材料は、電子部品又は回路基板の接続に用いられる異方性導電材料であることが好ましい。   In the connection structure 1, a glass substrate is used as the first connection target member 2, and a semiconductor chip is used as the second connection target member 4. The first and second connection target members are not particularly limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and circuit boards such as printed boards, flexible printed boards, glass boards, and glass epoxy boards. . The anisotropic conductive material is preferably an anisotropic conductive material used for connecting an electronic component or a circuit board.

図１に示す接続構造体１は、例えば、以下のようにして得ることができる。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained as follows, for example.

図２（ａ）に示すように、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の上面２ａに、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子５を含む異方性導電材料を用いて、第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電材料層３Ａを配置する。このとき、電極２ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。上記異方性導電材料として異方性導電ペーストを用いる場合には、異方性導電ペーストの配置は、異方性導電ペーストの塗布により行われる。また、上記異方性導電材料層は、異方性導電ペースト層になる。   As shown to Fig.2 (a), the 1st connection object member 2 which has the electrode 2b on the upper surface 2a is prepared. Next, the first connection target member 2 is formed on the upper surface 2 a of the first connection target member 2 using an anisotropic conductive material including a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles 5. An anisotropic conductive material layer 3A is disposed on the upper surface 2a. At this time, it is preferable that one or a plurality of conductive particles 5 be disposed on the electrode 2b. When an anisotropic conductive paste is used as the anisotropic conductive material, the anisotropic conductive paste is arranged by applying the anisotropic conductive paste. The anisotropic conductive material layer becomes an anisotropic conductive paste layer.

また、接続構造体１を作製する際には、導電性粒子５として、１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率（２０％Ｋ値）が５．９×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、５．９×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である導電性粒子を用いる。上記圧縮弾性率は、導電性粒子の直径が２０％変位したときの圧縮弾性率である。 Further, when the connection structure 1 is manufactured, the conductive particles 5 have a compressive elastic modulus (20% K value) of 5.9 × 10 2 N / mm 2 or more when 20% compression deformation is performed at 170 ° C. The electroconductive particle which is 5.9 * 10 < 3 > N / mm < 2 > or less is used. The compression elastic modulus is a compression elastic modulus when the diameter of the conductive particles is displaced by 20%.

次に、異方性導電材料層３Ａに光を照射することにより、異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させる。異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する。図２（ｂ）に示すように、異方性導電材料層３ＡのＢステージ化により、第１の接続対象部材２の上面２ａに、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂを形成する。   Next, the anisotropic conductive material layer 3A is cured by irradiating the anisotropic conductive material layer 3A with light. By curing the anisotropic conductive material layer 3A, the anisotropic conductive material layer 3A is B-staged. As shown in FIG. 2B, the anisotropic conductive material layer 3 </ b> B having the B stage is formed on the upper surface 2 a of the first connection target member 2 by forming the anisotropic conductive material layer 3 </ b> A into the B stage. .

異方性導電材料層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電材料層３ＡをＢステージ化する際に、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’が５×１０２Ｐａ以上、１×１０５Ｐａ以下となるように、異方性導電材料層３Ａに光を照射する。１７０℃での上記２０％Ｋ値が特定の上記範囲内にある導電性粒子を用いて、かつＢステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上記温度での上記貯蔵弾性率Ｇ’を特定の上記範囲内にすることによって、異方性導電材料層中の導電性粒子を除く成分を電極と導電性粒子との間から排除して、電極と導電性粒子とを効果的に接触させることができる。さらに、電極に導電性粒子が押し込まれた凹部を形成することができる。図３に示すように、導電性粒子５が押し込まれることによって、電極２ｂに凹部２ｃを形成することも可能である。なお、電極４ｂに凹部を形成してもよい。さらに、１７０℃での上記２０％Ｋ値が特定の上記範囲内にある導電性粒子を用いて、かつＢステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上記温度での上記貯蔵弾性率Ｇ’を特定の上記範囲内にすることによって、異方性導電材料が硬化した硬化物層にボイドが生じるのを抑制することもできる。従って、得られる接続構造体における電極間の導通信頼性を高めることができる。なお、上記導電性粒子を除く成分としては、硬化性化合物、熱硬化剤及び光硬化開始剤等が挙げられる。 When the anisotropic conductive material layer 3A is hardened and the anisotropic conductive material layer 3A is B-staged, the lowest temperature range of the B-staged anisotropic conductive material layer 3B in the temperature range of 23 to 120 ° C. The anisotropic conductive material layer 3A is irradiated with light so that the storage elastic modulus G ′ at the temperature showing the melt viscosity is 5 × 10 2 Pa or more and 1 × 10 5 Pa or less. Using the conductive particles having the 20% K value within a specific range at 170 ° C., the storage elastic modulus G ′ at the temperature of the B-staged anisotropic conductive material layer 3B is specified. By eliminating the components other than the conductive particles in the anisotropic conductive material layer from between the electrode and the conductive particles, the electrode and the conductive particles are effectively brought into contact with each other. Can do. Furthermore, a recess in which conductive particles are pushed into the electrode can be formed. As shown in FIG. 3, it is also possible to form the recessed part 2c in the electrode 2b by pushing in the conductive particles 5. A recess may be formed in the electrode 4b. Furthermore, the storage elastic modulus G ′ at the above temperature of the anisotropic conductive material layer 3 </ b> B that is B-staged using the conductive particles having the 20% K value at 170 ° C. within the specific range. By making the value within the above specified range, it is also possible to suppress the generation of voids in the cured layer obtained by curing the anisotropic conductive material. Therefore, the conduction | electrical_connection reliability between electrodes in the connection structure obtained can be improved. In addition, as a component except the said electroconductive particle, a sclerosing | hardenable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, etc. are mentioned.

また、１７０℃での上記２０％Ｋ値が特定の上記範囲内にある導電性粒子を用いることによって、冷熱サイクルなどの熱衝撃に対する接続構造体の耐熱衝撃特性を高めることができる。   Moreover, the use of the conductive particles having the 20% K value at 170 ° C. within the specific range can improve the thermal shock resistance of the connection structure against a thermal shock such as a cold cycle.

さらに、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上記温度での上記貯蔵弾性率Ｇ’を特定の上記範囲内にすることによって、異方性導電材料層に含まれている導電性粒子の流動を充分に抑制できる。このため、電極間に、導電性粒子が配置されやすくなる。さらに、第１の接続対象部材又は第２の接続対象部材の外周面よりも側方の領域に、導電性粒子が意図せずに流動するのを抑制できる。このため、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。例えば、接続されるべき上下の電極間を導電性粒子により容易に接続でき、かつ接続されてはならない隣り合う電極間が複数の導電性粒子を介して接続されるのを抑制できる。   Further, by setting the storage elastic modulus G ′ at the temperature of the B-staged anisotropic conductive material layer 3B within the specific range, the conductive particles contained in the anisotropic conductive material layer Can be sufficiently suppressed. For this reason, it becomes easy to arrange conductive particles between the electrodes. Furthermore, it can suppress that an electroconductive particle flows unintentionally to the area | region of the side rather than the outer peripheral surface of a 1st connection object member or a 2nd connection object member. For this reason, conduction | electrical_connection reliability can be improved when the electrodes of the 1st, 2nd connection object member are electrically connected. For example, the upper and lower electrodes to be connected can be easily connected with conductive particles, and adjacent electrodes that should not be connected can be prevented from being connected via a plurality of conductive particles.

導電性粒子の１７０℃での上記２０％Ｋ値は５．９×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、５．９×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である。接続構造体の耐熱衝撃特性をより一層高める観点からは、導電性粒子の１７０℃での上記２０％Ｋ値は好ましくは９．８×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、好ましくは４．４×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である。２０％Ｋ値が上記下限以上であると、圧縮変形した際に導電性粒子が破壊され難くなる。２０％Ｋ値が上記上限以下であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記２０％Ｋ値が高すぎると、電極付近で、硬化物層の剥離が生じやすくなり、ボイドが生じやすくなる。 The 20% K value at 170 ° C. of the conductive particles is 5.9 × 10 2 N / mm 2 or more and 5.9 × 10 3 N / mm 2 or less. From the viewpoint of further improving the thermal shock resistance of the connection structure, the 20% K value at 170 ° C. of the conductive particles is preferably 9.8 × 10 2 N / mm 2 or more, preferably 4.4 × 10. 3 N / mm 2 or less. When the 20% K value is equal to or more than the above lower limit, the conductive particles are hardly destroyed when compressively deformed. When the 20% K value is less than or equal to the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is further reduced. If the 20% K value is too high, the cured product layer tends to peel off near the electrodes, and voids are likely to occur.

なお、導電性粒子の１７０℃での上記２０％Ｋ値を測定する際の導電性粒子の温度を１７０℃としたのは、Ｂステージ化された異方性導電材料層上に第２の接続対象部材を積層して、接続する際の加熱温度が、１５０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下であり、最も好ましくは１７０℃であるためである。   Note that the temperature of the conductive particles when measuring the 20% K value at 170 ° C. of the conductive particles was set to 170 ° C. because the second connection was made on the B-staged anisotropic conductive material layer. This is because the heating temperature when the target members are stacked and connected is 150 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower, and most preferably 170 ° C.

上記圧縮弾性率（２０％Ｋ値）は、以下のようにして測定できる。   The compression elastic modulus (20% K value) can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、直径５０μｍのダイアモンド製円柱の平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇの条件下で導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。   Using a micro-compression tester, the conductive particles are compressed under the conditions of a compression rate of 2.6 mN / sec and a maximum test load of 10 g with the end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the measured value obtained, the compression elastic modulus can be obtained by the following formula. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電性粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電性粒子の半径（ｍｍ） K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) · F · S −3 / 2 · R −1/2
F: Load value when the conductive particles are 20% compressively deformed (N)
S: Compression displacement (mm) when conductive particles are 20% compressively deformed
R: radius of conductive particles (mm)

接続構造体における電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ接続構造体の耐熱衝撃特性をより一層高める観点からは、上記Ｂステージ化された硬化物層の温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’は、好ましくは１×１０３Ｐａ以上、好ましくは５×１０４Ｐａ以下である。上記貯蔵弾性率Ｇ’が低すぎると、Ｂステージ化された異方性導電材料層に熱が付与されたときに、Ｂステージ化された異方性導電材料層が過度に流動しやすくなる。この結果、導電性粒子が意図しない領域に移動することがある。上記貯蔵弾性率Ｇ’が高すぎると、異方性導電材料中の導電性粒子を除く成分を、導電性粒子と電極との間から効果的に排除できないことがある。 From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes in the connection structure and further improving the thermal shock characteristics of the connection structure, the minimum melting of the B-staged cured product layer in the temperature range of 23 to 120 ° C. The storage elastic modulus G ′ at the temperature showing the viscosity is preferably 1 × 10 3 Pa or more, preferably 5 × 10 4 Pa or less. If the storage elastic modulus G ′ is too low, the B-staged anisotropic conductive material layer tends to flow excessively when heat is applied to the B-staged anisotropic conductive material layer. As a result, the conductive particles may move to an unintended region. When the storage elastic modulus G ′ is too high, components other than the conductive particles in the anisotropic conductive material may not be effectively excluded from between the conductive particles and the electrode.

上記最低溶融粘度を示す温度は、回転型動的粘弾性測定装置を用いて、周波数１Ｈｚの条件にて２０℃から１２０℃まで昇温速度５℃／分で、Ｂステージ化した異方性導電材料層を加熱することにより測定される。上記最低溶融粘度は、２３〜１２０℃の全領域で最も低い値を示した粘度を示す。上記溶融粘度測定装置として、レオロジカ社製「ＶＡＲ−１００」）等が用いられる。   The temperature showing the minimum melt viscosity is B-staged anisotropic conductivity from 20 ° C. to 120 ° C. at a rate of temperature increase of 5 ° C./min using a rotary dynamic viscoelasticity measuring device. It is measured by heating the material layer. The said minimum melt viscosity shows the viscosity which showed the lowest value in the whole range of 23-120 degreeC. As the melt viscosity measuring device, “VAR-100” manufactured by Rheologicalka Co., Ltd., or the like is used.

上記貯蔵弾性率Ｇ’は、回転型動的粘弾性測定装置を用いて、周波数１Ｈｚの条件にて測定される。上記回転型動的粘弾性測定装置として、レオロジカ社製「ＶＡＲ−１００」等が用いられる。   The storage elastic modulus G ′ is measured using a rotary dynamic viscoelasticity measuring device under conditions of a frequency of 1 Hz. As the rotational dynamic viscoelasticity measuring device, “VAR-100” manufactured by Rheologicala Co., Ltd. is used.

なお、上記貯蔵弾性率Ｇ’の測定温度を、温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度とした理由の一つとして、Ｂステージ化された異方性導電材料層に熱を付与して硬化させる際に、Ｂステージ化された異方性導電材料層が室温（２３℃）から加熱されることがあり、更に加熱温度が１２０℃を超えることが挙げられる。   In addition, as one of the reasons why the measurement temperature of the storage elastic modulus G ′ was set to a temperature indicating the lowest melt viscosity in the temperature range of 23 to 120 ° C., heat was applied to the B-staged anisotropic conductive material layer. When cured, the B-stage anisotropic conductive material layer may be heated from room temperature (23 ° C.), and the heating temperature may exceed 120 ° C.

第１の接続対象部材２の上面２ａに、異方性導電材料を配置しながら、異方性導電材料層３Ａに光を照射することが好ましい。さらに、第１の接続対象部材２の上面２ａへの異方性導電材料の配置と同時に、又は配置の直後に、異方性導電材料層３Ａに光を照射することも好ましい。配置と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電材料層の流動をより一層抑制できる。このため、得られた接続構造体１における導通信頼性をより一層高めることができる。第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電材料を配置してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは３秒以下、より好ましくは２秒以下である。   It is preferable to irradiate the anisotropic conductive material layer 3 </ b> A with light while disposing the anisotropic conductive material on the upper surface 2 a of the first connection target member 2. Furthermore, it is also preferable to irradiate the anisotropic conductive material layer 3 </ b> A simultaneously with or immediately after the placement of the anisotropic conductive material on the upper surface 2 a of the first connection target member 2. When the arrangement and the light irradiation are performed as described above, the flow of the anisotropic conductive material layer can be further suppressed. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability in the obtained connection structure 1 can be improved further. The time from the placement of the anisotropic conductive material on the upper surface 2a of the first connection target member 2 to the irradiation with light is 0 second or longer, preferably 3 seconds or shorter, more preferably 2 seconds or shorter.

光の照射により異方性導電材料層３ＡをＢステージ化させるために、異方性導電材料層３Ａの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは１〜３０００ｍＷ／ｃｍ２程度である。また、異方性導電材料層３Ａの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは１０００〜３００００ｍＪ／ｃｍ２程度である。 In order to make the anisotropic conductive material layer 3A into a B-stage by light irradiation, the light irradiation intensity for appropriately curing the anisotropic conductive material layer 3A is, for example, preferably 1 to 3000 mW / cm 2. Degree. Further, the irradiation energy of light for appropriately proceeding the curing of the anisotropic conductive material layer 3A is, for example, preferably about 1000 to 30000 mJ / cm 2 .

光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。   The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include, for example, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, and a metal halide lamp.

次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の上面２ａの電極２ｂと、第２の接続対象部材４の下面４ａの電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。   Next, as shown in FIG. 2C, the second connection target member 4 is laminated on the upper surface 3a of the B-staged anisotropic conductive material layer 3B. The second connection target member 4 is laminated so that the electrode 2b on the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the electrode 4b on the lower surface 4a of the second connection target member 4 face each other.

さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、異方性導電材料層３Ｂに熱を付与することにより、Ｂステージ化された異方性導電材料層３Ｂをさらに硬化させ、硬化物層である接続部３を形成する。ただし、第２の接続対象部材４の積層の前に、異方性導電材料層３Ｂに熱を付与してもよい。第２の接続対象部材４の積層の後に、異方性導電材料層３Ｂに熱を付与し完全に硬化させることが好ましい。   Further, when the second connection target member 4 is laminated, by applying heat to the anisotropic conductive material layer 3B, the B-staged anisotropic conductive material layer 3B is further cured to obtain a cured product layer. The connecting portion 3 is formed. However, heat may be applied to the anisotropic conductive material layer 3B before the second connection target member 4 is laminated. After the lamination of the second connection target member 4, it is preferable to apply heat to the anisotropic conductive material layer 3B to completely cure it.

上記硬化物層を形成する工程において、上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’が０．８ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下となるように、上記Ｂステージ化された異方性導電材料層を硬化させることが好ましい。上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’を特定の上記範囲内にすることによって、接続構造体における電極間の導通信頼性を高めることができる。   In the step of forming the cured product layer, the B-staged anisotropic conductive material layer is cured so that the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer is 0.8 MPa or more and 5 MPa or less. It is preferable to make it. By setting the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer within a specific range, the conduction reliability between the electrodes in the connection structure can be increased.

さらに、上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’を特定の上記範囲内にすることによって、冷熱サイクルなど熱衝撃に対する接続構造体の耐熱衝撃特性を高めることもできる。特に、上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’が特定の上記範囲内であると、得られた接続構造体において、圧縮後の導電性粒子が圧縮前の元の形状に戻ろうとする過度な反発力を十分に抑えることができる。この結果、接続構造体における電極間の導通信頼性が高くなる。   Furthermore, by setting the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer within the specific range, the thermal shock resistance of the connection structure against a thermal shock such as a thermal cycle can be improved. In particular, when the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer is within the specific range, the conductive particles after compression tend to return to the original shape before compression in the obtained connection structure. Excessive repulsive force can be sufficiently suppressed. As a result, the conduction reliability between the electrodes in the connection structure is increased.

接続構造体における電極間の導通信頼性をより一層高め、かつ接続構造体の耐熱衝撃特性をより一層高める観点からは、上記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’は、好ましくは１ＭＰａ以上、好ましくは３ＭＰａ以下である。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes in the connection structure and further improving the thermal shock characteristics of the connection structure, the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer is preferably 1 MPa or more. , Preferably 3 MPa or less.

上記弾性率Ｅ’は、動的粘弾性測定装置を用いて、つかみ間長：２０ｍｍ、温度条件を初期温度：室温、加熱終了温度２００℃、昇温速度：５℃／分、データ取り込み間隔として、下限弾性率：１０Ｐａ、下限動力：０．００８Ｎ、測定周波数１０Ｈｚ、歪（Ｅ＞１０８）：０．１％、静／動力比：０、上限伸び率：５０％、伸び指数：１の条件にて測定される。上記動的粘弾性測定装置として、ティー・エイ・インスツルメント社製「ＲＳＡＩＩ」等が用いられる。   The elastic modulus E ′ is determined by using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus, the length between grips: 20 mm, the temperature conditions as the initial temperature: room temperature, the heating end temperature 200 ° C., the heating rate: 5 ° C./min, , Lower limit elastic modulus: 10 Pa, lower limit power: 0.008 N, measurement frequency 10 Hz, strain (E> 108): 0.1%, static / power ratio: 0, upper limit elongation: 50%, elongation index: 1 Measured at As the dynamic viscoelasticity measuring apparatus, “RSAII” manufactured by TA Instruments Inc. is used.

熱の付与により異方性導電材料層３Ｂを硬化させる場合には、異方性導電材料層３Ｂを充分に硬化させるための加熱温度は好ましくは１５０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。   When the anisotropic conductive material layer 3B is cured by applying heat, the heating temperature for sufficiently curing the anisotropic conductive material layer 3B is preferably 150 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably It is 200 degrees C or less.

異方性導電材料層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって電極２ｂと電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。   It is preferable to apply pressure when the anisotropic conductive material layer 3B is cured. By compressing the conductive particles 5 with the electrodes 2b and 4b by pressurization, the contact area between the electrodes 2b and 4b and the conductive particles 5 can be increased. For this reason, conduction reliability can be improved.

異方性導電材料層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、接続部３を介して接続される。また、電極２ｂと電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、図１に示す接続構造体１を得ることができる。本実施形態では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電材料を短時間で硬化させることができる。   By curing the anisotropic conductive material layer 3 </ b> B, the first connection target member 2 and the second connection target member 4 are connected via the connection portion 3. Further, the electrode 2 b and the electrode 4 b are electrically connected through the conductive particles 5. In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained. In this embodiment, since photocuring and thermosetting are used together, the anisotropic conductive material can be cured in a short time.

上記異方性導電材料は、異方性導電フィルムであってもよく、異方性導電ペーストであってもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状の異方性導電ペーストであることが好ましい。異方性導電ペーストを用いる場合には、異方性導電フィルムを用いる場合と比較して、導電性粒子が流動しやすく、導通信頼性が低くなる傾向がある。本発明に係る接続構造体により、異方性導電ペーストを用いたとしても、導通信頼性を十分に高めることができる。   The anisotropic conductive material may be an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste. The anisotropic conductive material is preferably a paste-like anisotropic conductive paste. When the anisotropic conductive paste is used, the conductive particles tend to flow and the conduction reliability tends to be lower than when the anisotropic conductive film is used. With the connection structure according to the present invention, even when an anisotropic conductive paste is used, the conduction reliability can be sufficiently improved.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体チップとガラス基板とを用いることが好ましい。   The connection structure manufacturing method according to the present invention includes, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), It can be used for connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), or the like. Especially, the manufacturing method of the connection structure concerning the present invention is suitable for COG use. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, it is preferable to use a semiconductor chip and a glass substrate as the first connection target member and the second connection target member.

ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電材料の導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が１０〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。   In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with conductive particles of an anisotropic conductive material. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, the method for manufacturing a connection structure according to the present invention enables the conductive particles to be accurately placed between the electrodes, so that there is high accuracy between the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate. It is possible to improve the conduction reliability.

本発明に係る接続構造体の製造方法に用いられる異方性導電材料は、硬化性化合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含む。異方性導電材料の硬化性及び反応率を容易に制御する観点からは、上記硬化性化合物は、熱硬化性化合物と、光硬化性化合物とを含むことが好ましい。   The anisotropic conductive material used in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles. From the viewpoint of easily controlling the curability and reaction rate of the anisotropic conductive material, the curable compound preferably includes a thermosetting compound and a photocurable compound.

以下、上記異方性導電材料に含まれている各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component contained in the said anisotropic conductive material is demonstrated.

［熱硬化性化合物］
上記熱硬化性化合物は熱硬化性を有する。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 [Thermosetting compound]
The thermosetting compound has thermosetting properties. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Examples of the thermosetting compound include epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記異方性導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましく、チイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことがより好ましい。エポキシ基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。異方性導電材料の硬化性を高める観点からは、上記熱硬化性化合物１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記熱硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であってもよい。   From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive material or further improving the conduction reliability in the connection structure, the curable compound is a thermosetting compound having an epoxy group or a thiirane group. It is preferable to include, and it is more preferable to include a thermosetting compound having a thiirane group. The thermosetting compound having an epoxy group is an epoxy compound. The thermosetting compound having a thiirane group is an episulfide compound. From the viewpoint of enhancing the curability of the anisotropic conductive material, the content of the compound having the epoxy group or thiirane group is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight in 100% by weight of the thermosetting compound. % Or more and 100% by weight or less. The total amount of the thermosetting compound may be a compound having the epoxy group or thiirane group.

上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。   Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.

上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。   The thermosetting compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.

［光硬化性化合物］
光の照射によって硬化するように、上記異方性導電材料は、光硬化性化合物を含むことが好ましい。光の照射により光硬化性化合物を半硬化（Ｂステージ化）させ、硬化性化合物の流動性を低下させることができる。 [Photocurable compound]
The anisotropic conductive material preferably contains a photocurable compound so as to be cured by irradiation with light. By photoirradiation, the photocurable compound can be semi-cured (B-staged) to reduce the fluidity of the curable compound.

上記光硬化性化合物としては特に限定されず、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物及び環状エーテル基を有する光硬化性化合物等が挙げられる。   The photocurable compound is not particularly limited, and examples thereof include a photocurable compound having a (meth) acryloyl group and a photocurable compound having a cyclic ether group.

上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した異方性導電材料層の各部分における反応率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高めることができる。   The photocurable compound is preferably a photocurable compound having a (meth) acryloyl group. By using a photocurable compound having a (meth) acryloyl group, it becomes easy to control the reaction rate in each part of the B-staged anisotropic conductive material layer within a suitable range, and the resulting connection structure The conduction reliability can be further improved.

Ｂステージ化した異方性導電材料層の反応率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。   From the viewpoint of easily controlling the reaction rate of the B-staged anisotropic conductive material layer and further improving the conduction reliability of the resulting connection structure, the photocurable compound contains a (meth) acryloyl group. It is preferable to have one or two.

上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。   The photocurable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and ( The photocurable compound which has a (meth) acryloyl group is mentioned.

上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。   As a photocurable compound having the above (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a compound having (meth) acrylic acid and a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound. (Meth) acrylate or urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with isocyanate is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.

上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。   The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.

上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。   The photocurable compound having the epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a photocurable compound obtained by converting a group into a (meth) acryloyl group. Such a photocurable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.

光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。   The photocurable compound is preferably a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy group or thiirane group is converted (converted) to a (meth) acryloyl group. The conversion is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. Most preferably, 40% or more and 60% or less of the epoxy group or thiirane group is converted to a (meth) acryloyl group.

上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。   Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.

光硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。   Even if it uses the modified phenoxy resin which converted some epoxy groups or some thiirane groups of the phenoxy resin which has two or more epoxy groups or two or more thiirane groups into a (meth) acryloyl group as a photocurable compound. Good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.

また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。   Further, the photocurable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.

光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜７０：３０で含むことがより好ましく、１０：９０〜５０：５０で含むことが更に好ましい。上記異方性導電材料は、光硬化性化合物と前記熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜５０：５０で含むことが特に好ましい。   The blending ratio between the photocurable compound and the thermosetting compound is appropriately adjusted according to the types of the photocurable compound and the thermosetting compound. The anisotropic conductive material preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 90:10, more preferably 5:95 to 70:30, More preferably, it is included at 10:90 to 50:50. The anisotropic conductive material particularly preferably contains the photocurable compound and the thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 50:50.

（熱硬化剤）
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Thermosetting agent)
The said thermosetting agent is not specifically limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

異方性導電材料を低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、異方性導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   Since the anisotropic conductive material can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. In addition, a latent curing agent is preferable because the storage stability of the anisotropic conductive material can be improved. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパン トリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール テトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール ヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を充分に熱硬化させることができる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound in the curable compound is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, and preferably 40 parts by weight or less. The amount is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be sufficiently thermoset.

（光硬化開始剤）
上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Photocuring initiator)
The photocuring initiator is not particularly limited. A conventionally known photocuring initiator can be used as the photocuring initiator. As for the said photocuring initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤、ベンゾフェノン光硬化開始剤、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。   The photocuring initiator is not particularly limited, and examples thereof include acetophenone photocuring initiator, benzophenone photocuring initiator, thioxanthone, ketal photocuring initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate. .

上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。   Specific examples of the acetophenone photocuring initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photocuring initiator include benzyldimethyl ketal.

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電材料を適度に光硬化させることができる。異方性導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電材料の流動を抑制できる。   The content of the photocuring initiator is not particularly limited. The content of the photocuring initiator with respect to 100 parts by weight of the photocurable compound in the curable compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, preferably 2 It is 1 part by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocuring initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive material can be appropriately photocured. By irradiating the anisotropic conductive material with light to form a B stage, the flow of the anisotropic conductive material can be suppressed.

（導電性粒子）
上記異方性導電材料に含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。この場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。 (Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive material electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer between the conductive layer and the electrode is excluded when the connection target member is connected. Examples of the conductive particles include conductive particles obtained by coating the surfaces of organic particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, or metal particles with a metal layer, and metal particles that are substantially composed of only metal. It is done. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a metal layer containing tin.

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に設けられた導電層とを有することが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles preferably include resin particles and a conductive layer provided on the surface of the resin particles.

接続構造体における電極間の導通信頼性をより一層高め、接続構造体の耐熱衝撃特性をより一層高める観点からは、２５℃での導電性粒子の圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上、好ましくは４５％以下、より好ましくは４０％以下である。また、圧縮回復率が上記上限以下であると、電極間の接続に用いられた導電性粒子の反発力がより一層小さくなり、異方性導電材料が基板等から剥離し難くなる。この結果、電極間の接続抵抗が高くなるのをより一層抑制できる。   From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes in the connection structure and further improving the thermal shock characteristics of the connection structure, the compression recovery rate of the conductive particles at 25 ° C. is preferably 5% or more, more Preferably it is 10% or more, Preferably it is 45% or less, More preferably, it is 40% or less. Further, when the compression recovery rate is less than or equal to the above upper limit, the repulsive force of the conductive particles used for the connection between the electrodes is further reduced, and the anisotropic conductive material is difficult to peel from the substrate or the like. As a result, it is possible to further suppress an increase in the connection resistance between the electrodes.

上記圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。   The compression recovery rate can be measured as follows.

試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、導電性粒子の中心方向に、反転荷重値（５．００ｍＮ）まで負荷を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで徐荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定し、下記式から圧縮回復率を求めることができる。なお、負荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。   Spread conductive particles on the sample stage. With respect to one dispersed conductive particle, a load is applied to the inversion load value (5.00 mN) in the central direction of the conductive particle using a micro compression tester. Thereafter, the load is gradually reduced to the load value for origin (0.40 mN). The load-compression displacement during this period is measured, and the compression recovery rate can be obtained from the following equation. The load speed is 0.33 mN / sec. As the micro compression tester, for example, “Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer is used.

圧縮回復率（％）＝［（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの圧縮変位 Compression recovery rate (%) = [(L1-L2) / L1] × 100
L1: Compressive displacement from the load value for the origin to the reverse load value when applying the load L2: Compressive displacement from the reverse load value to the load value for the origin when releasing the load

導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下である。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, and even more preferably 15 μm or less.

導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle diameter” of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。   The content of the conductive particles is not particularly limited. The content of the conductive particles in 100% by weight of the anisotropic conductive material is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, preferably 40% by weight. % Or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 19% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.

（他の成分）
上記異方性導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電材料の硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Other ingredients)
The anisotropic conductive material preferably contains a filler. By using the filler, latent heat expansion of the cured product of the anisotropic conductive material can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, and alumina. As for a filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記異方性導電材料は、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The anisotropic conductive material preferably further contains a curing accelerator. By using a curing accelerator, the curing rate can be further increased. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。   Specific examples of the curing accelerator include imidazole curing accelerators and amine curing accelerators. Of these, imidazole curing accelerators are preferred. In addition, an imidazole hardening accelerator or an amine hardening accelerator can be used also as an imidazole hardening agent or an amine hardening agent.

上記異方性導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。   The anisotropic conductive material may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive material can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

実施例及び比較例では、以下の導電性粒子を用いた。   In the examples and comparative examples, the following conductive particles were used.

導電性粒子Ａ（平均粒子径３μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に厚み８０ｎｍのニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に厚み３０ｎｍの金めっき層が形成されている金属層を有する、１７０℃での２０％Ｋ値：１．５×１０３Ｎ／ｍｍ２、２５℃での圧縮回復率３０％） Conductive particles A (a metal layer having an average particle diameter of 3 μm, a nickel plating layer having a thickness of 80 nm formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a gold plating layer having a thickness of 30 nm formed on the surface of the nickel plating layer 20% K value at 170 ° C .: 1.5 × 10 3 N / mm 2 , 30% compression recovery at 25 ° C.)

導電性粒子Ｂ（平均粒子径３μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に厚み８０ｎｍのニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に厚み３０ｎｍの金めっき層が形成されている金属層を有する、１７０℃での２０％Ｋ値：２．５×１０３Ｎ／ｍｍ２、２５℃での圧縮回復率３２％） Conductive particles B (metal layer having an average particle size of 3 μm, a nickel plating layer having a thickness of 80 nm formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a gold plating layer having a thickness of 30 nm formed on the surface of the nickel plating layer 20% K value at 170 ° C .: 2.5 × 10 3 N / mm 2 , compression recovery rate at 25 ° C. 32%)

導電性粒子Ｃ（平均粒子径３μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に厚み８０ｎｍのニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に厚み３０ｎｍの金めっき層が形成されている金属層を有する、１７０℃での２０％Ｋ値：４．４×１０３Ｎ／ｍｍ２、２５℃での圧縮回復率４０％） Conductive particles C (metal layer having an average particle size of 3 μm, a nickel plating layer having a thickness of 80 nm formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a gold plating layer having a thickness of 30 nm formed on the surface of the nickel plating layer 20% K value at 170 ° C .: 4.4 × 10 3 N / mm 2 , compression recovery rate at 25 ° C. 40%)

導電性粒子Ｄ（平均粒子径３μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に厚み６０ｎｍのニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に厚み２０ｎｍの金めっき層が形成されている金属層を有する、１７０℃での２０％Ｋ値：４．９×１０２Ｎ／ｍｍ２、２５℃での圧縮回復率２０％） Conductive particles D (metal layer having an average particle diameter of 3 μm, a nickel plating layer having a thickness of 60 nm formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a gold plating layer having a thickness of 20 nm formed on the surface of the nickel plating layer 20% K value at 170 ° C .: 4.9 × 10 2 N / mm 2 , compression recovery 20% at 25 ° C.)

導電性粒子Ｅ（平均粒子径３μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に厚み８０ｎｍのニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に厚み３０ｎｍのパラジウム層が形成されている金属層を有する、１７０℃での２０％Ｋ値：６．４×１０３Ｎ／ｍｍ２、２５℃での圧縮回復率５０％） Conductive particles E (a metal layer having an average particle diameter of 3 μm, a nickel plating layer having a thickness of 80 nm formed on the surface of divinylbenzene resin particles, and a palladium layer having a thickness of 30 nm formed on the surface of the nickel plating layer) 20% K value at 170 ° C .: 6.4 × 10 3 N / mm 2 , compression recovery at 25 ° C. 50%)

なお、上記２０％Ｋ値及び上記圧縮回復率は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の架橋度及び導電層の厚みを変更することで調整した。   The 20% K value and the compression recovery rate were adjusted by changing the degree of crosslinking of the divinylbenzene resin particles and the thickness of the conductive layer.

（実施例１）
（１）異方性導電ペーストの調製
下記式（１Ｂ）で表される構造を有するエピスルフィド化合物（１Ｂ）と、下記式（２Ｂ）で表される構造を有するエピスルフィド化合物（２Ｂ）とを用意した。 Example 1
(1) Preparation of anisotropic conductive paste An episulfide compound (1B) having a structure represented by the following formula (1B) and an episulfide compound (2B) having a structure represented by the following formula (2B) were prepared. .

上記エピスルフィド化合物（１Ｂ）５重量部と、上記エピスルフィド化合物（２Ｂ）１０重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）４重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）８重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）０．２重量部と、硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾール１重量部と、フィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）１０重量部とを配合し、さらに導電性粒子Ａを配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。   5 parts by weight of the episulfide compound (1B), 10 parts by weight of the episulfide compound (2B), 4 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and a photocurable compound 8 parts by weight of epoxy acrylate ("EBECRYL 3702" manufactured by Daicel-Cytec), 0.2 parts by weight of acylphosphine oxide compound ("DAROCUR TPO" manufactured by Ciba Japan) that is a photopolymerization initiator, and curing acceleration 1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole as an agent and 10 parts by weight of alumina as a filler (average particle diameter 0.5 μm) are blended, and further conductive particles A in 100% by weight of the blend. After adding so that the content is 10% by weight, stirring for 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer Thus, a blend was obtained.

得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、導電性粒子の含有量が１０重量％である異方性導電ペーストを得た。   The obtained blend was filtered using a nylon filter paper (pore diameter: 10 μm) to obtain an anisotropic conductive paste having a conductive particle content of 10% by weight.

（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＡｌ−４％Ｔｉ電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍ、１電極あたりの電極面積が１５００μｍ２の金電極パターンが下面に形成された半導体チップ（第２の接続対象部材）を用意した。 (2) Production of Connection Structure A transparent glass substrate (first connection target member) having an Al-4% Ti electrode pattern with an L / S of 15 μm / 15 μm formed on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip (second connection target member) having a gold electrode pattern having an L / S of 15 μm / 15 μm and an electrode area of 1500 μm 2 per electrode formed on the lower surface was prepared.

上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが８０００ｍＪ／ｃｍ２となるように、異方性導電ペースト層に上方から紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。 On the transparent glass substrate, the obtained anisotropic conductive paste was applied to a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, using an ultraviolet irradiation lamp, the anisotropic conductive paste layer is irradiated with ultraviolet rays from above so that the irradiation energy is 8000 mJ / cm 2, and the anisotropic conductive paste layer is semi-cured by photopolymerization, B stage. Next, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 3 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. Completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

（実施例２）
紫外線照射の際に、照射エネルギーを４０００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Example 2)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation energy was changed to 4000 mJ / cm 2 during the ultraviolet irradiation.

（実施例３）
紫外線照射の際に、照射エネルギーを２０００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Example 3)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation energy was changed to 2000 mJ / cm 2 during the ultraviolet irradiation.

（実施例４）
紫外線照射の際に、照射エネルギーを３００００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Example 4)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation energy was changed to 30000 mJ / cm 2 during the ultraviolet irradiation.

（実施例５）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを、導電性粒子Ｂに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Example 5)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles A were changed to the conductive particles B when the anisotropic conductive paste was prepared. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

（実施例６）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを、導電性粒子Ｃに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Example 6)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles A were changed to the conductive particles C when the anisotropic conductive paste was prepared. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

（比較例１）
紫外線照射の際に、照射エネルギーを６００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Comparative Example 1)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation energy was changed to 600 mJ / cm 2 during the ultraviolet irradiation.

（比較例２）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを、導電性粒子Ｄに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Comparative Example 2)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles A were changed to the conductive particles D when the anisotropic conductive paste was prepared. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

（比較例３）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを、導電性粒Ｅに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Comparative Example 3)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles A were changed to the conductive particles E when the anisotropic conductive paste was prepared. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

（比較例４）
異方性導電ペーストの調製の際に、エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７００」）の配合量を４重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして接続構造体を得た。 (Comparative Example 4)
The anisotropic conductive paste was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of epoxy acrylate (“EBECRYL 3700” manufactured by Daicel-Cytec Corp.) was changed to 4 parts by weight when preparing the anisotropic conductive paste. Obtained. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained anisotropic conductive paste was used.

（比較例５）
紫外線照射の際に、照射エネルギーを５００００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。 (Comparative Example 5)
A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the irradiation energy was changed to 50000 mJ / cm 2 during the ultraviolet irradiation.

（比較例６）
異方性導電ペーストの調製の際に、エポキシアクリレートと、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物とを用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペースト１００重量％中、導電性粒子Ａの含有量は１０重量％であった。 (Comparative Example 6)
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that epoxy acrylate and an acyl phosphine oxide compound as a photopolymerization initiator were not used in the preparation of the anisotropic conductive paste. . In 100% by weight of the obtained anisotropic conductive paste, the content of the conductive particles A was 10% by weight.

Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＡｌ−４％Ｔｉ電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍ、１電極あたりの電極面積が１５００μｍ２の金電極パターンが下面に形成された半導体チップ（第２の接続対象部材）を用意した。 A transparent glass substrate (first connection target member) on which an Al-4% Ti electrode pattern with L / S of 15 μm / 15 μm was formed was prepared. Further, a semiconductor chip (second connection target member) having a gold electrode pattern having an L / S of 15 μm / 15 μm and an electrode area of 1500 μm 2 per electrode formed on the lower surface was prepared.

上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。異方性導電ペーストの塗工の際及び塗工の後に光を照射しなかった。   On the transparent glass substrate, the obtained anisotropic conductive paste was applied to a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive paste layer. No light was irradiated during and after application of the anisotropic conductive paste.

次に、異方性導電ペースト層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。   Next, the semiconductor chip was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 3 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. Completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

（評価）
（１）導電性粒子の圧縮弾性率
導電性粒子の圧縮弾性率（２０％Ｋ値）を、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。導電性粒子を１７０℃に加熱して、測定を行った。 (Evaluation)
(1) Compressive Elastic Modulus of Conductive Particles The compressive elastic modulus (20% K value) of the conductive particles was measured using a micro compression tester (“Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer). The conductive particles were heated to 170 ° C. and measured.

（２）導電性粒子の圧縮回復率
導電性粒子の２５℃での圧縮回復率を、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。 (2) Compression Recovery Rate of Conductive Particles The compression recovery rate of conductive particles at 25 ° C. was measured using a micro compression tester (“Fischer Scope H-100” manufactured by Fischer).

（３）貯蔵弾性率
回転型動的粘弾性測定装置（レオロジカ社製「ＶＡＲ−１００」）を用いて、周波数１Ｈｚの条件で、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’を測定した。 (3) Storage elastic modulus Using a rotational dynamic viscoelasticity measuring device (“VAR-100” manufactured by Rheology Corporation), the minimum melt viscosity of the B-staged anisotropic conductive paste layer is measured under the condition of a frequency of 1 Hz. The storage elastic modulus G ′ at the indicated temperature was measured.

また、動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製「ＲＳＡＩＩ」）を用いて、つかみ間長：２０ｍｍ、温度条件を初期温度：室温、加熱終了温度２００℃、昇温速度：５℃／分、データ取り込み間隔として、下限弾性率：１０Ｐａ、下限動力：０．００８Ｎ、測定周波数１０Ｈｚ、歪（Ｅ＞１０８）：０．１％、静／動力比：０、上限伸び率：５０％、伸び指数：１の条件で、得られた接続構造体における硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’を測定した。   Moreover, using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (“RSAII” manufactured by TA Instruments Inc.), the length between grips: 20 mm, the temperature conditions are the initial temperature: room temperature, the heating end temperature is 200 ° C., the heating rate is: 5 ° C./min, data acquisition interval, lower limit elastic modulus: 10 Pa, lower limit power: 0.008 N, measurement frequency 10 Hz, strain (E> 108): 0.1%, static / power ratio: 0, upper limit elongation: The elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured layer of the obtained connection structure was measured under the conditions of 50% and elongation index: 1.

（４）圧痕状態
得られた接続構造体における導電性粒子と電極との接続部分について、電極に形成された圧痕の状態を観察した。 (4) Indentation state About the connection part of the electroconductive particle and electrode in the obtained connection structure, the state of the indentation formed in the electrode was observed.

偏光顕微鏡を使用し、１電極あたり（２００μｍ２あたり）に明らかな球状の圧痕が確認できる場合を、良好な圧痕が形成されていると判断した。圧痕状態を下記の判定基準で判定した。（詳細表を参照） Using a polarizing microscope, it was judged that a good impression was formed when a clear spherical impression could be confirmed per electrode (per 200 μm 2 ). The indentation state was determined according to the following criteria. (See details table)

［圧痕状態の判定基準］
○○：圧痕非常に濃い
○：圧痕濃い
×：圧痕薄い [Indentation criteria]
○○: Indentation is very dark ○: Indentation is deep ×: Indentation is thin

なお、図４（ａ）〜（ｄ）に、実施例及び比較例の接続構造体において、圧痕状態の評価における各判定基準で判定された圧痕状態の一例を示す画像を示した。図４（ａ）は、「○○」と判定された圧痕状態の画像であり、図４（ｂ）及び（ｃ）は「○」と判定された圧痕状態の画像であり、図４（ｄ）は「×」と判定された圧痕状態の画像である。   In addition, the image which shows an example of the indentation state determined by each criteria in evaluation of an indentation state in the connection structure of an Example and a comparative example was shown to FIG. 4 (a)-(d). 4A is an image of an indentation state determined as “◯◯”, and FIGS. 4B and 4C are images of an indentation state determined as “◯”. FIG. ) Is an image of an indentation state determined as “×”.

（５）外観（ボイドの有無）
得られた接続構造体において、異方性導電ペーストが硬化した硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板側から光学顕微鏡により観察した。 (5) Appearance (existence of voids)
In the obtained connection structure, whether or not voids were generated in the cured product layer obtained by curing the anisotropic conductive paste was observed from the transparent glass substrate side with an optical microscope.

得られた接続構造体の外観を下記の基準で判定した。   The appearance of the obtained connection structure was determined according to the following criteria.

［外観の判定基準］
○○：ボイドなし
○：接続構造体中、５個以下で電極のＬ／Ｓ未満の大きさのボイドあり
×：接続構造体中、１つ以上で電極のＬ／Ｓ以上の大きさのボイドあり [Appearance criteria]
◯: No void ○: In the connection structure, there are 5 or less voids less than L / S of the electrode ×: In the connection structure, one or more voids greater than L / S of the electrode Yes

（６）導通信頼性（接続抵抗値）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。
１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。得られた接続構造体の導通信頼性を下記の基準で判定した。 (6) Conduction reliability (connection resistance value)
The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method.
The average value of the connection resistance at 100 locations was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The conduction reliability of the obtained connection structure was determined according to the following criteria.

［導通信頼性の判定基準］
○○：３Ω未満
○：３Ω以上、５Ω未満
×：５Ω以上 [Judgment criteria for conduction reliability]
○○: Less than 3Ω ○: 3Ω or more, less than 5Ω ×: 5Ω or more

（７）耐熱衝撃特性
得られた接続構造体を、−３０℃で３０分間保持し、次に８０℃まで昇温させて３０分間保持した後、−３０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクルの冷熱サイクル試験後の接続構造体において、上記（５）外観、と上記（６）導通信頼性とを評価した。 (7) Thermal shock characteristics The obtained connection structure is held at −30 ° C. for 30 minutes, then heated up to 80 ° C., held for 30 minutes, and then lowered to −30 ° C. as one cycle. A cold cycle test was performed. In the connection structure after the 1000-cycle thermal cycle test, the above (5) appearance and the above (6) conduction reliability were evaluated.

結果を下記の表１に示す。なお、下記の表１において、「−」は評価していないことを示す。   The results are shown in Table 1 below. In Table 1 below, “−” indicates that evaluation is not performed.

１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…上面
２ｂ…電極
２ｃ…凹部
３…接続部
３ａ…上面
３Ａ…異方性導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化された異方性導電材料層
４…第２の接続対象部材
４ａ…下面
４ｂ…電極
５…導電性粒子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... Upper surface 2b ... Electrode 2c ... Recessed part 3 ... Connection part 3a ... Upper surface 3A ... Anisotropic conductive material layer 3B ... An anisotropic conductive material layer made into B stage 4 ... 2nd connection object member 4a ... Lower surface 4b ... Electrode 5 ... Conductive particle

Claims (6)

電極を上面に有する第１の接続対象部材上に、硬化性化合物と、熱硬化剤と、光硬化開始剤と、導電性粒子とを含有する異方性導電材料を用いた異方性導電材料層を配置する工程と、
前記異方性導電材料層に光を照射することにより硬化を進行させて、前記異方性導電材料層をＢステージ化する工程と、
Ｂステージ化された異方性導電材料層の上面に、電極を下面に有する第２の接続対象部材をさらに積層する工程とを備え、
前記異方性導電材料層をＢステージ化する工程において、前記Ｂステージ化された異方性導電材料層の温度範囲２３〜１２０℃における最低溶融粘度を示す温度での貯蔵弾性率Ｇ’が５×１０２Ｐａ以上、１×１０５Ｐａ以下となるように、前記異方性導電材料層に光を照射し、
前記導電性粒子として、１７０℃で２０％圧縮変形したときの圧縮弾性率が５．９×１０２Ｎ／ｍｍ２以上、５．９×１０３Ｎ／ｍｍ２以下である導電性粒子を用いる、接続構造体の製造方法。 An anisotropic conductive material using an anisotropic conductive material containing a curable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles on a first connection target member having an electrode on an upper surface Arranging the layers;
Curing the anisotropic conductive material layer by irradiating it with light, and making the anisotropic conductive material layer a B-stage;
A step of further laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive material layer,
In the step of forming the anisotropic conductive material layer into a B-stage, the storage elastic modulus G ′ at a temperature showing the lowest melt viscosity in the temperature range of 23 to 120 ° C. of the B-staged anisotropic conductive material layer is 5 Irradiate the anisotropic conductive material layer with light so that it is at least 10 2 Pa and not more than 1 × 10 5 Pa,
As the conductive particles, conductive particles having a compressive elastic modulus of 5.9 × 10 2 N / mm 2 or more and 5.9 × 10 3 N / mm 2 or less when compressively deformed at 170 ° C. by 20% are used. The manufacturing method of a connection structure. 前記Ｂステージ化された異方性導電材料層に熱を付与して硬化させ、硬化物層を形成する工程をさらに備える、請求項１に記載の接続構造体の製造方法。   The method for manufacturing a connection structure according to claim 1, further comprising a step of applying heat to the B-staged anisotropic conductive material layer and curing the layer to form a cured product layer. 前記硬化物層を形成する工程において、前記硬化物層の２５℃での弾性率Ｅ’が０．８ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下となるように、前記Ｂステージ化された異方性導電材料層を硬化させる、請求項２に記載の接続構造体の製造方法。   In the step of forming the cured product layer, the B-staged anisotropic conductive material layer is cured so that the elastic modulus E ′ at 25 ° C. of the cured product layer is 0.8 MPa or more and 5 MPa or less. The manufacturing method of the connection structure of Claim 2. 前記異方性導電材料として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤と導電性粒子とを含む異方性導電材料を用いる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。   The anisotropic conductive material containing a thermosetting compound, a photocurable compound, a thermosetting agent, a photocuring initiator, and conductive particles is used as the anisotropic conductive material. The manufacturing method of the connection structure as described in a term. 前記異方性導電材料として、前記光硬化性化合物と前記熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜５０：５０で含む異方性導電材料を用いる、請求項４に記載の接続構造体の製造方法。   The connection structure according to claim 4, wherein an anisotropic conductive material containing the photocurable compound and the thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 50:50 is used as the anisotropic conductive material. Body manufacturing method. 前記異方性導電材料として、異方性導電ペーストを用いる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。   The method for manufacturing a connection structure according to claim 1, wherein an anisotropic conductive paste is used as the anisotropic conductive material.
JP2011037631A 2011-02-23 2011-02-23 Method for manufacturing connection structure Expired - Fee Related JP5559723B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011037631A JP5559723B2 (en) 2011-02-23 2011-02-23 Method for manufacturing connection structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011037631A JP5559723B2 (en) 2011-02-23 2011-02-23 Method for manufacturing connection structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012175004A JP2012175004A (en) 2012-09-10
JP5559723B2 true JP5559723B2 (en) 2014-07-23

Family

ID=46977588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011037631A Expired - Fee Related JP5559723B2 (en) 2011-02-23 2011-02-23 Method for manufacturing connection structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5559723B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014088095A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 積水化学工業株式会社 Conductive material, connection structure and method for producing connection structure
JP6328996B2 (en) * 2013-05-23 2018-05-23 積水化学工業株式会社 Conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP6337630B2 (en) * 2014-06-12 2018-06-06 日立化成株式会社 Circuit connection material and circuit connection structure
JP7386773B2 (en) * 2015-03-20 2023-11-27 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive adhesive, connected structure, anisotropic conductive connection method, and method for manufacturing connected structure
JP2016178225A (en) * 2015-03-20 2016-10-06 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive connection structure, anisotropic conductive connection method, and anisotropic conductive adhesive

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4491876B2 (en) * 1999-12-14 2010-06-30 株式会社ブリヂストン Anisotropic conductive film
JP2001164232A (en) * 1999-12-09 2001-06-19 Sony Chem Corp Thermosetting adhesive material
JP3856233B2 (en) * 2003-10-15 2006-12-13 日立化成工業株式会社 Electrode connection method
JP2005235530A (en) * 2004-02-18 2005-09-02 Hitachi Chem Co Ltd Circuit connection material
JP2008060518A (en) * 2006-07-31 2008-03-13 Hitachi Chem Co Ltd Part for built-in in substrate, and method of fabricating substrate using the same
JP2008186760A (en) * 2007-01-31 2008-08-14 Tokai Rubber Ind Ltd Anisotropic conductive film and its manufacturing method
JP2009105320A (en) * 2007-10-25 2009-05-14 Seiko Epson Corp Mounting structure of electronic component and manufacturing method thereof
KR101205170B1 (en) * 2007-12-17 2012-11-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Circuit connecting material and structure for connecting circuit member
JP2010135587A (en) * 2008-12-05 2010-06-17 Toray Ind Inc Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012175004A (en) 2012-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011024719A1 (en) Anisotropic conductive material, connection structure, and connection structure producing method
JP2013058412A (en) Insulation material, laminate, connection structure and manufacturing method of laminate and connection structure
JP5559723B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP2013149466A (en) Anisotropic conductive material, connection structure and method for producing connection structure
JP5883679B2 (en) Method for manufacturing connection structure, anisotropic conductive material, and connection structure
JP5965666B2 (en) Method for manufacturing connection structure and anisotropic conductive material
JP2011071106A (en) Anisotropic conductive material, and connection structure
WO2011024720A1 (en) Method for manufacturing connection structure
JP5781857B2 (en) Anisotropic conductive material and connection structure
JP2013055045A (en) Manufacturing method of connection structure, connection structure and anisotropic conductive material
JP2012190795A (en) Anisotropic conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5721593B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP5498407B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP5705003B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP2012212864A (en) Manufacturing method of connection structure and connection structure
JP5814694B2 (en) Connection structure manufacturing method and connection structure
JP2013149774A (en) Anisotropic conductive material, connection structure and method for producing connection structure
JP5508480B2 (en) Anisotropic conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP5314713B2 (en) Method for manufacturing connection structure and anisotropic conductive material
JP6002500B2 (en) Method for manufacturing connection structure
JP2012178441A (en) Method of manufacturing connection structure and connection structure
JP5508304B2 (en) Connection structure
JP2013016473A (en) Anisotropic conductive material and connection structure
JP2012175038A (en) Method of manufacturing connection structure and anisotropic conductive material
JP5756637B2 (en) Connection structure manufacturing method and connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140417

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140513

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140606

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5559723

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees