JP5542689B2 - 結合界面を有する発光デバイス - Google Patents
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- エッチング停止層と、n型領域とp型領域との間に配列されているAlGaInP発光層とを含む第1の半導体構造と、
結合層を含む第2の半導体構造と、
前記第1の半導体構造及び前記第2の半導体構造の間に配置された界面に形成されている結合と、
を備え、
前記第1の半導体構造と前記第2の半導体構造とは、前記エッチング停止層を前記結合層に結合することによって接続され、
前記界面に接する結合層は、5,000乃至10,000オングストローム厚であり且つ少なくとも5×1018cm-3の濃度までTeでドープされているInGaP層である、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記エッチング停止層は、250オングストロームより小さい厚みであり且つTeでドープされているInGaPである、
ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。 - 前記界面に接する前記半導体層は、15nmより大きいピーク−谷粗さを有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記界面に接する前記半導体層は、GaAsのバルク格子定数とは異なるバルク格子定数を有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- GaAsのバルク格子定数とは異なる前記バルク格子定数を有する前記界面に接する前記半導体層は、InGaP及びAlGaInPの一方であることを特徴とする請求項4に記載のデバイス。
- 前記界面に接する前記半導体層は、勾配付けされた組成を有していることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記界面に接する前記半導体層のバンドギャップは、前記発光層のバンドギャップより大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記界面に接する半導体層のバンドギャップは、前記発光層のバンドギャップ+0.025eVより大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体構造は、少なくとも10μm厚の透明GaP層を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記界面に接する前記半導体層は、前記p型領域及び上記n型領域の少なくとも一方より重度にドープされていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- エッチング停止層と、n型領域とp型領域との間に配列されているAlGaInP発光層とを含む第1の半導体構造と、
結合層を含む第2の半導体構造と、
前記第1の半導体構造及び前記第2の半導体構造の間に配置された界面に形成されている結合と、
を備え、
前記第1の半導体構造と前記第2の半導体構造とは、前記エッチング停止層を前記結合層に結合することによって接続され、
前記エッチング停止層は、500オングストロームより小さい厚みを有し且つ2×1018cm-3より大きい濃度までTeでドープされているAlGaInPであり、
前記結合層は、8%乃至16%のInP組成と2,000乃至20,000オングストロームの厚みとを有し且つ8×1018cm-3の濃度までTeでドープされているInGaPである、
ことを特徴とするデバイス。 - GaAs基板上に第1の半導体構造を成長させるステップ、
を含み、
前記第1の半導体構造は、
150オングストロームより小さい厚みを有するエッチング停止層と、
n型領域とp型領域との間に配置されているAlGaInP発光層と、
を含み、
前記GaAs基板を除去するステップと、
前記第1の半導体構造を、第2の半導体構造に結合するステップと、
を更に含み、
前記第2の半導体構造は、5,000乃至10,000オングストローム厚であり且つ少なくとも5×1018cm-3の濃度までTeでドープされているInGaP層である結合層を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記エッチング停止層は、45乃至50%のInP組成を有するInGaPまたはAlGaInPであることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記エッチング停止層は第2のエッチング停止層であり、
前記第1の半導体構造は、第1のエッチング停止層を更に含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記第1のエッチング停止層はAlGaAsであり、前記第2のエッチング停止層はInGaP及びAlInGaPの一方であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
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