JP5548241B2 - 光合分波器 - Google Patents
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Description
クラッド中に導波路が形成された平面光波回路を用いて構成され、複数の単一モード光信号を一つの多モード光信号に合成、又は一つの多モード光信号を複数の単一モード光信号に分離する光合分波器において、
前記単一モード光信号を伝送する単一モード導波路と前記多モード光信号を伝送する多モード導波路とが、光結合を生じるように、前記平面光波回路の面内方向において近接して配置され、
前記単一モード導波路と前記多モード導波路との間に、前記平面光波回路の厚み方向において誘電率を非対称にするための前記クラッドとは異なる誘電率を有する誘電性調整部が配置され、
前記厚み方向に奇対称の電界分布を持つ伝搬モードの光信号を合成又は分離することを特徴とする。
以下、具体的な構成について説明する。
図5及び図6は、それぞれ本発明の第1の実施形態の光合分波器のうち光結合が生じる部分の透視図及び横断面図を示したものである。本実施形態では、誘電率調整部50として、平面光波回路の上面にスリット51が設けられている。クラッド30にスリットを入れる事でモード結合に上下で非対称が生じ、平面光波回路の厚み方向に奇対称の電界分布を持つ伝搬モードの光信号に対して、上半分と下半分からの結合が相殺されることを防ぐことができる。これにより、縦高次モードのモードカプラを構成できる。
図8及び図9は、それぞれ本発明の第2の実施形態の光合分波器の透視図及び横断面図を示したものである。スリット51を入れる代わりに、クラッド30の厚さを上下非対称にする事で、モード分布に上下の非対称性を生じさせ、平面光波回路の厚み方向に奇対称の電界分布を持つ伝搬モードの光信号に対して、上半分と下半分からの結合が相殺されることを防ぐ。これにより、縦高次モードのモードカプラを構成することができる。例えば、単一モード導波路20及び多モード導波路10よりも下に配置される下側クラッドの厚さDDと、単一モード導波路20及び多モード導波路10よりも上に配置される上側クラッドの厚さDUと、について、DU<DDとする。
図11は本発明の第3の実施形態の光合分波器の横断面図を示したものである。第2の実施形態に第1の実施形態を加える事で作製の自由度をあげることができる。
本実施形態の光合分波器は、実施形態1で説明したスリット51の一部又は全部に、クラッド30とは異なる誘電率をもつ媒質を配置する。図12は本発明の第4の実施形態の光合分波器の横断面図を示したものである。図12(a)はスリット51の全部にクラッドと異なる誘電率をもつ媒質52が充填され、図12(b)はスリット51の底部にクラッドと異なる誘電率をもつ媒質52が充填され、図12(c)はスリット51の中間部にクラッドと異なる誘電率をもつ媒質52が配置され、図12(d)はスリット51の側面部にクラッドと異なる誘電率をもつ媒質52が配置されている。このように、充填する媒質52の誘電率や量を調整することで、作製後にスリット51の特性を微調整することが可能となる。
本実施形態の光合分波器は、実施形態4で説明したスリット51内に配置した媒質52をヒーター電極で加熱あるいは電界、磁界をかけることにより、当該媒質52の光学特性を微調整する。特に充填する媒質として、熱光学効果・電気光学効果・磁気光学効果の大きい媒質を選択すれば、少ない温度変化・電界強度変化で光学特性を大きく変化させることができ、調整範囲を拡大することが可能である。液晶のように異方性をもつ媒質をスリット51に充填し、電界・磁界によって光学軸の方向を変化させることによりスリット51に配置されている媒質52の光学特性を調整することも可能である。PLCあるいはその他の導波路あるいはその近傍に電極を設け、加熱あるいは電界・磁界をかける方法は公知の技術である。
20:単一モード導波路
30:クラッド
50:誘電率調整部
51:スリット
52:媒質
Claims (7)
- クラッド中に導波路が形成された平面光波回路を用いて構成され、複数の単一モード光信号を一つの多モード光信号に合成、又は一つの多モード光信号を複数の単一モード光信号に分離する光合分波器において、
前記単一モード光信号を伝送する単一モード導波路と前記多モード光信号を伝送する多モード導波路とが、光結合を生じるように、前記平面光波回路の面内方向において近接して配置され、
前記単一モード導波路と前記多モード導波路との間に、前記平面光波回路の厚み方向において誘電率を非対称にするための前記クラッドとは異なる誘電率を有する誘電性調整部が配置され、
前記厚み方向に奇対称の電界分布を持つ伝搬モードの光信号を合成又は分離することを特徴とする光合分波器。 - 前記誘電性調整部は、前記平面光波回路の上面に設けられたスリットであることを特徴とする請求項1に記載の光合分波器。
- 前記スリットは、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の最も上面に近い位置を基準にして、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の平均厚さの5%の位置よりも深く、かつ、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の平均厚さの80%の位置よりも浅いことを特徴とする請求項2に記載の光合分波器。
- 前記スリットの一部又は全部に、クラッドと異なる誘電率をもつ媒質が配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の光合分波器。
- 前記スリットに配置されている媒質は電気光学効果、磁気光学効果又は熱光学効果を有し、
前記スリットに配置されている媒質に電気、磁気又は熱を与えることで前記スリットに配置されている媒質の光学特性を調整することを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載の光合分波器。 - 前記単一モード導波路及び前記多モード導波路よりも下に配置されるクラッドの厚さは、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の平均厚さの1倍以上であり、
前記単一モード導波路及び前記多モード導波路よりも上に配置されるクラッドの厚さは、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の平均厚さの25%以下である
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光合分波器。 - 前記単一モード導波路及び前記多モード導波路よりも上に配置されるクラッドの厚さは、前記単一モード導波路及び前記多モード導波路の平均厚さの15%以下であることを特徴とする請求項6に記載の光合分波器。
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