JP5549185B2 - 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5549185B2 JP5549185B2 JP2009255513A JP2009255513A JP5549185B2 JP 5549185 B2 JP5549185 B2 JP 5549185B2 JP 2009255513 A JP2009255513 A JP 2009255513A JP 2009255513 A JP2009255513 A JP 2009255513A JP 5549185 B2 JP5549185 B2 JP 5549185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- temperature
- substrate
- semiconductor wafer
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 427
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 134
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 88
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 63
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000001089 thermophoresis Methods 0.000 claims description 22
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 11
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
Claims (14)
- 第1の基板ホルダに保持された第1の半導体ウエハと、第2の基板ホルダに保持された第2の半導体ウエハとを、位置合わせ部で互いに位置合わせして重ね合せる重ね合せステップと、
前記重ね合わされた前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとを接合部で接合する接合ステップと、
前記接合ステップに先立って、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度と周囲の温度との温度差によって生じる熱泳動により、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップと
を含む半導体デバイスの製造方法。 - 前記位置合わせ部と前記接合部との間で前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを挟持した前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダを搬送する搬送ステップを含み、
前記塵埃除去ステップは、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度を前記搬送ステップにおける搬送経路の温度よりも高くする請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記接合ステップにより接合された前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを冷却室で冷却する冷却ステップを含み、
前記塵埃除去ステップは、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを挟持した前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダを前記冷却室に載置し、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度と前記冷却室の温度差によって生じる熱泳動により、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方に付着した塵埃を除去する請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記塵埃除去ステップの後であって、前記冷却ステップの前に、前記冷却室の温度を変更する温度変更ステップを有する請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記塵埃除去ステップは、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハの温度が、前記塵埃除去ステップと前記接合ステップの間に前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハが移動する経路上の温度よりも低くなる前に、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを前記冷却室から搬出することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記接合ステップによる加熱に先立って、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを加熱する予備加熱ステップを有する請求項3から5のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記塵埃除去ステップは、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度を、前記予備加熱ステップにおける予備加熱温度よりも低く、前記搬送経路の温度よりも高い温度にする請求項6に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記塵埃除去ステップと前記接合ステップの間に前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダが移動する経路上の温度を取得する温度取得ステップを更に備え、
前記予備加熱ステップは、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの温度を、前記温度取得ステップで取得した温度よりも高くなるよう加熱することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記予備加熱ステップは、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方に付着した塵埃を熱泳動により除去するための時間に低下する前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハの温度に相応する熱量を、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方に加えること特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記予備加熱ステップは、前記塵埃除去ステップに先立って、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを挟持した前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダが搬入されるロードロックチャンバ内で、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方を予備加熱することを特徴とする請求項6から9のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記接合ステップによる加熱に先立って、前記第1の半導体ウエハおよび前記第2の半導体ウエハを加熱する予備加熱ステップを有し、
前記塵埃除去ステップは、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度を、前記予備加熱ステップにおける予備加熱温度よりも低く、前記搬送経路の温度よりも高い温度にする請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 第1の基板ホルダに保持された第1の半導体ウエハと、第2の基板ホルダに保持された第2の半導体ウエハとを、位置合わせ部で互いに位置合わせして重ね合せることにより前記第1の基板ホルダと前記第2の基板ホルダとの間に挟持する挟持ステップと、
前記位置合わせ部を経て接合部に至る搬送経路を、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとを挟持した前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダを搬送する搬送ステップと、
挟持された前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとを接合部で接合する接合ステップと、
前記接合ステップに先立って、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度を前記搬送経路の温度よりも高くすることで、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度と前記搬送経路の温度との温度差によって生じる熱泳動により、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方に対して塵埃の付着を抑止する温度上昇ステップと
を含む半導体デバイスの製造方法。 - 第1の基板ホルダに保持された第1の半導体ウエハと、第2の基板ホルダに保持された第2の半導体ウエハとを、互いに位置合わせして重ね合せることにより前記第1の基板ホルダと前記第2の基板ホルダとの間に挟持する位置合わせ部と、
挟持された前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとを接合する接合部と、
前記接合部での接合に先立って、前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方の温度と周囲の温度との温度差によって生じる熱泳動により、前記接合部での接合に影響を与える塵埃を前記第1の基板ホルダおよび前記第2の基板ホルダの少なくとも一方から除去する塵埃除去部と
を備える基板貼り合せ装置。 - 前記接合部は、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハとを加熱および加圧して接合し、
前記塵埃除去部は、前記接合部での加熱および加圧に影響を与える塵埃を除去する請求項13に記載の基板貼り合せ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255513A JP5549185B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255513A JP5549185B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100901A JP2011100901A (ja) | 2011-05-19 |
JP2011100901A5 JP2011100901A5 (ja) | 2013-03-07 |
JP5549185B2 true JP5549185B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=44191850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009255513A Active JP5549185B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5549185B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5959216B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2016-08-02 | 日東電工株式会社 | 基板搬送方法および基板搬送装置 |
JP6067877B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-01-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置および方法 |
JP6294365B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2018-03-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
CN114975761B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-02-02 | 北京国木武科电子有限公司 | 一种热电半导体器件的自动化焊接方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4623715B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構及び該基板搬送機構を備える基板搬送装置 |
JP4635972B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-02-23 | 株式会社ニコン | ロードロック装置、それを使用した方法及びウエハ接合システム |
TWI478272B (zh) * | 2007-08-15 | 2015-03-21 | 尼康股份有限公司 | A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method |
-
2009
- 2009-11-06 JP JP2009255513A patent/JP5549185B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011100901A (ja) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5549344B2 (ja) | 基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイス製造方法および位置合わせ装置 | |
KR101860956B1 (ko) | 기판홀더쌍, 디바이스의 제조방법, 분리장치, 기판의 분리방법, 기판홀더 및 기판 위치맞춤 장치 | |
JP5418499B2 (ja) | 積層半導体製造装置及び積層半導体製造方法 | |
JP5549185B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板貼り合せ装置 | |
JP2010010628A (ja) | 接合装置および接合方法 | |
KR20140139044A (ko) | 기판 접합 장치 및 기판 접합 방법 | |
JP2010114208A (ja) | 冷却装置および接合システム | |
JP2011071331A (ja) | 基板剥離方法及び基板剥離装置 | |
JP5459025B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法、積層半導体装置、基板貼り合わせ方法及び積層半導体装置の製造方法 | |
JP5476705B2 (ja) | 積層半導体製造装置、積層半導体製造方法および基板ホルダラック | |
JP5593748B2 (ja) | 位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法 | |
JP5626710B2 (ja) | 基板貼り合わせ方法及び基板貼り合わせ装置 | |
JP5560590B2 (ja) | 基板貼り合わせ装置 | |
JP5560729B2 (ja) | 吸着検出方法、積層半導体製造方法、吸着装置および積層半導体製造装置 | |
JP2009194264A (ja) | 基板貼り合わせ装置 | |
JP2012054416A (ja) | 押圧装置、貼り合わせ装置、貼り合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法 | |
JP5671799B2 (ja) | ホルダラック | |
JP5440106B2 (ja) | 基板貼り合せ装置および積層半導体装置の製造方法 | |
JP5614081B2 (ja) | 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法、基板貼り合わせ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
TW201222718A (en) | Thin target wafer support assembly | |
JP5487740B2 (ja) | 重ね合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および重ね合わせ方法 | |
JP2011129777A (ja) | 基板重ね合わせ装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2012004247A (ja) | 基板貼り合せ装置の制御方法、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
JP2011192750A (ja) | 基板ホルダ、基板貼り合せ装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置 | |
JP2012253273A (ja) | 基板貼り合わせ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140505 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5549185 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |