JP5508480B2 - Anisotropic conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure - Google Patents
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Description
本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペーストに関し、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間の電気的な接続に用いることができる異方性導電ペースト、並びに該異方性導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to an anisotropic conductive paste including a plurality of conductive particles, and is used for electrical connection between electrodes of various connection target members such as a flexible printed circuit board, a glass substrate, a glass epoxy substrate, and a semiconductor chip. The present invention relates to an anisotropic conductive paste that can be used, a connection structure using the anisotropic conductive paste, and a method of manufacturing the connection structure.
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。 Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material is, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、（１）エポキシ樹脂と、（２）ゴム状ポリマー粒子と、（３）熱活性な潜在性エポキシ硬化剤と、（４）高軟化点ポリマー粒子と、（５）導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。
As an example of the anisotropic conductive material,
また、下記の特許文献２には、ラジカル重合性物質（１）と、加熱により遊離ラジカルを発生する重合開始剤（２）と、エポキシ樹脂（３）と、カチオン重合性開始剤（４）とを含む異方性導電材料が開示されている。上記ラジカル重合性物質（１）としては、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの内の少なくとも１種の骨格を６個以上有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する（メタ）アクリレート化合物が挙げられている。
下記の特許文献３には、高分子（Ａ）と、光硬化性樹脂（Ｂ）と、該光硬化性樹脂（Ｂ）を硬化させる硬化触媒（Ｃ）と、反応性希釈剤（Ｄ）と、導電性粒子（Ｅ）とを含む異方性導電材料が開示されている。この異方性導電材料の２３℃での粘度は５０００ｃｐｓ〜３０００００ｃｐｓである。
In the following
上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続し、接続構造体を得る。 For example, when the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the glass substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass substrate. Next, the semiconductor chips are stacked, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.
特許文献１に記載のような従来の異方性導電材料では、上記電極間の電気的な接続の際に、ガラス基板上に塗布された異方性導電材料及び該異方性導電材料に含まれている導電性粒子が、硬化前に大きく流動することがある。このため、異方性導電材料により形成された硬化物層及び導電性粒子を特定の領域に配置できないことがある。さらに、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置できなかったり、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されたりすることがある。このため、得られた接続構造体の導通信頼性が低いことがある。特に、従来の異方性導電材料を用いて接続構造体を作製すると、上下の電極間の位置がずれやすく、導通信頼性が低くなりやすいという問題がある。
In the conventional anisotropic conductive material as described in
本発明の目的は、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、更に導通信頼性を高めることができる異方性導電ペースト、並びに該異方性導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide an anisotropic conductive paste capable of suppressing positional deviation between electrodes of a connection target member and further improving conduction reliability when the electrodes of the connection target member are electrically connected, and It is to provide a connection structure using the anisotropic conductive paste and a method for manufacturing the connection structure.
本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、光硬化性成分と、導電性粒子とを含み、２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度が２００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下である、異方性導電ペーストが提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the composition includes a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles, and the viscosity at 25 ° C. and 2.5 rpm is more than 200 Pa · s and not more than 1000 Pa · s. An anisotropic conductive paste is provided.
本発明に係る異方性導電ペーストのある特定の局面では、該異方性導電ペーストの２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度は３００Ｐａ・ｓを超える。 In a specific aspect of the anisotropic conductive paste according to the present invention, the viscosity of the anisotropic conductive paste at 25 ° C. and 2.5 rpm exceeds 300 Pa · s.
本発明に係る異方性導電ペーストの他の特定の局面では、該異方性導電ペーストは、上記熱硬化性成分及び上記光硬化性成分として、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤とを含む。 In another specific aspect of the anisotropic conductive paste according to the present invention, the anisotropic conductive paste includes a curable compound, a thermosetting agent, and a photocuring initiator as the thermosetting component and the photocurable component. Including.
本発明に係る異方性導電ペーストのさらに他の特定の局面では、上記光硬化開始剤は、光カチオン開始剤を含有する。 In still another specific aspect of the anisotropic conductive paste according to the present invention, the photocuring initiator contains a photocationic initiator.
本発明に係る異方性導電ペーストのさらに他の特定の局面では、上記硬化性化合物は、重量平均分子量が５００以上、５００００以下である硬化性化合物を含有する。 In still another specific aspect of the anisotropic conductive paste according to the present invention, the curable compound contains a curable compound having a weight average molecular weight of 500 or more and 50000 or less.
本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、該接続部が、本発明に従って構成された異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。 A connection structure according to the present invention includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection part that electrically connects the first and second connection target members, The connecting portion is formed by curing an anisotropic conductive paste configured according to the present invention.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の接続対象部材の上面に、異方性導電ペーストを配置して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、該異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、上記異方性導電ペースト層をＢステージ化する工程と、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、第２の接続対象部材を積層する工程とを備え、上記異方性導電ペーストとして、本発明に従って構成された異方性導電ペーストが用いられる。 The method for manufacturing a connection structure according to the present invention includes a step of disposing an anisotropic conductive paste on an upper surface of a first connection target member to form an anisotropic conductive paste layer, and the anisotropic conductive paste. The step of curing by irradiating the layer with light to make the anisotropic conductive paste layer B-staged, and the second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer The anisotropic conductive paste configured according to the present invention is used as the anisotropic conductive paste.
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、上記異方性導電ペースト層をＢステージ化する工程において、粘度が３５００Ｐａ・ｓを超え、１５０００Ｐａ・ｓ以下となるように、上記異方性導電ペースト層をＢステージ化する。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of converting the anisotropic conductive paste layer into a B-stage, the viscosity is more than 3500 Pa · s and 15000 Pa · s or less. B-stage the anisotropic conductive paste layer.
本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上前記第１の接続対象部材が上面に第１の電極を有し、上記第２の接続対象部材が下面に第２の電極を有し、上記第１，第２の電極を、上記導電性粒子を介して電気的に接続する。 In another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the upper first connection target member has a first electrode on the upper surface, and the second connection target member is on the lower surface. An electrode is provided, and the first and second electrodes are electrically connected through the conductive particles.
本発明に係る異方性導電ペーストは、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子とを含み、２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度が２００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下であるので、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、更に導通信頼性を高めることができる。 The anisotropic conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles, and has a viscosity of more than 200 Pa · s and not more than 1000 Pa · s at 25 ° C. and 2.5 rpm. Therefore, when the electrodes of the first and second connection target members are electrically connected, the positional deviation between the electrodes of the connection target member can be suppressed, and the conduction reliability can be further improved.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に係る異方性導電ペーストは、熱硬化性成分と、光硬化性成分と、導電性粒子とを含む。本発明に係る異方性導電ペーストの２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度（以下、粘度η１と記載することがある）は、２００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度η１は、塗布前の異方性導電ペーストの粘度である。 The anisotropic conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles. The viscosity of the anisotropic conductive paste according to the present invention at 25 ° C. and 2.5 rpm (hereinafter sometimes referred to as viscosity η1) is more than 200 Pa · s and not more than 1000 Pa · s. The viscosity η1 is the viscosity of the anisotropic conductive paste before application.
本発明に係る異方性導電ペーストが上記組成を有し、かつ上記粘度η１の範囲を満足すれば、該異方性導電ペーストを用いて第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、更に導通信頼性を高めることができる。特に、上記粘度η１は、接続構造体における電極間の位置ずれの抑制に大きく寄与する。なお、理由は明らかではないが、Ｂステージ化前の異方性導電ペーストの上記粘度η１が上記範囲を満足すれば、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層上に接続対象部材を積層する際に上層の接続対象部材が位置ずれしにくくなる。 If the anisotropic conductive paste according to the present invention has the above composition and satisfies the range of the viscosity η1, the anisotropic conductive paste is used to electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. When the connection is made, the positional deviation between the electrodes of the connection target member can be suppressed, and the conduction reliability can be further improved. In particular, the viscosity η1 greatly contributes to suppression of displacement between electrodes in the connection structure. Although the reason is not clear, if the viscosity η1 of the anisotropic conductive paste before B-stage satisfies the above range, the connection target member is laminated on the B-stage anisotropic conductive paste layer. In this case, the upper layer connection target member is less likely to be displaced.
また、本発明に係る異方性導電ペーストにおける上記組成の採用によって、光の照射により、異方性導電ペーストの硬化を進行させることができる。例えば、異方性導電ペーストを光の照射により良好にＢステージ化させた後に、加熱することでＢステージ化した異方性導電ペーストを本硬化させることができる。このため、適切な時期に異方性導電ペーストに光を照射することにより、異方性導電ペースト及び該異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子の流動を抑制できる。 Further, by adopting the above composition in the anisotropic conductive paste according to the present invention, curing of the anisotropic conductive paste can be promoted by light irradiation. For example, after the anisotropic conductive paste is well B-staged by light irradiation, the B-staged anisotropic conductive paste can be fully cured by heating. For this reason, the flow of the anisotropic conductive paste and the conductive particles contained in the anisotropic conductive paste can be suppressed by irradiating the anisotropic conductive paste with light at an appropriate time.
本発明に係る異方性導電ペーストは、上記熱硬化性成分及び上記光硬化性成分として、硬化性化合物と熱硬化剤と光硬化開始剤とを含むことが好ましい。該光硬化開始剤は、光カチオン開始剤を含有することが好ましい。本発明に係る異方性導電ペーストは、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。この場合には、特に、異方性導電ペーストに光を照射したときに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電ペースト層部分の硬化も、光カチオン開始剤（カチオン硬化剤）の作用によるカチオン反応によって充分に進行させることができる。この結果、異方性導電ペースト及び該異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子の流動がかなり抑えられる。従って、光カチオン開始剤の使用により、異方性導電ペーストにより形成された接続部及び導電性粒子を特定の領域に配置でき、接続構造体における導通信頼性をより一層高めることができる。 The anisotropic conductive paste according to the present invention preferably contains a curable compound, a thermosetting agent, and a photocuring initiator as the thermosetting component and the photocurable component. The photocuring initiator preferably contains a photocationic initiator. The anisotropic conductive paste according to the present invention preferably contains a photocationic initiator. In this case, in particular, when the anisotropic conductive paste is irradiated with light, curing of the anisotropic conductive paste layer portion where the light is blocked by the conductive particles and not directly irradiated with light also initiates photocation. It can be sufficiently advanced by a cation reaction by the action of the agent (cationic curing agent). As a result, the flow of the anisotropic conductive paste and the conductive particles contained in the anisotropic conductive paste is considerably suppressed. Therefore, by using the photocation initiator, the connection portion and the conductive particles formed by the anisotropic conductive paste can be arranged in a specific region, and the conduction reliability in the connection structure can be further improved.
上記異方性導電ペーストの２５℃及び２．５ｒｐｍでの上記粘度η１は、好ましくは２１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２５０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは３００Ｐａ・ｓを超え、特に好ましくは３１０Ｐａ・ｓ以上、好ましくは９００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは８００Ｐａ・ｓ以下である。すなわち、接続構造体を得る際の配置（塗布）前の上記異方性導電ペーストの２５℃及び２．５ｒｐｍでの上記粘度η１は、上記下限以上及び上記上限以下であることが好ましい。この場合には、例えば基板等の塗布対象部材（第１の接続対象部材）上に異方性導電ペーストを塗布した後に、硬化前の異方性導電ペーストの流動をより一層抑制できる。さらに、電極と導電性粒子との間の樹脂成分を容易に取り除くことができ、電極と導電性粒子との接触面積を大きくすることができる。さらに、塗布対象部材（第１の接続対象部材）の表面が凹凸である場合に、該凹凸の表面に異方性導電ペーストを充分に充填させることができ、硬化後にボイドが生じ難くなる。また、異方性導電ペースト中において導電性粒子が沈降し難くなり、導電性粒子の分散性を高めることができる。なお、上記粘度η１は、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び２．５ｒｐｍの条件で測定される。 The viscosity η1 at 25 ° C. and 2.5 rpm of the anisotropic conductive paste is preferably 210 Pa · s or more, more preferably 250 Pa · s or more, still more preferably more than 300 Pa · s, particularly preferably 310 Pa · s. As mentioned above, Preferably it is 900 Pa.s or less, More preferably, it is 800 Pa.s or less. That is, it is preferable that the viscosity η1 at 25 ° C. and 2.5 rpm of the anisotropic conductive paste before placement (coating) when obtaining a connection structure is not less than the lower limit and not more than the upper limit. In this case, for example, the flow of the anisotropic conductive paste before curing can be further suppressed after the anisotropic conductive paste is applied onto the application target member (first connection target member) such as a substrate. Furthermore, the resin component between the electrode and the conductive particles can be easily removed, and the contact area between the electrode and the conductive particles can be increased. Furthermore, when the surface of the application target member (first connection target member) is uneven, the surface of the unevenness can be sufficiently filled with the anisotropic conductive paste, and voids hardly occur after curing. Moreover, it becomes difficult for the conductive particles to settle in the anisotropic conductive paste, and the dispersibility of the conductive particles can be improved. The viscosity η1 is measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25 ° C. and 2.5 rpm.
本発明に係る異方性導電ペーストについて、光の照射により硬化が進行されて、Ｂステージ化した後の粘度（以下、η２と略記することがある）は好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下である。異方性導電ペースト及び導電性粒子の流動をより一層抑制する観点からは、上記粘度η２はより好ましくは３５００Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは３５１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１２０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度η２の測定温度は好ましくは２０℃以上、好ましくは３０℃以下である。上記粘度η２の測定温度は２５℃であることが特に好ましい。 With respect to the anisotropic conductive paste according to the present invention, the viscosity after being cured by irradiation with light and B-staged (hereinafter sometimes abbreviated as η2) is preferably 2000 Pa · s or more, preferably 15000 Pa. -S or less. From the viewpoint of further suppressing the flow of the anisotropic conductive paste and conductive particles, the viscosity η2 is more preferably 3500 Pa · s or more, further preferably 3510 Pa · s or more, more preferably 12000 Pa · s or less, and still more preferably. Is 10000 Pa · s or less. The measurement temperature of the viscosity η2 is preferably 20 ° C. or higher, preferably 30 ° C. or lower. The measurement temperature of the viscosity η2 is particularly preferably 25 ° C.
なお、上記粘度η２が２０００Ｐａ・ｓ以上、１５０００Ｐａ・ｓ以下であれば、異方性導電ペーストの流動を充分に抑制でき、導通信頼性を高めることができる。但し、上記粘度η２が２０００Ｐａ・ｓ以上、３５００Ｐａ・ｓ以下である場合と比べて、上記粘度η２が３５００Ｐａ・ｓを超え、１５０００Ｐａ・ｓ以下である場合の方が、電極間の位置ずれをより一層抑制できる。なお、上記粘度η２は、レオメーターを用いて測定される。 In addition, if the said viscosity (eta) 2 is 2000 Pa.s or more and 15000 Pa.s or less, the flow of anisotropic conductive paste can fully be suppressed and conduction | electrical_connection reliability can be improved. However, compared with the case where the viscosity η2 is 2000 Pa · s or more and 3500 Pa · s or less, when the viscosity η2 is more than 3500 Pa · s and 15000 Pa · s or less, the positional deviation between the electrodes is more. It can be further suppressed. The viscosity η2 is measured using a rheometer.
本発明に係る異方性導電ペーストを硬化させる方法としては、異方性導電ペーストに光を照射した後、異方性導電ペーストを加熱する方法、並びに異方性導電ペーストを加熱した後、異方性導電ペーストに光を照射する方法が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、異方性導電ペーストに光を照射した後、異方性導電ペーストを加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、異方性導電ペーストを短時間で硬化させることができる。 The anisotropic conductive paste according to the present invention can be cured by irradiating the anisotropic conductive paste with light and then heating the anisotropic conductive paste, and after heating the anisotropic conductive paste, There is a method of irradiating the anisotropic conductive paste with light. In addition, when the photocuring speed and the thermosetting speed are different, light irradiation and heating may be performed simultaneously. Especially, the method of heating an anisotropic conductive paste after irradiating light to an anisotropic conductive paste is preferable. The anisotropic conductive paste can be cured in a short time by the combined use of photocuring and thermal curing.
以下、先ず、本発明に係る異方性導電ペーストに好適に用いられる各成分の詳細を説明する。 Hereinafter, first, details of each component suitably used for the anisotropic conductive paste according to the present invention will be described.
（硬化性化合物）
上記硬化性化合物は、加熱により硬化する熱硬化性化合物と光の照射により硬化する光硬化性化合物とを含むことが好ましく、加熱及び光の照射により硬化する熱及び光硬化性化合物を含有することも好ましい。上記熱及び光硬化性化合物は、熱硬化性化合物にも相当し、光硬化性化合物にも相当する。上記硬化性化合物が上記熱及び光硬化性化合物を含有する場合に、上記硬化性化合物は、上記熱硬化性化合物を含有していてもよく、上記光硬化性化合物を含有していてもよい。
(Curable compound)
The curable compound preferably includes a thermosetting compound that is cured by heating and a photocurable compound that is cured by light irradiation, and includes a heat and photocurable compound that is cured by heating and light irradiation. Is also preferable. The thermosetting and photocurable compounds correspond to thermosetting compounds and also correspond to photocurable compounds. When the said curable compound contains the said heat | fever and photocurable compound, the said curable compound may contain the said thermosetting compound, and may contain the said photocurable compound.
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The curable compound preferably contains a curable compound having an epoxy group or a thiirane group. The curable compound having an epoxy group is an epoxy compound. The curable compound having a thiirane group is an episulfide compound. As for the said curable compound which has an epoxy group or thiirane group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記硬化性化合物は、チイラン基を有する硬化性化合物を含有することがより好ましい。上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。 More preferably, the curable compound contains a curable compound having a thiirane group. Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.
上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。 The curable compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.
上記異方性導電ペーストの硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物と該エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。 From the viewpoint of increasing the curability of the anisotropic conductive paste, the content of the curable compound having the epoxy group or thiirane group is preferably 10% by weight or more in the total 100% by weight of the curable compound. Preferably they are 20 weight% or more and 100 weight% or less. The total amount of the curable compound may be a curable compound having the epoxy group or thiirane group. When the curable compound having the epoxy group or thiirane group and another curable compound different from the curable compound having the epoxy group or thiirane group are used in combination, in the total 100% by weight of the curable compound, The content of the curable compound having an epoxy group or thiirane group is preferably 99% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less.
上記硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The curable compound may further contain another curable compound different from the curable compound having an epoxy group or a thiirane group. Examples of the other curable compounds include curable compounds having an unsaturated double bond, phenol curable compounds, amino curable compounds, unsaturated polyester curable compounds, polyurethane curable compounds, silicone curable compounds, and polyimide curable compounds. Compounds and the like. As for said other curable compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記異方性導電ペーストの硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記異方性導電ペーストの硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した異方性導電ペースト全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。 From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive paste and further improving the conduction reliability in the connection structure, the curable compound contains a curable compound having an unsaturated double bond. It is preferable to do. From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive paste or further enhancing the conduction reliability in the connection structure, the curable compound having an unsaturated double bond is a (meth) acryloyl group. It is preferable that it is a curable compound which has. By using the above-mentioned curable compound having a (meth) acryloyl group, the curing rate can be improved with the entire B-staged anisotropic conductive paste (including the portion directly irradiated with light and the portion not directly irradiated with light). It becomes easy to control within a suitable range, and the conduction reliability in the resulting connection structure is further increased.
Ｂステージ化した異方性導電ペースト層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。 From the viewpoint of easily controlling the curing rate of the B-staged anisotropic conductive paste layer and further improving the conduction reliability of the resulting connection structure, the curable compound having the (meth) acryloyl group is: It is preferable to have one or two (meth) acryloyl groups.
Ｂステージ化した異方性導電ペースト層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。 From the viewpoint of easily controlling the curing rate of the B-staged anisotropic conductive paste layer and further improving the conduction reliability of the resulting connection structure, the curable compound having the (meth) acryloyl group is: It is preferable to have one or two (meth) acryloyl groups.
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。 The curable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and (meth) A curable compound having an acryloyl group may be mentioned.
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。 As the curable compound having the (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a (meth) acrylic acid and a compound having a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound ( A (meth) acrylate, a urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with an isocyanate, or the like is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。 The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。 The curable compound having an epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane group of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a curable compound obtained by converting into a (meth) acryloyl group. This curable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。 The curable compound preferably contains a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy group or thiirane group is converted (converted) to a (meth) acryloyl group. The conversion is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. Most preferably, 40% or more and 60% or less of the epoxy group or thiirane group is converted to a (meth) acryloyl group.
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。 As the curable compound, a modified phenoxy resin obtained by converting a part of epoxy groups of a phenoxy resin having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups or a part of thiirane groups into a (meth) acryloyl group may be used. Good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。 The curable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。 Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.
また、異方性導電ペーストの粘度を好適な範囲に容易に制御し、接続構造体における電極間の位置ずれを抑制し、かつ接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物は、重量平均分子量が５００以上、５００００以下である硬化性化合物（以下、硬化性化合物Ｘと記載することがある）を含むことが好ましい。 In addition, from the viewpoint of easily controlling the viscosity of the anisotropic conductive paste within a suitable range, suppressing misalignment between electrodes in the connection structure, and further improving the conduction reliability of the connection structure, the above-described curing is performed. The curable compound preferably contains a curable compound having a weight average molecular weight of 500 or more and 50,000 or less (hereinafter sometimes referred to as curable compound X).
異方性導電ペーストの粘度を好適な範囲に容易に制御し、接続構造体における電極間の位置ずれを抑制し、かつ接続構造体における導通信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物Ｘは、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にビニル基又はエポキシ基を有し、重量平均分子量が５００以上、５００００以下である硬化性化合物（以下、硬化性化合物Ｘ１と記載することがある）を含むことが好ましい。該硬化性化合物Ｘ１は、側鎖にビニル基を１個以上有するか、又は側鎖にエポキシ基を１個以上有することが好ましい。上記硬化性化合物Ｘ１は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン又はレゾルシノールと、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル又はレゾルシノールジグリシジルエーテルとの反応物に、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート又は４−ヒドロキシブチルグリシジルエーテルを反応させることにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。上記反応物は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第１の反応物であるか、レゾルシノールと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第２の反応物であるか、又はレゾルシノールとレゾルシノールジグリシジルエーテルとの第３の反応物であることが好ましい。 From the viewpoint of easily controlling the viscosity of the anisotropic conductive paste within a suitable range, suppressing misalignment between the electrodes in the connection structure, and further enhancing the conduction reliability in the connection structure, the above curable compound X is a curable compound having an epoxy group at both ends, a vinyl group or an epoxy group in the side chain, and a weight average molecular weight of 500 or more and 50,000 or less (hereinafter referred to as curable compound X1). It is preferable to include. The curable compound X1 preferably has one or more vinyl groups in the side chain or one or more epoxy groups in the side chain. The curable compound X1 is a reaction product of bis (4-hydroxyphenyl) methane or resorcinol with 1,6-hexanediol diglycidyl ether or resorcinol diglycidyl ether, (meth) acrylic acid, 2- (meth) It is preferably a curable compound obtained by reacting acryloyloxyethyl isocyanate or 4-hydroxybutyl glycidyl ether. The reactant is a first reactant of bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,6-hexanediol diglycidyl ether or a second reactant of resorcinol and 1,6-hexanediol diglycidyl ether. It is preferably a reactant or a third reactant of resorcinol and resorcinol diglycidyl ether.
異方性導電ペーストの粘度を好適な範囲に容易に制御し、接続構造体における電極間の位置ずれを抑制し、かつ接続構造体における導通信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記硬化性化合物Ｘ，Ｘ１の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記硬化性化合物Ｘ，Ｘ１であってもよい。上記硬化性化合物Ｘ，Ｘ１と該硬化性化合物Ｘ，Ｘ１とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物全体１００重量％中、上記硬化性化合物Ｘ，Ｘ１の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。 From the viewpoint of easily controlling the viscosity of the anisotropic conductive paste within a suitable range, suppressing misalignment between the electrodes in the connection structure, and further enhancing the conduction reliability in the connection structure, the above curable compound The content of the curable compounds X and X1 is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more and 100% by weight or less. The total amount of the curable compound may be the curable compounds X and X1. When the curable compound X, X1 and another curable compound different from the curable compound X, X1 are used in combination, the content of the curable compound X, X1 in 100% by weight of the entire curable compound The amount is preferably 99% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, particularly preferably 80% by weight or less.
（熱硬化剤）
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤が使用可能である。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、熱ラジカル開始剤ではない熱硬化剤であってもよい。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent)
The said thermosetting agent is not specifically limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. The thermosetting agent may be a thermosetting agent that is not a thermal radical initiator. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
異方性導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、異方性導電ペーストの保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 Since the anisotropic conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. Moreover, since the storage stability of anisotropic conductive paste becomes high, a latent hardening | curing agent is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .
上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の加熱により硬化可能な硬化性化合物（上記熱硬化性化合物）１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストが充分に熱硬化する。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound (the thermosetting compound) curable by heating in the curable compound. The amount is preferably 40 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, and still more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste is sufficiently thermoset.
（光硬化開始剤）
本発明に係る異方性導電ペーストは、光カチオン開始剤を含むことが好ましい。光カチオン開始剤の使用により、光照射後の異方性導電ペーストの硬化を速やかに進行させることができる。さらに、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電ペースト層部分も、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。
(Photocuring initiator)
The anisotropic conductive paste according to the present invention preferably contains a photocationic initiator. By using a photocation initiator, curing of the anisotropic conductive paste after light irradiation can be rapidly advanced. Furthermore, the anisotropic conductive paste layer portion where light is blocked by the conductive particles and is not directly irradiated can be sufficiently cured by the cation reaction due to the action of the photocation initiator.
上記光カチオン開始剤は特に限定されない。上記光カチオン開始剤として、従来公知の光カチオン開始剤が使用可能である。上記光カチオン開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The photocationic initiator is not particularly limited. Conventionally known photocationic initiators can be used as the photocationic initiator. As for the said photocationic initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記光カチオン開始剤（光カチオン硬化剤）としては、ヨードニウム系光カチオン硬化剤、オキソニウム系光カチオン硬化剤及びスルホニウム系光カチオン硬化剤等が挙げられる。なかでも、異方性導電材料の硬化性をより一層良好にし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、スルホニウム系光カチオン硬化剤が好ましい。上記ヨードニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート）等が挙げられる。上記スルホニウム系光カチオン硬化剤としては、例えば、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。 Examples of the photocationic initiator (photocationic curing agent) include iodonium-based photocationic curing agents, oxonium-based photocationic curing agents, and sulfonium-based photocationic curing agents. Of these, a sulfonium-based photocationic curing agent is preferable from the viewpoint of further improving the curability of the anisotropic conductive material and further enhancing the conduction reliability between the electrodes. Examples of the iodonium-based photocationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based photocationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate). Examples of the sulfonium-based photocationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.
上記光カチオン開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の光の照射により硬化可能な硬化性化合物（上記光硬化性化合物）１００重量部に対して、上記光カチオン開始剤の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光カチオン開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストが適度に光硬化する。異方性導電ペーストに光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電ペーストの流動を抑制できる。 The content of the photocation initiator is not particularly limited. The content of the photocation initiator is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound (the photocurable compound) curable by light irradiation in the curable compound. Is 0.2 parts by weight or more, preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocation initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste is appropriately photocured. The anisotropic conductive paste can be prevented from flowing by irradiating the anisotropic conductive paste with light to form a B stage.
光の照射により硬化可能であるように、上記異方性導電ペーストは、光ラジカル開始剤を含むことが好ましい。光ラジカル開始剤の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。光の照射により一層効率的に硬化可能であるように、上記異方性導電ペーストは、上記光カチオン開始剤と上記光ラジカル開始剤との双方を含むことが好ましい。上記光ラジカル開始剤は特に限定されない。上記光ラジカル開始剤として、従来公知の光ラジカル開始剤が使用可能である。上記光ラジカル開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The anisotropic conductive paste preferably contains a photo radical initiator so that it can be cured by light irradiation. Use of the photo radical initiator further increases the conduction reliability between the electrodes. The anisotropic conductive paste preferably includes both the photocationic initiator and the photoradical initiator so that the anisotropic conductive paste can be more efficiently cured by light irradiation. The photo radical initiator is not particularly limited. A conventionally known photoradical initiator can be used as the photoradical initiator. As for the said photoradical initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記光ラジカル開始剤としては特に限定されず、アセトフェノン光ラジカル開始剤、ベンゾフェノン光ラジカル開始剤、チオキサントン、ケタール光ラジカル開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。 The photo radical initiator is not particularly limited, and examples thereof include acetophenone photo radical initiator, benzophenone photo radical initiator, thioxanthone, ketal photo radical initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate.
上記アセトフェノン光ラジカル開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光ラジカル開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。 Specific examples of the acetophenone photoradical initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photoradical initiator include benzyldimethyl ketal.
上記光ラジカル開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の光の照射により硬化可能な硬化性化合物（上記光硬化性化合物）１００重量部に対して、上記光ラジカル開始剤の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光ラジカル開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストが適度に光硬化する。異方性導電ペーストに光を照射し、Ｂステージ化することにより、異方性導電ペーストの流動を抑制できる。 The content of the photo radical initiator is not particularly limited. The content of the photo radical initiator is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound (the photo curable compound) curable by light irradiation in the curable compound. Is 0.2 parts by weight or more, preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photo radical initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste is appropriately photocured. The anisotropic conductive paste can be prevented from flowing by irradiating the anisotropic conductive paste with light to form a B stage.
また、上記光カチオン開始剤と上記光ラジカル開始剤とを併用する場合には、上記光カチオン開始剤と上記光ラジカル開始剤との配合比は、重量比で０．０１：９９．９９〜９９．９９〜０．０１であることが好ましく、１：９９〜９９：１であることがより好ましく、５：９５〜９５：５であることが更に好ましく、２０：８０〜８０：２０であることが特に好ましい。 Moreover, when using together the said photocationic initiator and the said photoradical initiator, the compounding ratio of the said photocationic initiator and the said photoradical initiator is 0.01: 99.99-99 by weight ratio. It is preferably 99 to 0.01, more preferably 1:99 to 99: 1, still more preferably 5:95 to 95: 5, and 20:80 to 80:20. Is particularly preferred.
（導電性粒子）
上記異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。上記導電性粒子は、少なくとも外表面がはんだなどの低融点金属である導電性粒子であることが好ましい。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。この場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、又は実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層又は錫を含有する金属層等が挙げられる。
(Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive paste electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The conductive particles are preferably conductive particles whose outer surface is a low melting point metal such as solder. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer between the conductive layer and the electrode is excluded when the connection target member is connected. Examples of the conductive particles include organic particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles, or conductive particles whose surfaces are covered with a metal layer, or metals that are substantially composed only of metal. Particles and the like. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, or a metal layer containing tin.
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも外側の導電性の表面が低融点金属である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。 From the viewpoint of increasing the contact area between the electrode and the conductive particle and further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particle includes a resin particle and a conductive layer disposed on the surface of the resin particle. It is preferable to have. From the viewpoint of further improving the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles are preferably conductive particles having at least an outer conductive surface made of a low melting point metal. More preferably, the conductive particles include resin particles and a conductive layer disposed on the surface of the resin particles, and at least the outer surface of the conductive layer is a low melting point metal layer.
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記低融点金属は錫を含むことが好ましい。低融点金属に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記低融点金属における錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。 The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The low melting point metal preferably contains tin. In 100% by weight of the metal contained in the low melting point metal, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin in the low melting point metal is not less than the lower limit, the connection reliability between the low melting point metal and the electrode is further enhanced. The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.
導電層の外側の表面が低融点金属層である場合には、低融点金属層が溶融して電極に接合し、低融点金属層が電極間を導通させる。例えば、低融点金属層と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、少なくとも外側の表面が低融点金属層である導電性粒子の使用により、低融点金属層と電極との接合強度が高くなる結果、低融点金属層と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。 When the outer surface of the conductive layer is a low melting point metal layer, the low melting point metal layer is melted and joined to the electrodes, and the low melting point metal layer conducts between the electrodes. For example, since the low-melting point metal layer and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of conductive particles having at least the outer surface of a low-melting-point metal layer increases the bonding strength between the low-melting-point metal layer and the electrode. , The conduction reliability is effectively increased.
上記低融点金属層などを構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。 The low melting point metal which comprises the said low melting metal layer etc. is not specifically limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. Especially, since it is excellent in the wettability with respect to an electrode, it is preferable that the said low melting metal is a tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, and a tin-indium alloy. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.
また、上記低融点金属は、はんだであることが好ましい。上記はんだを構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。 The low melting point metal is preferably solder. Although the material which comprises the said solder is not specifically limited, Based on JISZ3001: welding terminology, it is preferable that it is a filler material whose liquidus is 450 degrees C or less. Examples of the solder composition include metal compositions containing zinc, gold, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Among them, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium or a solder containing tin and bismuth.
上記低融点金属と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。 In order to further increase the bonding strength between the low melting point metal and the electrode, the low melting point metal is nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese. Further, it may contain a metal such as chromium, molybdenum and palladium. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the low melting point metal and the electrode, the low melting point metal preferably contains nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the low-melting point metal and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is 100 wt% of the low-melting point metal, preferably 0.0001 wt% or more, preferably 1% by weight or less.
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層（はんだ層など）であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層との間に、上記低融点金属層とは別に第２の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。 The conductive particles include resin particles and a conductive layer disposed on the surface of the resin particles, and the outer surface of the conductive layer is a low melting point metal layer (such as a solder layer). In addition to the low melting point metal layer, a second conductive layer is preferably provided between the low melting point metal layer and the low melting point metal layer. In this case, the low melting point metal layer is a part of the entire conductive layer, and the second conductive layer is a part of the entire conductive layer.
上記低融点金属層とは別の上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The second conductive layer different from the low melting point metal layer preferably contains a metal. The metal constituting the second conductive layer is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第２の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。 The second conductive layer is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and even more preferably a copper layer. The conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer or a gold layer, and still more preferably have a copper layer. By using the conductive particles having these preferable conductive layers for the connection between the electrodes, the connection resistance between the electrodes is further reduced. In addition, a low melting point metal layer can be more easily formed on the surface of these preferable conductive layers. The second conductive layer may be a low melting point metal layer such as a solder layer. The conductive particles may have a plurality of low melting point metal layers.
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。上記異方性導電ペーストが光カチオン開始剤を含む場合に、導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電ペースト層部分であっても、光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応によって、硬化を充分に進行させることができる。また、上記導電性粒子の平均粒子径は、５μｍを超えていてもよく、１０μｍ以上であってもよい。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが特に好ましく、１μｍ以上、４μｍ以下であることが最も好ましい。 The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably 15 μm or less, and particularly preferably 10 μm or less. When the anisotropic conductive paste contains a photocationic initiator, if the average particle size of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the light is blocked by the conductive particles and the light is not directly irradiated. Even in the anisotropic conductive paste layer portion, the curing can sufficiently proceed by the cation reaction due to the action of the photocation initiator. Moreover, the average particle diameter of the said electroconductive particle may exceed 5 micrometers, and may be 10 micrometers or more. From the viewpoint of further improving the connection reliability of the connection structure when subjected to a thermal history, the average particle diameter of the conductive particles is particularly preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and is 1 μm or more and 4 μm or less. Most preferred.
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
上記樹脂粒子は、実装する基板の電極サイズ又はランド径によって使い分けることができる。 The resin particles can be properly used depending on the electrode size or land diameter of the substrate to be mounted.
上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制する観点からは、導電性粒子の平均粒子径Ｃの樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｃ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは３．０以下である。また、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第２の導電層がある場合に、はんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｂ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。さらに、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第２の導電層がある場合に、はんだ層を含む導電性粒子の平均粒子径Ｃのはんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する比（Ｃ／Ｂ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。上記比（Ｂ／Ａ）が上記範囲内であったり、上記比（Ｃ／Ｂ）が上記範囲内であったりすると、上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制できる。 From the viewpoint of more reliably connecting the upper and lower electrodes and further suppressing the short circuit between the electrodes adjacent in the lateral direction, the ratio of the average particle diameter C of the conductive particles to the average particle diameter A of the resin particles ( C / A) is more than 1.0, preferably 3.0 or less. In addition, when the second conductive layer is present between the resin particles and the solder layer, the ratio of the resin particles to the average particle size B with respect to the average particle size B of the conductive particle portion excluding the solder layer (B / A) is greater than 1.0, preferably 2.0 or less. Further, when there is the second conductive layer between the resin particles and the solder layer, the average particle diameter B of the conductive particle portion excluding the solder layer having the average particle diameter C of the conductive particles including the solder layer. The ratio (C / B) to is more than 1.0, preferably 2.0 or less. When the ratio (B / A) is within the above range or the ratio (C / B) is within the above range, electrodes that are more reliably connected between the upper and lower electrodes and that are adjacent in the lateral direction The short circuit between them can be further suppressed.
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記異方性導電ペースト１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。 The content of the conductive particles is not particularly limited. In 100% by weight of the anisotropic conductive paste, the content of the conductive particles is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, preferably 40% by weight. % Or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 19% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.
（他の成分）
上記異方性導電ペーストは、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電ペーストの硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive paste preferably contains a filler. By using the filler, latent heat expansion of the cured product of the anisotropic conductive paste can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, and alumina. As for a filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記異方性導電ペーストは、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The anisotropic conductive paste preferably contains a curing accelerator. By using a curing accelerator, the curing rate can be further increased. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。 Specific examples of the curing accelerator include imidazole curing accelerators and amine curing accelerators. Of these, imidazole curing accelerators are preferred. In addition, an imidazole hardening accelerator or an amine hardening accelerator can be used also as an imidazole hardening agent or an amine hardening agent.
上記異方性導電ペーストは、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電ペーストの粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。 The anisotropic conductive paste may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive paste can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.
（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る異方性導電ペーストを用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure and method of manufacturing connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the connection target members using the anisotropic conductive paste according to the present invention.
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備えており、該接続部が上記異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されていることが好ましい。上記接続部は、上記異方性導電ペーストが硬化した硬化物層である。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion that electrically connects the first and second connection target members. It is preferable that the part is formed by curing the anisotropic conductive paste. The connection part is a cured product layer obtained by curing the anisotropic conductive paste.
次に、図面を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る異方性導電ペーストを用いた接続構造体、及び該接続構造体の製造方法をより詳細に説明する。 Next, referring to the drawings, a connection structure using an anisotropic conductive paste according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the connection structure will be described in more detail.
図１に、本発明の一実施形態に係る異方性導電ペーストを用いた接続構造体の一例を模式的に正面断面図で示す。 FIG. 1 is a front sectional view schematically showing an example of a connection structure using an anisotropic conductive paste according to an embodiment of the present invention.
図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、硬化物層である。接続部３は、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子５とを含む異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。該異方性導電ペーストは、複数の導電性粒子５を含む。
A
第１の接続対象部材２は上面２ａ（表面）に、複数の第１の電極２ｂを有する。第２の接続対象部材４は下面４ａ（表面）に、複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。
The first
接続構造体１では、第１の接続対象部材２としてガラス基板が用いられており、第２の接続対象部材４として半導体チップが用いられている。第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及びガラスエポキシ基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記異方性導電ペーストは、電子部品の接続に用いられる異方性導電ペーストであることが好ましい。上記異方性導電ペーストはペーストの状態で接続対象部材上に塗布されることが好ましい。
In the
図１に示す接続構造体１は、例えば、以下のようにして得ることができる。
The
図２（ａ）に示すように、第１の電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の上面２ａに、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子５を含む異方性導電ペーストを用いて、第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電ペースト層３Ａを配置する。このとき、第１の電極２ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。異方性導電ペーストの配置は、異方性導電ペーストの塗布により行われる。
As shown to Fig.2 (a), the 1st
次に、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することにより、異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させる。異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化する。図２（ｂ）に示すように、異方性導電ペースト層３ＡのＢステージ化により、第１の接続対象部材２の上面２ａに、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂを形成する。
Next, the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化する際には、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの粘度（以下、η２’と略記することがある）が２０００Ｐａ・ｓ以上、１５０００Ｐａ・ｓ以下であるように、異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化することが好ましい。上記粘度η２’を上記下限以上及び上記上限以下にすることにより、異方性導電ペースト層の流動を充分に抑制できる。このため、第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間に、導電性粒子５が配置されやすくなる。さらに、第１の接続対象部材２又は第２の接続対象部材４の外周面よりも側方の領域に、異方性導電ペースト層が意図せずに流動するのを抑制できる。
When the anisotropic
Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの上記粘度η２’は、３５００Ｐａ・ｓを超え、１５０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。上記粘度η２’が３５００Ｐａ・ｓを超えると、第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の位置ずれを抑制できる。
The viscosity η2 ′ of the B-staged anisotropic
異方性導電ペースト層及び導電性粒子５の流動をより一層抑制する観点からは、上記粘度η２’は３５１０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、より好ましくは１２０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度η２’の測定温度は好ましくは２０℃以上、好ましくは３０℃以下である。上記粘度η２’の測定温度は２５℃であることが特に好ましい。
From the viewpoint of further suppressing the flow of the anisotropic conductive paste layer and the
なお、上記粘度η２’が２０００Ｐａ・ｓ以上、１５０００Ｐａ・ｓ以下であれば、異方性導電ペースト層の流動を充分に抑制でき、導通信頼性を高めることができる。但し、上記粘度η２’が２０００Ｐａ・ｓ以上、３５００Ｐａ・ｓ以下である場合と比べて、上記粘度η２’が３５００Ｐａ・ｓを超え、１５０００Ｐａ・ｓ以下である場合の方が、電極間の位置ずれをより一層抑制できる。電極間の位置ずれをより一層抑制する観点からは、上記粘度η２’はより好ましくは３５１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１２０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。 If the viscosity η2 ′ is 2000 Pa · s or more and 15000 Pa · s or less, the flow of the anisotropic conductive paste layer can be sufficiently suppressed, and the conduction reliability can be improved. However, as compared with the case where the viscosity η2 ′ is 2000 Pa · s or more and 3500 Pa · s or less, the case where the viscosity η2 ′ exceeds 3500 Pa · s and 15000 Pa · s or less is misaligned between the electrodes. Can be further suppressed. From the viewpoint of further suppressing the positional deviation between the electrodes, the viscosity η2 ′ is more preferably 3510 Pa · s or more, more preferably 12000 Pa · s or less, and still more preferably 10000 Pa · s or less.
異方性導電ペースト層３Ａ及びＢステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの厚み（平均厚み）は、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。ＣＯＧ用途においては、異方性導電ペースト層３Ａ及びＢステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの厚み（平均厚み）は、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。ＦＯＧ用途においては、異方性導電ペースト層３Ａ及びＢステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの厚み（平均厚み）は、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下である。
The thickness (average thickness) of the anisotropic
上記異方性導電ペーストが上記光カチオン開始剤を含む場合には、異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化する工程において、導電性粒子５により光が遮られて光が直接照射されなかった異方性導電ペースト層部分の硬化を、上記光カチオン開始剤の作用によるカチオン反応により進行させることが好ましい。これによって、異方性導電ペースト層及び該異方性導電ペースト層に含まれている導電性粒子の流動がかなり抑えられる。この結果、電極間の導通信頼性がかなり高くなる。
When the anisotropic conductive paste contains the photocationic initiator, light was blocked by the
第１の接続対象部材２の上面２ａに、異方性導電ペーストを配置しながら、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することが好ましい。さらに、第１の接続対象部材２の上面２ａへの異方性導電ペーストの配置と同時に、又は配置の直後に、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することも好ましい。配置と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電ペースト層３Ａの流動をより一層抑制できる。このため、得られた接続構造体１における導通信頼性がより一層高くなる。第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電ペーストを配置してから光を照射するまでの時間は、０秒以上、好ましくは３秒以下、より好ましくは２秒以下である。
It is preferable to irradiate the anisotropic
光の照射により異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化させるために、異方性導電ペースト層３Ａの硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは０．１〜１００ｍＷ／ｃｍ２程度である。また、異方性導電ペースト層３Ａの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、例えば、好ましくは１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度である。
In order to make the anisotropic
光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。 The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, a metal halide lamp, and an LED lamp.
次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の上面２ａの第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の下面４ａの第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。
Next, as shown in FIG. 2C, the second
さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、異方性導電ペースト層３Ｂに熱を付与することにより、異方性導電ペースト層３Ｂをさらに硬化させ、接続部３を形成する。ただし、第２の接続対象部材４の積層の前に、異方性導電ペースト層３Ｂに熱を付与してもよい。第２の接続対象部材４の積層の後に、異方性導電ペースト層３Ｂに熱を付与し完全に硬化させることが好ましい。
Further, when the second
熱の付与により異方性導電ペースト層３Ｂを硬化させる場合には、異方性導電ペースト層３Ｂを充分に硬化させるための加熱温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１４０℃以上、更に好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。
When the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第１の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積が大きくなる。このため、導通信頼性が高くなる。
It is preferable to apply pressure when the anisotropic
異方性導電ペースト層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、接続部３を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、図１に示す接続構造体１を得ることができる。本実施形態では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電ペーストを短時間で硬化させることができる。
By curing the anisotropic
上記異方性導電ペーストはペースト状である。異方性導電ペーストを用いる場合には、異方性導電フィルムを用いる場合と比較して、導電性粒子が流動しやすく、導通信頼性が低くなる傾向がある。本発明に係る異方性導電ペーストにおける組成の採用により、異方性導電ペーストを用いたとしても、導通信頼性を十分に高めることができる。 The anisotropic conductive paste is pasty. When the anisotropic conductive paste is used, the conductive particles tend to flow and the conduction reliability tends to be lower than when the anisotropic conductive film is used. By adopting the composition in the anisotropic conductive paste according to the present invention, even if the anisotropic conductive paste is used, the conduction reliability can be sufficiently increased.
本発明に係る異方性導電ペースト及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、本発明に係る異方性導電ペースト及び本発明に係る接続構造体の製造方法は、ＣＯＧ又はＦＯＧ用途に好適である。本発明に係る異方性導電ペースト及び本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材として、半導体チップとガラス基板とを用いるか、又はフレキシブルプリント基板とガラス基板とを用いることが好ましい。 The anisotropic conductive paste according to the present invention and the connection structure manufacturing method according to the present invention include, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a semiconductor chip and a flexible printed circuit board. Can be used for connection (COF (Chip on Film)), connection between semiconductor chip and glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between flexible printed circuit board and glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), etc. . Especially, the anisotropic conductive paste which concerns on this invention, and the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention are suitable for a COG or FOG use. In the anisotropic conductive paste according to the present invention and the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, a semiconductor chip and a glass substrate are used as the first connection target member and the second connection target member, or It is preferable to use a flexible printed circuit board and a glass substrate.
ＣＯＧ用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電ペーストの導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＣＯＧ用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が１０〜２０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る異方性導電ペースト及び本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。 In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with the conductive particles of the anisotropic conductive paste. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, the conductive particles can be accurately arranged between the electrodes by the anisotropic conductive paste according to the present invention and the connection structure manufacturing method according to the present invention. And the glass substrate can be connected with high accuracy, and the conduction reliability can be improved.
ＦＯＧ用途では、特に、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間を、異方性導電ペーストの導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、ＦＯＧ用途の場合には、フレキシブルプリント基板の隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が２０〜５０μｍ程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る異方性導電ペースト及び本発明に係る接続構造体の製造方法により、導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、フレキシブルプリント基板とガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。 In FOG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the flexible printed circuit board and the glass substrate with the conductive particles of the anisotropic conductive paste. For example, in the case of FOG use, the distance between adjacent electrodes of a flexible printed board and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 20 to 50 μm, and fine wiring is often formed. . Even if fine wiring is formed, the conductive particles can be accurately arranged between the electrodes by the anisotropic conductive paste according to the present invention and the connection structure manufacturing method according to the present invention. The electrodes of the substrate and the glass substrate can be connected with high accuracy, and the conduction reliability can be improved.
接続対象部材における隣り合う電極間の間隔（電極が形成されていない部分の寸法）は３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。また、電極幅は、３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。本発明に係る異方性導電ペーストの使用により、隣り合う電極間の間隔又は電極幅が狭くても、接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、導通信頼性を良好にすることができる。 The space between adjacent electrodes in the connection target member (the dimension of the portion where no electrode is formed) may be 30 μm or less, 20 μm or less, or 15 μm or less. The electrode width may be 30 μm or less, 20 μm or less, or 15 μm or less. By using the anisotropic conductive paste according to the present invention, even when the distance between adjacent electrodes or the electrode width is narrow, the positional deviation between the electrodes of the connection target member can be suppressed, and the conduction reliability can be improved. .
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.
（実施例１）
（１）異方性導電ペーストの調製
下記式（１Ｂ）で表されるエポキシ化合物（１Ｂ）を用意した。
Example 1
(1) Preparation of anisotropic conductive paste An epoxy compound (1B) represented by the following formula (1B) was prepared.
上記式（１Ｂ）中、Ｒは水素原子を表す。 In the above formula (1B), R represents a hydrogen atom.
上記エポキシ化合物（１Ｂ）は下記の反応を行うことで得た。 The said epoxy compound (1B) was obtained by performing the following reaction.
具体的には、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルを付加重合反応させることにより、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンに由来する骨格と１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する骨格とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ両末端に１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を有する反応物を得た。その後、アクリル酸を反応させることにより、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にビニル基を有するエポキシ化合物を得た。 Specifically, a skeleton derived from bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,6-hexanediol are produced by addition polymerization reaction of bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,6-hexanediol diglycidyl ether. A reaction product having a structural unit bonded to a skeleton derived from diglycidyl ether in the main chain and an epoxy group derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether at both ends was obtained. Thereafter, acrylic acid was reacted to obtain an epoxy compound having an epoxy group at both ends and a vinyl group in the side chain.
また、得られたエポキシ化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定された重量平均分子量は８０００であった。 Moreover, the weight average molecular weight measured by the gel permeation chromatography (GPC) of the obtained epoxy compound was 8000.
上記エポキシ化合物（１Ｂ）３０重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部と、エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）８重量部と、光ラジカル開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）０．２重量部と、硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾール１重量部と、フィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）１０重量部とを配合し、さらに導電性粒子Ａ（平均粒子径１０μｍ、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する）を異方性導電ペースト１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。 30 parts by weight of the above-mentioned epoxy compound (1B), 20 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and 8 parts by weight of an epoxy acrylate (“EBECRYL 3702” manufactured by Daicel-Cytec) 0.2 part by weight of an acylphosphine oxide compound (Ciba Japan “DAROCUR TPO”) as a photo radical initiator, 1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole as a curing accelerator, and filler And 10 parts by weight of alumina (average particle size 0.5 μm), and conductive particles A (average particle size 10 μm, a nickel plating layer is formed on the surface of the divinylbenzene resin particles, and the nickel plating A layer of a gold plating layer formed on the surface of the layer) with 100 layers of anisotropic conductive paste After content in it was added to a 10 wt%%, by stirring for 5 minutes at 2000rpm using a planetary stirrer to obtain an anisotropic conductive paste.
（２）接続構造体１の作製
Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍのＡｌ−４％Ｔｉ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍ、長さ２ｍｍの銅電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
(2) Production of Connection Structure 1 A transparent glass substrate (first connection target member) having an Al-4% Ti electrode pattern with an L / S of 20 μm / 20 μm on the upper surface was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern with L / S of 20 micrometers / 20 micrometers and length 2mm on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ５０μｍとなるように塗布し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが６０００ｍＪ／ｃｍ２となるように、異方性導電ペースト層に該異方性導電ペースト層の主面に対して紫外線が垂直に入射するように上方から紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。次に、異方性導電ペースト層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧加熱ヘッドを載せ、１．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体１を得た。
On the transparent glass substrate, the obtained anisotropic conductive paste was applied to a thickness of 50 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, using an ultraviolet irradiation lamp, ultraviolet rays are incident on the anisotropic conductive paste layer perpendicularly to the main surface of the anisotropic conductive paste layer so that the irradiation energy is 6000 mJ / cm 2. Ultraviolet rays were irradiated from above, and the anisotropic conductive paste layer was semi-cured by photopolymerization to form a B stage. Next, the flexible printed circuit board was laminated on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer is 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the flexible printed circuit board, and a pressure of 1.5 MPa is applied to apply the anisotropic conductive paste. The paste layer was completely cured at 185 ° C. to obtain a
（３）接続構造体２の作製
Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＡｌ−４％Ｔｉ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍ、１電極あたりの電極面積が１５００μｍ２の銅電極パターンを下面に有する半導体チップ（第２の接続対象部材）を用意した。
(3) Production of Connection Structure 2 A transparent glass substrate (first connection target member) having an Al-4% Ti electrode pattern with an L / S of 15 μm / 15 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip (second connection target member) having a copper electrode pattern with a L / S of 15 μm / 15 μm and an electrode area per electrode of 1500 μm 2 on the lower surface was prepared.
上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗布し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、紫外線照射ランプを用いて、照射エネルギーが６０００ｍＪ／ｃｍ２となるように、異方性導電ペースト層に該異方性導電ペースト層の主面に対して紫外線が垂直に入射するように上方から紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体２を得た。
On the transparent glass substrate, the obtained anisotropic conductive paste was applied to a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, using an ultraviolet irradiation lamp, ultraviolet rays are incident on the anisotropic conductive paste layer perpendicularly to the main surface of the anisotropic conductive paste layer so that the irradiation energy is 6000 mJ / cm 2. Ultraviolet rays were irradiated from above, and the anisotropic conductive paste layer was semi-cured by photopolymerization to form a B stage. Next, the semiconductor chip was stacked on the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 3 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. By completely curing at 185 ° C., a
（実施例２）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート２０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 2)
Except that 20 parts by weight of the amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.), which is a thermosetting agent, was changed to 20 parts by weight of pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate in the same manner as in Example 1. An anisotropic conductive paste was obtained.
（実施例３）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、カチオン硬化剤（三新化学社製「サンエイドＳＩ−６０」）０．５重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 3)
Other than changing 20 parts by weight of amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), a thermosetting agent, to 0.5 parts by weight of cationic curing agent (“Sun Aid SI-60” manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) Obtained an anisotropic conductive paste in the same manner as in Example 1.
（実施例４）
エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）８重量部を、ウレタンアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ８８０４」）８重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして接続構造体１，２を得た。
(Example 4)
Anisotropic conduction was carried out in the same manner as in Example 1 except that 8 parts by weight of epoxy acrylate ("EBECRYL 3702" manufactured by Daicel-Cytec) was changed to 8 parts by weight of urethane acrylate ("EBECRYL8804" manufactured by Daicel-Cytec). A paste was obtained.
（実施例５）
光カチオン硬化剤であるトリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート（東京化成工業社製）０．５重量部をさらに加えたこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして接続構造体１，２を得た。
(Example 5)
An anisotropic conductive paste is obtained in the same manner as in Example 1 except that 0.5 part by weight of tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), which is a photocationic curing agent, is further added. It was.
（実施例６）
下記式（２Ｂ）で表されるエポキシ化合物（２Ｂ）を用意した。
(Example 6)
An epoxy compound (2B) represented by the following formula (2B) was prepared.
上記エポキシ化合物（２Ｂ）は下記の反応を行うことで得た。 The said epoxy compound (2B) was obtained by performing the following reaction.
具体的には、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンと１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルを付加重合反応させることにより、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンに由来する骨格と１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する骨格とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ両末端に１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を有する反応物を得た。その後、４−ヒドロキシブチルグリシジルエーテルを反応させることにより、両末端にエポキシ基を有し、かつ側鎖にエポキシ基を有するエポキシ化合物を得た。 Specifically, a skeleton derived from bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,6-hexanediol are produced by addition polymerization reaction of bis (4-hydroxyphenyl) methane and 1,6-hexanediol diglycidyl ether. A reaction product having a structural unit bonded to a skeleton derived from diglycidyl ether in the main chain and an epoxy group derived from 1,6-hexanediol diglycidyl ether at both ends was obtained. Thereafter, 4-hydroxybutyl glycidyl ether was reacted to obtain an epoxy compound having an epoxy group at both ends and an epoxy group in the side chain.
また、得られたエポキシ化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定された重量平均分子量は１２０００であった。 Moreover, the weight average molecular weight measured by the gel permeation chromatography (GPC) of the obtained epoxy compound was 12000.
異方性導電ペーストの調製の際に、上記エポキシ化合物（１Ｂ）を、上記エポキシ化合物（２Ｂ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして接続構造体１，２を得た。
An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 1 except that the epoxy compound (1B) was changed to the epoxy compound (2B) when preparing the anisotropic conductive paste.
（実施例７）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート２０重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 7)
Except that 20 parts by weight of the amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd.), which is a thermosetting agent, was changed to 20 parts by weight of pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate in the same manner as in Example 6. An anisotropic conductive paste was obtained.
（実施例８）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、カチオン硬化剤（三新化学社製「サンエイドＳＩ−６０」）０．５重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 8)
Other than changing 20 parts by weight of amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.), a thermosetting agent, to 0.5 parts by weight of cationic curing agent (“Sun Aid SI-60” manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) Obtained an anisotropic conductive paste in the same manner as in Example 6.
（実施例９）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（１Ｂ）で表されるエポキシ化合物（１Ｂ）の配合量を３０重量部から２０重量部に変更したこと、並びにレゾルシノールジグリシジルエーテル１０重量部をさらに加えたこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
Example 9
In preparing the anisotropic conductive paste, the amount of the epoxy compound (1B) represented by the formula (1B) was changed from 30 parts by weight to 20 parts by weight, and 10 parts by weight of resorcinol diglycidyl ether was further added. An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as Example 1 except for the addition.
（実施例１０）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（１Ｂ）で表されるエポキシ化合物（１Ｂ）の配合量を３０重量部から２５重量部に変更したこと、並びにレゾルシノールジグリシジルエーテル５重量部をさらに加えたこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 10)
In preparing the anisotropic conductive paste, the amount of the epoxy compound (1B) represented by the formula (1B) was changed from 30 parts by weight to 25 parts by weight, and 5 parts by weight of resorcinol diglycidyl ether was further added. An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as Example 1 except for the addition.
（実施例１１）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート２０重量部に変更したこと、並びにフィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）の配合量を１０重量部から１２重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 11)
20 parts by weight of amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) which is a thermosetting agent was changed to 20 parts by weight of pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and alumina (average particle) An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 6 except that the blending amount of 0.5 μm in diameter was changed from 10 parts by weight to 12 parts by weight.
（実施例１２）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート２０重量部に変更したこと、並びにフィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）の配合量を１０重量部から１５重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 12)
20 parts by weight of amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) which is a thermosetting agent was changed to 20 parts by weight of pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and alumina (average particle) An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 6 except that the blending amount of 0.5 μm in diameter was changed from 10 parts by weight to 15 parts by weight.
（実施例１３）
熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート２０重量部に変更したこと、並びにフィラーであるアルミナ（平均粒子径０．５μｍ）の配合量を１０重量部から２０重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 13)
20 parts by weight of amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) which is a thermosetting agent was changed to 20 parts by weight of pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and alumina (average particle) An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as in Example 6 except that the blending amount of 0.5 μm in diameter was changed from 10 parts by weight to 20 parts by weight.
（実施例１４）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（２Ｂ）で表されるエポキシ化合物（２Ｂ）の配合量を３０重量部から２０重量部に変更したこと、レゾルシノールジグリシジルエーテル１０重量部をさらに加えたこと、並びに熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、カチオン硬化剤（三新化学社製「サンエイドＳＩ−６０」）０．５重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 14)
When preparing the anisotropic conductive paste, the amount of the epoxy compound (2B) represented by the formula (2B) was changed from 30 parts by weight to 20 parts by weight, and 10 parts by weight of resorcinol diglycidyl ether was further added. And 20 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) as a thermosetting agent to 0.5 parts by weight of a cationic curing agent (“Sun Aid SI-60” manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as Example 6 except for the change.
（実施例１５）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（２Ｂ）で表されるエポキシ化合物（２Ｂ）の配合量を３０重量部から１５重量部に変更したこと、レゾルシノールジグリシジルエーテル１５重量部をさらに加えたこと、並びに熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）２０重量部を、カチオン硬化剤（三新化学社製「サンエイドＳＩ−６０」）０．５重量部に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例６と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Example 15)
In preparing the anisotropic conductive paste, the amount of the epoxy compound (2B) represented by the formula (2B) was changed from 30 parts by weight to 15 parts by weight, and 15 parts by weight of resorcinol diglycidyl ether was further added. And 20 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) as a thermosetting agent to 0.5 parts by weight of a cationic curing agent (“Sun Aid SI-60” manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) An anisotropic conductive paste was obtained in the same manner as Example 6 except for the change.
（比較例１）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（１Ｂ）で表されるエポキシ化合物（１Ｂ）３０重量部を、レゾルシノールジグリシジルエーテル３０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Comparative Example 1)
In the preparation of the anisotropic conductive paste, in the same manner as in Example 1 except that 30 parts by weight of the epoxy compound (1B) represented by the formula (1B) was changed to 30 parts by weight of resorcinol diglycidyl ether, An anisotropic conductive paste was obtained.
（比較例２）
異方性導電ペーストの調製の際に、式（１Ｂ）で表されるエポキシ化合物（１Ｂ）３０重量部を、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル３０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that 30 parts by weight of the epoxy compound (1B) represented by the formula (1B) was changed to 30 parts by weight of 1,6-hexanediol diglycidyl ether when preparing the anisotropic conductive paste. In the same manner, an anisotropic conductive paste was obtained.
（比較例３）
異方性導電ペーストの調製の際に、エポキシアクリレートと、光ラジカル開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）とを配合しなかったこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体１，２を得た。
(Comparative Example 3)
Example 1 except that epoxy acrylate and an acyl phosphine oxide compound (“DAROCUR TPO” manufactured by Ciba Japan), which is a photo radical initiator, were not blended in the preparation of the anisotropic conductive paste. Similarly, an anisotropic conductive paste was obtained.
（評価）
（実施例１〜１５及び比較例１〜３の評価）
（１）粘度
Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び２．５ｒｐｍの条件で、得られた異方性導電ペースト（塗布前の異方性導電ペーストの粘度）の粘度を測定した。
(Evaluation)
(Evaluation of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 3)
(1) Viscosity Using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) under the conditions of 25 ° C. and 2.5 rpm, the obtained anisotropic conductive paste (viscosity of the anisotropic conductive paste before application) The viscosity was measured.
（２）Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の粘度
上記接続構造体を得る際に、光重合によって異方性導電ペースト層をＢステージ化させた後であって、Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に半導体チップを積層する直前のＢステージ化された異方性導電ペースト層の粘度を、レオメーター（Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製）を用いて、２５℃及び周波数１Ｈｚの条件で測定した。
(2) Viscosity of B-staged anisotropic conductive paste layer When obtaining the above connection structure, the anisotropic conductive paste layer was B-staged by photopolymerization and B-staged Using a rheometer (manufactured by Anton Paar), the viscosity of the B-staged anisotropic conductive paste layer immediately before laminating the semiconductor chip on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer is 25 ° C. and a frequency of 1 Hz. Measured with
（３）リークの有無
得られた接続構造体１，２を用いて、隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。リークが生じていない場合を「○」、リークが生じている場合を「×」と判定した。
(3) Presence / absence of leakage Using the obtained
（４）ボイドの有無
得られた接続構造体１，２において、異方性導電ペースト層により形成された硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板の下面側から目視により観察した。ボイドが生じていない場合を「○」、ボイドが生じている場合を「×」と判定した。ボイドがあると、接続構造体における導通信頼性が低くなる。
(4) Presence / absence of voids In the obtained
（５）位置ずれの有無
実施例及び比較例における接続構造体１，２をそれぞれ１００個用意した。得られた接続構造体において、透明ガラス基板の電極と半導体チップの電極との間、もしくは透明ガラス基板の電極とフレキシブルプリント基板の電極との間に位置ずれが生じているか否かを評価した。位置ずれを下記の基準で判定した。
(5) Presence / absence of misalignment 100
［位置ずれの判定基準］
○：１００個の接続構造体中全てで、ずれ幅５μｍ以下の電極間の位置ずれなし
×：１００個の接続構造体中、ずれ幅５μｍを超える電極間の位置ずれがある接続構造体が存在する
[Criteria for misalignment]
○: No misalignment between electrodes having a deviation width of 5 μm or less in all 100 connection structures X: Connection structures having misalignment between electrodes exceeding a deviation width of 5 μm exist in 100 connection structures Do
（６）導通信頼性（上下の電極間の導通試験）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗の平均値が２Ω以下である場合を「○」、接続抵抗の平均値が２Ωを超える場合を「×」と判定した。
(6) Conduction reliability (conductivity test between upper and lower electrodes)
The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The average value of the connection resistance at 100 locations was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The case where the average value of the connection resistance was 2Ω or less was judged as “◯”, and the case where the average value of the connection resistance exceeded 2Ω was judged as “X”.
結果を下記の表１に示す。 The results are shown in Table 1 below.
１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…上面
２ｂ…第１の電極
３…接続部
３ａ…上面
３Ａ…異方性導電ペースト層
３Ｂ…Ｂステージ化された異方性導電ペースト層
４…第２の接続対象部材
４ａ…下面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
DESCRIPTION OF
Claims (8)
２５℃及び２．５ｒｐｍでの粘度が２００Ｐａ・ｓを超え、１０００Ｐａ・ｓ以下である、異方性導電ペースト。 It includes electrically and conductive particles, the curable compound as a thermosetting component and a photocurable component and a thermosetting agent and a light curing initiator,
An anisotropic conductive paste having a viscosity of more than 200 Pa · s and not more than 1000 Pa · s at 25 ° C. and 2.5 rpm.
前記接続部が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている、接続構造体。 A first connection target member, a second connection target member, and a connection part that electrically connects the first and second connection target members;
The connection structure in which the said connection part is formed by hardening the anisotropic electrically conductive paste of any one of Claims 1-4 .
前記異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、前記異方性導電ペースト層をＢステージ化する工程と、
Ｂステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、第２の接続対象部材を積層する工程とを備え、
前記異方性導電ペーストとして、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方性導電ペーストを用いる、接続構造体の製造方法。 A step of disposing an anisotropic conductive paste on the upper surface of the first connection target member to form an anisotropic conductive paste layer;
Curing the anisotropic conductive paste layer by irradiating it with light to form a B-stage of the anisotropic conductive paste layer;
A step of laminating a second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer,
The manufacturing method of a connection structure using the anisotropic conductive paste of any one of Claims 1-4 as said anisotropic conductive paste.
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