JP5542627B2 - Connection plate, junction structure, and semiconductor device - Google Patents
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Description
この発明は、接続板、接合構造及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a connection plate, a bonding structure, and a semiconductor device.
従来の半導体装置には、例えば特許文献1のように、半導体チップとリードとを導電性の板材からなる接続板によって電気接続したものがある。この種の半導体装置では、接続板の両端部と半導体チップ及びリードとをはんだにより接合している。なお、接続板と半導体チップ及びリードとの接合は、例えば、スクリーン印刷等によりはんだ(はんだペースト)を半導体チップやリードに塗布した上で接続板の両端部を半導体チップ上及びリード上に配置した後、リフローによりはんだを溶融することで行われる。
また、この種の半導体装置では、半導体チップや接続板の全体、及び、接続板を接合したリードの一端(インナーリード)をモールド樹脂内に埋設し、リードの他端(アウターリード)をモールド樹脂の外側に位置させることが多い。
As a conventional semiconductor device, for example, as disclosed in
In this type of semiconductor device, the entire semiconductor chip and connection plate, and one end (inner lead) of the lead joined to the connection plate are embedded in the mold resin, and the other end (outer lead) of the lead is molded resin. Often located outside of.
しかしながら、接続板とリードとをはんだで接合する際には、余分なはんだがリード上で濡れ広がってしまう、という問題がある。特に、近年では、モールド樹脂の外側に位置するリードの他端を鉛フリーとすることが必要とされているため、余分なはんだがリードの他端にまで濡れ広がった場合、半導体装置の品質問題となってしまう。
一方、余分なはんだが濡れ広がらないように、接続板とリードの一端とを接合するはんだの量を減らすと、接続板とリードとの接合が不十分(接続点オープン)となってはんだとリードとの電気接続が不良となり、半導体装置の品質問題が生じる。
また、接続板とリードとの接合面積は、接続板と半導体チップとの接合面積と比較して小さくなることが多く、この場合、前述したリフロー時に半導体チップの位置がずれてしまうと、接続板も半導体チップと共に移動してしまう。その結果として、接続板とリードとの接合を確保できなくなり、半導体装置の品質問題が生じる。
However, when the connection plate and the lead are joined by solder, there is a problem that excess solder wets and spreads on the lead. In particular, in recent years, it is necessary to make the other end of the lead located outside the mold resin lead-free, so if excess solder wets and spreads to the other end of the lead, the quality problem of the semiconductor device End up.
On the other hand, if the amount of solder that joins the connection plate and one end of the lead is reduced to prevent excess solder from getting wet and spreading, the connection between the connection plate and the lead will be insufficient (connection point open), and the solder and lead As a result, the electrical connection with the semiconductor device becomes poor, resulting in a quality problem of the semiconductor device.
In addition, the bonding area between the connection plate and the lead is often smaller than the bonding area between the connection plate and the semiconductor chip. In this case, if the position of the semiconductor chip is displaced during the reflow described above, Will also move with the semiconductor chip. As a result, it becomes impossible to ensure the connection between the connection plate and the lead, which causes a quality problem of the semiconductor device.
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、良好な品質の半導体装置、この製造に用いる接続板、及び、接続板とリードとの接合構造を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device of good quality, a connection plate used for manufacturing the same, and a connection structure between the connection plate and a lead.
この課題を解決するために、本発明の接続板は、互いに間隔をあけて配された半導体チップ及び導電性を有する板状のリードに両端部を接合することにより、これら半導体チップとリードとを電気接続する接続板であって、前記リードの上面に配される平板状の一端部には、前記リードの上面に対向する前記一端部の下面から窪む凹部が形成され、前記凹部が、前記接続板の板厚方向に貫通し、前記凹部は、前記一端部の下面側から上面側に向かうにしたがって大きくなるように設定されていることを特徴とする。 In order to solve this problem, the connecting plate according to the present invention has a semiconductor chip and a lead connected to each other by joining both ends to a semiconductor chip and a conductive plate-like lead that are spaced apart from each other. A connecting plate for electrical connection, and a flat end disposed on the upper surface of the lead is formed with a recess recessed from the lower surface of the one end facing the upper surface of the lead , It penetrates in the plate | board thickness direction of the said connection board, and the said recessed part is set so that it may become large as it goes to the upper surface side from the lower surface side of the said one end part .
また、本発明の接続構造は、前記接続板と、導電性を有する板状のリードとがはんだによって接合されていることを特徴とする。 Moreover, the connection structure of the present invention is characterized in that the connection plate and a conductive plate-like lead are joined by solder.
さらに、本発明の半導体装置は、前記接続板を用いて製造されるものであって、前記接続板の両端部が、はんだによって、互いに間隔をあけて配された半導体チップと導電性を有する板状のリードとに接合されていることを特徴とする。 Furthermore, the semiconductor device of the present invention is manufactured using the connection plate, and both ends of the connection plate are electrically connected to the semiconductor chip arranged at intervals from each other by solder. It is characterized by being bonded to a lead having a shape.
本発明では、リードとの接合箇所となる接続板の一端部に凹部が形成されていることで、一端部に対するはんだの濡れ面積が増加するため、はんだの量を減らさなくても、リードにおけるはんだの濡れ広がりを抑えることができる。また、接続板とリードとの接合に要するはんだの量を十分に確保することができる。
さらに、接続板の一端部に対するはんだの濡れ面積が増加することで、一端部とリードとの接合面積が大きくなるため、接続板の他端部と半導体チップとの接合面積に対する一端部とリードとの接合面積の差を小さく設定できる。したがって、接続板の両端部を半導体チップ及びリードに接合するためにリフローを実施した際に、半導体チップの位置ずれが生じたとしても、接続板が半導体チップと共に移動することを抑制して、接続板とリードとの接合を確保することができる。
また、リフローの際に溶融したはんだの表面張力により、はんだを接続板の一端部の下面側から上面まで濡れ広がらせて、一端部をはんだに係合させることができる。すなわち、接続板をリードに対してより強固に固定することができる。
In the present invention, since the concave portion is formed at one end of the connecting plate that is a joint portion with the lead, the wetted area of the solder with respect to the one end increases, so the solder in the lead can be reduced without reducing the amount of solder. The spread of wetting can be suppressed. In addition, a sufficient amount of solder for joining the connection plate and the leads can be ensured.
Further, since the solder wetted area with respect to one end of the connecting plate increases, the bonding area between the one end and the lead increases, so that the one end and the lead with respect to the bonding area between the other end of the connecting plate and the semiconductor chip The difference in bonding area can be set small. Therefore, when reflow is performed to join both ends of the connection plate to the semiconductor chip and leads, even if the semiconductor chip is displaced, the connection plate is restrained from moving together with the semiconductor chip. Bonding between the plate and the lead can be ensured.
Moreover, the solder can be wetted and spread from the lower surface side to the upper surface of one end portion of the connection plate by the surface tension of the solder melted at the time of reflow, and the one end portion can be engaged with the solder. That is, the connection plate can be more firmly fixed to the lead.
そして、前記接続板において、前記一端部に対して折り曲げられることで前記リードの上面に立設される平板状の立設板部が形成される場合には、前記凹部が、前記一端部の下面からこれに連なる前記立設板部の下面まで延びていることがより好ましい。 In the connection plate, when a flat plate-like standing plate portion standing on the upper surface of the lead is formed by being bent with respect to the one end portion, the concave portion is a lower surface of the one end portion. It is more preferable that it extends to the lower surface of the upright plate portion connected to this.
この構成では、リフローを実施した際に、溶融したはんだを、毛細管現象等によって一端部から立設板部まで凹部の延在方向に濡れ広がらせることができる。
このように接続板がリードに接合された状態では、立設板部がその下面側からはんだによって支持されているため、平板状の一端部がリードの上面に沿って立設板部側に移動することを確実に防止することが可能となる。すなわち、接続板をリードに対してより強固に固定することができる。
In this configuration, when carrying out the reflow, the solder melted, Ru can be wet and spread from one end in the extending direction of the concave portion to the upright plate portion by a capillary phenomenon or the like.
When the connecting plate is joined to the lead in this way, the standing plate portion is supported by the solder from the lower surface side, so that one end of the flat plate moves to the standing plate portion side along the upper surface of the lead. It is possible to reliably prevent this. That is, the connection plate can be more firmly fixed to the lead.
なお、前記接続板においては、前記凹部が、平面視で丸みを帯びた形状に形成されていてもよいし、平面視で多角形状に形成されていてもよい。
また、前記接続板においては、前記一端部の側面に開口していてもよい。
さらに、前記接続板においては、前記凹部が複数形成されていてもよい。
In the connection plate, the concave portion may be formed in a rounded shape in a plan view, or may be formed in a polygonal shape in a plan view.
Moreover, in the said connection board, you may open to the side surface of the said one end part.
Furthermore, a plurality of the recesses may be formed in the connection plate.
そして、前記接続構造においては、前記一端部が配置される前記リードの一端の上面が、当該リードの他端の上面よりも低く位置することがより好ましい。
この構成では、リフロー時に溶融したはんだがリードの一端から他端側に流出することをより確実に防止することができる。
And in the said connection structure, it is more preferable that the upper surface of the end of the said lead where the said one end part is arrange | positioned is located lower than the upper surface of the other end of the said lead.
With this configuration, it is possible to more reliably prevent solder melted during reflow from flowing out from one end of the lead to the other end side.
本発明によれば、接続板とリードとを確実に電気接続することができ、品質の良好な半導体装置を提供することが可能となる。 According to the present invention, the connection plate and the lead can be reliably electrically connected, and a semiconductor device with good quality can be provided.
〔第一実施形態〕
以下、図1〜4を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図1,2に示すように、この実施形態に係る半導体装置1は、導電性を有する板材からなる二つのリード2,3と、各リード2,3の一端21,31(以下、インナーリード21,31とも呼ぶ。)に電気接続される半導体チップ4と、第一リード2の一端21及び半導体チップ4に接合して第一リード2と半導体チップ4とを電気接続する接続板5と、各リード2,3の一端21,31、半導体チップ4及び接続板5を封止するモールド樹脂6とを備えている。この構成では、各リード2,3の他端22,32(以下、アウターリード22,32とも呼ぶ。)が、半導体チップ4を外部に接続するための端子として機能する。
本実施形態の半導体チップ4は、平面視矩形の板状に形成され、例えばダイオードやトランジスタ等のように上面及び下面に電極を形成して構成されている。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, the
The semiconductor chip 4 of the present embodiment is formed in a rectangular plate shape in plan view, and is configured by forming electrodes on the upper surface and the lower surface, such as a diode or a transistor.
※リードの説明
二つのリード2,3は、それぞれ導電性を有する板状に形成され、互いに間隔をあけて配されている。
第一リード2の一端21(第一インナーリード21)の上面21aは、はんだ7によって接続板5の一端部51を接合する面をなし(図4参照)、接続板5よりも幅広に形成されている。一方、第二リード3の一端31(第二インナーリード31)の上面31aは、はんだによって半導体チップ4を接合する面をなし、半導体チップ4の接合領域は半導体チップ4と同様の平面視矩形に形成されている。そして、各リード2,3には、その一端21,31の上面21a,31aが他端22,32の上面22a,32aよりも低く位置するように、段差部23,33が形成されている。この段差部23,33は、モールド樹脂6内に位置している。
* Explanation of Leads The two leads 2 and 3 are each formed into a conductive plate shape and are spaced apart from each other.
An
なお、図示例において、モールド樹脂6の側部から突出する各リード2,3のアウターリード22,32は、モールド樹脂6の外面に沿うように屈曲されているが、これに限ることは無く、半導体装置1を搭載する態様に応じて任意の形状に形成されていればよい。
また、図示例では、二つのインナーリード21,31の上面21a,31aが同じ高さに位置し、第一インナーリード21の上面21aが第二リード3上に配された半導体チップ4の上面よりも低く位置しているが、これに限ることは無く、例えば第一インナーリード21の上面21aと半導体チップ4の上面とが同じ高さに位置するように二つのリード2,3の相対的な高さ位置を適宜設定してもよい。
In the illustrated example, the
In the illustrated example, the
接続板5は、第一リード2及び半導体チップ4の配列方向に延びる板状に形成され、第一インナーリード21の上面21aに配される平板状の一端部51と、半導体チップ4の上面に配される平板状の他端部52と、一端部51及び他端部52を相互に連結する連結部53とを備えている。これら一端部51、連結部53及び他端部52は、接続板5の長手方向に順番に並んでいる。
なお、接続板5の他端部52は、一端部51や連結部53よりも幅広に形成されている。また、連結部53は、断面矩形状に折り曲げられて形成されており、一端部51に対して折り曲げられることで第一インナーリード21の上面21aに立設される立設板部54を有している。
The
The
そして、接続板5の一端部51には、図3,4に示すように、その下面51bから上面51aまで板厚方向に貫通すると共に一端部51の側面51cに開口する凹部55が形成されている。
本実施形態の凹部55は、平面視で丸みを帯びた形状に形成されている。なお、図示例では、凹部55の内側面が窪むように湾曲しているが、例えば内側面が凹部55内の空間側に膨出するように湾曲していてもよい。
また、図示例では、凹部55が接続板5の長手方向に交差する一端部51の側面51cに開口しているが、例えば、接続板5の長手方向に沿う一端部51の側面51dに開口してもよい。
As shown in FIGS. 3 and 4, a
The recessed
In the illustrated example, the
以上のように形成された接続板5の両端部(一端部51及び他端部52)を第一リード2及び半導体チップ4に接合する場合には、従来と同様に、ペースト状のはんだ7を半導体チップ4及び第一インナーリード21の上面21aに塗布した上で、接続板5の一端部51及び他端部52を第一リード2上及び半導体チップ4上にそれぞれ配置し、その後、リフローによりはんだ7を溶融すればよい。
このリフローの際には、図4に示すように、第一インナーリード21上で溶融したはんだ7が、接続板5の一端部51の下面51bや側面51c,51dに加え、凹部55の内側面にも濡れ広がることになる。そして、このように濡れ広がったはんだ7が凝固することで、第一リード2や半導体チップ4と接続板5とを接合した接合構造が得られる。
When joining the both ends (one
At the time of this reflow, as shown in FIG. 4, the
なお、本実施形態の半導体装置1を製造する際には、前述した第一リード2及び半導体チップ4に対する接続板5の接合と同時に、第二リード3に対する半導体チップ4の接合も実施される。すなわち、接続板5を第一リード2上及び半導体チップ4上に配置する前に、ペースト状のはんだを第二インナーリード31の上面31aに塗布し、さらに、半導体チップ4を第二インナーリード31上に配置しておく。そして、接続板5を第一リード2上及び半導体チップ4上に配置した後に、前述したリフローにより第二リード3と半導体チップ4との間のはんだを溶融・凝固させることで、半導体チップ4が第二リード3に接合される。
When manufacturing the
以上説明したように、本実施形態の接続板5、これを備える接続構造及び半導体装置1によれば、接続板5の一端部51に凹部55が形成されていることで、一端部51に対するはんだ7の濡れ面積が増加しているため、はんだ7の量を減らさなくても、リフローの際に溶融したはんだ7が第一インナーリード21の上面21aで濡れ広がることを抑制できる。また、接続板5と第一リード2との接合に要するはんだ7の量を十分に確保することができる。
なお、本実施形態では、凹部55が第一リード2の他端22側に向く一端部51の側面51cに開口していることで、リフローの際に溶融したはんだ7が、その表面張力によって第一リード2の他端22側から一端21側に向かう方向に移動しやすくなるため、はんだ7が第一リード2の他端22側に濡れ広がること特に抑制することができる。
As described above, according to the
In the present embodiment, the
さらに、接続板5の一端部51に対するはんだ7の濡れ面積が増加することで、一端部51と第一リード2との接合面積が大きくなるため、接続板5の他端部52と半導体チップ4との接合面積に対する一端部51と第一リード2との接合面積の差を小さく設定できる。したがって、二つのリード2,3、半導体チップ4及び接続板5を相互に接合するためにリフローを実施した際に、第二リード3上において半導体チップ4の位置ずれが生じたとしても、接続板5が半導体チップ4と共に移動することを抑制し、接続板5と第一リード2との接合を確保することができる。
以上のことから、接続板5と第一リード2とを確実に電気接続することができ、品質の良好な半導体装置1を提供することが可能となる。
Furthermore, since the wetting area of the
From the above, the
また、本実施形態の接続構造では、各リード2,3のインナーリード21,31の上面21a,31aがアウターリード22,32の上面22a,32aよりも低く位置しているため、リフロー時に溶融したはんだ7がインナーリード21,31の上面21a,31a上に濡れ広がったとしても、アウターリード22,32側に流出することを確実に防止することができる。
なお、本実施形態では、凹部55が一端部51の板厚方向に貫通しているため、凹部55の幅寸法を適宜調整すれば、溶融したはんだ7の表面張力によって、はんだ7を一端部51の下面51b側から上面51aまで濡れ広がらせて、一端部51をはんだ7に係合させることも可能である。言い換えれば、接続板5を第一リード2に対してより強固に固定することもできる。
Moreover, in the connection structure of this embodiment, since the
In this embodiment, since the
なお、第一実施形態において、凹部55の平面視形状は、丸みを帯びた形状に限らず、例えば図5に示す矩形状をはじめとする任意の多角形状に形成されていてもよい。
また、凹部55は一つに限らず、例えば図6に示すように複数形成されてもよい。この場合、複数の凹部55は、例えば図6に示すように、接続板5の幅方向に連ねて形成されてもよいが、例えば接続板5の幅方向に間隔をあけて形成されていてもよい。
図6(a),(b)に示す凹部55は、いずれも平面視で丸みを帯びた形状となっているが、図6(a)に示す凹部55は、上記第一実施形態と同様に、凹部55の内側面が窪むように湾曲しており、図6(b)に示す凹部55は、その内側面が凹部55内の空間側に膨出するように湾曲している。一方、図6(c)に示す凹部55は、図5と同様の平面視多角形状とされ、具体的には、平面視三角形状に形成されている。
In addition, in 1st embodiment, the planar view shape of the recessed
Moreover, the recessed
6 (a) and 6 (b) both have a rounded shape in plan view, but the
なお、図6においては、複数の凹部55が一端部51の同一の側面全体を削り取るように形成されているが、例えば同一の側面の一部を残すように形成されてもよい。
さらに、図6においては、複数の凹部55が一端部51の同一の側面に開口しているが、例えば互いに異なる側面に開口していてもよい。
また、図6において、複数の凹部55は同一の形状に形成されているが、例えば互いに異なる形状に形成されていてもよい。
In FIG. 6, the plurality of
Furthermore, in FIG. 6, although the some recessed
Moreover, in FIG. 6, although the some recessed
さらに、接続板5の板厚方向に貫通する凹部55は、一端部51のみに形成されることに限らず、例えば図7に示すように、一端部51からこれに連なる立設板部54まで延びるように形成されていてもよい。なお、図7においては、凹部55が接続板5の長手方向に交差する一端部51の側面51cに開口しているため、凹部55の延在方向が、一端部51及び立設板部54の両方において接続板5の長手方向に一致している。
この構成では、第一実施形態と同様の効果を奏することに加え、リフローを実施した際に、溶融したはんだ7を、毛細管現象等によって一端部51から立設板部54まで凹部55の延在方向に濡れ広がらせることが可能となる。すなわち、接続板5と第一リード2との接合面積をさらに増加させて、接続板5を第一リード2に対してより強固に固定することができる。
Further, the
In this configuration, in addition to the same effects as in the first embodiment, when reflow is performed, the melted
〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について図8,9を参照して説明する。なお、ここでは、第一実施形態との相違点のみについて説明し、第一実施形態の接続板5や半導体装置1と同一の構成要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図8,9に示すように、この実施形態に係る接続板5の一端部51には、その板厚方向に貫通するものの、一端部51の側面51c,51dには開口しない凹部56(貫通孔)が形成されている。なお、図示例では、凹部56が丸みを帯びた平面視円形状に形成されているが、矩形状をはじめとする多角形状等の任意の平面視形状に形成されてよい。また、平面視した凹部56の大きさは、例えば図9に示すように、一端部51の板厚方向にわたって一定に設定されてもよいが、例えば接続板5の下面51b側から上面51a側に向かうにしたがって大きくなる、あるいは、小さくなるように設定されてもよい。さらに、凹部56は、一つだけ形成されることに限らず、例えば複数形成されてもよい。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, only differences from the first embodiment will be described, and the same components as those of the
As shown in FIGS. 8 and 9, the one
この接続板5は、第一実施形態の場合と同様にして、第一リード2及び半導体チップ4に接合することが可能である。そして、この接合に際して第一実施形態と同様のリフローを実施すると、第一インナーリード21上で溶融したはんだ7は、接続板5の一端部51の下面51bや側面51c,51dに加え、凹部56の内面にも濡れ広がる。さらに、溶融したはんだ7は、その表面張力によって凹部56を通じて接続板5の一端部51の下面51b側から上面51aに到達して濡れ広がることになる。
※実2効果(CL2)
この実施形態に係る接続板5では、前述した第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、はんだ7が凹部56を介して一端部51の上面51aまで濡れ広がるため、一端部51をはんだ7に係合させて、接続板5を第一リード2に対してより強固に固定することができる。
The
* Real 2 effect (CL2)
The
Further, since the
なお、第二実施形態において、板厚方向に貫通する凹部56は一端部51のみに形成されるとしたが、図7に示す凹部55と同様に、例えば一端部51からこれに連なる立設板部54まで延びるように形成されていてもよい。この構成では、第二実施形態と同様の効果を奏することに加え、はんだ7に対する接続板5の濡れ面積がさらに増加するため、接続板5と第一リード2との接合面積を増加させて、接続板5を第一リード2に対してより強固に固定することができる。
In the second embodiment, the
〔第三実施形態〕
次に、本発明の第三実施形態について図10,11を参照して説明する。なお、ここでは、第一、第二実施形態との相違点のみについて説明し、第一、第二実施形態の接続板5や半導体装置1と同一の構成要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図10,11に示すように、この実施形態に係る接続板5の一端部51には、その下面51bから窪むと共に、接続板5の長手方向に延びる有底溝状の凹部57が形成されている。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Here, only differences from the first and second embodiments will be described, and the same components as those of the
As shown in FIGS. 10 and 11, one
この凹部57は、第一実施形態の凹部55と同様に、接続板5の長手方向に交差する一端部51の側面51cに開口している。また、この凹部57は、一端部51の下面51bからこれに連なる立設板部54の下面54bまで延びている。さらに、一端部51と立設板部54との間の折り曲げ部分における凹部57の底面が、一端部51及び立設板部54における凹部57の底面に対して傾斜する平らな傾斜面57aとなっている。傾斜面57aが形成されていることで、折り曲げ部分における凹部57の深さ寸法は、凹部57の延在方向に変化するように設定され、一端部51及び立設板部54における凹部57の深さ寸法よりも大きくなっている。
The
なお、この凹部57は、例えば一つだけ形成されてもよいが、例えば図11に示すように複数形成されてもよい。この場合、複数の凹部57は、図示例のように接続板5の幅方向に間隔をあけて配列されてもよいが、例えば間隔をあけずに連ねて配列されてもよい。また、複数の凹部57は、例えば図11に示すように一端部51の同一の側面51cに開口してもよいが、例えば互いに異なる側面51c,51dに開口していてもよい。
さらに、凹部57の幅寸法は、例えば図11に示すように凹部57の延在方向にわたって一定に設定されてもよいが、例えば凹部57の延在方向に変化するように設定されてもよい。
また、接続板5の長手方向に直交する凹部57の断面形状は、例えば図11(a)に示す三角形状や、図11(b)に示す矩形状等の多角形状とされてもよいし、例えば図11(c)に示す円弧状とされてもよい。
For example, only one
Furthermore, the width dimension of the
Moreover, the cross-sectional shape of the recessed
この接続板5は、第一実施形態の場合と同様にして、第一リード2及び半導体チップ4に接合することが可能である。そして、この接合に際して第一実施形態と同様のリフローを実施すると、第一インナーリード21上で溶融したはんだ7は、接続板5の一端部51の下面51bや側面51cに加え、凹部57の内面にも濡れ広がる。さらに、溶融したはんだ7は、毛細管現象等によって一端部51から立設板部54まで凹部57の延在方向に濡れ広がる。その結果、接続板5を第一リード2に接合した状態では、立設板部54がその下面54b側からはんだ7によって支持されることになる。
The
したがって、この実施形態に係る接続板5では、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、凹部57が立設板部54まで延びていることで、はんだ7に対する接続板5の濡れ面積が増加するため、接続板5と第一リード2との接合面積を増加させることができる。また、接続板5を第一リード2に接合した状態では、立設板部54がその下面54b側からはんだ7によって支持されているため、一端部51が第一インナーリード21の上面21aに沿って立設板部54側に移動することを確実に防止することができる。以上のことから接続板5を第一リード2に対してより強固に固定することが可能となる。
また、接続板5の一端部51と立設板部54との間の折り曲げ部分における凹部57の底面が傾斜面57aとなっていることで、リフロー時に溶融したはんだ7を一端部51側から立設板部54側に向けてより確実かつ短時間で濡れ広がらせることができる。
Therefore, the
Further, since the recessed
Further, the bottom surface of the
なお、第三実施形態において、一端部51と立設板部54との間の折り曲げ部分における凹部57の底面は、平らな傾斜面57aとなっていなくてもよく、例えば図12に示すように、折り曲げ部分形状に対応する湾曲面57bとなっていてもよい。言い換えれば、凹部57の深さ寸法は、凹部57の延在方向にわたって一定に設定されてもよい。
In the third embodiment, the bottom surface of the recessed
以上、本発明の接続板5、これを備える接続構造及び半導体装置1に係る実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば凹部55,56,57は、上記実施形態において示したものに限らず、少なくとも第一インナーリード21の上面21aに対向する一端部51の下面51bから窪んで形成されていればよい。
また、接続板5の一端部51と他端部52との間には、断面矩形状に折り曲げられた連結部53が形成されるとしたが、例えば立設板部54のみが形成されてもよい。さらに、接続板5は、例えば連結部53や立設板部54を有さずに、全体が平板状に形成されていてもよい。
As mentioned above, although the
For example, the
Further, although the connecting
また、本発明の半導体装置に適用される半導体チップは、上記実施形態のものに限らず、例えば上面のみに複数の電極パッドを形成したものであってもよい。言い換えれば、本発明は、例えば上記構成の半導体チップと、半導体チップの各電極パッドに各々電気接続するための複数のリードと、複数の電極パッド及びリードを個別に電気接続する複数の接続板とを備える半導体装置にも適用可能である。 Further, the semiconductor chip applied to the semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and for example, a plurality of electrode pads may be formed only on the upper surface. In other words, the present invention provides, for example, a semiconductor chip having the above-described configuration, a plurality of leads for electrical connection to each electrode pad of the semiconductor chip, and a plurality of connection plates for electrically connecting the plurality of electrode pads and leads individually. It is applicable also to a semiconductor device provided with.
1 半導体装置
2 第一リード
21 一端(インナーリード)
21a 上面
22 他端(アウターリード)
22a 上面
23段差部
3 第二リード
31 一端(インナーリード)
31a 上面
32 他端(アウターリード)
32a 上面
33段差部
4 半導体チップ
5 接続板
51 一端部
51a 上面
51b 下面
51c,51d 側面
52 他端部
53 連結部
54 立設板部
54b 下面
55,56,57 凹部
57a 傾斜面
57b 湾曲面
6 モールド樹脂
7 はんだ
22a,
Claims (9)
前記リードの上面に配される平板状の一端部には、前記リードの上面に対向する前記一端部の下面から窪む凹部が形成され、
前記凹部が、前記接続板の板厚方向に貫通し、
前記凹部は、前記一端部の下面側から上面側に向かうにしたがって大きくなるように設定されていることを特徴とする接続板。 A connecting plate that electrically connects the semiconductor chip and the lead by joining both ends to a semiconductor chip and a conductive plate-like lead that are spaced apart from each other,
On one end of the flat plate disposed on the upper surface of the lead, a recess is formed that is recessed from the lower surface of the one end facing the upper surface of the lead .
The recess penetrates in the thickness direction of the connection plate;
The connecting plate according to claim 1, wherein the concave portion is set to increase from the lower surface side to the upper surface side of the one end portion .
前記凹部が、前記一端部の下面からこれに連なる前記立設板部の下面まで延びていることを特徴とする請求項1に記載の接続板。 A flat plate-like plate portion that is erected on the upper surface of the lead by being bent with respect to the one end portion is formed,
The connection plate according to claim 1, wherein the concave portion extends from a lower surface of the one end portion to a lower surface of the standing plate portion continuous therewith.
前記接続板の両端部が、はんだによって、互いに間隔をあけて配された半導体チップと導電性を有する板状のリードとに接合されていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device manufactured using the connection plate according to any one of claims 1 to 6 ,
A semiconductor device characterized in that both ends of the connecting plate are joined to a semiconductor chip and a conductive plate-like lead which are spaced apart from each other by solder.
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