JP5171803B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP5171803B2
JP5171803B2 JP2009298268A JP2009298268A JP5171803B2 JP 5171803 B2 JP5171803 B2 JP 5171803B2 JP 2009298268 A JP2009298268 A JP 2009298268A JP 2009298268 A JP2009298268 A JP 2009298268A JP 5171803 B2 JP5171803 B2 JP 5171803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin package
conductor
semiconductor device
semiconductor chip
conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2009298268A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010074193A (en
Inventor
正彦 小早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2009298268A priority Critical patent/JP5171803B2/en
Publication of JP2010074193A publication Critical patent/JP2010074193A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5171803B2 publication Critical patent/JP5171803B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本願発明は、樹脂パッケージ型の半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin package type semiconductor device.

従来の半導体装置の一例を図９に示す。図示された半導体装置は、半導体チップ９と、金属板からなる一対の導体８Ａ，８Ｂと、これらを封止する樹脂パッケージ７とを具備して構成されている。導体８Ａは、半導体チップ９を搭載しており、この導体８Ａと半導体チップ９の下面の電極（図示略）とは導通している。半導体チップ９の上面の電極９０と導体８Ｂとは、ワイヤＷを介して導通している。一対の導体８Ａ，８Ｂは、厚肉部８１ａ，８１ｂと薄肉部８２ａ，８２ｂとを有しており、厚肉部８１ａ，８１ｂの下面部は、樹脂パッケージ７の底面から露出した面実装用の端子部８３ａ，８３ｂとされている。これらの端子部８３ａ，８３ｂは、同図（ｂ）に示すように、矩形状である。 An example of a conventional semiconductor device is shown in FIG. The illustrated semiconductor device includes a semiconductor chip 9, a pair of conductors 8A and 8B made of a metal plate, and a resin package 7 for sealing them. The conductor 8A mounts the semiconductor chip 9, and the conductor 8A and the electrode (not shown) on the lower surface of the semiconductor chip 9 are electrically connected. The electrode 90 on the upper surface of the semiconductor chip 9 and the conductor 8B are electrically connected via a wire W. The pair of conductors 8A and 8B have thick portions 81a and 81b and thin portions 82a and 82b, and the lower surface portions of the thick portions 81a and 81b are for surface mounting exposed from the bottom surface of the resin package 7. Terminal portions 83a and 83b are provided. These terminal portions 83a and 83b are rectangular as shown in FIG.

このような構成によれば、端子部８３ａ，８３ｂを利用することにより、半導体装置を所望箇所に面実装することができる。導体８Ａ，８Ｂの上面部分のサイズは、端子部８３ａ，８３ｂの面積よりも大きいために、それらの部分に半導体チップ９やワイヤＷのボンディングを適切に行なうこともできる。導体８Ａ，８Ｂの薄肉部８２ａ，８２ｂについては、樹脂パッケージ７の内部に埋没していることにより、これら薄肉部８２ａ，８２ｂの下方には樹脂パッケージ７の構成樹脂の一部が存在するために、このことによって樹脂パッケージ７の導体８Ａ，８Ｂに対する固定保持力を高めることも可能となる。 According to such a configuration, the semiconductor device can be surface-mounted at a desired location by using the terminal portions 83a and 83b. Since the sizes of the upper surface portions of the conductors 8A and 8B are larger than the area of the terminal portions 83a and 83b, the semiconductor chip 9 and the wire W can be appropriately bonded to these portions. Since the thin portions 82a and 82b of the conductors 8A and 8B are buried in the resin package 7, a part of the constituent resin of the resin package 7 exists below the thin portions 82a and 82b. This also makes it possible to increase the fixing and holding force of the resin package 7 with respect to the conductors 8A and 8B.

しかしながら、上記従来の半導体装置においては、次のような不具合を生じていた。 However, the conventional semiconductor device has the following problems.

すなわち、この種の半導体装置の技術分野においては、全体の小型化が強く要請されることにより、半導体装置全体の縦横の寸法や高さを所定の寸法以下に設定しなければならない場合がある。このような要請に応えるべく半導体装置の小型化を図る場合、導体８Ａについては半導体チップ９を搭載可能なサイズにする必要があることから、導体８Ｂの全体のサイズをあまり大きくとることができない場合がある。その一方、そのよう場合であっても、端子部８３ｂについては、面実装を適切に行なうことができるようにある程度の大きさにしなければならない。 That is, in the technical field of this type of semiconductor device, there is a case where the overall size and height of the entire semiconductor device have to be set to a predetermined size or less due to the strong demand for downsizing of the entire semiconductor device. When miniaturizing a semiconductor device to meet such a demand, the conductor 8A needs to be sized so that the semiconductor chip 9 can be mounted, and therefore the entire size of the conductor 8B cannot be made too large. There is. On the other hand, even in such a case, the terminal portion 83b must be sized to some extent so that surface mounting can be appropriately performed.

端子部８３ｂをある程度の大きさにする手段としては、図９（ａ）に示された厚肉部８１ｂの寸法ｂを大きくすることが考えられる。ところが、このようにしたのでは、薄肉部８２ｂの寸法ａが小さくなり、この薄肉部８２ｂの直下に存在する樹脂パッケージ７の樹脂量が少なくなる。これでは、樹脂パッケージ７の導体８Ｂに対する固定保持力が低くなり、薄肉部８２ｂの下方の樹脂部分にクラックが生じ易くなる。 As a means for making the terminal portion 83b to some extent, it is conceivable to increase the dimension b of the thick portion 81b shown in FIG. However, with this configuration, the dimension a of the thin portion 82b is reduced, and the amount of resin in the resin package 7 existing directly below the thin portion 82b is reduced. As a result, the fixing and holding force of the resin package 7 to the conductor 8B is reduced, and cracks are likely to occur in the resin portion below the thin portion 82b.

また、上記とは異なり、図９（ｂ）に示された厚肉部８１ｂの幅ｃを大きくすることによって端子部８３ｂの面積を大きくしようとすると、樹脂パッケージ７のうち、厚肉部８１ｂの両側方部分の幅ｄが小さくなる。したがって、この部分にクラックを生じ易くなってしまう。とくに、上記の幅ｄが小さくなると、樹脂パッケージ７の樹脂成形時において、樹脂パッケージ７の隅部分に対する樹脂の充填性が悪くなるために、クラックが一層生じ易いものとなる。 Also, unlike the above, if the area of the terminal portion 83b is increased by increasing the width c of the thick portion 81b shown in FIG. The width d of both side portions is reduced. Therefore, it becomes easy to produce a crack in this part. In particular, when the width d is reduced, the resin filling property of the corner portion of the resin package 7 is deteriorated during the resin molding of the resin package 7, so that cracks are more likely to occur.

このように、従来においては、半導体装置全体の小型化を図る場合に、樹脂パッケージ７にクラックが発生し易くなる虞れがあり、これが半導体装置の小型化を促進する上で問題となっていた。なお、上記説明は、導体８Ｂのサイズを小さくする場合にその近傍にクラックが発生し易くなる場合を一例としているが、実際には上記したような不具合は導体８Ａと樹脂パッケージ７との関係においても当てはまる場合があった。 As described above, conventionally, when the entire semiconductor device is downsized, there is a possibility that the resin package 7 is likely to be cracked. This has been a problem in promoting the downsizing of the semiconductor device. . In the above description, when the size of the conductor 8B is reduced, a case where cracks are likely to occur near the conductor 8B is taken as an example. However, in reality, the above-described problem is caused by the relationship between the conductor 8A and the resin package 7. Was also true.

本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、全体の小型化を図る場合であっても、樹脂パッケージにクラックが発生する虞れが少なく、かつ所望箇所への面実装も適切に行なうことが可能な半導体装置を提供することをその課題としている。 The present invention has been conceived under such circumstances, and even when the entire size is reduced, there is little possibility of cracking in the resin package, and the desired location can be reduced. An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of appropriately performing surface mounting.

上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。 In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

本願発明によって提供される半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップの電極に電気的に接続された複数の導体と、これら複数の導体および半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を有しており、上記各導体の下面部が上記樹脂パッケージの底面から露出した面実装用の端子部とされている、半導体装置であって、上記複数の導体のうちの少なくとも一つの第１の導体には上記半導体チップの電極にボンディングされたワイヤの他端がボンディングされており、さらに、半導体チップに接続されないダミー端子となる導体が、上記複数の導体および半導体チップとともに樹脂パッケージにより封止されており、上記ダミー端子は、樹脂パッケージの底面に隣接する側面の一つからこの側面に垂直に樹脂パッケージ中央寄りの方向に伸びているとともに、厚みが相違する厚肉部と薄肉部とを有し、上記厚肉部の下面部が樹脂パッケージの底面から露出しており、上記薄肉部は樹脂パッケージの中央寄りになるほど幅が大きくなる肩部を有している構成である。 A semiconductor device provided by the present invention includes a semiconductor chip, a plurality of conductors electrically connected to electrodes of the semiconductor chip, and a resin package for sealing the plurality of conductors and the semiconductor chip. And a lower surface portion of each conductor is a surface mounting terminal portion exposed from the bottom surface of the resin package, wherein at least one first conductor of the plurality of conductors includes: The other end of the wire bonded to the electrode of the semiconductor chip is bonded, and further, a conductor serving as a dummy terminal not connected to the semiconductor chip is sealed with a resin package together with the plurality of conductors and the semiconductor chip, The dummy terminal extends from one of the side surfaces adjacent to the bottom surface of the resin package to the side perpendicular to the side surface of the resin package. The thin portion has a thick portion and a thin portion that are different in thickness, and the lower portion of the thick portion is exposed from the bottom surface of the resin package, and the width of the thin portion becomes closer to the center of the resin package. It is the structure which has the shoulder part which becomes large.

本願発明によれば、ダミー端子は、半導体チップとの電気的な接続はなされていないものの、ハンダを利用して半導体装置を所望箇所に面実装する場合に、ハンダ付けがなされるため、その実装強度を高めるのに役立つ。また、半導体チップとしては、下面に電極が設けられておらず、かつ上面のみに電極が設けられているものもあり、このような半導体チップを用いる場合には、半導体チップを搭載する導体をダミー端子として利用することもできる。また、上記非矩形状に形成された厚肉部は、その全体または一部の幅が不均一であるために、この厚肉部は、その幅が相対的に広い部分と狭い部分とを有するものとなる。導体は、厚肉部と薄肉部とを有しており、厚肉部の一部の幅を狭くすると、それに対応する分量だけ薄肉部のサイズを増加させることが可能となる。したがって、本願発明においては、導体全体のサイズをあまり大きくできない場合であっても、従来技術とは異なり、薄肉部の面積を極端に小さくするようなことなく、厚肉部およびこの厚肉部によって構成される面実装用の端子部を面実装に必要な大きさにすることが可能となる。その結果、本願発明によれば、半導体装置全体の小型化を図る場合に、樹脂パッケージにクラックが発生する虞れを少なくしつつ、所望箇所への面実装も適切に行なえるものにすることができ、半導体装置の小型化を好適に促進することができる。 According to the present invention, although the dummy terminal is not electrically connected to the semiconductor chip, the soldering is performed when the semiconductor device is surface-mounted at a desired location using solder. Helps increase strength. Some semiconductor chips have no electrode on the bottom surface and electrodes only on the top surface. When using such a semiconductor chip, the conductor on which the semiconductor chip is mounted is a dummy. It can also be used as a terminal. In addition, the thick part formed in the non-rectangular shape has a non-uniform width in whole or in part, and thus the thick part has a relatively wide part and a narrow part. It will be a thing. The conductor has a thick part and a thin part. If the width of a part of the thick part is narrowed, the size of the thin part can be increased by an amount corresponding thereto. Therefore, in the present invention, even if the size of the entire conductor cannot be increased so much, unlike the prior art, the area of the thin part is not extremely reduced, and the thick part and the thick part are used. It is possible to make the size of the surface mounting terminal portion necessary for surface mounting. As a result, according to the present invention, when downsizing the entire semiconductor device, it is possible to appropriately perform surface mounting at a desired location while reducing the possibility of cracking in the resin package. This can favorably promote downsizing of the semiconductor device.

また、上記樹脂パッケージは、ｘ方向に間隔を隔てた一対の第１の側面と、ｘ方向に直交するｙ方向に間隔を隔てた一対の第２の側面とを有しているとともに、上記複数の導体は、それらの端子部がｘ方向に間隔を隔てて対をなすように設けられており、かつ上記非矩形状に形成された厚肉部は、上記樹脂パッケージの中央寄りになるほどｙ方向の幅が小さくなる先細形状部を有していてもよい。この先細形状部は、略台形状、略三角形状、または略半円状である構成とすることができる。 Further, the resin package, a pair of first side surface spaced in the x direction, together with and a pair of second side spaced in the y direction perpendicular to the x-direction, said plurality The conductors are provided such that their terminal portions are paired with an interval in the x direction, and the thicker portion formed in the non-rectangular shape is closer to the center of the resin package in the y direction. You may have a taper-shaped part from which width | variety becomes small. The tapered portion can be configured to have a substantially trapezoidal shape, a substantially triangular shape, or a substantially semicircular shape.

このような構成によれば、上記樹脂パッケージを金型を利用して成形するときに、上記先細形状部は、成形用の樹脂を上記樹脂パッケージの隅部（第１および第２の側面が互いに交差して繋がっている部分）に相当する箇所へスムーズに流れ込むようにガイドする役割を果たすこととなる。したがって、上記樹脂パッケージの隅部に樹脂の未充填部分が発生しないようにして、上記樹脂パッケージにクラックがより生じ難くすることが可能となる。 According to such a configuration, when the resin package is molded by using a mold, the taper-shaped portion converts the molding resin into corner portions (first and second side surfaces of each other). It will play a role of guiding so as to smoothly flow into the portion corresponding to the crossing and connecting portion). Therefore, it is possible to prevent the resin package from being cracked more easily by preventing an unfilled portion of the resin from occurring at the corner of the resin package.

また、上記各導体は、上記第１の側面から露出した端部を有しており、かつこの端部には凹部が形成されていてもよい。 Also, each conductor has an end portion exposed from the first side surface, and may be a recess in the end.

このような構成によれば、半導体装置の面実装時に、ハンダを上記凹部に進入させることができ、これによって上記各導体とハンダとの接合面積を大きくして、半導体装置の実装強度を高めることが可能となる。
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。 According to such a configuration, when the semiconductor device is surface-mounted, the solder can enter the recess, thereby increasing the bonding area between the conductors and the solder and increasing the mounting strength of the semiconductor device. Is possible.
Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments of the invention.

本願発明によれば、半導体装置全体の小型化を図る場合に、樹脂パッケージにクラックが発生する虞れを少なくしつつ、所望箇所への面実装も適切に行なえるものにすることができ、半導体装置の小型化を好適に促進することができる。 According to the present invention, when the size of the entire semiconductor device is reduced, it is possible to appropriately perform surface mounting at a desired location while reducing the possibility of cracks occurring in the resin package. It is possible to favorably reduce the size of the apparatus.

以下、本願発明の例について、図面を参照しつつ具体的に説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１は、本願発明に係る半導体装置の参考例を示している。本半導体装置Ａは、半導体チップ１、一対の導体２Ａ，２Ｂ、および樹脂パッケージ３を具備して構成されている。 FIG. 1 shows a reference example of a semiconductor device according to the present invention. This semi-conductor device A, the semiconductor chip 1, and is configured by including a pair of conductors 2A, 2B, and the resin package 3.

半導体チップ１は、上面の電極１０ａと下面の電極（図示略）とを有している。半導体チップ１としては、種々のものを用いることができ、その具体的な機能や内部の回路構成は一切限定されない。樹脂パッケージ３は、たとえばエポキシ樹脂からなり、半導体チップ１、一対の導体２Ａ，２Ｂ、および後述するワイヤＷを一纏めにして覆っている。この樹脂パッケージ３は、略直方体状であり、上面３０ａ，底面３０ｂ、同図のｘ方向に間隔を隔てて位置する一対の第１の側面３０ｃ，３０ｄ、およびｘ方向に直交するｙ方向に間隔を隔てて位置する一対の第２の側面３０ｅ，３０ｆを有している。 The semiconductor chip 1 has an upper electrode 10a and a lower electrode (not shown). Various semiconductor chips 1 can be used, and their specific functions and internal circuit configurations are not limited at all. The resin package 3 is made of, for example, an epoxy resin, and covers the semiconductor chip 1, the pair of conductors 2A and 2B, and a wire W to be described later together. The resin package 3 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and has an upper surface 30a, a bottom surface 30b, a pair of first side surfaces 30c and 30d positioned at an interval in the x direction in the figure, and an interval in the y direction orthogonal to the x direction. And a pair of second side surfaces 30e and 30f.

一対の導体２Ａ，２Ｂは、銅板などの金属板からなり、これらは後述する所定形状の半導体装置製造用のフレーム５から作製することができる。導体２Ａの上面部には、半導体チップ１が搭載されており、この半導体チップ１の下面の電極と導体２Ａとは導通している。導体２Ｂの上面部には、一端が半導体チップ１の電極１０ａにボンディングされたワイヤＷの他端がボンディングされている。このように、導体２Ａは半導体チップ１を搭載するものであるのに対し、導体２Ｂはワイヤボンディングを行なうものであるから、導体２Ｂは導体２Ａよりも全体のサイズが小さくされている。これら一対の導体２Ａ，２Ｂは、ｘ方向に間隔を隔てるように配されている。 The pair of conductors 2A and 2B is made of a metal plate such as a copper plate, and these can be made from a frame 5 for manufacturing a semiconductor device having a predetermined shape, which will be described later. The semiconductor chip 1 is mounted on the upper surface portion of the conductor 2A, and the electrode on the lower surface of the semiconductor chip 1 and the conductor 2A are electrically connected. The other end of the wire W having one end bonded to the electrode 10a of the semiconductor chip 1 is bonded to the upper surface portion of the conductor 2B. Thus, while the conductor 2A is for mounting the semiconductor chip 1 and the conductor 2B is for wire bonding, the conductor 2B has a smaller overall size than the conductor 2A. The pair of conductors 2A and 2B are arranged so as to be spaced apart in the x direction.

導体２Ａ，２Ｂは、半導体チップ１の搭載あるいはワイヤＷのボンディングが適切に行なうことができるように、その上面部はフラットに形成されている。ただし、これらの導体２Ａ，２Ｂは、それらの下面側に段差が形成されていることにより、厚肉部２１ａ，２１ｂと、これよりも肉厚が薄い薄肉部２２ａ，２２ｂとを有している。このような厚みの差は、導体２Ａ，２Ｂにスタンピング（押しつぶし）を行なうことにより、あるいはそれらの下面側にエッチング処理を施すことにより得ることが可能である。 The top surfaces of the conductors 2A and 2B are formed flat so that the semiconductor chip 1 can be mounted or the wires W can be bonded appropriately. However, these conductors 2A and 2B have thick portions 21a and 21b and thin portions 22a and 22b that are thinner than these because of the step formed on the lower surface side thereof. . Such a difference in thickness can be obtained by stamping (squeezing) the conductors 2A and 2B, or by performing an etching process on their lower surfaces.

厚肉部２１ａ，２１ｂの下面部は、樹脂パッケージ３の底面３０ｂと略面一状とされてこの底面３０ｂから露出しており、この部分が面実装用の端子部２３ａ，２３ｂとなっている。また、導体２Ａ，２Ｂのｘ方向におけるそれぞれの一端部２４ａ，２４ｂも、樹脂パッケージ３の第１の側面３０ｃ，３０ｄの側方に若干量露出している。それら一端部２４ａ，２４ｂの端面には凹部２５ａ，２５ｂが形成されており、これらの凹部２５ａ，２５ｂは、導体２Ａ，２Ｂの厚み方向に延びている。 The lower surface portions of the thick portions 21a and 21b are substantially flush with the bottom surface 30b of the resin package 3 and are exposed from the bottom surface 30b, and these portions serve as surface mounting terminal portions 23a and 23b. . Further, the end portions 24a and 24b in the x direction of the conductors 2A and 2B are also slightly exposed to the sides of the first side surfaces 30c and 30d of the resin package 3. Concave portions 25a and 25b are formed on the end surfaces of the one end portions 24a and 24b, and the concave portions 25a and 25b extend in the thickness direction of the conductors 2A and 2B.

同図（ｃ）によく表われているように、厚肉部２１ａ，２１ｂは、線対称であり、いずれも先細形状部２９を一部に含む形状とされている。より具体的には、厚肉部２１ａ，２１ｂは、一端部２４ａ，２４ｂ寄りの一定長さｓ１の領域においてはその幅ｗ１が一定であるのに対し、その部分よりも樹脂パッケージ３の中央寄りの一定長さｓ２の領域は、樹脂パッケージ３の中央寄りになるほど幅ｗ２が徐々に小さくなる底面視略台形状の先細形状部２９として形成されている。 As shown in FIG. 2C, the thick portions 21a and 21b are line symmetric and both have a shape including the tapered portion 29 as a part. More specifically, the thick portions 21a and 21b have a constant width w1 in the region of the constant length s1 near the one end portions 24a and 24b, but are closer to the center of the resin package 3 than that portion. The region of the predetermined length s2 is formed as a tapered portion 29 having a substantially trapezoidal shape in a bottom view as the width w2 gradually decreases toward the center of the resin package 3.

導体２Ａ，２Ｂのうち、上記した厚肉部２１ａ，２１ｂ以外の部分が薄肉部２２ａ，２２ｂである。同図（ａ）に示すように、これら薄肉部２２ａ，２２ｂは、その下面が樹脂パッケージ３の底面から露出するようなことなく樹脂パッケージ３内に埋没している。 Of the conductors 2A and 2B, portions other than the above-described thick portions 21a and 21b are thin portions 22a and 22b. As shown in FIG. 2A, the thin portions 22 a and 22 b are buried in the resin package 3 without the lower surfaces of the thin portions 22 a and 22 b being exposed from the bottom surface of the resin package 3.

同図（ｂ）によく表われているように、導体２Ａのｘ方向に延びた両側縁部には一対の肩部２６ａが形成されている。導体２Ａは、それらの肩部２６ａを境として、一端部２４ａ寄り部分の幅ｗ１よりも、樹脂パッケージ３の中央寄り部分の幅ｗ３の方が大きくなっている。同様に、導体２Ｂの両側縁部にも一対の肩部２６ｂが形成されており、導体２Ｂの一端部２４ｂ寄りの幅ｗ１よりも樹脂パッケージ３の中央寄り部分の幅ｗ３の方が大きくなっている。このような構成によれば、導体２Ａ，２Ｂに矢印Ｎ１方向の抜け力が作用したときに、上記した肩部２６ａ，２６ｂが樹脂パッケージ３との引っ掛かりによって大きな抵抗力を発揮することとなり、導体２Ａ，２Ｂの上記方向への抜けを防止するのに好ましいものとなる。また、上記したように、幅ｗ１が小さくされていれば、樹脂パッケージ３の四隅部分３１ａ〜３１ｄの樹脂の幅（ｙ方向の幅）を大きくして、それら四隅部分３１ａ〜３１ｄにクラックを発生し難くすることができる。 As clearly shown in FIG. 2B, a pair of shoulder portions 26a are formed on both side edges extending in the x direction of the conductor 2A. In the conductor 2A, the width w3 of the portion near the center of the resin package 3 is larger than the width w1 near the one end 24a, with the shoulder 26a as a boundary. Similarly, a pair of shoulder portions 26b are also formed on both side edges of the conductor 2B, and the width w3 of the central portion of the resin package 3 is larger than the width w1 of the conductor 2B near the one end 24b. Yes. According to such a configuration, when the pulling force in the direction of the arrow N1 acts on the conductors 2A and 2B, the above-described shoulder portions 26a and 26b exhibit a large resistance force by being caught by the resin package 3, and the conductor This is preferable for preventing 2A and 2B from coming off in the above direction. Further, as described above, if the width w1 is reduced, the resin width (width in the y direction) of the four corner portions 31a to 31d of the resin package 3 is increased, and cracks are generated in the four corner portions 31a to 31d. Can be difficult.

上記した半導体装置Ａは、たとえば次のようにして製造することができる。 The semiconductor device A described above can be manufactured, for example, as follows.

まず、図２に示すような製造用のフレーム５を作製する。このフレーム５は、一定の厚みを有する長尺帯状または矩形状などの銅板を所定形状に打ち抜きプレスしたものである。このフレーム５には、上記した半導体装置Ａの導体２Ａ，２Ｂに相当する複数ずつのリード２Ａ’， ２Ｂ’が形成されている。リード２Ａ’， ２Ｂ’には、スタンピングまたはエッチング処理を施すことによりその一部分の薄肉化を図り、このことによって上述した半導体装置Ａの薄肉部２２ａ，２２ｂおよび厚肉部２１ａ，２１ｂにそれぞれ対応する部分も設けておく。リード２Ａ’， ２Ｂ’には、貫通穴２５ａ’，２５ｂ’も形成しておく。これらの貫通穴２５ａ’，２５ｂ’も、後述するように半導体装置Ａの樹脂パッケージ３にクラックが発生することを防止するのに役立つ。 First, a manufacturing frame 5 as shown in FIG. 2 is produced. This frame 5 is obtained by punching and pressing a long strip or rectangular copper plate having a certain thickness into a predetermined shape. The frame 5 is formed with a plurality of leads 2A 'and 2B' corresponding to the conductors 2A and 2B of the semiconductor device A described above. The leads 2A ′ and 2B ′ are partially thinned by performing stamping or etching treatment, thereby corresponding to the thin portions 22a and 22b and the thick portions 21a and 21b of the semiconductor device A described above, respectively. A part is also provided. Through holes 25a 'and 25b' are also formed in the leads 2A 'and 2B'. These through holes 25 a ′ and 25 b ′ also serve to prevent cracks from occurring in the resin package 3 of the semiconductor device A as will be described later.

図３に示すように、フレーム５の複数のリード２Ａ’上には、半導体チップ１を搭載してからワイヤＷのボンディング作業を行なう。次いで、たとえばトランスファモールド成形法により、図４に示すように、複数の樹脂パッケージ３を成形する。その後は、同図の仮想線Ｌ１，Ｌ２で示す箇所において、複数のリード２Ａ’， ２Ｂ’を切断する。この切断により、複数のリード２Ａ’， ２Ｂ’の一部分が半導体装置Ａの導体２Ａ，２Ｂとして仕上げられる。上記切断は、貫通穴２５ａ’，２５ｂ’を通過する位置で行なう。このようにすれば、貫通穴２５ａ’，２５ｂ’が設けられている分だけ複数のリード２Ａ’， ２Ｂ’の切断が容易化されるために、切断時の衝撃が小さくなり、その衝撃によって樹脂パッケージ３にクラックが発生する虞れを無くすことできる。また、リード２Ａ’， ２Ｂ’の貫通穴２５ａ’，２５ｂ’は、リード２Ａ’， ２Ｂ’が切断されることにより、その一部分が半導体装置Ａの凹部２５ａ，２５ｂとなる。上記した一連の工程によれば、複数の半導体装置Ａを一括して効率良く製造することができる。 As shown in FIG. 3, after the semiconductor chip 1 is mounted on the plurality of leads 2A 'of the frame 5, the wire W is bonded. Next, as shown in FIG. 4, a plurality of resin packages 3 are formed by, for example, transfer molding. Thereafter, the plurality of leads 2A 'and 2B' are cut at the locations indicated by the virtual lines L1 and L2 in FIG. By this cutting, a part of the plurality of leads 2A 'and 2B' is finished as the conductors 2A and 2B of the semiconductor device A. The cutting is performed at a position passing through the through holes 25a 'and 25b'. In this way, since the plurality of leads 2A ′ and 2B ′ are easily cut by the amount of the through holes 25a ′ and 25b ′, the impact at the time of cutting is reduced, and the resin is affected by the impact. The possibility of cracks occurring in the package 3 can be eliminated. Further, the through holes 25a 'and 25b' of the leads 2A 'and 2B' become part of the recesses 25a and 25b of the semiconductor device A by cutting the leads 2A 'and 2B'. According to the series of steps described above, a plurality of semiconductor devices A can be efficiently manufactured in a lump.

次に、上記した半導体装置Ａの作用について説明する。 Next, the operation of the semiconductor device A will be described.

まず、図１（ａ）に示すように、この半導体装置Ａは、導体２Ａ，２Ｂの端子部２３ａ，２３ｂを利用して所望の基板６に面実装可能である。より具体的には、この半導体装置Ａは、ハンダリフローの手法を用いることにより、端子部２３ａ，２３ｂをハンダ６０を介して基板６の各導体パッド６１に電気的および機械的に接続することができる。導体２Ａ，２Ｂの一端部２４ａ，２４ｂに対しては、ハンダ６０の一部分を凹部２５ａ，２５ｂに進入させるようにして付着させることができるために、このことによってハンダ６０の接合面積を大きくし、半導体装置Ａの実装強度を高めることも可能である。 First, as shown in FIG. 1A, the semiconductor device A can be surface-mounted on a desired substrate 6 by using the terminal portions 23a and 23b of the conductors 2A and 2B. More specifically, this semiconductor device A can electrically and mechanically connect the terminal portions 23a and 23b to the respective conductor pads 61 of the substrate 6 via the solder 60 by using a solder reflow technique. it can. Since a part of the solder 60 can be attached to the one end portions 24a and 24b of the conductors 2A and 2B so as to enter the recesses 25a and 25b, this increases the bonding area of the solder 60, It is also possible to increase the mounting strength of the semiconductor device A.

導体２Ｂは、導体２Ａと比較するとサイズが小さいものの、半導体装置Ａの実装を適切に行なうためには、端子部２３ｂの面積をある程度の大きさにしてハンダ６０を充分に付着可能にする必要がある。そのための手段としては、図１（ｃ）に示す端子部２３ｂのｘ方向の寸法ｓ３を大きくすればよい。このように寸法ｓ３を大きくすると、端子部２３ｂの先端縁２３ｂ’から薄肉部２２ｂの先端縁２２ｂ’までのはみ出し量ｓ４が小さくなる。ところが、厚肉部２１ｂは、先細形状部２９を有しており、この先細形状部２９は樹脂パッケージ３の中央寄りになるほどｙ方向の幅が徐々に狭くなっているために、厚肉部２１ｂがそのような幅狭とされていることに対応する分量だけ薄肉部２２ｂのｙ方向の有効幅を広げてその面積を大きくすることができる。したがって、薄肉部２２ｂの下方には樹脂パッケージ３の構成樹脂を多く存在させることができる。その結果、導体２Ｂを樹脂パッケージ３の底面から下方に引き抜く方向の力が発生した場合に、樹脂パッケージ３の構成樹脂がそれに対する充分な抵抗力を発揮することとなって、上記力に起因して樹脂パッケージ３にクラックが発生する虞れが無くなり、あるいは少なくなる。 Although the conductor 2B is smaller in size than the conductor 2A, in order to mount the semiconductor device A appropriately, the area of the terminal portion 23b needs to be set to a certain size so that the solder 60 can be sufficiently attached. is there. As a means for that purpose, the dimension s3 in the x direction of the terminal portion 23b shown in FIG. When the dimension s3 is increased in this way, the protruding amount s4 from the leading edge 23b 'of the terminal portion 23b to the leading edge 22b' of the thin portion 22b is decreased. However, the thick portion 21b has a tapered portion 29. Since the tapered portion 29 gradually decreases in width in the y direction toward the center of the resin package 3, the thick portion 21b. However, the effective width in the y direction of the thin portion 22b can be increased by an amount corresponding to such a narrow width, and the area can be increased. Therefore, a large amount of the constituent resin of the resin package 3 can be present below the thin portion 22b. As a result, when a force in the direction of pulling down the conductor 2B from the bottom surface of the resin package 3 is generated, the constituent resin of the resin package 3 exhibits a sufficient resistance against the force, resulting in the above force. This eliminates or reduces the possibility of cracks occurring in the resin package 3.

導体２Ａについては、導体２Ｂよりも大きなサイズであるために、薄肉部２２ａや端子部２３ａの面積を大きくとることは導体２Ｂと比べて比較的容易である。ただし、本例とは異なり、半導体チップ１として小サイズのものが用いられるなどして、この導体２Ａが導体２Ｂと略同様な小サイズとされる場合もある。これに対し、この導体２Ａも、導体２Ｂと同様に先細形状部２９を有する構成とされているために、導体２Ｂについて上述したのと同様な作用が得られることとなる。 Since the conductor 2A is larger than the conductor 2B, it is relatively easy to increase the area of the thin portion 22a and the terminal portion 23a as compared to the conductor 2B. However, unlike this example , there is a case where the semiconductor chip 1 has a small size substantially the same as the conductor 2B, for example, by using a small size semiconductor chip 1. On the other hand, since the conductor 2A is also configured to have the tapered portion 29 similarly to the conductor 2B, the same action as described above for the conductor 2B can be obtained.

また、厚肉部２１ａ，２１ｂは、いずれも先細形状部２９を有していることにより樹脂パッケージ３の中央寄りほど先細となっているために、厚肉部２１ａ，２１ｂと樹脂パッケージ３の第２の側面３０ｅ，３０ｆとの間の寸法ｗ４は、樹脂パッケージ３の四隅部分３１ａ〜３１ｄから中央部分に向かうに連れて徐々に大きくなっている。このような構成によれば、樹脂パッケージ３を金型を利用して成形するときに、成形用樹脂が四隅部分３１ａ〜３１ｄに流れ易くなる。したがって、それらの部分に成形用樹脂が適切に充填されなくなるといった不具合も解消し、それらの部分にもクラックを発生し難くすることが可能となる。 Further, since the thick portions 21 a and 21 b both have the tapered portion 29, the thick portions 21 a and 21 b are tapered toward the center of the resin package 3. The dimension w4 between the two side surfaces 30e and 30f gradually increases from the four corner portions 31a to 31d of the resin package 3 toward the central portion. According to such a configuration, when the resin package 3 is molded using a mold, the molding resin easily flows into the four corner portions 31a to 31d. Therefore, the problem that the molding resin is not properly filled in those portions is solved, and cracks are hardly generated in those portions.

図５ないし図８は、本願発明の他の参考例を示している。これらの図において、上記の例と同一または類似の要素には、上記の例と同一の符号を付している。 5 to 8 show other reference examples of the present invention. In these figures, the above-mentioned examples and the same or similar elements are denoted by the same reference numerals as in the example above.

図５に示す構成においては、厚肉部２１ａ，２１ｂのそれぞれの一部が略半円状の先細形状部２９ａとして形成している。このような構成においても、その基本的な構成は、図１に示した例と同様であるから、上記の例と同様な作用が得られる。なお、先細形状部２９ａの側面が滑らかな円弧状とされているために、樹脂パッケージ３の樹脂成形時に成形用樹脂を四隅部分３１ａ〜３１ｄに円滑に導くことをより促進する効果も期待できる。同図においては、図１に示した半導体装置Ａの凹部２５ａ，２５ｂに相当する手段が設けられていないが、本願発明はこのようにしてもかまわない。 In the configuration shown in FIG. 5, a part of each of the thick portions 21a and 21b is formed as a substantially semicircular tapered portion 29a. In such a configuration, the basic configuration are similar to those of the example shown in FIG. 1, the same effect as above example can be obtained. In addition, since the side surface of the taper-shaped part 29a is made into the smooth circular arc shape, the effect which accelerates | stimulates more smoothly guiding resin for molding to the four corner parts 31a-31d at the time of resin molding of the resin package 3 can also be anticipated. In the figure, means corresponding to the recesses 25a and 25b of the semiconductor device A shown in FIG. 1 is not provided, but the present invention may be configured in this way.

図６（ａ），（ｂ）に示す構成においては、半導体チップ１の上面に２つの電極１０ａが形成されており、複数の導体としては、半導体チップ１を搭載した導体２Ａと、２つの電極１０ａにワイヤ接続された２つの導体２Ｂ，２Ｂ’とを備えている。この例においては、導体２Ａと対をなす２つの導体２Ｂ，２Ｂ’を備えているために、これらの導体２Ｂ，２Ｂ’のそれぞれのサイズはより小さくなっている。これら導体２Ｂ，２Ｂ’の厚肉部２１ｂの一部分は、樹脂パッケージ３の中央寄りになるほど幅狭となる略台形状または略三角形状の先細形状部２９ｂとして形成されている。 In the configuration shown in FIGS. 6A and 6B, two electrodes 10a are formed on the upper surface of the semiconductor chip 1, and a plurality of conductors include a conductor 2A on which the semiconductor chip 1 is mounted and two electrodes. 10a, and two conductors 2B and 2B 'wire-connected to 10a. In this example , since two conductors 2B and 2B ′ paired with the conductor 2A are provided, the sizes of these conductors 2B and 2B ′ are smaller. A part of the thick portion 21b of the conductors 2B and 2B ′ is formed as a substantially trapezoidal shape or a substantially triangular tapered portion 29b that becomes narrower toward the center of the resin package 3.

図７に示す構成においては、２つの導体２Ｂ，２Ｂ’の各厚肉部２１ｂの一側面２１ｂ”が曲面状とされている。このことにより、それ２つの導体２Ｂ，２Ｂ’の一部分は、樹脂パッケージ３の中央寄りになるほど幅狭となる先細形状部２９ｃとされている。 In the configuration shown in FIG. 7, one side surface 21b ″ of each thick portion 21b of the two conductors 2B and 2B ′ has a curved shape. Thereby, a part of the two conductors 2B and 2B ′ A tapered portion 29c is formed so as to be narrower toward the center of the resin package 3.

これら図６および図７のいずれの構成においても、導体２Ｂ，２Ｂ’の各厚肉部２１ｂのｘ方向の寸法を長くすることによって端子部２３ｂ， ２３ｂ’の面積をある程度の大きさにすることができる一方、各厚肉部２１ｂに幅狭部分が設けられていることにより各薄肉部２２ｂの面積も確保することが可能となる。このような例から理解されるように、本願発明においては、導体の数は２つに限らず、３つ、あるいは３つ以上であってもかまわない。また、図６および図７に示した例においては、２つの導体２Ｂ，２Ｂ’のそれぞれを半導体チップ１の電極と電気的に接続している。本願発明においては、たとえば半導体チップ１として上面に１つの電極１０ａのみを有するものを用いることによって、２つの導体２Ｂ，２Ｂ’のいずれか一方のみを電極１０ａとワイヤ接続し、かつ他方の導体をいわゆるダミー端子として形成することもできる。このダミー端子は、半導体チップとの電気的な接続はなされていないものの、ハンダを利用して半導体装置を所望箇所に面実装する場合に、ハンダ付けがなされるため、その実装強度を高めるのに役立つ。また、半導体チップとしては、下面に電極が設けられておらず、かつ上面のみに電極が設けられているものもあり、このような半導体チップを用いる場合には、半導体チップを搭載する導体（導体２Ａ）をダミー端子として利用することもできる。 6 and 7, the area of the terminal portions 23b and 23b ′ is increased to some extent by increasing the dimension in the x direction of each thick portion 21b of the conductors 2B and 2B ′. On the other hand, since each narrow portion 21b is provided with a narrow portion, the area of each thin portion 22b can be secured. As can be understood from such an example , in the present invention, the number of conductors is not limited to two, and may be three, or three or more. Further, in the example shown in FIGS. 6 and 7, two conductors 2B, that are connected respectively to the electrodes and electrically the semiconductor chip 1 of 2B '. In the present invention, for example, by using the semiconductor chip 1 having only one electrode 10a on the upper surface, only one of the two conductors 2B and 2B ′ is wire-connected to the electrode 10a and the other conductor is connected. It can also be formed as a so-called dummy terminal. Although this dummy terminal is not electrically connected to the semiconductor chip, it is soldered when surface mounting the semiconductor device to a desired location using solder, so that the mounting strength can be increased. Useful. Some semiconductor chips have no electrode on the bottom surface and electrodes only on the top surface. When such a semiconductor chip is used, a conductor (conductor) on which the semiconductor chip is mounted (conductor) 2A) can also be used as a dummy terminal.

図８は、２つの導体２Ａ，２Ｂのうち、導体２Ｂには先細形状部２９を形成しているのに対し、導体２Ａにはそのような先細形状部は形成されておらず、その厚肉部２１ａは矩形状とされている。このように、本願発明においては、複数の導体のうち、少なくとも１つの導体の厚肉部が本願発明が意図する非矩形状に形成されていればよい。複数の導体のうちの１つでも本願発明が意図する非矩形状に形成されていれば、従来技術と比べて樹脂パッケージのクラック発生の虞れを少なくすることができるからである。 In FIG. 8, of the two conductors 2A and 2B, the conductor 2B has a tapered portion 29, whereas the conductor 2A has no such tapered portion, and its thick wall. The part 21a is rectangular. Thus, in this invention, the thick part of at least 1 conductor should just be formed in the non-rectangular shape which this invention intends among several conductors. This is because, even if one of the plurality of conductors is formed in the non-rectangular shape intended by the present invention, the risk of occurrence of cracks in the resin package can be reduced as compared with the prior art.

本願発明は、上述した例の内容に限定されない。本願発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The present invention is not limited to the contents of the above-described example . The specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present invention can be varied in design in various ways.

導体の厚肉部を非矩形状とする場合、上述した例のように、樹脂パッケージの中央部寄りほど幅が狭くなる形状にすれば、樹脂パッケージの成形時に樹脂パッケージの隅部に対する成形用樹脂の流動性を良くすることができる利点が得られるが、本願発明はこれに限定されない。導体の厚肉部の全体または一部の幅が不均一な非矩形状とされていれば、その具体的な形状を問わず、本願発明の技術的範囲に包摂される。 When the thick part of the conductor is made into a non-rectangular shape, as in the example described above, if the shape becomes narrower toward the center of the resin package, the molding resin for the corner of the resin package during molding of the resin package However, the present invention is not limited to this. Any non-rectangular shape in which the entire or part of the thick portion of the conductor is non-uniform is included in the technical scope of the present invention regardless of its specific shape.

本願発明は、導体や樹脂パッケージの具体的な材質も問わない。既述したとおり、半導体チップについては、その種類や内部の回路構成を問わないのに加え、その個数も１個に限定されない。樹脂パッケージ内に複数の半導体チップが封止されている構成とすることも可能である。 In the present invention, the specific material of the conductor or the resin package is not limited. As described above, the number of semiconductor chips is not limited to one, in addition to the type and internal circuit configuration. A structure in which a plurality of semiconductor chips are sealed in a resin package is also possible.

（ａ）は、本願発明に係る半導体装置の参考例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の透視平面図であり、（ｃ）は、（ａ）の底面図である。(A) is sectional drawing which shows the reference example of the semiconductor device which concerns on this invention, (b) is a perspective top view of (a), (c) is a bottom view of (a). 図１に示した半導体装置の製造に用いられるフレームの一例を示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of relevant parts showing an example of a frame used for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示した半導体装置の製造工程の一例を示す要部平面図である。FIG. 7 is a plan view of relevant parts showing an example of a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示した半導体装置の製造工程の一例を示す要部平面図である。FIG. 7 is a plan view of relevant parts showing an example of a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 本願発明に係る半導体装置の他の参考例を示す底面図である。It is a bottom view which shows the other reference example of the semiconductor device which concerns on this invention. （ａ）は、本願発明に係る半導体装置の他の参考例を示す透視平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の底面図である。(A) is a perspective plan view showing another reference example of the semiconductor device according to the present invention, and (b) is a bottom view of (a). 本願発明に係る半導体装置の他の例を示す底面図である。It is a bottom view which shows the other example of the semiconductor device which concerns on this invention. 本願発明に係る半導体装置の他の参考例を示す底面図である。It is a bottom view which shows the other reference example of the semiconductor device which concerns on this invention. （ａ）は、従来技術の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の底面図である。(A) is sectional drawing which shows an example of a prior art, (b) is a bottom view of (a).

Ａ 半導体装置
１ 半導体チップ
２Ａ，２Ｂ，２Ｂ’ 導体
３ 樹脂パッケージ
１０ａ 電極
２１ａ，２１ｂ 厚肉部
２２ａ，２２ｂ 薄肉部
２３ａ，２３ｂ 端子部
２５ａ，２５ｂ 凹部
３０ｂ 底面（樹脂パッケージの）
３０ｃ，３０ｄ 第１の側面（樹脂パッケージの）
３０ｅ，３０ｆ 第２の側面（樹脂パッケージの） A Semiconductor device 1 Semiconductor chip 2A, 2B, 2B 'Conductor 3 Resin package 10a Electrode 21a, 21b Thick part 22a, 22b Thin part 23a, 23b Terminal part 25a, 25b Recess 30b Bottom surface (of resin package)
30c, 30d First side surface (resin package)
30e, 30f Second side (resin package)

Claims (13)

半導体チップと、この半導体チップの電極に電気的に接続された複数の導体と、これら複数の導体および半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を有しており、上記各導体の下面部が上記樹脂パッケージの底面から露出した面実装用の端子部とされている、半導体装置であって、 上記複数の導体のうちの少なくとも一つの第１の導体には上記半導体チップの電極にボンディングされたワイヤの他端がボンディングされており、 さらに、半導体チップに接続されないダミー端子となる導体が、上記複数の導体および半導体チップとともに樹脂パッケージにより封止されており、 上記ダミー端子は、樹脂パッケージの底面に隣接する側面の一つからこの側面に垂直に樹脂パッケージ中央寄りの方向に伸びているとともに、厚みが相違する厚肉部と薄肉部とを有し、上記厚肉部の下面部が樹脂パッケージの底面から露出しており、上記薄肉部は樹脂パッケージの中央寄りになるほど幅が大きくなる肩部を有している半導体装置。 A semiconductor chip; a plurality of conductors electrically connected to the electrodes of the semiconductor chip; and a resin package that seals the plurality of conductors and the semiconductor chip. A semiconductor device having a surface mounting terminal portion exposed from a bottom surface of a resin package, wherein at least one first conductor of the plurality of conductors is bonded to an electrode of the semiconductor chip. In addition, a conductor serving as a dummy terminal not connected to the semiconductor chip is sealed with a resin package together with the plurality of conductors and the semiconductor chip, and the dummy terminal is attached to the bottom surface of the resin package. Extends from one of the adjacent side surfaces perpendicular to this side in the direction toward the center of the resin package, and the thickness is different. It has a thick part and a thin part, the lower surface part of the thick part is exposed from the bottom surface of the resin package, and the thin part has a shoulder part that becomes wider toward the center of the resin package. Semiconductor device. 上記厚肉部は樹脂パッケージの中央寄りになるほど幅が小さくなる先細形状部を有している請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the thick portion has a tapered portion whose width decreases toward the center of the resin package . 上記ダミー端子となる導体に、上記半導体チップが搭載されている請求項１または２に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor chip is mounted on a conductor serving as the dummy terminal. 上記半導体チップが複数あり、樹脂パッケージに上記複数の半導体チップが封止されている請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。 The semiconductor chip has several semiconductor device according to any of claims 1 to resin package the plurality of semiconductor chips are sealed 3. 第１の導体は、樹脂パッケージの底面に隣接する側面の一つからこの側面に垂直に樹脂パッケージ中央寄りの方向に伸びているとともに、厚みが相違する厚肉部と薄肉部とを有し、第１の導体の厚肉部の下面部が樹脂パッケージの底面から露出している請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。 The first conductor extends from one of the side surfaces adjacent to the bottom surface of the resin package in a direction toward the center of the resin package perpendicular to the side surface, and has a thick portion and a thin portion having different thicknesses, lower surface of the thick portion of the first conductor claims 1 exposed from the bottom surface of the resin package according to one of 4. 第１の導体の上記薄肉部は、樹脂パッケージの中央寄りになるほど幅が大きくなる肩部を有している請求項５に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 5 , wherein the thin portion of the first conductor has a shoulder portion that increases in width toward the center of the resin package. 第１の導体の上記厚肉部は、樹脂パッケージの中央寄りになるほど幅が小さくなる先細形状部を有している請求項５または６に記載の半導体装置。 The thick portion of the first conductor, a semiconductor device according to claim 5 or 6 has a tapered portion width as at the center side of the resin package is reduced. 樹脂パッケージは、上記底面に隣接する側面の一つを含む、第１方向に間隔を隔てた一対の第１の側面と、第１方向に直交する第２方向に間隔を隔てた一対の第２の側面とを有しているとともに、上記ダミー端子および第１の導体は、第２の側面において第１方向に間隔を隔てて設けられており、かつ、 上記ダミー端子の上記厚肉部および第１の導体の上記厚肉部は、第２方向において樹脂パッケージの中央寄りになるほど第１方向の幅が小さくなる先細形状部を有している、請求項５ないし８のいずれか１項に記載の半導体装置。 The resin package includes a pair of first side surfaces that are spaced apart in the first direction, including one of the side surfaces adjacent to the bottom surface, and a pair of second side surfaces that are spaced in the second direction orthogonal to the first direction. And the dummy terminal and the first conductor are spaced apart in the first direction on the second side surface, and the thick portion of the dummy terminal and the first conductor the thick portion of the first conductor, the width of about the first direction becomes close to the center of the resin package in the second direction has a tapered portion becomes small, according to any one of claims 5 to 8 Semiconductor device. 第１の導体は、上記側面から露出した端部を有しており、かつこの端部には凹部が形成されている、請求項５ないし８のいずれか１項に記載の半導体装置。 The first conductor has an end portion exposed from the side surface, and this is the end is formed with a recess, the semiconductor device according to any one of claims 5 to 8. ダミー端子および第１の導体は、略同一形状である、請求項５ないし９のいずれか１項に記載の半導体装置。The semiconductor device according to claim 5, wherein the dummy terminal and the first conductor have substantially the same shape. 上記先細形状部は、略台形状、略三角形状、または略半円状である、請求項２、７または８のいずれかに記載の半導体装置。
The tapered portion is substantially trapezoidal, a substantially triangular shape, or a substantially semicircular shape, the semiconductor device according to claim 2, 7 or 8.

上記薄肉部および厚肉部は、スタンピングまたはエッチング処理により形成されている、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the thin portion and the thick portion are formed by stamping or etching.
上記薄肉部および厚肉部は、先細形状部が延びる方向に対して左右対称形状である、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の半導体装置。The semiconductor device according to claim 1, wherein the thin portion and the thick portion are symmetrical with respect to a direction in which the tapered portion extends.
JP2009298268A 2009-12-28 2009-12-28 Semiconductor device Expired - Lifetime JP5171803B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009298268A JP5171803B2 (en) 2009-12-28 2009-12-28 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009298268A JP5171803B2 (en) 2009-12-28 2009-12-28 Semiconductor device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006200425A Division JP4476977B2 (en) 2006-07-24 2006-07-24 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010074193A JP2010074193A (en) 2010-04-02
JP5171803B2 true JP5171803B2 (en) 2013-03-27

Family

ID=42205628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009298268A Expired - Lifetime JP5171803B2 (en) 2009-12-28 2009-12-28 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5171803B2 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2517465B2 (en) * 1990-09-28 1996-07-24 三洋電機株式会社 Lead frame
JP3209696B2 (en) * 1996-03-07 2001-09-17 松下電器産業株式会社 Electronic component manufacturing method
JPH09260568A (en) * 1996-03-27 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and its manufacture
JP3877401B2 (en) * 1997-03-10 2007-02-07 三洋電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP3686287B2 (en) * 1999-07-14 2005-08-24 株式会社ルネサステクノロジ Manufacturing method of semiconductor device
JP3915337B2 (en) * 1999-09-01 2007-05-16 松下電器産業株式会社 Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010074193A (en) 2010-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4002476B2 (en) Semiconductor device
JP6261055B2 (en) Integrated circuit module
KR101563911B1 (en) Semiconductor package
US11183444B2 (en) Packaging of a semiconductor device with a plurality of leads
JP6370071B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI634634B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101486790B1 (en) Micro Lead Frame for semiconductor package
US20140291828A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2015072947A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9331041B2 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9401318B2 (en) Quad flat no-lead package and manufacturing method thereof
JP2008085002A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
US10964627B2 (en) Integrated electronic device having a dissipative package, in particular dual side cooling package
JP2018157070A (en) Semiconductor device
JP2008270301A (en) Semiconductor device
KR101569769B1 (en) Semiconductor package with clip structure and fabricating method for the same
JP4476977B2 (en) Semiconductor device
JP6909630B2 (en) Semiconductor device
JP5171803B2 (en) Semiconductor device
JP2008153710A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20220048129A (en) Stack packages including supporter
JP5119092B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2008294132A (en) Mold package and manufacturing method therefor
JP2007141947A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP5477260B2 (en) Electronic device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100126

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5171803

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term