JP5558158B2 - Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents
Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5558158B2 JP5558158B2 JP2010072215A JP2010072215A JP5558158B2 JP 5558158 B2 JP5558158 B2 JP 5558158B2 JP 2010072215 A JP2010072215 A JP 2010072215A JP 2010072215 A JP2010072215 A JP 2010072215A JP 5558158 B2 JP5558158 B2 JP 5558158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- idt electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本発明は、弾性表面波装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a surface acoustic wave device and a method for manufacturing the same.
従来、圧電基板上にIDT電極を形成した弾性表面波装置が種々提案されている。例えば、特許文献1に記載された弾性表面波装置は、IDT電極と、このIDT電極を外部端子に接続するための電極パッドとを備えており、このIDT電極と電極パッドとが接続配線によって電気的に接続されている。このIDT電極及び接続配線は、一定の厚さの薄膜で形成されている。
Conventionally, various surface acoustic wave devices in which an IDT electrode is formed on a piezoelectric substrate have been proposed. For example, the surface acoustic wave device described in
しかしながら、このIDT電極及び接続配線を形成する薄膜は非常に薄いため、電気抵抗が大きく、抵抗損失が大きい。また、このIDT電極はこのように非常に薄い薄膜で形成されているため、製造工程において損傷を受け易く、断線し易いという問題があった。 However, since the thin film forming the IDT electrode and the connection wiring is very thin, the electric resistance is large and the resistance loss is large. Further, since the IDT electrode is formed of such a very thin thin film, there is a problem that it is easily damaged in the manufacturing process and is easily disconnected.
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供することを第1の目的とする。また、製造工程におけるIDT電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供することを第2の目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problem, and a first object thereof is to provide a surface acoustic wave device capable of reducing resistance loss. A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device that can suppress damage to the IDT electrode in the manufacturing process.
本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成されたIDT電極と、前記IDT電極上に形成されたIDT電極側導電膜を有する接続配線と、前記IDT電極側導電膜上に形成された、前記IDT電極側導電膜よりも厚いバンプ側導電膜を有するとともに、前記IDT電極を外部端子に接続するための電極パッドと、前記圧電基板上に形成され、前記IDT電極と前記電極パッドとを接続する接続配線と、を備える。前記IDT電極は、第1の厚さを有し、前記電極パッドは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有している。前記接続配線の厚さは、前記第1の厚さより大きく且つ前記第2の厚さ
より小さく、前記バンプ側導電膜は、平面視において、前記IDT電極側導電膜の内側よりも内側に設けられている部分を有することを特徴とする。なお、以下の説明において、IDT電極側導電膜は第3導電膜であり、バンプ側導電膜は第4導電膜である。
The surface acoustic wave device according to the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate, a connection wiring having an IDT electrode-side conductive film formed on the IDT electrode, and the IDT electrode-side conductivity. A bump side conductive film that is thicker than the IDT electrode side conductive film formed on the film, an electrode pad for connecting the IDT electrode to an external terminal, and the IDT electrode formed on the piezoelectric substrate; And connection wiring for connecting the electrode pads. The IDT electrode has a first thickness, and the electrode pad has a second thickness greater than the first thickness. The thickness of the connection wiring is larger than the first thickness and smaller than the second thickness, and the bump-side conductive film is provided inside the IDT electrode-side conductive film in a plan view. It has the part which has . In the following description, the IDT electrode-side conductive film is a third conductive film, and the bump-side conductive film is a fourth conductive film.
また、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたIDT電極、該IDT電極を外部端子に接続するための電極パッド、及び前記IDT電極と前記電極パッドとを接続する接続配線と、を備える弾性表面波装置の製造方法である。この製造方法は、前記圧電基板上に、第1の厚さを有する前記IDT電極を形成する
工程と、前記IDT電極上にIDT電極側導電膜を形成し、前記第1の厚さより大きい厚
さの前記接続配線を形成する工程と、前記IDT電極及び前記接続配線上にレジストを塗布し、該IDT電極と該接続配線との接続部分を少なくとも覆うように前記レジストをパターニングする工程と、パターニングされた前記レジストを利用して、前記IDT電極側導電膜よりも厚いバンプ側導電膜を形成することにより、前記接続配線よりも厚い前記電極パッドを前記圧電基板上に形成する工程と、を備えることを特徴とする。なお、以下の説明において、IDT電極側導電膜は第3導電膜であり、バンプ側導電膜は第4導電膜である。
The surface acoustic wave device manufacturing method according to the present invention includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate, an electrode pad for connecting the IDT electrode to an external terminal, the IDT electrode, A method of manufacturing a surface acoustic wave device including a connection wiring for connecting an electrode pad. The manufacturing method on the piezoelectric substrate, wherein the step of forming the IDT electrode, wherein the IDT electrode side conductive film formed on the IDT electrode, thickness greater than said first thickness of having a first thickness and forming the connection wiring, the resist is applied to the IDT electrode and on the connection wiring, and patterning the resist so as to at least cover the connection portion between the IDT electrode and the connection wiring is patterned Forming a bump-side conductive film thicker than the IDT electrode-side conductive film by using the resist, and forming the electrode pad thicker than the connection wiring on the piezoelectric substrate. It is characterized by. In the following description, the IDT electrode-side conductive film is a third conductive film, and the bump-side conductive film is a fourth conductive film.
また、前記レジストをパターニングする工程においては、塗布された前記レジストを現像液によってパターニングしてもよい。 In the step of patterning the resist, the applied resist may be patterned with a developer.
本発明に係る弾性表面波装置によれば、IDT電極と電極パッドとを接続する接続配線における抵抗損失を低減させることができる。また、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、製造工程におけるIDT電極の損傷を抑制することができる。 According to the surface acoustic wave device according to the present invention, it is possible to reduce the resistance loss in the connection wiring connecting the IDT electrode and the electrode pad. Moreover, according to the manufacturing method of the surface acoustic wave device according to the present invention, it is possible to suppress damage to the IDT electrode in the manufacturing process.
以下、本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, an embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
図1〜図3に示すように、本実施形態に係る弾性表面波装置1は、弾性表面波素子3と、この弾性表面波素子3を接合するベース基板5とを備えている。なお、図1では、説明の便宜のため、ベース基板5及び後述する半田バンプ25の図示を省略している。
As shown in FIGS. 1 to 3, the surface
弾性表面波素子3は、例えば弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子等であり、圧電基板7と、圧電基板7上に形成されたIDT電極9、電極パッド11及び枠体17とを備えている。圧電基板7は、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電材料で形成されている。
The surface
IDT電極9は、図1の矢印Y方向に2個並べて配置されている。各IDT電極9は、櫛歯状に形成された2つの電極(以下、櫛歯状電極という)19,19によって構成されている。各櫛歯状電極19,19は、互いに対向し、電極指19a,19aが互いに噛み合うように配置されている。
Two
電極パッド11は、接続配線13によってIDT電極9に接続されており、図2に示すように、ベース基板5に設けられた後述する接続端子21に接続されるようになっている。
The
図2に示すように、枠体17は、各々2つのIDT電極9,電極パッド11及び接続配線13を一括して取り囲むように、圧電基板7の周縁部に沿って設けられている。
As shown in FIG. 2, the
ベース基板5は、セラミックやガラスセラミックなどの絶縁性材料で形成されており、図2及び図3に示すように、半田バンプ25によってその周縁部が枠体17の上面に接合されている。こうすることで、圧電基板7上に形成されたIDT電極9は、枠体17とベース基板5とによって封止されている。
The
図2に示すように、ベース基板5における電極パッド11に対応する位置には、ベース基板5を貫通する貫通孔5aが形成されている。この貫通孔5aには接続端子21が設けられており、各接続端子21は半田バンプ25によって、対応する各電極パッド11に接
合されている。この各接続端子21は、図示しない外部駆動回路に接続された外部端子に接続可能となっている。これにより、IDT電極9に接続配線13を介して接続された電極パッド11が、接続端子21を介して図示しない外部駆動回路の外部端子に電気的に接続可能となっている。
As shown in FIG. 2, a
次に、上記のように構成されたIDT電極9、電極パッド11、接続配線13及び枠体17の断面構成について、詳細に説明する。
Next, the cross-sectional configurations of the
図2及び図3に示すように、IDT電極9は、第1導電膜31及び第2導電膜32で構成されている。そして、枠体17は、第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34をこの順に積層して形成されている。こうすることで、枠体17の高さが、IDT電極9の高さより高くなり、IDT電極9とベース基板5との間に空隙が確保される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
電極パッド11は、図2に示すように、枠体17と同様、第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34をこの順に積層して形成されている。こうすることで、電極パッド11の高さが、枠体17の高さと同じになり、弾性表面波素子3をベース基板5に接合したときに、電極パッド11を、ベース基板5に設けられた接続端子21に接合することができる。
As shown in FIG. 2, the
接続配線13は、第1導電膜31、第2導電膜32及び第3導電膜33をこの順に積層して形成されている。こうすることで、接続配線13の厚さは、IDT電極9の厚さより大きくなっている。
The
なお、上記の第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34は、後述するように、互いに成膜のタイミングを異ならせて形成されている。また、本実施形態では、上記のように、IDT電極9を第1導電膜31及び第2導電膜32で形成し、電極パッド11を第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34で形成することによって、IDT電極9が本発明における第1の厚さを有しており、電極パッド11が本発明における第2の厚さを有している。そして、接続配線13を第1導電膜31、第2導電膜32及び第3導電膜33で形成することによって、接続配線13の厚さが、第1の厚さより大きく且つ第2の厚さより小さくなっている。
The first
第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34は、例えば、AlやAl合金(例えば、Al−Cu系、Al−Ti系)、CuやCu合金(例えば、Cu−Mg系、Cu−Ti系、Cu−Rd系)、AgやAg合金(例えば、Ag−Mg系、Ag−Ti系、Ag−Rd系)、TiやTi合金(例えば、Ti−Al系、Ti−Cu系)等の金属膜で形成することができる。
The first
また、図示しないが、IDT電極9の露出した表面上には、Si,SiO2,SiNx,Al2O3等の絶縁性の高い材料で形成された保護膜を設けてもよい。これによって、導電性の異物がIDT電極9の電極指19a間に付着することによる短絡を防止することができる。
Although not shown, a protective film made of a highly insulating material such as Si, SiO 2 , SiN x , or Al 2 O 3 may be provided on the exposed surface of the
次に、以上のように構成された弾性表面波装置1の製造方法について、図4及び図5を参照しつつ説明する。なお、ここでは、第1導電膜31、第3導電膜33及び第4導電膜34を、Al、Al合金、Cu,Cu合金、Ag及びAg合金のうちのいずれかで形成し、第2導電膜32を、Tiで形成した場合について説明する。
Next, a method for manufacturing the surface
まず、圧電基板7を準備し、図4(a)に示すように、この圧電基板7上に、蒸着法、
スパッタリング法、CVD法等の結晶成長法を用いて、第1導電膜31、第2導電膜32及び第3導電膜33を順次形成し、これらの導電膜で形成された積層体Lを形成する。
First, a
A first
次に、図4(b)に示すように、第3導電膜33上にレジストR1を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光した後、現像液によりこのパターンを現像する。このとき、レジストR1としては、例えば、ノボラック樹脂を含有する感光性のレジスト材料を用いることができる。また、現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液を用いることができる。
Next, as shown in FIG. 4B, a resist R1 is applied on the third
次いで、図4(c)に示すように、ウェットエッチング法により第3導電膜33を選択的にエッチングする。このとき、エッチング剤としては、第3導電膜33より第2導電膜32のエッチングレートが小さくなるものを使用することができ、例えば、レジストR1の現像液と同じ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液を使用することで、第3導電膜33のみを除去することができる。第3導電膜33のエッチング終了後、図4(d)に示すように、レジストR1を剥離する。
Next, as shown in FIG. 4C, the third
続いて、図4(e)に示すように、積層体L上にレジストR2を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光した後、現像液によりこのパターンを現像する。このとき、レジストR2及び現像液としては、例えば、レジストR1に対して例示したものと同じものを用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 4E, a resist R2 is applied on the laminate L, a desired pattern is exposed by a photolithography method, and then the pattern is developed with a developer. At this time, as the resist R2 and the developer, for example, the same ones as exemplified for the resist R1 can be used.
そして、図4(f)に示すように、ドライエッチング法により積層体Lをエッチングして、圧電基板7の一部を露出させる。このとき、エッチング剤としては、例えば、BCl3,Cl2,N2の混合ガスを使用することができる。積層体Lのエッチング終了後、図4(g)に示すように、レジストR2を剥離する。こうして、IDT電極9及び接続配線13が形成される。
And as shown in FIG.4 (f), the laminated body L is etched by the dry etching method, and a part of
次に、図5(h)に示すように、積層体L及び圧電基板7上にレジストR3を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光した後、現像液によりこのパターンを現像する。このとき、レジストR3としては、例えば、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとを含有する感光性のレジスト材料を用いることができる。また、現像液としては、例えば、レジストR1に対して例示したものと同じものを用いることができる。また、このとき、レジストR3は、IDT電極9及び接続配線13を覆うようにパターニングされる。そのため、IDT電極9が現像液によって浸食され、損傷を受けるのを抑制することができる。
Next, as shown in FIG. 5H, a resist R3 is applied onto the laminate L and the
つまり、例えば、図6に示すように、接続配線13がレジストR3によって覆われていない場合を考える。この場合、接続配線13を構成する第3導電膜33とレジストR3との境界面Eが露出する。そのため、レジストR3を現像液により現像する際にこの境界面Eに現像液が侵入して、IDT電極9を構成する第1導電膜31が浸食され易い。これは、第2導電膜32はTiからなるため現像液に対する耐性が大きいが、第2導電膜32の表面を介して現像液が第1導電膜31まで到達し得るためである。したがって、IDT電極9が現像液による損傷を受け易くなっている。IDT電極9の膜厚は非常に薄いため、この損傷によって断線等の問題が生じ易い。なお、接続配線13は、第1導電膜31、第2導電膜32及び第3導電膜33によって形成されており、IDT電極9に比べて厚く形成されているため、現像液によって浸食されても断線には至り難い。
In other words, for example, as shown in FIG. 6, a case where the
これに対し、図5(h)に示す本実施形態のように、IDT電極9に加えて接続配線13を覆う場合、接続配線13におけるIDT電極9との接続部分がレジストR3によって覆われているため、接続配線13を構成する第3導電膜33(の側面)とレジストR3と
の境界面Eは露出しない。そのため、現像液が、IDT電極9を構成する第1導電膜31に到達し難く、IDT電極9の損傷を抑制することができる。
On the other hand, when the
次いで、図5(i)に示すように、スパッタリング法等により第4導電膜34を形成する。そして、図5(j)に示すように、レジストR3を剥離して、レジストR3上に形成された第4導電膜34を除去する。こうすることで、パターニングされたレジストR3を利用して、第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34からなる積層体でそれぞれ構成された電極パッド11及び枠体17が形成される。
Next, as shown in FIG. 5I, a fourth
以上のようにして、本実施形態に係る弾性表面波素子3が製造される。なお、図示していないが、以上の工程はウエハレベルで実施され、ウエハ上に複数個の弾性表面波素子3を形成した後に、ウエハを切断し、複数個の弾性表面波素子3を分離してチップ形状とする。
As described above, the surface
そして、図2に示すように、チップ形状の弾性表面波素子3をベース基板5に対向させて配置し、半田バンプ25によって、ベース基板5の周縁部と枠体17とを接合するとともに、ベース基板5に設けられた接続端子21と電極パッド11とを接合する。こうして、本実施形態に係る弾性表面波装置1が製造される。
As shown in FIG. 2, the chip-shaped surface
本実施形態に係る弾性表面波装置1によれば、接続配線13の厚さが、IDT電極9の厚さより大きく且つ電極パッド11の厚さより小さくなっている。そのため、例えば、接続配線13の厚さを、IDT電極9の厚さと同じにした場合に比べて、接続配線13の電気抵抗を小さくすることができ、電極パッド11とIDT電極9との間の抵抗損失を低減することができる。
According to the surface
また、本実施形態に係る弾性表面波装置1の製造方法によれば、図5(h)に示すように、レジストR3によってIDT電極9及び接続配線13を覆うことにより、IDT電極9と接続配線13との接続部分がレジストR3によって覆われるため、レジストR3の現像液がIDT電極9に到達し難く、現像液がIDT電極9を浸食することによる損傷を抑制することができる。したがって、膜厚の薄いIDT電極9の断線等を抑制することができる。
Further, according to the method for manufacturing the surface
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、図5(h)に示すように、レジストR3によって接続配線13の全体を覆っているが、接続配線13におけるIDT電極9との接続部分をレジストR3によって少なくとも覆っている限り、これに限定されるものではない。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible unless it deviates from the meaning. For example, in the above embodiment, as shown in FIG. 5H, the
また、上記実施形態では、IDT電極9、接続配線13及び電極パッド11の厚さがこの順に大きくなるように構成されているが、このような関係で構成されている限り、IDT電極9、接続配線13及び電極パッド11は、これらを構成する導電膜層の他に、1層以上の導電膜を含んでいてもよい。また、IDT電極9、接続配線13及び電極パッド11の層構成は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、IDT電極9は第1導電膜31及び第2導電膜32の2層で構成され、接続配線13は第1導電膜31、第2導電膜32及び第3導電膜33の3層で構成され、電極パッド11及び枠体17は第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33及び第4導電膜34の4層で構成されているが、IDT電極9、接続配線13、電極パッド11及び枠体17をそれぞれ、1層の導電膜やその他の複数層の導電膜で構成してもよい。
Moreover, in the said embodiment, although it is comprised so that the thickness of
また、上記実施形態では、いわゆるチップサイズパッケージの弾性表面波装置を例示し
て本発明を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、本発明は、いわゆるウエハレベルパッケージの弾性表面波装置にも適用可能である。一般的に、ウエハレベルパッケージの弾性表面波装置の場合、例えば、図7に示すように、枠体17が樹脂で形成され、この枠体17上に樹脂からなる蓋体6が設けられることによってIDT電極9の封止構造が形成される。なお、図7では、図2に示した弾性表面波装置1と同種の構成要素に同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図7の弾性表面波装置10では、枠体17及び蓋体6が樹脂で形成されているため、例えば、図7の横方向に向かう外力が蓋体6にかかったときに、枠体17及び蓋体6が変形し易い。枠体17及び蓋体6が変形すると、ひいてはIDT電極9にも外力がかかる。このとき、上記のように現像液がIDT電極9を浸食して損傷を受けていると、この損傷部分に応力が集中してIDT電極9が破壊される等の問題が生じることがある。これに対し、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、このようなIDT電極の損傷を抑制することができるため、ウエハレベルパッケージの弾性表面波装置により有効である。
In the above embodiment, the present invention has been described by exemplifying a surface acoustic wave device having a so-called chip size package. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a surface acoustic wave device of a so-called wafer level package. In general, in the case of a surface acoustic wave device of a wafer level package, for example, as shown in FIG. 7, a
上述の弾性表面波素子3を実際に作製し、電気特性の測定を行った。具体的には、図4、図5に示したプロセスに沿って以下のようにして弾性表面波素子3を作製した。
The surface
まず、38.7°YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶からなるウエハ状の圧電基板7の主面上に第1導電膜31、第2導電膜32、第3導電膜33をこの順に積層してなる積層体Lを形成した。第1導電膜31及び第3導電膜にはAlを使用し、第2導電膜32にはTiを使用した。
First, a first
次に、レジスト塗布装置によりフォトレジストR1を約0.5μmの厚みに塗布した。そして、縮小投影露光装置(ステッパー)により、IDT電極9となる部分に対応したフォトレジストパターンを形成した。さらに、現像装置にて不要部分のフォトレジストR1を現像液で溶解させた。なお、フォトレジストR1にはノボラック樹脂を使用し、現像液にはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液を使用した。
Next, a photoresist R1 was applied to a thickness of about 0.5 μm using a resist coating apparatus. And the photoresist pattern corresponding to the part used as the
次に、ウェットエッチング法により、第3導電膜33を選択的にエッチングした。エッチング液には、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液を使用した。その後、レジストR1を剥離した。
Next, the third
続いて、積層体L上にレジストR2を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光した後、現像液によりこのパターンを現像した。なお、レジストR2にはレジストR1と同じノボラック樹脂を使用した。現像液もレジストR1の現像に用いたものと同じものを使用した。 Subsequently, a resist R2 was applied on the laminate L, a desired pattern was exposed by a photolithography method, and then this pattern was developed with a developer. Note that the same novolak resin as the resist R1 was used for the resist R2. The same developer as that used for developing the resist R1 was used.
そして、ドライエッチング法により積層体Lをエッチングして、圧電基板7の一部を露出させた。エッチング剤には、BCl3,Cl2,N2の混合ガスを使用した。積層体Lのエッチング終了後、レジストR2を剥離し、IDT電極9及び接続配線13を形成した。
And the laminated body L was etched by the dry etching method, and a part of
次に、積層体L及び圧電基板7上にレジストR3を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光した後、現像液によりこのパターンを現像した。レジストR3には、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとを含有する感光性のレジスト材料を用いた。また、現像液としては、レジストR1に対して使用したものと同じものを用いた。このとき、レジストR3は、IDT電極9及び接続配線13を覆うようにパターニングした。
Next, a resist R3 was applied on the laminate L and the
次いで、スパッタリング法等により第4導電膜34を形成した後、レジストR3を剥離することにより電極パッド11及び枠体17を形成した。第4導電膜34は、Cr/Ni/Auの3層構造とした。
Subsequently, after forming the 4th electrically
その後、ウエハ状の圧電基板3を切断し、個々の弾性表面波素子3を得た。切断後の圧電基板3の寸法は、長さが1.1mm、幅が0.9mm、厚みが0.45mmである。
Thereafter, the wafer-like
また第1導電膜31の厚みは200nm、第2導電膜32の厚みは5nm、第3導電膜33の厚みは1.2μm、第4導電膜の厚みは、Cr層が10nm、Ni層が1.2μm、Au層が50nmである。
The thickness of the first
すなわち、実施例の弾性表面波素子3は、第1の厚さ(IDT電極3の厚さ)が0.205μm、第2の厚さ(電極パッド11の厚さ)が2.665μmであり、接続配線13の厚さが第1の厚さより大きく且つ第2の厚さより小さい1.405μmである。
That is, the surface
一方、実施例と同じ材料を用いて同様の作製方法により比較例としての弾性表面波素子も作製した。ただし比較例の弾性表面波素子は、接続配線13の厚みがIDT電極3の厚さと同じになるようにした。すなわち比較例の弾性表面波素子は、第1の厚さ(IDT電極3の厚さ)及び接続配線13の厚さが0.205μmであり、第2の厚さ(電極パッド11の厚さ)が2.665μmである。
On the other hand, a surface acoustic wave device as a comparative example was also manufactured by the same manufacturing method using the same material as that of the example. However, in the surface acoustic wave device of the comparative example, the thickness of the
このような実施例と比較例の弾性表面波素子について電気特性の測定を行った。測定結果を図8に示す。図8は、実施例と比較例の弾性表面波素子についての通過帯域近傍の周波数特性を示すグラフであり、実線が実施例の弾性表面波素子、破線が比較例の弾性表面波素子をそれぞれ示している。 Electrical characteristics were measured for the surface acoustic wave elements of Examples and Comparative Examples. The measurement results are shown in FIG. FIG. 8 is a graph showing frequency characteristics in the vicinity of the passband for the surface acoustic wave elements of the example and the comparative example, where the solid line indicates the surface acoustic wave element of the example and the broken line indicates the surface acoustic wave element of the comparative example. ing.
この結果から実施例の弾性表面波素子は、比較例の弾性表面波素子に比べて挿入損失が0.15dB改善していることがわかった。 From this result, it was found that the surface acoustic wave device of the example improved the insertion loss by 0.15 dB compared to the surface acoustic wave device of the comparative example.
また実施例と比較例の弾性表面波素子の接続配線13を光学顕微鏡を用いて200倍に拡大した状態で撮影し、それらを比較したところ、両接続配線に違いがみられた。図9は、撮影した接続配線13のエッジ部分を模写した拡大平面図であり、(a)は実施例のもの、(b)は比較例のものである。実施例の弾性表面波素子の接続配線13のエッジ部分は、ほぼ直線状になっていたのに対し、比較例の弾性表面波素子の接続配線13のエッジ部分には微小な凹部がみられた。この凹部は、プロセス中に印加される熱等の影響によって第1電極膜31からその構成材料であるAlの分子が移動する現象(マイグレーション)によって形成されたものと考えられる。接続配線13にこのような凹部が形成されると、端部表皮効果により伝達距離が長くなり、配線の抵抗値が大きくなる。
Moreover, when the
一方、実施例の弾性表面波素子の接続配線13において、このような現象がみられなかったのは、接続配線13の膜厚をIDT電極の膜厚より大きくしたことによって、マイグレーションが起こりにくくなったためと推測される。実施例の結果からして、マイグレーションの発生を抑制するためには、接続配線13の厚さを少なくともIDT電極の厚さよりも7倍以上大きくしておけばよいことがわかる。
On the other hand, this phenomenon was not observed in the
以上のことから実施例の弾性表面波素子は、単に接続配線の厚みが大きくなったことによって配線抵抗が低下しただけでなく、マイグレーションの発生が抑制されたことにより接続配線13のエッジ部の形状が維持され、これによっても配線抵抗が低下したものと考えられる。その結果、実施例の弾性表面波素子は比較例の弾性表面波素子に比べて挿入損失が改善したといえる。
From the above, the surface acoustic wave device according to the example not only has the wiring resistance lowered due to the increase in the thickness of the connection wiring, but also the shape of the edge portion of the
1 弾性表面波装置
3 弾性表面波素子
5 ベース基板
7 圧電基板
9 IDT電極
11 電極パッド
13 接続配線
17 枠体
25 半田バンプ
31 第1導電膜
32 第2導電膜
33 第3導電膜
34 第4導電膜
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記圧電基板上に形成されたIDT電極と、
前記IDT電極上に形成されたIDT電極側導電膜を有する接続配線と、
前記IDT電極側導電膜上に形成された、前記IDT電極側導電膜よりも厚いバンプ側導電膜を有するとともに、前記IDT電極を外部端子に接続するための電極パッドと、を備え、
前記IDT電極は、第1の厚さを有し、
前記電極パッドは、前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有しており、
前記接続配線の厚さは、前記第1の厚さより大きく且つ前記第2の厚さより小さく、
前記バンプ側導電膜は、平面視において、前記IDT電極側導電膜の外周よりも内側に設けられている部分を有することを特徴とする、弾性表面波装置。
A piezoelectric substrate;
An IDT electrode formed on the piezoelectric substrate;
A connection wiring having an IDT electrode-side conductive film formed on the IDT electrode;
An electrode pad formed on the IDT electrode side conductive film and having a bump side conductive film thicker than the IDT electrode side conductive film, and for connecting the IDT electrode to an external terminal;
The IDT electrode has a first thickness;
The electrode pad has a second thickness greater than the first thickness;
A thickness of the connection wiring is larger than the first thickness and smaller than the second thickness;
The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the bump-side conductive film has a portion provided inside the outer periphery of the IDT electrode-side conductive film in plan view.
前記ベース基板は、前記枠体に載置されている請求項1または2に記載の弾性表面波装置。The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the base substrate is placed on the frame.
前記圧電基板上に、第1の厚さを有する前記IDT電極を形成する工程と、
前記IDT電極上にIDT電極側導電膜を形成し、前記第1の厚さより大きい厚さの前
記接続配線を形成する工程と、
前記IDT電極及び前記接続配線上にレジストを塗布し、該IDT電極と該接続配線との接続部分を少なくとも覆うように前記レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストを利用して、前記IDT電極側導電膜よりも厚いバンプ側導電膜を形成することにより、前記接続配線よりも厚い前記電極パッドを前記圧電基板上に形成する工程と、
を備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。 A surface acoustic wave comprising: a piezoelectric substrate; an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate; an electrode pad for connecting the IDT electrode to an external terminal; and a connection wiring for connecting the IDT electrode and the electrode pad. A device manufacturing method comprising:
Forming the IDT electrode having a first thickness on the piezoelectric substrate;
A step of said IDT electrode side conductive film formed on the IDT electrode, to form a <br/> Symbol connecting wire before said greater thickness than the first thickness,
Applying a resist on the IDT electrode and the connection wiring, and patterning the resist so as to cover at least a connection portion between the IDT electrode and the connection wiring;
Forming the electrode pad thicker than the connection wiring on the piezoelectric substrate by forming a bump-side conductive film thicker than the IDT electrode-side conductive film using the patterned resist;
A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010072215A JP5558158B2 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-26 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009078688 | 2009-03-27 | ||
JP2009078688 | 2009-03-27 | ||
JP2010072215A JP5558158B2 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-26 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014107899A Division JP5818946B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-26 | Elastic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010252321A JP2010252321A (en) | 2010-11-04 |
JP5558158B2 true JP5558158B2 (en) | 2014-07-23 |
Family
ID=43314081
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010072215A Active JP5558158B2 (en) | 2009-03-27 | 2010-03-26 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
JP2014107899A Active JP5818946B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-26 | Elastic wave device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014107899A Active JP5818946B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-26 | Elastic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5558158B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5182437B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-04-17 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
JP6385690B2 (en) | 2014-03-05 | 2018-09-05 | 太陽誘電株式会社 | Elastic wave device and manufacturing method thereof |
US10056878B2 (en) * | 2014-12-12 | 2018-08-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of fabricating the same |
KR102117464B1 (en) * | 2015-04-23 | 2020-06-02 | 삼성전기주식회사 | Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
JPWO2018051800A1 (en) * | 2016-09-16 | 2019-02-28 | 株式会社大真空 | Piezoelectric vibration device |
WO2018051800A1 (en) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 株式会社大真空 | Piezoelectric vibration device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3722642B2 (en) * | 1999-04-28 | 2005-11-30 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device |
JP3405329B2 (en) * | 2000-07-19 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | Surface wave device |
JP3925133B2 (en) * | 2000-12-26 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
JP2003087080A (en) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave element and manufacturing method therefor |
JP2003101373A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Tdk Corp | Surface acoustic wave device and surface acoustic wave apparatus |
JP2008199664A (en) * | 2002-06-03 | 2008-08-28 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave device |
JP4195605B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-12-10 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device |
JP4738164B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-08-03 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device and communication device |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010072215A patent/JP5558158B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-26 JP JP2014107899A patent/JP5818946B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010252321A (en) | 2010-11-04 |
JP5818946B2 (en) | 2015-11-18 |
JP2014195312A (en) | 2014-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5818946B2 (en) | Elastic wave device | |
JP4468436B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method thereof | |
US8692440B2 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method therefor | |
JP2006352430A (en) | Piezoelectric device and its manufacturing method | |
US20170359049A1 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2002261560A (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
JP2007318058A (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
CN107112968B (en) | Method for manufacturing elastic wave device and elastic wave device | |
JP5591163B2 (en) | Elastic wave device and manufacturing method thereof | |
JP2015156626A (en) | Acoustic wave element, demultiplexer, and communication device | |
JP2008135998A (en) | Surface acoustic wave device and its manufacturing method | |
JP2007281902A (en) | Hollow structure wafer level package with three-dimensional wiring | |
US6951047B2 (en) | Method of manufacturing a surface acoustic wave element | |
JP5483851B2 (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave device | |
JP2011091616A (en) | Elastic wave device and method of manufacturing the same | |
JP2010081086A (en) | Acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
JP5200727B2 (en) | Method for manufacturing elastic wave device and elastic wave device | |
JP4655151B2 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
JP4731026B2 (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave device | |
JP2009141036A (en) | Package structure | |
JP4419732B2 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
JP2010103920A (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
JP2003332878A (en) | Surface acoustic wave element | |
JPH11312943A (en) | Production of surface acoustic wave device | |
WO2006126382A1 (en) | Piezoelectric device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5558158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |