JP5553797B2 - 半導体記憶装置のデータ記録方法 - Google Patents
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Description
11 n型半導体領域
12 第1層間絶縁膜
13 第2層間絶縁膜
14 第3層間絶縁膜
15 第4層間絶縁膜
16 第5層間絶縁膜
20、21 ゲート電極
22 孔
23 ゲート絶縁膜
24 n型多結晶シリコン膜
25 相変化膜
26、27 メタル配線
31 酸化シリコン膜
32 下部電極
33 酸化シリコン膜
34 タングステンプラグ
35 相変化膜
36 上部電極
37 酸化シリコン膜
40 パルス電流源
BL ビット線
SW 電流切り替え用スイッチ
WL ワード線
Claims (5)
- 半導体基板の主面の第1領域にメモリ部が配置され、前記主面の第2領域に周辺回路部が配置され、
前記メモリ部には、相変化材料により構成された情報保持部と、前記情報保持部に電気的に並列に接続され、前記相変化材料に流す電流経路を切り替える電流切り替え用スイッチとからなる複数のメモリビットが電気的に直列に接続されてなるメモリアレイが形成され、
前記周辺回路部には、前記メモリアレイにパルス電流を流すパルス電流源が形成された半導体記憶装置のデータ記録方法であって、
前記パルス電流源により生成されたパルス電流の発生期間内に、前記複数のメモリビットのそれぞれの前記電流切り替え用スイッチを逐次的にON/OFFさせ、前記複数のメモリビットのうちの少なくとも一つのメモリビットの前記情報保持部に前記パルス電流の発生期間よりも短い期間の電流を流すことにより、前記複数のメモリビットに逐次的にデータを書き込むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ記録方法。 - 前記メモリアレイは、前記半導体基板の主面に対して垂直方向に設けられており、前記垂直方向に沿って前記メモリアレイに前記パルス電流を流すことにより、前記複数のメモリビットを動作させることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置のデータ記録方法。
- 前記メモリアレイは、前記半導体基板の前記主面に水平な第1方向およびこれと直交する第2方向に沿ってマトリクス状に複数配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置のデータ記録方法。
- 前記電流切り替え用スイッチは、多結晶シリコン膜で構成されたゲート電極を有するMOSトランジスタで構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置のデータ記録方法。
- 前記相変化材料は、Ge、SbおよびTeを含むカルコゲナイド材料で構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置のデータ記録方法。
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