JP2011091616A - Elastic wave device and method of manufacturing the same - Google Patents

Elastic wave device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2011091616A
JP2011091616A JP2009243410A JP2009243410A JP2011091616A JP 2011091616 A JP2011091616 A JP 2011091616A JP 2009243410 A JP2009243410 A JP 2009243410A JP 2009243410 A JP2009243410 A JP 2009243410A JP 2011091616 A JP2011091616 A JP 2011091616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring conductor
protective film
main surface
excitation electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009243410A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5546203B2 (en
Inventor
Junya Nishii
潤弥 西井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2009243410A priority Critical patent/JP5546203B2/en
Publication of JP2011091616A publication Critical patent/JP2011091616A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5546203B2 publication Critical patent/JP5546203B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an elastic wave device in which corrosion of a wiring conductor is suppressed. <P>SOLUTION: An SAW (Surface Acoustic Wave) device 1 includes: a substrate 3; a SAW element 11 provided on a first principal plane 3a of the substrate 3; a wiring conductor 12 which is provided on the first principal plane 3a and connected to the SAW element 11; and an insulating protective film 25 covering the SAW element 11 and the wiring conductor 12. The protective film 25 has a thin portion 43 covering the SAW element 11 and a thick portion 45 which covers the wiring conductor 12 and is thicker than the thin portion 43. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an acoustic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device and a piezoelectric thin film resonator (FBAR), and a method for manufacturing the same.

基板と、基板の主面上に設けられた導電層（励振電極及び配線導体）と、励振電極を封止するカバーとを有する弾性波装置が知られている。特許文献１は、基板とカバーとの密着性を向上させて、カバーの基板からの剥がれを抑制するために、励振電極及び配線導体を覆うＳｉＯ２からなる保護膜を設け、保護膜上にカバーを積層する技術を開示している。 2. Description of the Related Art An acoustic wave device having a substrate, a conductive layer (excitation electrode and wiring conductor) provided on the main surface of the substrate, and a cover that seals the excitation electrode is known. In Patent Document 1, in order to improve the adhesion between the substrate and the cover and suppress the peeling of the cover from the substrate, a protective film made of SiO 2 covering the excitation electrode and the wiring conductor is provided, and the cover is formed on the protective film. The technique of laminating is disclosed.

特許文献１は、保護膜の厚さは１０〜３０ｎｍが好ましいとしている。その理由として、特許文献１は、保護膜が薄すぎると、励振電極及び配線導体により基板上に段差が生じ、その段差により保護膜の被覆性が悪くなること、逆に、保護膜が厚すぎると、保護膜が励振電極の特性に悪影響を及ぼすことを挙げている。   Patent Document 1 states that the thickness of the protective film is preferably 10 to 30 nm. As the reason, in Patent Document 1, when the protective film is too thin, a step is generated on the substrate by the excitation electrode and the wiring conductor, and the coverage of the protective film is deteriorated due to the step, and conversely, the protective film is too thick. The protective film adversely affects the characteristics of the excitation electrode.

特開２００８−１３５９７１号公報JP 2008-135971 A

上述のように、特許文献１は、カバーの基板からの剥がれ抑制のために保護膜を設けること、また、当該保護膜を比較的薄く形成することを提案している。ここで、保護膜は、配線導体を腐食から保護することにも寄与し得る。しかし、配線導体を腐食から保護する観点からは、保護膜は、より厚く形成されることが好ましく、特許文献１の提案と矛盾する。   As described above, Patent Document 1 proposes to provide a protective film in order to suppress peeling of the cover from the substrate, and to form the protective film relatively thinly. Here, the protective film can also contribute to protecting the wiring conductor from corrosion. However, from the viewpoint of protecting the wiring conductor from corrosion, the protective film is preferably formed thicker, which contradicts the proposal of Patent Document 1.

本発明の目的は、配線導体の腐食を抑制できる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the elastic wave apparatus which can suppress corrosion of a wiring conductor, and its manufacturing method.

本発明の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた励振電極と、前記主面に設けられ、前記励振電極に接続された配線導体と、前記励振電極及び前記配線導体を覆う絶縁性の保護膜と、を有し、前記保護膜は、前記励振電極を覆う薄肉部と、前記配線導体を覆い、前記薄肉部よりも厚い厚肉部と、を有する。   The acoustic wave device of the present invention includes a substrate, an excitation electrode provided on the main surface of the substrate, a wiring conductor provided on the main surface and connected to the excitation electrode, the excitation electrode and the wiring conductor. An insulating protective film for covering, and the protective film includes a thin portion that covers the excitation electrode, and a thick portion that covers the wiring conductor and is thicker than the thin portion.

本発明の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に設けられた励振電極及び配線導体を覆う絶縁性の第１層を形成する工程と、前記第１層のうち前記励振電極を覆う領域を覆う犠牲層を形成する工程と、前記第１層及び前記犠牲層を覆う絶縁性の第２層を形成する工程と、前記第２層の前記犠牲層上の部分、及び、前記犠牲層を除去する工程と、を有する。   The method for manufacturing an acoustic wave device according to the present invention includes a step of forming an insulating first layer that covers an excitation electrode and a wiring conductor provided on a main surface of a substrate, and a region of the first layer that covers the excitation electrode. Forming a sacrificial layer covering the sacrificial layer, forming an insulating second layer covering the first layer and the sacrificial layer, a portion of the second layer on the sacrificial layer, and the sacrificial layer Removing.

本発明によれば、配線導体の腐食を抑制できる。   According to the present invention, corrosion of the wiring conductor can be suppressed.

本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an appearance of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. 図１の弾性表面波装置を一部を破断して示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing the surface acoustic wave device of FIG. 図１の弾性表面波装置の配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the surface acoustic wave apparatus of FIG. 図３のＩＶ−ＩＶ線における概念的な断面図である。FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. 図４の領域Ｖの拡大図である。It is an enlarged view of the area | region V of FIG. 図３のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the VI-VI line of FIG. 図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する、図４に対応する断面図である。It is sectional drawing corresponding to FIG. 4 explaining the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus of FIG. 図７の続きを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the continuation of FIG. 図８の続きを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the continuation of FIG. 第１の実施形態の変形例を示す、図５に対応する断面図である。It is sectional drawing corresponding to FIG. 5 which shows the modification of 1st Embodiment. 第１の実施形態の効果を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the effect of 1st Embodiment. 本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装置の配線構造を示す平面図である。It is a top view which shows the wiring structure of the surface acoustic wave apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。It is sectional drawing in the XIV-XIV line | wire of FIG. 本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波装置の立体交差を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the three-dimensional intersection of the surface acoustic wave apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、以下の複数の実施形態において、同一又は類似する構成については同一の符号を付して説明を省略することがある。   Hereinafter, a surface acoustic wave device (SAW device) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones. In the following embodiments, the same or similar components may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。 <First Embodiment>
(Configuration of SAW device)
FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to the first embodiment of the present invention.

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆ（以下、これらを区別せずに、単に「端子７」ということがある。）と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。   The SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device. The SAW device 1 includes a substrate 3, a cover 5 fixed to the substrate 3, and first to sixth terminals 7 </ b> A to 7 </ b> F exposed from the cover 5 (hereinafter simply referred to as “terminal 7” without distinguishing between them). And a back surface portion 9 provided on the side opposite to the cover 5 of the substrate 3.

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。   Signals are input to the SAW device 1 via any of the plurality of terminals 7. The input signal is filtered by the SAW device 1. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7. The SAW device 1 is, for example, resin-sealed in a state where the surface on the cover 5 side faces a mounting surface such as a circuit board (not shown) and is placed on the mounting surface, whereby the terminal 7 is placed on the mounting surface. It is mounted while connected to the terminal.

基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。   The substrate 3 is composed of a piezoelectric substrate. Specifically, for example, the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The board | substrate 3 has the 1st main surface 3a and the 2nd main surface 3b of the back side. The planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate, but is rectangular, for example. Although the magnitude | size of the board | substrate 3 may be set suitably, for example, thickness is 0.2 mm-0.5 mm, and the length of 1 side is 0.5 mm-2 mm.

カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様（本実施形態では矩形）である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。   The cover 5 is provided so as to cover the first main surface 3a. The planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3 (rectangular in this embodiment). The cover 5 has, for example, a width approximately equal to that of the first main surface 3a and covers almost the entire surface of the first main surface 3a.

複数の端子７は、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。   The plurality of terminals 7 are exposed from the upper surface of the cover 5 (surface opposite to the substrate 3). The number and arrangement position of the plurality of terminals 7 are appropriately set according to the configuration of the electronic circuit inside the SAW device 1. In the present embodiment, six terminals 7 are arranged along the outer periphery of the cover 5.

裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆い、基準電位が付与される裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。   Although not particularly illustrated, the back surface portion 9 includes, for example, a back surface electrode that covers substantially the entire surface of the second main surface 3b and is applied with a reference potential, and an insulating protective layer that covers the back surface electrode. The back surface electrode discharges the charge charged on the surface of the substrate 3 due to a temperature change or the like. Damage to the substrate 3 is suppressed by the protective layer. In addition, below, illustration and description of the back surface part 9 may be omitted.

図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view of the SAW device 1 with a part of the cover 5 cut away.

第１主面３ａには、弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）１１Ａ（図３参照）と、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）１１Ｂとが設けられている。なお、以下では、ＳＡＷ共振子１１ＡとＳＡＷフィルタ１１Ｂとを区別せずに、これらを「ＳＡＷ素子１１」ということがある。なお、図２において、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、後述する図３よりも模式的に示されている。   A surface acoustic wave resonator (SAW resonator) 11A (see FIG. 3) and a surface acoustic wave filter (SAW filter) 11B are provided on the first main surface 3a. Hereinafter, the SAW resonator 11A and the SAW filter 11B may be referred to as “SAW element 11” without being distinguished from each other. In FIG. 2, the SAW filter 11B is shown more schematically than FIG. 3 described later.

また、第１主面３ａには、第１端子７Ａ〜第６端子７Ｆの直下において、第１電極パッド１３Ａ〜第６電極パッド１３Ｆ（図３も参照。以下、単に「電極パッド１３」といい、これらを区別しないことがある。）が設けられている。電極パッド１３は、ＳＡＷ素子１１と接続されている。端子７は、カバー５を貫通するように設けられており、電極パッド１３に接続されることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。   Further, on the first main surface 3a, immediately below the first terminal 7A to the sixth terminal 7F, the first electrode pad 13A to the sixth electrode pad 13F (see also FIG. 3; hereinafter, simply referred to as “electrode pad 13”). May not be distinguished from each other). The electrode pad 13 is connected to the SAW element 11. The terminal 7 is provided so as to penetrate the cover 5, and is connected to the SAW element 11 by being connected to the electrode pad 13.

カバー５は、ＳＡＷ素子１１の周囲に空洞が形成されるように第１主面３ａを覆っている。具体的には、カバー５は、ＳＡＷ共振子１１Ａの周囲に第１振動空間Ｓ１を形成し、ＳＡＷフィルタ１１Ｂの周囲に第２振動空間Ｓ２を形成している。なお、以下では、第１振動空間Ｓ１と第２振動空間Ｓ２とを区別せずに、これらを「振動空間Ｓ」ということがある。   The cover 5 covers the first main surface 3 a so that a cavity is formed around the SAW element 11. Specifically, the cover 5 forms a first vibration space S1 around the SAW resonator 11A, and forms a second vibration space S2 around the SAW filter 11B. Hereinafter, the first vibration space S1 and the second vibration space S2 may be referred to as “vibration space S” without being distinguished from each other.

図３は、基板３の第１主面３ａにおける配線構造を示す模式的な平面図である。なお、図３においては、振動空間Ｓの範囲を２点鎖線で示している。   FIG. 3 is a schematic plan view showing a wiring structure on the first main surface 3 a of the substrate 3. In FIG. 3, the range of the vibration space S is indicated by a two-dot chain line.

ＳＡＷ共振子１１Ａは、例えば、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１５Ａと、ＩＤＴ電極１５Ａの、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ａとを有している。   The SAW resonator 11A includes, for example, an IDT (InterDigital Transducer) electrode 15A and two reflectors 17A arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction (X direction) of the IDT electrode 15A.

ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、例えば、縦結合ダブルモードＳＡＷフィルタにより構成されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、複数（例えば５つ）のＩＤＴ電極１５Ｂと、複数のＩＤＴ電極１５Ｂの、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）両側に配置された２つの反射器１７Ｂとを有している。   The SAW filter 11B is configured by, for example, a vertically coupled double mode SAW filter. That is, the SAW filter 11B includes a plurality (for example, five) of IDT electrodes 15B and two reflectors 17B arranged on both sides of the surface acoustic wave propagation direction (X direction) of the plurality of IDT electrodes 15B. ing.

ＩＤＴ電極１５Ａ又は１５Ｂ（以下、Ａ、Ｂを省略することがある。）は、それぞれ一対の電極から構成されている。この一対の電極は、弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有し、電極指１５ｂが互いに噛合うように配置されている。なお、図３は模式図であることから、電極指１５ｂは、実際の数よりも少ない数で示されている。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。   The IDT electrodes 15A or 15B (hereinafter, A and B may be omitted) are each composed of a pair of electrodes. The pair of electrodes includes a bus bar 15a extending in the propagation direction (X direction) of the surface acoustic wave, and a plurality of electrode fingers 15b extending from the bus bar 15a in a direction (Y direction) perpendicular to the propagation direction. It arrange | positions so that 15b may mutually mesh. Since FIG. 3 is a schematic diagram, the number of electrode fingers 15b is smaller than the actual number. The SAW element 11 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.

第４端子７Ｄは、信号が入力される端子であり、入力側接続線２７を介してＳＡＷ共振子１１Ａに接続されている。ＳＡＷ共振子１１Ａは、中間接続線２９により、ＳＡＷフィルタ１１Ｂと接続されている。ＳＡＷフィルタ１１Ｂは、出力側接続線３１を介して信号を出力する端子としての第３端子７Ｃ及び第６端子７Ｆに接続されている。   The fourth terminal 7 </ b> D is a terminal to which a signal is input, and is connected to the SAW resonator 11 </ b> A via the input side connection line 27. The SAW resonator 11A is connected to the SAW filter 11B by an intermediate connection line 29. The SAW filter 11B is connected to the third terminal 7C and the sixth terminal 7F as terminals for outputting a signal via the output side connection line 31.

第１端子７Ａ、第２端子７Ｂ及び第５端子７Ｅは、基準電位が付与される端子であり、第１グランド接続線３３ａ、第２グランド接続線３３ｂ、第３グランド接続線３３ｃにより互いに接続されている。また、第３グランド接続線３３ｃが分岐することにより、ＳＡＷフィルタ１１Ｂに接続されている。   The first terminal 7A, the second terminal 7B, and the fifth terminal 7E are terminals to which a reference potential is applied, and are connected to each other by the first ground connection line 33a, the second ground connection line 33b, and the third ground connection line 33c. ing. Further, the third ground connection line 33c branches to connect to the SAW filter 11B.

なお、中間接続線２９と、第２グランド接続線３３ｂとは立体交差している。また、出力側接続線３１と第３グランド接続線３３ｃとは立体交差している。   The intermediate connection line 29 and the second ground connection line 33b are three-dimensionally crossed. Further, the output side connection line 31 and the third ground connection line 33c cross each other.

基準電位が付与される電極パッド（１３Ａ、１３Ｂ及び１３Ｅ）からは、延在部３３ｄが基板３の外側へ向かって延在している。延在部３３ｄは、ＳＡＷ装置１の製造過程において、ＳＡＷ装置１の電極パッド（１３Ａ、１３Ｂ及び１３Ｅ）と、他のＳＡＷ装置１の電極パッド（１３Ａ、１３Ｂ及び１３Ｅ）とを接続するためのものである。   An extending portion 33d extends toward the outside of the substrate 3 from the electrode pads (13A, 13B, and 13E) to which the reference potential is applied. The extension 33d is used for connecting the electrode pads (13A, 13B, and 13E) of the SAW device 1 and the electrode pads (13A, 13B, and 13E) of the other SAW device 1 in the manufacturing process of the SAW device 1. Is.

図４は図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。ただし、図４は、図３よりも概念的に描かれており、ＳＡＷ素子１１は図３よりも模式的に示され、第３グランド接続線３３ｃの図示は省略されている。   4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. However, FIG. 4 is drawn more conceptually than FIG. 3, the SAW element 11 is shown more schematically than FIG. 3, and the third ground connection line 33c is not shown.

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた第１導電層１９と、第１導電層１９及び第１主面３ａに積層された保護膜２５とを有している。   The SAW device 1 includes a first conductive layer 19 provided on the first main surface 3a, and a protective film 25 stacked on the first conductive layer 19 and the first main surface 3a.

第１導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、入力側接続線２７、中間接続線２９、出力側接続線３１、第１グランド接続線３３ａ、延在部３３ｄ及び電極パッド１３を構成している。第１導電層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。   The first conductive layer 19 constitutes the SAW element 11, the input side connection line 27, the intermediate connection line 29, the output side connection line 31, the first ground connection line 33 a, the extending portion 33 d, and the electrode pad 13. The first conductive layer 19 is formed of, for example, an Al alloy such as an Al—Cu alloy, and the thickness thereof is, for example, 100 to 300 nm.

なお、以下では、第１導電層１９のうち、入力側接続線２７、中間接続線２９、出力側接続線３１、第１グランド接続線３３ａ及び延在部３３ｄを構成する部分（ＳＡＷ素子１１及び電極パッド１３を除く部分）を「配線導体１２」ということがある。   In the following description, portions of the first conductive layer 19 that constitute the input-side connection line 27, the intermediate connection line 29, the output-side connection line 31, the first ground connection line 33a, and the extending portion 33d (SAW element 11 and The portion excluding the electrode pad 13) may be referred to as “wiring conductor 12”.

保護膜２５は、第１導電層１９及び第１主面３ａに積層された第１保護層３９と、第１保護層３９に積層された第２保護層４１とを有している。   The protective film 25 includes a first protective layer 39 stacked on the first conductive layer 19 and the first main surface 3 a, and a second protective layer 41 stacked on the first protective layer 39.

そして、保護膜２５の、第１保護層３９のみにより構成された部分は、薄肉部４３を構成しており、保護膜２５の、第１保護層３９及び第２保護層４１により構成された部分は、薄肉部４３よりも厚い厚肉部４５を構成している。   And the part comprised only by the 1st protective layer 39 of the protective film 25 comprises the thin part 43, and the part comprised by the 1st protective layer 39 and the 2nd protective layer 41 of the protective film 25 Constitutes a thick part 45 thicker than the thin part 43.

第１保護層３９及び第２保護層４１は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、第１保護層３９と第２保護層４１との境界線を明示しているが、現実の製品においては、第１保護層３９と第２保護層４１とが同一材料により形成され、境界線が明らかでなくてもよい。なお、第１保護層３９及び第２保護層４１は、密着性の観点から同一材料により形成されていることが好ましい。   The first protective layer 39 and the second protective layer 41 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. In this application, for convenience of explanation, the boundary line between the first protective layer 39 and the second protective layer 41 is clearly shown. However, in an actual product, the first protective layer 39 and the second protective layer 41 are made of the same material. The boundary line may not be clear. In addition, it is preferable that the 1st protective layer 39 and the 2nd protective layer 41 are formed with the same material from an adhesive viewpoint.

第１保護層３９及び第２保護層４１は、例えば、絶縁性及び遮水性を有する材料により形成されている。例えば、第１保護層３９及び第２保護層４１は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。 The first protective layer 39 and the second protective layer 41 are made of, for example, a material having insulating properties and water shielding properties. For example, the first protective layer 39 and the second protective layer 41 are formed of silicon oxide (SiO 2 or the like), silicon nitride, silicon, or the like.

第１保護層３９は、電極パッド１３の配置領域を除いて、第１主面３ａの全面に亘って形成されている。すなわち、第１保護層３９は、ＳＡＷ素子１１及び配線導体１２、並びに、第１主面３ａの第１導電層１９の非配置領域に積層されている。   The first protective layer 39 is formed over the entire surface of the first main surface 3a except for the arrangement region of the electrode pads 13. That is, the first protective layer 39 is laminated in the non-arrangement region of the SAW element 11 and the wiring conductor 12 and the first conductive layer 19 of the first main surface 3a.

第２保護層４１は、電極パッド１３の配置領域及びＳＡＷ素子１１の配置領域を除いて、第１主面３ａの全面に亘って形成されている。すなわち、第２保護層４１は、配線導体１２上、及び、第１導電層１９の非配置領域上において、第１保護層３９に積層されている。   The second protective layer 41 is formed over the entire surface of the first main surface 3a except for the region where the electrode pad 13 is disposed and the region where the SAW element 11 is disposed. That is, the second protective layer 41 is laminated on the first protective layer 39 on the wiring conductor 12 and on the non-arrangement region of the first conductive layer 19.

従って、薄肉部４３は、ＳＡＷ素子１１を覆っている。また、厚肉部４５は、配線導体１２を覆っている。図３において、薄肉部４３と厚肉部４５との境界線ＢＬを２点鎖線にて示す。薄肉部４３は、例えば、振動空間Ｓ内に配置されている。   Therefore, the thin portion 43 covers the SAW element 11. Further, the thick part 45 covers the wiring conductor 12. In FIG. 3, the boundary line BL between the thin portion 43 and the thick portion 45 is indicated by a two-dot chain line. The thin part 43 is arrange | positioned in the vibration space S, for example.

図４に示すように、カバー５は、保護膜２５に積層されている。カバー５は、保護膜２５に積層された枠部３５と、枠部３５に積層された蓋部３７とにより構成されている。   As shown in FIG. 4, the cover 5 is laminated on the protective film 25. The cover 5 includes a frame part 35 laminated on the protective film 25 and a lid part 37 laminated on the frame part 35.

枠部３５は、保護膜２５の厚肉部４５に積層されている。枠部３５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲むように形成されている。蓋部３７は、枠部３５に積層され、枠部３５の開口を塞いでいる。そして、第１主面３ａ（保護膜２５）、枠部３５及び蓋部３７により囲まれた空間により、振動空間Ｓが形成されている。   The frame part 35 is laminated on the thick part 45 of the protective film 25. The frame part 35 is formed so as to surround the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a. The lid portion 37 is stacked on the frame portion 35 and closes the opening of the frame portion 35. A vibration space S is formed by a space surrounded by the first main surface 3a (protective film 25), the frame portion 35, and the lid portion 37.

枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。なお、図３における、基板３（第１主面３ａ）の輪郭を示す実線及び振動空間Ｓの範囲を示す２点鎖線により示される形状は、枠部３５の平面形状と概ね同一である。   The frame portion 35 is configured by forming one or more (two in the present embodiment) openings serving as the vibration space S in a layer having a substantially constant thickness. In FIG. 3, the shape indicated by the solid line indicating the outline of the substrate 3 (first main surface 3 a) and the two-dot chain line indicating the range of the vibration space S is substantially the same as the planar shape of the frame portion 35.

本実施形態において、振動空間が２つに分けられているのは、枠部３５による蓋部３７の支持強度を向上させるために、仕切壁３５ｂ（図２）を形成したことによるものである。従って、必要な支持強度が得られるのであれば、ＳＡＷ装置１は、仕切壁３５ｂが省略されて、一の振動空間に２つのＳＡＷ素子１１が配置されていてもよい。   In this embodiment, the vibration space is divided into two because the partition wall 35b (FIG. 2) is formed in order to improve the support strength of the lid portion 37 by the frame portion 35. Therefore, as long as the necessary support strength is obtained, the SAW device 1 may be configured such that the partition wall 35b is omitted and the two SAW elements 11 are arranged in one vibration space.

枠部３５及び蓋部３７は、概ね一定の厚さの層により構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。   The frame part 35 and the lid part 37 are constituted by layers having a substantially constant thickness. The thickness of the frame part 35 (height of the vibration space S) is, for example, several μm to 30 μm. The thickness of the lid part 37 is, for example, several μm to 30 μm.

枠部３５及び蓋部３７は、例えば、感光性樹脂により形成されている。感光性樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。   The frame part 35 and the cover part 37 are made of, for example, a photosensitive resin. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acrylic group or a methacryl group.

なお、枠部３５及び蓋部３７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料により形成され、境界線が明らかでなくてもよい。   In addition, the frame part 35 and the cover part 37 may be formed with the same material, and may be formed with a mutually different material. In this application, for convenience of explanation, the boundary line between the frame part 35 and the lid part 37 is clearly shown. However, in an actual product, the frame part 35 and the lid part 37 are formed of the same material, and the boundary line is clear. It does not have to be.

図５は、図４の領域Ｖを拡大して示す断面図である。   FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a region V in FIG.

第１保護層３９は、例えば、第１導電層１９の配置位置及び非配置位置に亘って、概ね一様の厚さになるように形成されている。第１保護層３９の厚さｔ１、換言すれば、薄肉部４３の厚さｔ１は、例えば、第１導電層１９の厚さｔ０よりも小さい。より具体的には、厚さｔ１は、厚さｔ０の１／１０程度であり、例えば１０〜３０ｎｍである。   For example, the first protective layer 39 is formed to have a substantially uniform thickness over the arrangement position and the non-position position of the first conductive layer 19. The thickness t1 of the first protective layer 39, in other words, the thickness t1 of the thin portion 43 is, for example, smaller than the thickness t0 of the first conductive layer 19. More specifically, the thickness t1 is about 1/10 of the thickness t0, for example, 10 to 30 nm.

第２保護層４１は、例えば、第１導電層１９（配線導体１２）の配置位置及び非配置位置に亘って、上面が平坦になるように形成されている。第２保護層４１は、例えば、厚肉部４５の、第１主面３ａ上における厚さｔ２が、第１導電層１９の厚さｔ０以上となるように設定されている。例えば、厚さｔ２は、１００〜３００ｎｍである。なお、厚さｔ２が厚さｔ０よりも大きくなるように設定すると、一般には、第２保護層４１の厚さ（ｔ２−ｔ１）は、第１保護層３９の厚さｔ１よりも大きくなる。   The second protective layer 41 is formed, for example, so that the upper surface is flat across the arrangement position and the non-arrangement position of the first conductive layer 19 (wiring conductor 12). The second protective layer 41 is set such that, for example, the thickness t2 of the thick portion 45 on the first main surface 3a is equal to or greater than the thickness t0 of the first conductive layer 19. For example, the thickness t2 is 100 to 300 nm. If the thickness t2 is set to be greater than the thickness t0, generally, the thickness (t2-t1) of the second protective layer 41 is greater than the thickness t1 of the first protective layer 39.

図６は、図３のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。すなわち、配線の立体交差を説明する図である。   6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. That is, it is a diagram illustrating a three-dimensional intersection of wiring.

保護膜２５上には、絶縁層２１と、第２導電層２３とが形成されている。   On the protective film 25, an insulating layer 21 and a second conductive layer 23 are formed.

第２導電層２３は、第２グランド接続線３３ｂ及び第３グランド接続線３３ｃを構成している。絶縁層２１は、第１導電層１９と第２導電層２３とが交差する位置において、第１導電層１９と第２導電層２３との間に介在している。   The second conductive layer 23 constitutes a second ground connection line 33b and a third ground connection line 33c. The insulating layer 21 is interposed between the first conductive layer 19 and the second conductive layer 23 at a position where the first conductive layer 19 and the second conductive layer 23 intersect.

絶縁層２１は、例えば、ポリイミドなどの感光性樹脂により形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。第２導電層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。なお、第２導電層２３の材料は、第１導電層１９の材料に比較して、腐食しにくい。第２導電層２３は、絶縁層２１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１導電層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。   The insulating layer 21 is formed of, for example, a photosensitive resin such as polyimide, and the thickness thereof is, for example, 1 to 2 μm. The second conductive layer 23 is made of, for example, gold, nickel, or chromium. Note that the material of the second conductive layer 23 is less susceptible to corrosion than the material of the first conductive layer 19. The second conductive layer 23 is formed, for example, thicker than the first conductive layer 19 so as not to be disconnected due to a step generated by the insulating layer 21, and the thickness thereof is, for example, 1 to 2 μm.

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図７〜図９は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図４に対応する断面図である。製造工程は、図７（ａ）から図９（ｃ）まで順に進んでいく。 (Method for manufacturing SAW device)
7 to 9 are cross-sectional views corresponding to FIG. 4 for explaining the method for manufacturing the SAW device 1. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 7 (a) to FIG. 9 (c).

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図７〜図９では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。後述する他の実施形態の製造工程を説明する図も同様である。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。   The steps described below are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the substrate 3 by being divided, and then a large number of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. . However, in FIGS. 7 to 9, only a portion corresponding to one SAW device 1 is illustrated. The same applies to the drawings for explaining the manufacturing steps of other embodiments to be described later. In addition, although the shape of the conductive layer and the insulating layer changes with the progress of the process, a common code is used before and after the change.

図７（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、第１導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に第１導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子１１及び配線導体１２を含む第１導電層１９が形成される。   As shown in FIG. 7A, first, the first conductive layer 19 is formed on the first main surface 3 a of the substrate 3. Specifically, first, a metal layer to be the first conductive layer 19 is formed on the first main surface 3a by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. Thereby, the first conductive layer 19 including the SAW element 11 and the wiring conductor 12 is formed.

第１導電層１９が形成されると、図７（ｂ）に示すように、第１保護層３９が形成される。なお、厳密には、図７（ｂ）の時点では、第１保護層３９には電極パッド１３を露出させる開口は形成されておらず、第１保護層３９は完成していない。第１保護層３９は、例えば、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。   When the first conductive layer 19 is formed, the first protective layer 39 is formed as shown in FIG. Strictly speaking, at the time of FIG. 7B, the opening for exposing the electrode pad 13 is not formed in the first protective layer 39, and the first protective layer 39 is not completed. The first protective layer 39 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or an evaporation method, for example.

第１保護層３９が形成されると、図７（ｃ）に示すように、薄肉部４３が形成される領域に犠牲層４７が形成される。犠牲層４７は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂（フォトレジスト）の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。   When the first protective layer 39 is formed, a sacrificial layer 47 is formed in the region where the thin portion 43 is formed, as shown in FIG. The sacrificial layer 47 is formed, for example, by forming a thin film of a photosensitive resin (photoresist) by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.

犠牲層４７が形成されると、図７（ｄ）に示すように、第２保護層４１となる薄膜が、第１主面３ａの全面に亘って犠牲層４７及び第１保護層３９上に積層される。当該薄膜は、例えば、第１保護層３９と同様に、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。   When the sacrificial layer 47 is formed, as shown in FIG. 7D, a thin film to be the second protective layer 41 is formed on the sacrificial layer 47 and the first protective layer 39 over the entire surface of the first main surface 3a. Laminated. The thin film is formed, for example, by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method, similarly to the first protective layer 39.

次に、図８（ａ）に示すように、第２保護層４１のうち犠牲層４７上の部分、及び、犠牲層４７を除去する。このようにして、薄肉部４３及び厚肉部４５が形成される。犠牲層４７等の除去は、例えば、犠牲層４７を溶解可能な溶剤を用いて、フォトリソグラフィーの現像と同様に行われる。   Next, as shown in FIG. 8A, the portion of the second protective layer 41 on the sacrificial layer 47 and the sacrificial layer 47 are removed. In this way, the thin portion 43 and the thick portion 45 are formed. The removal of the sacrificial layer 47 and the like is performed, for example, using a solvent capable of dissolving the sacrificial layer 47 in the same manner as the development of photolithography.

犠牲層４７等が除去されると、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法等によって厚肉部４５の一部が除去され、電極パッド１３が露出する。換言すれば、保護膜２５が完成する。   When the sacrificial layer 47 and the like are removed, as shown in FIG. 8B, a part of the thick portion 45 is removed by a photolithography method or the like, and the electrode pad 13 is exposed. In other words, the protective film 25 is completed.

なお、図７（ｂ）の後において第１保護層３９の一部をフォトリソグラフィー法等によって除去して電極パッド１３を露出させ、図７（ｃ）において電極パッド１３上にも犠牲層４７を形成し、図８（ａ）において電極パッド１３上の犠牲層４７及び第２保護層４１を除去することにより、電極パッド１３を露出させてもよい。   7B, a part of the first protective layer 39 is removed by photolithography or the like to expose the electrode pad 13, and the sacrificial layer 47 is also formed on the electrode pad 13 in FIG. 7C. The electrode pad 13 may be exposed by forming and removing the sacrificial layer 47 and the second protective layer 41 on the electrode pad 13 in FIG.

保護膜２５が完成すると、図８（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護膜２５等と同様の薄膜形成法により形成される。   When the protective film 25 is completed, as shown in FIG. 8C, a thin film that becomes the frame portion 35 is formed. The thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin, or by a thin film forming method similar to that of the protective film 25 and the like.

枠部３５となる薄膜が形成されると、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、枠部３５が形成される。これにより、枠部３５の開口（振動空間Ｓとなる部分）、及び、電極パッド１３を露出させる貫通孔が形成される。   When the thin film to be the frame portion 35 is formed, as shown in FIG. 8D, a part of the thin film is removed by a photolithography method or the like, and the frame portion 35 is formed. Thereby, the opening of the frame portion 35 (the portion that becomes the vibration space S) and the through hole that exposes the electrode pad 13 are formed.

枠部３５が形成されると、図９（ａ）に示すように、蓋部３７が形成される。蓋部３７は、枠部３５と同様に、感光性樹脂のフィルムを貼り付けることにより薄膜を形成し、当該薄膜に対して電極パッド１３を露出させるためのフォトリソグラフィーを行うことにより形成される。   When the frame portion 35 is formed, a lid portion 37 is formed as shown in FIG. Similarly to the frame portion 35, the lid portion 37 is formed by forming a thin film by attaching a photosensitive resin film and performing photolithography for exposing the electrode pad 13 to the thin film.

蓋部３７が形成されると、図９（ｂ）に示すように、めっき下地層４９及びレジスト層５１が形成される。   When the lid portion 37 is formed, a plating base layer 49 and a resist layer 51 are formed as shown in FIG.

めっき下地層４９は、第１主面３ａの全面に亘って成膜され、カバー５の上面、カバー５の電極パッド１３を露出させる貫通孔の内周面、電極パッド１３に積層される。めっき下地層４９は、例えば、ＴｉとＣｕとを積層したものからなり、スパッタ法により形成される。   The plating base layer 49 is formed over the entire surface of the first main surface 3 a and is laminated on the upper surface of the cover 5, the inner peripheral surface of the through hole exposing the electrode pad 13 of the cover 5, and the electrode pad 13. The plating base layer 49 is made of, for example, a laminate of Ti and Cu, and is formed by a sputtering method.

レジスト層５１は、カバー５の電極パッド１３上の貫通孔及びその周囲において、めっき下地層４９が露出するように形成される。レジスト層５１は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。   The resist layer 51 is formed so that the plating base layer 49 is exposed in and around the through hole on the electrode pad 13 of the cover 5. The resist layer 51 is formed, for example, by forming a photosensitive resin thin film by spin coating or the like, and patterning the thin film by photolithography.

レジスト層５１が形成されると、図９（ｃ）に示すように、電気めっき処理により、めっき下地層４９の露出部分に金属５３を析出させる。金属５３は、例えば、Ｃｕである。その後、めっき下地層４９のレジスト層５１に被覆されていた部分及びレジスト層５１が除去されることにより、端子７が形成される。   When the resist layer 51 is formed, as shown in FIG. 9C, a metal 53 is deposited on the exposed portion of the plating base layer 49 by electroplating. The metal 53 is, for example, Cu. Thereafter, the portion of the plating base layer 49 covered with the resist layer 51 and the resist layer 51 are removed, whereby the terminals 7 are formed.

なお、上記の説明から理解されるように、端子７は、めっき下地層４９及び金属５３により形成されている。また、端子７のカバー５からの露出面は、ニッケルや金などにより構成されてもよい。   As can be understood from the above description, the terminal 7 is formed of the plating base layer 49 and the metal 53. The exposed surface of the terminal 7 from the cover 5 may be made of nickel, gold, or the like.

図示は省略するが、絶縁層２１及び第２導電層２３は、保護膜２５を形成する工程（図８（ｂ））と枠部３５を形成する工程（図８（ｃ））との間において形成される。絶縁層２１は、例えば、ＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により第１主面３ａの全面に薄膜が形成され、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去されることにより形成される。第２導電層２３は、例えば、第１導電層１９と同様の方法により形成される。   Although illustration is omitted, the insulating layer 21 and the second conductive layer 23 are provided between the step of forming the protective film 25 (FIG. 8B) and the step of forming the frame portion 35 (FIG. 8C). It is formed. The insulating layer 21 is formed, for example, by forming a thin film on the entire surface of the first main surface 3a by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method, and removing a part of the thin film by a photolithography method. The second conductive layer 23 is formed by, for example, the same method as the first conductive layer 19.

端子７の形成後、且つ、ダイシング前においては、端子７を介して信号の入出力を行うことにより、ＳＡＷ装置１の検査が行われる。延在部３３ｄは、ダイシング前においては、他のＳＡＷ装置１の延在部３３ｄと連続しており、検査時の基準電位の安定に寄与する。   After the terminal 7 is formed and before dicing, the SAW device 1 is inspected by inputting and outputting signals through the terminal 7. The extension part 33d is continuous with the extension part 33d of the other SAW device 1 before dicing, and contributes to the stability of the reference potential at the time of inspection.

なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１又はＩＤＴ電極１５は本発明の励振電極の一例であり、第１保護層３９は本発明の第１層の一例であり、第２保護層４１は本発明の第２層の一例であり、第２導電層２３は本発明の積層導体の一例である。   In the above embodiment, the SAW device 1 is an example of the acoustic wave device of the present invention, the SAW element 11 or the IDT electrode 15 is an example of the excitation electrode of the present invention, and the first protective layer 39 is the present invention. It is an example of a 1st layer, the 2nd protective layer 41 is an example of the 2nd layer of this invention, and the 2nd conductive layer 23 is an example of the laminated conductor of this invention.

（第１変形例）
図１０（ａ）は、第１変形例の図５に対応する断面図を示している。第１変形例において、厚肉部４５（第２保護層４１）は、第１主面３ａ上における厚さｔ２と、配線導体１２上における厚さｔ３とが同等になるように形成され、上面に段差が形成されている。 (First modification)
FIG. 10A shows a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the first modification. In the first modification, the thick portion 45 (second protective layer 41) is formed so that the thickness t2 on the first main surface 3a and the thickness t3 on the wiring conductor 12 are equal to each other. Are stepped.

なお、図５等において示した上面が平坦な厚肉部４５は、例えば、配線導体１２よりも高く第２保護層４１となる薄膜を形成した後に平坦化処理をしたり、粘度の低い液状材料を用いた液相成長法により第２保護層４１を形成したりすることにより形成可能である。第１変形例のような厚さが概ね一定の厚肉部４５（第２保護層４１）は、スパッタリングやＣＶＤ法により形成可能である。   The thick portion 45 having a flat upper surface shown in FIG. 5 and the like is, for example, formed by a thin film that is higher than the wiring conductor 12 and becomes the second protective layer 41, and is subjected to a flattening process or a liquid material having a low viscosity. The second protective layer 41 can be formed by a liquid phase growth method using The thick portion 45 (second protective layer 41) having a substantially constant thickness as in the first modification can be formed by sputtering or CVD.

（第２変形例）
図１０（ｂ）は、第２変形例の図５に対応する断面図を示している。第２変形例において、厚肉部４５（第２保護層４１）は、第１変形例と同様に、第１主面３ａ上における厚さｔ２と、配線導体１２上における厚さｔ３とが同等になるように形成され、当該厚さは、配線導体１２の厚さよりも小さい。 (Second modification)
FIG. 10B shows a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the second modified example. In the second modification, the thick portion 45 (second protective layer 41) has the same thickness t2 on the first main surface 3a and the thickness t3 on the wiring conductor 12 as in the first modification. The thickness is smaller than the thickness of the wiring conductor 12.

以上の実施形態及び変形例によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、第１主面３ａに設けられ、ＳＡＷ素子１１に接続された配線導体１２と、ＳＡＷ素子１１及び配線導体１２を覆う絶縁性の保護膜２５とを有する。保護膜２５は、ＳＡＷ素子１１を覆う薄肉部４３と、配線導体１２を覆い、薄肉部４３よりも厚い厚肉部４５とを有する。   According to the embodiment and the modification described above, the SAW device 1 includes the substrate 3, the SAW element 11 provided on the first main surface 3 a of the substrate 3, the first main surface 3 a, and the SAW element 11. The wiring conductor 12 is connected, and the insulating protective film 25 that covers the SAW element 11 and the wiring conductor 12 is included. The protective film 25 includes a thin portion 43 that covers the SAW element 11 and a thick portion 45 that covers the wiring conductor 12 and is thicker than the thin portion 43.

従って、保護膜２５がＳＡＷ素子１１の振動に及ぼす影響を抑制しつつ、配線導体１２の被覆性を向上させ、ひいては、配線導体１２の腐食抑制効果を向上させることができる。   Accordingly, it is possible to improve the coverage of the wiring conductor 12 while suppressing the influence of the protective film 25 on the vibration of the SAW element 11, and consequently improve the corrosion suppressing effect of the wiring conductor 12.

特に、厚肉部４５の第１主面３ａ上における厚みｔ２が、配線導体１２の厚みｔ０以上であることから、腐食抑制効果が飛躍的に向上する。具体的には、以下のとおりである。   In particular, since the thickness t2 of the thick portion 45 on the first main surface 3a is equal to or greater than the thickness t0 of the wiring conductor 12, the corrosion suppression effect is dramatically improved. Specifically, it is as follows.

図５において示す、第１保護層３９のうち、配線導体１２の側面を覆う部分の厚さｔ４は、第１主面３ａ上又は配線導体１２上における第１保護層３９の厚さｔ１に比較して薄くなりやすく、配線導体１２の側面に露出部分が生じることもあり得る。従って、従来においては、一般に、配線導体１２は、最初に側面が腐食する。しかし、厚肉部４５の厚みｔ２が配線導体１２の厚みｔ０以上となると、配線導体１２の側面は、第１保護層３９（従来の保護膜）に覆われる状態から、保護膜２５に埋もれる状態となる。そして、配線導体１２の側面の腐食が確実に抑制され、ひいては、配線導体１２全体としての腐食抑制効果も向上する。   The thickness t4 of the portion of the first protective layer 39 that covers the side surface of the wiring conductor 12 shown in FIG. 5 is compared with the thickness t1 of the first protective layer 39 on the first main surface 3a or on the wiring conductor 12. Therefore, the exposed portion may be formed on the side surface of the wiring conductor 12. Therefore, conventionally, in general, the side surface of the wiring conductor 12 is corroded first. However, when the thickness t2 of the thick portion 45 is equal to or greater than the thickness t0 of the wiring conductor 12, the side surface of the wiring conductor 12 is buried in the protective film 25 from the state covered with the first protective layer 39 (conventional protective film). It becomes. And the corrosion of the side surface of the wiring conductor 12 is reliably suppressed, and the corrosion suppressing effect of the wiring conductor 12 as a whole is also improved.

厚肉部４５の第１主面３ａ上における厚みｔ２は、１００ｎｍ以上である。この程度の厚みがあれば、従来の１０〜３０ｎｍの厚みの保護膜に比較して、十分な腐食抑制効果が期待される。また、上述した、配線導体１２よりも厚い厚肉部４５の形成も期待される。   A thickness t2 of the thick part 45 on the first main surface 3a is 100 nm or more. If there is such a thickness, compared with the conventional protective film having a thickness of 10 to 30 nm, a sufficient corrosion inhibiting effect is expected. Moreover, formation of the thick part 45 thicker than the wiring conductor 12 mentioned above is also anticipated.

ＳＡＷ装置１は、保護膜２５に積層され、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５、及び、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７を有するカバー５を更に有する。配線導体１２及び厚肉部４５は、枠部３５と重なる部分を有する。従って、配線導体１２やＳＡＷ素子１１の腐食抑制効果が向上する。具体的には、以下のとおりである。   The SAW device 1 further includes a cover 5 that is laminated on the protective film 25 and includes a frame portion 35 that surrounds the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and a lid portion 37 that closes the opening of the frame portion 35. The wiring conductor 12 and the thick part 45 have a portion overlapping the frame part 35. Therefore, the corrosion suppression effect of the wiring conductor 12 and the SAW element 11 is improved. Specifically, it is as follows.

図１１（ａ）は、比較例の端子７周辺における断面図を示している。この比較例のように、第２保護層４１（厚肉部４５）が設けられていない場合には、第１保護層３９（比較例における保護膜）の上面には、配線導体１２による段差と同等の段差が生じる。当該段差においては、枠部３５と第１保護層３９との間に隙間Ｃが生じやすい。例えば、フィルムにより枠部３５を形成する場合には、当該段差にフィルムの塑性変形が追従せずに隙間Ｃが生じる。枠部３５は、隙間Ｃが形成されることにより、防水性が低下し、配線導体１２等が腐食する可能性が高くなる。   FIG. 11A shows a cross-sectional view around the terminal 7 of the comparative example. When the second protective layer 41 (thick portion 45) is not provided as in this comparative example, the upper surface of the first protective layer 39 (protective film in the comparative example) An equivalent step occurs. In the step, a gap C is easily generated between the frame portion 35 and the first protective layer 39. For example, when the frame portion 35 is formed of a film, the gap C is generated without plastic deformation of the film following the step. Since the frame portion 35 is formed with the gap C, the waterproof property is lowered, and the possibility that the wiring conductor 12 and the like are corroded is increased.

一方、図４に示すように、本実施形態においては、保護膜２５の上面は平坦である。また、第１及び第２変形例に対応する図１１（ｂ）に示すように、保護膜２５の上面の段差は、配線導体１２による段差よりも緩やかな形状となっている。従って、枠部３５と保護膜２５との密着性が向上し、ひいては、配線導体１２等の腐食抑制効果が向上する。特に、延在部３３ｄのような、配線導体１２が枠部３５の外縁に交差する部分を有するときに有効である。なお、保護膜２５の上面の段差が配線導体１２による段差よりも緩和された形状となるのは、薄膜形成法の指向性が完全ではないことなどに起因する。第１保護層３９（従来の保護膜）は、配線導体１２の厚さに比較して非常に薄いことから、当該第１保護層３９のみでは、当該段差の緩和の効果はほとんど現れない。   On the other hand, as shown in FIG. 4, in the present embodiment, the upper surface of the protective film 25 is flat. Further, as shown in FIG. 11B corresponding to the first and second modified examples, the step on the upper surface of the protective film 25 has a gentler shape than the step due to the wiring conductor 12. Therefore, the adhesion between the frame portion 35 and the protective film 25 is improved, and as a result, the effect of suppressing corrosion of the wiring conductor 12 and the like is improved. This is particularly effective when the wiring conductor 12 has a portion that intersects the outer edge of the frame portion 35, such as the extending portion 33d. The reason why the step on the upper surface of the protective film 25 is more relaxed than the step due to the wiring conductor 12 is that the directivity of the thin film forming method is not perfect. Since the first protective layer 39 (conventional protective film) is very thin as compared with the thickness of the wiring conductor 12, the effect of alleviating the step hardly appears with the first protective layer 39 alone.

保護膜２５は、ＳＡＷ素子１１及び配線導体１２を覆う絶縁性の第１保護層３９と、第１保護層３９の配線導体１２を覆う部分を覆う絶縁性の第２保護層４１とを有する。薄肉部４３は、第１保護層３９により構成され、厚肉部４５は、第１保護層３９及び第２保護層４１により構成されている。   The protective film 25 includes an insulating first protective layer 39 that covers the SAW element 11 and the wiring conductor 12, and an insulating second protective layer 41 that covers a portion of the first protective layer 39 that covers the wiring conductor 12. The thin portion 43 is constituted by the first protective layer 39, and the thick portion 45 is constituted by the first protective layer 39 and the second protective layer 41.

また、当該構成に対応して、ＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。（１）基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１及び配線導体１２を覆う絶縁性の第１保護層３９を形成する工程（図７（ｂ））。（２）第１保護層３９のうちＳＡＷ素子１１を覆う領域を覆う犠牲層４７を形成する工程（図７（ｃ））。（３）第１保護層３９及び犠牲層４７を覆う絶縁性の第２保護層４１を形成する工程（図７（ｄ））。（４）第２保護層４１の犠牲層４７上の部分、及び、犠牲層４７を除去する工程（図８（ａ））。   Corresponding to the configuration, the method for manufacturing the SAW device 1 includes the following steps. (1) A step of forming an insulating first protective layer 39 that covers the SAW element 11 and the wiring conductor 12 provided on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 7B). (2) A step of forming a sacrificial layer 47 that covers a region of the first protective layer 39 that covers the SAW element 11 (FIG. 7C). (3) A step of forming an insulating second protective layer 41 that covers the first protective layer 39 and the sacrificial layer 47 (FIG. 7D). (4) A step of removing the portion of the second protective layer 41 on the sacrificial layer 47 and the sacrificial layer 47 (FIG. 8A).

従って、後述する第２の実施形態に比較して薄肉部４３を薄くすることが容易である（当該効果については、第２の実施形態においても説明する。）。例えば、薄肉部４３をＳＡＷ素子１１よりも薄く形成することが容易である。そして、その結果、保護膜２５がＳＡＷに及ぼす影響を極力抑制することができる。   Therefore, it is easy to make the thin portion 43 thinner than in the second embodiment described later (the effect will be described in the second embodiment). For example, it is easy to form the thin portion 43 thinner than the SAW element 11. As a result, the influence of the protective film 25 on the SAW can be suppressed as much as possible.

＜第２の実施形態＞
図１２は、第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。なお、図１２（ａ）〜図１２（ｄ）に示す工程は、図７（ｂ）〜図８（ｂ）に示す工程に対応する。換言すれば、図７（ａ）、図８（ｃ）〜図９（ｃ）に示す工程については、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様であり、説明は省略する。 <Second Embodiment>
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the SAW device according to the second embodiment. The steps shown in FIGS. 12A to 12D correspond to the steps shown in FIGS. 7B to 8B. In other words, with respect to the steps shown in FIGS. 7A and 8C to 9C, the second embodiment is the same as the first embodiment, and the description thereof is omitted.

図１２（ａ）に示すように、第１主面３ａ上には、保護膜１２５となる薄膜が形成される。当該薄膜は、例えば、第１導電層１９よりも厚く（第１導電層１９が埋没する高さに）形成される。なお、当該薄膜の上面は、平坦であってもよいし、第１導電層１９に起因して段差を有していてもよい。   As shown in FIG. 12A, a thin film to be the protective film 125 is formed on the first main surface 3a. For example, the thin film is formed thicker than the first conductive layer 19 (at a height at which the first conductive layer 19 is buried). The upper surface of the thin film may be flat or may have a step due to the first conductive layer 19.

次に、図１２（ｂ）に示すように、ＳＡＷ素子１１の配置領域を除いてレジスト層１５５が形成される。レジスト層１５５は、例えば、スピンコート等により感光性樹脂（フォトレジスト）の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。   Next, as shown in FIG. 12B, a resist layer 155 is formed except for the arrangement region of the SAW element 11. The resist layer 155 is formed, for example, by forming a thin film of a photosensitive resin (photoresist) by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.

レジスト層１５５がパターニングされると、図１２（ｃ）に示すように、保護膜１２５となる薄膜のうちレジスト層１５５から露出されている部分が、ＲＩＥ等により、ＳＡＷ素子１１が露出しない深さまでエッチングされる。これにより、薄肉部１４３及び厚肉部１４５が形成される。   When the resist layer 155 is patterned, as shown in FIG. 12C, the portion exposed from the resist layer 155 of the thin film that becomes the protective film 125 is deepened to the depth at which the SAW element 11 is not exposed by RIE or the like. Etched. Thereby, the thin part 143 and the thick part 145 are formed.

その後、図１２（ｄ）に示すように、レジスト層１５５は除去される。また、厚肉部１４５は、フォトリソグラフィーなどにより一部が除去され、電極パッド１３が露出する。   Thereafter, as shown in FIG. 12D, the resist layer 155 is removed. Further, the thick portion 145 is partially removed by photolithography or the like, and the electrode pad 13 is exposed.

なお、図１２（ｃ）の工程と図１２（ｄ）の工程との間において、電極指１５ｂ間の領域をフォトリソグラフィーによりエッチングすることも可能である。   In addition, it is also possible to etch the area | region between the electrode fingers 15b between the process of FIG.12 (c), and the process of FIG.12 (d) by photolithography.

以上の実施形態によれば、保護膜１２５は、ＳＡＷ素子１１を覆う薄肉部１４３と、配線導体１２を覆い、薄肉部１４３よりも厚い厚肉部１４５とを有するから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、保護膜１２５がＳＡＷ素子１１の振動に及ぼす影響を抑制しつつ、配線導体１２の被覆性を向上させ、ひいては、配線導体１２の腐食抑制効果を向上せさせることができる。   According to the above embodiment, the protective film 125 includes the thin portion 143 that covers the SAW element 11 and the thick portion 145 that covers the wiring conductor 12 and is thicker than the thin portion 143. Similar effects are produced. That is, it is possible to improve the coverage of the wiring conductor 12 while suppressing the influence of the protective film 125 on the vibration of the SAW element 11, and thus improve the corrosion suppressing effect of the wiring conductor 12.

さらに、第２の実施形態は、保護膜１２５となる薄膜を１回成膜するだけでよいから、第１の実施形態に比較して、製造工程を簡素化することが容易である。   Furthermore, in the second embodiment, it is only necessary to form the thin film that becomes the protective film 125 only once, so that it is easy to simplify the manufacturing process as compared with the first embodiment.

ただし、第２の実施形態は、図１２（ｃ）を参照して説明したように、ＳＡＷ素子１１が露出しないようにエッチングを行う必要があり、第１の実施形態に比較して、エッチングの深さの調整が難しく、また、薄肉部１４３を第１導電層１９よりも薄くすることができない。電極指１５ｂ間のエッチングも行うとすれば、電極指１５ｂが微細であることから、高いエッチング精度が要求されるとともに、工程数の増加を招く。従って、第１の実施形態は、上述のように、第２の実施形態に比較して、薄肉部の薄肉化に有利である。   However, in the second embodiment, as described with reference to FIG. 12C, it is necessary to perform etching so that the SAW element 11 is not exposed. Compared to the first embodiment, the etching is not performed. It is difficult to adjust the depth, and the thin portion 143 cannot be made thinner than the first conductive layer 19. If the etching between the electrode fingers 15b is also performed, since the electrode fingers 15b are fine, high etching accuracy is required and the number of processes is increased. Therefore, as described above, the first embodiment is advantageous in reducing the thickness of the thin portion as compared with the second embodiment.

＜第３の実施形態＞
図１３は、第３の実施形態のＳＡＷ装置を示す、図３に対応する平面図である。 <Third Embodiment>
FIG. 13 is a plan view corresponding to FIG. 3, showing the SAW device of the third embodiment.

第３の実施形態の保護膜２２５（符号は図１４（ａ）参照）は、第１主面３ａの平面視において、ＳＡＷ素子１１を囲む環状に延び、枠部３５と重なる溝部２５３を有している。なお、第３の実施形態のＳＡＷ装置においては、延在部３３ｄは設けられておらず、溝部２５３は、第１導電層１９の全体を囲んでいる。   The protective film 225 of the third embodiment (see FIG. 14A for the reference numeral) has a groove portion 253 that extends in an annular shape surrounding the SAW element 11 and overlaps the frame portion 35 in plan view of the first main surface 3a. ing. In the SAW device according to the third embodiment, the extending portion 33 d is not provided, and the groove portion 253 surrounds the entire first conductive layer 19.

図１４（ａ）は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。   FIG. 14A is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.

溝部２５３は、厚肉部２４５の配置領域内に薄肉部２４３が線状に配置されることにより形成されている。第１保護層３９のパターンは、第１の実施形態と同様である。第２保護層２４１のパターンが第１の実施形態と異なることにより、薄肉部２４３及び厚肉部２４５のパターンは第１の実施形態と異なっている。   The groove part 253 is formed by arranging the thin part 243 linearly in the arrangement region of the thick part 245. The pattern of the first protective layer 39 is the same as that of the first embodiment. Since the pattern of the second protective layer 241 is different from that of the first embodiment, the pattern of the thin portion 243 and the thick portion 245 is different from that of the first embodiment.

枠部３５は、例えば、フィルムが貼り付けられることにより形成され、溝部２５３の形状に追従して塑性変形して、保護膜２２５に密着している。または、枠部３５は、例えば塗布方法やＣＶＤ等の薄膜形成法により形成され、材料が溝部２５３の内面に付着することにより、保護膜２２５に密着している。   The frame portion 35 is formed, for example, by attaching a film, and is plastically deformed following the shape of the groove portion 253 so as to be in close contact with the protective film 225. Alternatively, the frame portion 35 is formed by, for example, a coating method or a thin film forming method such as CVD, and the material adheres to the inner surface of the groove portion 253, thereby being in close contact with the protective film 225.

（第３変形例）
図１４（ｂ）は、第３変形例に係る図１４（ａ）に対応する断面図である。 (Third Modification)
FIG. 14B is a cross-sectional view corresponding to FIG. 14A according to the third modification.

第３変形例では、溝部２５３に代えて、突条部３５３が形成されている。突条部３５３は、薄肉部３４３の配置領域内に厚肉部３４５が線状に配置されて形成されている。なお、突条部３５３の平面形状は、溝部２５３と同様である。第１保護層３９のパターンは、第１の実施形態と同様である。第２保護層３４１のパターンが第１の実施形態と異なることにより、薄肉部３４３及び厚肉部３４５のパターンは第１の実施形態と異なっている。枠部３５は、第３の実施形態と同様に、保護膜３２５に密着している。   In the third modified example, a protrusion 353 is formed instead of the groove 253. The protruding portion 353 is formed by arranging the thick portion 345 in a linear shape within the arrangement region of the thin portion 343. Note that the planar shape of the protrusion 353 is the same as that of the groove 253. The pattern of the first protective layer 39 is the same as that of the first embodiment. The pattern of the thin part 343 and the thick part 345 is different from that of the first embodiment because the pattern of the second protective layer 341 is different from that of the first embodiment. The frame part 35 is in close contact with the protective film 325 as in the third embodiment.

以上の第３の実施形態及び第３変形例によれば、溝部２５３又は突条部３５３により、枠部３５の外部から内部への方向において、保護膜２２５（３２５）と枠部３５との界面における沿面距離が長くなり、水分の浸入が抑制される。また、当該界面に隙間が生じた場合には、当該隙間は、枠部３５に沿って水分を導き、振動空間Ｓ（より好ましくは、第１導電層１９の配置領域）への水分の浸入を抑制する。その結果、保護膜の腐食抑制効果が向上する。   According to the third embodiment and the third modification described above, the interface between the protective film 225 (325) and the frame portion 35 in the direction from the outside to the inside of the frame portion 35 by the groove portion 253 or the protrusion 353. The creepage distance at is increased and the ingress of moisture is suppressed. In addition, when a gap is generated at the interface, the gap guides moisture along the frame portion 35 and allows moisture to enter the vibration space S (more preferably, the region where the first conductive layer 19 is disposed). Suppress. As a result, the corrosion inhibiting effect of the protective film is improved.

なお、第３の実施形態及び第３変形例においても、第１の実施形態と同様に、薄肉部２４３又は３４３は、ＳＡＷ素子１１を覆い、厚肉部２４５又は３４５は、配線導体１２を覆っている。ただし、薄肉部及び厚肉部は、そのように形成されないことも可能である。   In the third embodiment and the third modified example, similarly to the first embodiment, the thin portion 243 or 343 covers the SAW element 11 and the thick portion 245 or 345 covers the wiring conductor 12. ing. However, the thin part and the thick part may not be formed as such.

＜第４の実施形態＞
図１５（ａ）は、第４の実施形態に係るＳＡＷ装置における、図３のＸＶ−ＸＶ線に対応する断面図である。 <Fourth Embodiment>
FIG. 15A is a cross-sectional view corresponding to the line XV-XV in FIG. 3 in the SAW device according to the fourth embodiment.

第１の実施形態では、第２保護層４１上に、絶縁層２１及び第２導電層２３が積層されたのに対し、第４の実施形態では、第１保護層３９上に、絶縁層２１及び第２導電層２３が積層されている。そして、第２導電層２３は、第２保護層４１によって覆われている。   In the first embodiment, the insulating layer 21 and the second conductive layer 23 are stacked on the second protective layer 41, whereas in the fourth embodiment, the insulating layer 21 is formed on the first protective layer 39. And the 2nd conductive layer 23 is laminated | stacked. The second conductive layer 23 is covered with the second protective layer 41.

（第４変形例）
図１５（ｂ）は、第４変形例に係るＳＡＷ装置における、図１５（ａ）に対応する断面図である。 (Fourth modification)
FIG. 15B is a cross-sectional view corresponding to FIG. 15A in the SAW device according to the fourth modification.

第４変形例では、第１導電層１９上に、絶縁層２１及び第２導電層２３が積層されている。そして、第２導電層２３は、第１保護層３９及び第２保護層４１によって覆われている。   In the fourth modified example, the insulating layer 21 and the second conductive layer 23 are stacked on the first conductive layer 19. The second conductive layer 23 is covered with a first protective layer 39 and a second protective layer 41.

以上の第４の実施形態及び第４変形例によれば、第２導電層２３も腐食が抑制される。従って、第２導電層２３を第１導電層１９よりも腐食しにくい材料から選択する必要性が薄れ、設計の自由度が向上する。また、従来は、立体交差部は、その段差が大きく、枠部３５の密着性の観点から、枠部３５と重なる領域に配置することが難しかった。しかし、第２導電層２３によって立体交差部の段差の形状が緩やかにされることから、立体交差部を枠部３５と重なる領域に配置することも可能となる。その結果、第１主面３ａのスペースを有効活用して、ＳＡＷ装置１を小型化することなども可能となる。   According to the fourth embodiment and the fourth modification described above, corrosion of the second conductive layer 23 is also suppressed. Accordingly, the necessity of selecting the second conductive layer 23 from a material that is less likely to corrode than the first conductive layer 19 is reduced, and the degree of freedom in design is improved. Conventionally, the three-dimensional intersection has a large step, and it has been difficult to arrange the three-dimensional intersection in a region overlapping with the frame portion 35 from the viewpoint of adhesion of the frame portion 35. However, since the shape of the step at the three-dimensional intersection is moderated by the second conductive layer 23, the three-dimensional intersection can be arranged in a region overlapping the frame portion 35. As a result, the SAW device 1 can be downsized by effectively utilizing the space of the first main surface 3a.

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiments and modifications, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、絶縁層（２１）及び第２導電層（２３）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。   The elastic wave device is not limited to the SAW device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator. In the acoustic wave device, the insulating layer (21) and the second conductive layer (23) may be omitted, or conversely, other appropriate layers may be formed.

励振電極を覆う薄肉部は、配線導体の一部を覆っていてもよいし、配線導体を覆う厚肉部は、励振電極の一部を覆っていてもよい。導電層に対して、適宜な位置に薄肉部又は厚肉部が配置されてよい。保護膜の厚さは、複数段階に設定されていてもよい。   The thin part covering the excitation electrode may cover a part of the wiring conductor, and the thick part covering the wiring conductor may cover a part of the excitation electrode. A thin part or a thick part may be disposed at an appropriate position with respect to the conductive layer. The thickness of the protective film may be set in a plurality of stages.

１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、１１…ＳＡＷ素子（励振電極）、１２…配線導体、２５…保護膜、４３…薄肉部、４５…厚肉部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave apparatus (elastic wave apparatus), 3 ... Board | substrate, 3a ... 1st main surface (main surface), 5 ... Cover, 11 ... SAW element (excitation electrode), 12 ... Wiring conductor, 25 ... Protective film, 43 ... thin part, 45 ... thick part.

Claims (9)

基板と、
前記基板の主面に設けられた励振電極と、
前記主面に設けられ、前記励振電極に接続された配線導体と、
前記励振電極及び前記配線導体を覆う絶縁性の保護膜と、
を有し、
前記保護膜は、
前記励振電極を覆う薄肉部と、
前記配線導体を覆い、前記薄肉部よりも厚い厚肉部と、
を有する
弾性波装置。 A substrate,
An excitation electrode provided on the main surface of the substrate;
A wiring conductor provided on the main surface and connected to the excitation electrode;
An insulating protective film covering the excitation electrode and the wiring conductor;
Have
The protective film is
A thin portion covering the excitation electrode;
Covering the wiring conductor, and a thick part thicker than the thin part,
An elastic wave device. 前記厚肉部の前記主面上における厚みが、前記配線導体の厚み以上である
請求項１に記載の弾性波装置。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein a thickness of the thick portion on the main surface is equal to or greater than a thickness of the wiring conductor. 前記厚肉部の前記主面上における厚みが、１００ｎｍ以上である
請求項１又は２に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1 or 2 whose thickness on said principal surface of said thick part is 100 nm or more. 前記保護膜に積層され、前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠部、及び、前記枠部の開口を塞ぐ蓋部を有するカバーを更に有し、
前記配線導体及び前記厚肉部は、前記枠部と重なる部分を有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。 A cover that is laminated on the protective film and surrounds the excitation electrode in a plan view of the main surface, and a cover having a lid that closes the opening of the frame;
The elastic wave device according to claim 1, wherein the wiring conductor and the thick portion have a portion that overlaps the frame portion. 前記厚肉部の配置領域内に前記薄肉部が線状に配置されて形成された溝部、又は、前記薄肉部の配置領域内に前記厚肉部が線状に配置されて形成された突条部が、前記主面の平面視において、前記励振電極を囲む環状に延び、前記枠部と重なっている
請求項４に記載の弾性波装置。 A groove formed by arranging the thin portion linearly in the arrangement region of the thick portion, or a ridge formed by arranging the thick portion linearly in the arrangement region of the thin portion. The elastic wave device according to claim 4, wherein the portion extends in an annular shape surrounding the excitation electrode in a plan view of the main surface and overlaps the frame portion. 前記保護膜は、
前記励振電極及び前記配線導体を覆う絶縁性の第１層と、
前記第１層の前記配線導体を覆う部分を覆う絶縁性の第２層と、
を有し、
前記薄肉部は、前記第１層により構成され、
前記厚肉部は、前記第１層及び前記第２層により構成されている
請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The protective film is
An insulating first layer covering the excitation electrode and the wiring conductor;
An insulating second layer covering a portion of the first layer covering the wiring conductor;
Have
The thin portion is constituted by the first layer,
The elastic wave device according to claim 1, wherein the thick part is configured by the first layer and the second layer. 前記配線導体を部分的に覆う絶縁層と、
前記絶縁層を介して前記配線導体と立体交差する積層導体と、
を更に有し、
前記第２層は、前記積層導体を覆っている
請求項６に記載の弾性波装置。 An insulating layer partially covering the wiring conductor;
A laminated conductor that three-dimensionally intersects with the wiring conductor via the insulating layer;
Further comprising
The elastic wave device according to claim 6, wherein the second layer covers the laminated conductor. 前記保護膜がＳｉＯ２からなる
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1, wherein the protective film is made of SiO 2 . 基板の主面に設けられた励振電極及び配線導体を覆う絶縁性の第１層を形成する工程と、
前記第１層のうち前記励振電極を覆う領域を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記第１層及び前記犠牲層を覆う絶縁性の第２層を形成する工程と、
前記第２層の前記犠牲層上の部分、及び、前記犠牲層を除去する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。 Forming an insulating first layer covering the excitation electrode and the wiring conductor provided on the main surface of the substrate;
Forming a sacrificial layer that covers a region of the first layer that covers the excitation electrode;
Forming an insulating second layer covering the first layer and the sacrificial layer;
Removing the portion of the second layer on the sacrificial layer and the sacrificial layer;
The manufacturing method of the elastic wave apparatus which has.
JP2009243410A 2009-10-22 2009-10-22 Elastic wave device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP5546203B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009243410A JP5546203B2 (en) 2009-10-22 2009-10-22 Elastic wave device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009243410A JP5546203B2 (en) 2009-10-22 2009-10-22 Elastic wave device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011091616A true JP2011091616A (en) 2011-05-06
JP5546203B2 JP5546203B2 (en) 2014-07-09

Family

ID=44109450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009243410A Expired - Fee Related JP5546203B2 (en) 2009-10-22 2009-10-22 Elastic wave device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5546203B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014017429A (en) * 2012-07-11 2014-01-30 Murata Mfg Co Ltd Electronic component and manufacturing method of the same
JP2014176089A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Triquint Semiconductor Inc Acoustic wave device and method for forming the same
JP2016119701A (en) * 2016-02-08 2016-06-30 京セラ株式会社 Acoustic wave device, electronic component, and manufacturing method of acoustic wave device
US9654081B2 (en) 2013-07-17 2017-05-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and manufacturing method therefor
JP7418291B2 (en) 2020-06-19 2024-01-19 ＮＤＫ ＳＡＷ ｄｅｖｉｃｅｓ株式会社 surface acoustic wave device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324162A (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Sony Corp Semiconductor device and its manufacturing process
JP2008153957A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Hitachi Media Electoronics Co Ltd Hollow sealing element, its manufacturing method and mobile communication equipment using hollow sealing element
JP2009159124A (en) * 2007-12-25 2009-07-16 Fujitsu Media Device Kk Acoustic wave device and its manufacturing method
WO2009096563A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kyocera Corporation Elastic wave device and method for manufacturing the same
JP2009232138A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Media Device Kk Surface acoustic wave device, and manufacturing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324162A (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Sony Corp Semiconductor device and its manufacturing process
JP2008153957A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Hitachi Media Electoronics Co Ltd Hollow sealing element, its manufacturing method and mobile communication equipment using hollow sealing element
JP2009159124A (en) * 2007-12-25 2009-07-16 Fujitsu Media Device Kk Acoustic wave device and its manufacturing method
WO2009096563A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kyocera Corporation Elastic wave device and method for manufacturing the same
JP2009232138A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Media Device Kk Surface acoustic wave device, and manufacturing method thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014017429A (en) * 2012-07-11 2014-01-30 Murata Mfg Co Ltd Electronic component and manufacturing method of the same
JP2014176089A (en) * 2013-03-08 2014-09-22 Triquint Semiconductor Inc Acoustic wave device and method for forming the same
US9654081B2 (en) 2013-07-17 2017-05-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and manufacturing method therefor
JP2016119701A (en) * 2016-02-08 2016-06-30 京セラ株式会社 Acoustic wave device, electronic component, and manufacturing method of acoustic wave device
JP7418291B2 (en) 2020-06-19 2024-01-19 ＮＤＫ ＳＡＷ ｄｅｖｉｃｅｓ株式会社 surface acoustic wave device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5546203B2 (en) 2014-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5282141B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5497795B2 (en) Elastic wave device
JP5514898B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5546203B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5323637B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5398561B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5818946B2 (en) Elastic wave device
JP5815365B2 (en) Elastic wave device, electronic component, and method of manufacturing elastic wave device
JP2012029134A (en) Acoustic wave device and manufacturing method of the same
JP5721500B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5501792B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP6298120B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP5537096B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP5865698B2 (en) Elastic wave device, electronic component, and method of manufacturing elastic wave device
JP5813177B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP5754907B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP6542818B2 (en) Elastic wave device and method of manufacturing the same
JP5596970B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5997327B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP5883100B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5514478B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof
JP5317912B2 (en) Elastic wave device and method of manufacturing elastic wave device
JP6646089B2 (en) Elastic wave device and circuit board
JP6093051B2 (en) Elastic wave device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120717

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130604

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140415

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5546203

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees