JP5529064B2 - Non-contact switch and magnetic sensor - Google Patents

Description

本発明は、磁気センサを用いた非接触スイッチ及び磁気センサに関する。 The present invention relates to a non-contact switch using a magnetic sensor and a magnetic sensor .

非接触スイッチとして、磁界感応センサを備えた近接スイッチが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この従来の近接スイッチは、コ字状に形成された基部にＮＳ極を有する永久磁石を備えている。この永久磁石のコ字状凹部内には、３つのＮ極によって囲まれた無磁束の領域（無磁界領域）が形成されており、この無磁界領域において磁界に感応する磁界感応センサが取り付けられている。磁性体が一対の脚部の２つのＮ極に近接したとき、無磁界領域に磁界が発生するので、この磁界の変化を磁界感応センサにより検出することでスイッチ回路をオン・オフすることができる。   As a non-contact switch, a proximity switch including a magnetic field sensitive sensor has been proposed (see, for example, Patent Document 1). This conventional proximity switch includes a permanent magnet having an NS pole at a base formed in a U-shape. In the U-shaped concave portion of the permanent magnet, a magnetic flux-free region (magnetic fieldless region) surrounded by three N poles is formed, and a magnetic field sensitive sensor sensitive to a magnetic field is attached in the magnetic fieldless region. ing. When the magnetic body is close to the two N poles of the pair of legs, a magnetic field is generated in the non-magnetic field region, and the switch circuit can be turned on / off by detecting this change in the magnetic field with a magnetic field sensitive sensor. .

特許第２９２１６０３号公報Japanese Patent No. 2921603

上記特許文献１記載の従来の近接スイッチにおいては、コ字状の永久磁石が均等な形状ではなく、不規則であり、磁極が均等位置に配置されていないので、形状誤差の影響を受けて永久磁石により与えられる磁界が歪み、永久磁石の部分ごとでパーミアンスが異なる。これにより、永久磁石の温度による減磁が不均一に発生し、磁界の方向（磁気ベクトルの方向）が大きく変化してしまうので、近接スイッチの切替位置がずれてしまう。   In the conventional proximity switch described in Patent Document 1, the U-shaped permanent magnets are not uniform in shape but irregular, and the magnetic poles are not arranged at uniform positions. The magnetic field applied by the magnet is distorted, and the permeance varies from part to part of the permanent magnet. As a result, demagnetization due to the temperature of the permanent magnet occurs non-uniformly and the direction of the magnetic field (direction of the magnetic vector) changes greatly, so that the switching position of the proximity switch is shifted.

本発明の目的は、誤作動を抑制することができるとともに、検出精度を高めることを可能とした非接触スイッチ及び磁気センサを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a non-contact switch and a magnetic sensor that can suppress malfunctions and increase detection accuracy.

［１］本発明は、所定の方向に向いた磁束を検出領域に発生させる磁石と、前記検出領域に配置され、磁性部材の近接による前記磁束の方向の変化を検出する磁気センサと、前記磁気センサの出力信号に基づいてオン又はオフを判断する判断部とを備えてなり、前記磁石は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを形成する基準曲面に対して、その基準曲面のそれぞれの点において垂直方向に所定の厚みを有して形状が形成され、前記それぞれの点において前記垂直方向に着磁されて磁気形成されていることを特徴とする非接触スイッチが提供される。 [1] The present invention provides a magnet that generates a magnetic flux directed in a predetermined direction in a detection region, a magnetic sensor that is disposed in the detection region and detects a change in the direction of the magnetic flux due to the proximity of a magnetic member, and the magnetic A determination unit that determines on or off based on an output signal of the sensor, and the magnet has a reference curved surface that forms a first surface that is an N pole and a second surface that is an S pole. On the other hand, a shape having a predetermined thickness in the vertical direction is formed at each point of the reference curved surface, and magnetized by being magnetized in the vertical direction at each point. A contact switch is provided.

ここで、基準曲面とは、磁石の形状の基準となる曲面形状をいう。この磁石の形状は、基準曲面に対して、Ｎ極となる第１の面側及びＳ極となる第２の面側が対称の形状、非対称の形状、又はこれらを組み合わせた形状を含む。   Here, the reference curved surface refers to a curved surface shape that serves as a reference for the shape of the magnet. The shape of the magnet includes a symmetric shape, an asymmetric shape, or a combination of these on the first curved surface side serving as the N pole and the second surface side serving as the S pole with respect to the reference curved surface.

［２］上記［１］記載の発明にあって、前記磁石は、曲面部と、前記曲面部から同じ方向へ延びた一対の延出部とを有するＵ字形状に形成されてなることを特徴とする。 [2] In the invention described in [1] above, the magnet is formed in a U shape having a curved surface portion and a pair of extending portions extending in the same direction from the curved surface portion. And

［３］本発明は更に、所定の方向に向いた磁束を検出領域に発生させる磁石と、[3] The present invention further includes a magnet for generating a magnetic flux directed in a predetermined direction in the detection region;
前記検出領域に配置され、磁性部材の近接による前記磁束の方向の変化を検出する磁気検出素子とを備え、前記磁石は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを形成する基準曲面に対して、その基準曲面のそれぞれの点において垂直方向に所定の厚みを有して形状が形成され、前記それぞれの点において前記垂直方向に着磁されて磁気形成されていることを特徴とする磁気センサが提供される。A magnetic detection element disposed in the detection region and detecting a change in the direction of the magnetic flux due to the proximity of a magnetic member, wherein the magnet has a first surface serving as an N pole and a second surface serving as an S pole. Is formed with a predetermined thickness in the vertical direction at each point of the reference curved surface, and is magnetized by being magnetized in the vertical direction at each point. A magnetic sensor is provided.

本発明によれば、誤作動を抑制することができるとともに、検出精度を高めることができる非接触スイッチ及び磁気センサが得られる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to suppress malfunction, the non-contact switch and magnetic sensor which can raise detection accuracy are obtained.

本発明の第１の実施の形態に係る無接点スイッチの一構成例を模式的に示す正面図である。It is a front view showing typically an example of 1 composition of a non-contact switch concerning a 1st embodiment of the present invention. 第１の実施の形態における無接点スイッチの側面図である。It is a side view of the non-contact switch in a 1st embodiment. （ａ）は第１の実施の形態に係る被検出部が近接したときのＭＲセンサが配置される平面の磁気ベクトルの向きを表した概略図であり、（ｂ）は被検出部が離れたときのＭＲセンサが配置される平面の磁気ベクトルの向きを表した概略図である。(A) is the schematic showing the direction of the magnetic vector of the plane where MR sensor is arranged when the detected part which adjoins the 1st embodiment adjoins, (b) is the detected part separated It is the schematic showing the direction of the magnetic vector of the plane where the MR sensor at the time is arranged. 第１の実施の形態におけるブリッジ回路の概略図である。It is the schematic of the bridge circuit in 1st Embodiment. 第１の実施の形態におけるＭＲセンサを用いたブレーキ装置の機能ブロック構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the functional block structure of the brake device using MR sensor in 1st Embodiment. 第２の実施の形態における無接点スイッチの一構成例を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows typically one structural example of the non-contact switch in 2nd Embodiment. 第３の実施の形態における無接点スイッチの一構成例を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows typically one structural example of the non-contact switch in 3rd Embodiment. 第４の実施の形態におけるブリッジ回路の概略図である。It is the schematic of the bridge circuit in 4th Embodiment.

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.

［第１の実施の形態］
（無接点スイッチの構成）
図１において、全体を示す符号１０は、磁石の磁力を非接触で検出する非接触スイッチ（以下、「無接点スイッチ」という。）の一構成例を例示している。この無接点スイッチ１０はセンサ１１、基板１２、及び磁性体１３を備えている。センサ１１は、磁石１４と、２つのＭＲセンサ１５，１５とを有している。この基板１２、磁石１４、及びＭＲセンサ１５は、例えば図示しない非磁性体である筐体に収容されており、樹脂材料でモールド化される。 [First Embodiment]
(Configuration of solid state switch)
In FIG. 1, reference numeral 10 indicating the whole exemplifies a configuration example of a non-contact switch (hereinafter referred to as “ non-contact switch ”) that detects the magnetic force of the magnet in a non-contact manner. The contactless switch 10 includes a sensor 11, a substrate 12, and a magnetic body 13. The sensor 11 has a magnet 14 and two MR sensors 15 and 15. The substrate 12, the magnet 14, and the MR sensor 15 are accommodated in, for example, a non-magnetic casing (not shown) and molded with a resin material.

（磁石の構成）
この第１の実施の形態における無接点スイッチ１０の最も主要な構成は、磁石１４の構造にある。この磁石１４は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを有している。この第１の面と第２の面とを形成する基準曲面ＣＬ（基準曲面を形成する基準曲線ＣＬ）のそれぞれの点において、垂直方向に所定の肉厚（幅）Ｗ１，Ｗ２を有する形状が形成されており、垂直方向に着磁されて磁化されている。 (Composition of magnet)
The most main configuration of the contactless switch 10 in the first embodiment is the structure of the magnet 14. The magnet 14 has a first surface that is an N pole and a second surface that is an S pole. A shape having a predetermined thickness (width) W1, W2 in the vertical direction at each point of the reference curved surface CL (reference curve CL forming the reference curved surface) that forms the first surface and the second surface. It is formed and magnetized by being magnetized in the vertical direction.

図示例によると、この磁石１４は、例えばＰＰＳ樹脂にネオジムを加えて成形したプラスチック磁石であってもよく、圧縮成形や射出成形などにより周方向に均等な形状を有する円筒状に形成された磁界発生筒部として構成されている（以下、「円筒磁石１４」という。）。この円筒磁石１４は、両端部に中心軸線Ｏに垂直な円環状の開口端面を有する円筒部１４ａからなる。この円筒部１４ａは、内周面の曲率と外周面の曲率とが同じ曲率を有する円弧形状に形成されている。   According to the illustrated example, the magnet 14 may be a plastic magnet formed by adding neodymium to PPS resin, for example, and a magnetic field formed in a cylindrical shape having a uniform shape in the circumferential direction by compression molding or injection molding. It is comprised as a generation | occurrence | production cylinder part (henceforth "the cylindrical magnet 14"). The cylindrical magnet 14 includes a cylindrical portion 14a having an annular opening end surface perpendicular to the central axis O at both ends. The cylindrical portion 14a is formed in an arc shape in which the curvature of the inner peripheral surface and the curvature of the outer peripheral surface have the same curvature.

この円筒磁石１４は、図１及び図２に示すように、円筒部１４ａの中心軸線Ｏを中心とする半径方向外周面側にＮ極となる第１の面を有するとともに、半径方向内周面側にＳ極となる第２の面を有する構成となっている。図示例によると、基準曲面ＣＬを中心として円筒部１４ａの半径方向の肉厚Ｗ１，Ｗ２のそれぞれが周方向に一定に形成されており、円筒磁石１４における円筒部１４ａの半径方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極に着磁されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the cylindrical magnet 14 has a first surface serving as an N pole on the radial outer peripheral surface side centered on the central axis O of the cylindrical portion 14 a and a radial inner peripheral surface. It has the structure which has the 2nd surface used as the S pole in the side. According to the illustrated example, each of the radial thicknesses W1 and W2 of the cylindrical portion 14a is formed constant in the circumferential direction around the reference curved surface CL, and each half of the cylindrical portion 14a in the cylindrical magnet 14 in the radial direction is respectively formed. N pole and S pole are magnetized.

このように、円筒磁石１４における円筒部１４ａの半径方向半々ずつがそれぞれＮ極及びＳ極に着磁されることで、円筒磁石１４にはＮ極からＳ極へ磁束線Ｚが出る。この磁束線Ｚが磁界の方向となることから、磁界の方向（磁束線Ｚの方向）は、円筒部１４ａの半径方向となる。図示例では、磁束線Ｚが円筒部１４ａの外周面側を下向きに通り、円筒部１４ａの内周面側を上向きに通ることになる。   In this way, each half of the cylindrical portion 14a in the cylindrical magnet 14 in the radial direction is magnetized to the N pole and the S pole, so that the magnetic flux line Z appears from the N pole to the S pole. Since this magnetic flux line Z becomes the direction of the magnetic field, the direction of the magnetic field (direction of the magnetic flux line Z) is the radial direction of the cylindrical portion 14a. In the illustrated example, the magnetic flux line Z passes downward on the outer peripheral surface side of the cylindrical portion 14a and passes upward on the inner peripheral surface side of the cylindrical portion 14a.

この円筒磁石１４は、図１及び図２に示すように、例えば円筒部１４ａの外部に配置された着磁用部材を利用して磁化される。その一例としては、例えば円筒部１４ａの対向端面に向けて着磁用部材を近接させることで所定の磁界が印加され、円筒部１４ａの中心軸線Ｏを中心とする半径方向には磁極Ｎと磁極Ｓが着磁される。図示例では、円筒部１４ａの半径方向外周面側から半径方向内周面側へ着磁しているが、これとは逆に、円筒部１４ａの半径方向外周面側にＳ極を形成し、半径方向内周面側にＮ極を形成しても機能させることができることは勿論である。   As shown in FIGS. 1 and 2, the cylindrical magnet 14 is magnetized by using a magnetizing member disposed outside the cylindrical portion 14a, for example. As an example, for example, a predetermined magnetic field is applied by bringing a magnetizing member close to the opposing end surface of the cylindrical portion 14a, and the magnetic pole N and the magnetic pole are arranged in the radial direction about the central axis O of the cylindrical portion 14a. S is magnetized. In the illustrated example, the cylindrical portion 14a is magnetized from the radially outer peripheral surface side to the radially inner peripheral surface side. On the contrary, an S pole is formed on the radially outer peripheral surface side of the cylindrical portion 14a. Of course, it is possible to function even if an N pole is formed on the radially inner surface side.

図示例による円筒磁石１４の内外周方向の曲率は、同一の曲面に形成されているが、本発明にあっては、これに限定されるものではない。本発明にあっては、円筒磁石１４の内外周方向の曲率が異なる曲面形状、あるいは内外周方向の曲率が零の曲面である平面を含む形状であってもよい。また、磁界が基準曲面ＣＬを形成する基準曲線ＣＬに対して垂直な方向に交わる形状であれば、図示例の円筒磁石１４における円筒部１４ａの半径方向の肉厚Ｗ１，Ｗ２が、円筒部１４ａの基準曲面ＣＬに対して非対称なもの、対称なもの、又はこれらを組み合わせたものであってもよい。   Although the curvature of the inner and outer peripheral directions of the cylindrical magnet 14 according to the illustrated example is formed on the same curved surface, the present invention is not limited to this. In the present invention, the cylindrical magnet 14 may have a curved surface shape having different curvatures in the inner and outer circumferential directions, or a shape including a flat surface having a curved surface having zero curvature in the inner and outer circumferential directions. Further, if the magnetic field intersects in a direction perpendicular to the reference curve CL forming the reference curved surface CL, the radial thicknesses W1 and W2 of the cylindrical portion 14a in the cylindrical magnet 14 in the illustrated example are the cylindrical portion 14a. The reference curved surface CL may be asymmetrical, symmetric, or a combination thereof.

（基板の構成）
この基板１２は、例えばシリコン等からなり、図１及び図２に示すように、直方形状に形成されている。基板１２の表面には、円筒磁石１４の円筒部１４ａの中心軸線Ｏを含む垂直面を対称面として、磁気センサである２つのＭＲセンサ１５，１５が形成されている。基板１２の幅は、円筒磁石１４の円筒部１４ａに対して基板１２が挿入可能となるように、円筒部１４ａの内径より小さく形成されている。その円筒部１４ａの内部には、基板１２の対向長辺部が円筒部１４ａの中心軸線Ｏを含む平面上に配置されており、ＭＲセンサ１５，１５が円筒磁石１４と相対移動しないように、図示しない固定部材を介して基板１２が固定されている。 (Substrate structure)
The substrate 12 is made of, for example, silicon and is formed in a rectangular shape as shown in FIGS. Two MR sensors 15 and 15 that are magnetic sensors are formed on the surface of the substrate 12 with a vertical plane including the central axis O of the cylindrical portion 14a of the cylindrical magnet 14 as a symmetry plane. The width of the substrate 12 is formed smaller than the inner diameter of the cylindrical portion 14 a so that the substrate 12 can be inserted into the cylindrical portion 14 a of the cylindrical magnet 14. Inside the cylindrical portion 14a, the opposing long side portion of the substrate 12 is disposed on a plane including the central axis O of the cylindrical portion 14a, so that the MR sensors 15 and 15 do not move relative to the cylindrical magnet 14. The substrate 12 is fixed via a fixing member (not shown).

（磁性体の構成）
この磁性体１３は、例えば鉄材等で形成されており、図１及び図２に示すように、センサ１１に近接、又はセンサ１１から離れることで、円筒磁石１４の磁界の大きさ（強さ）を変化させる被検出部とされている。この磁性体１３の位置により無接点スイッチをオン・オフする構成が効果的に得られる。 (Configuration of magnetic material)
The magnetic body 13 is formed of, for example, an iron material or the like. As shown in FIGS. 1 and 2, the magnetic body 13 has a magnetic field magnitude (strength) close to or away from the sensor 11. To be detected. A configuration in which the contactless switch is turned on and off depending on the position of the magnetic body 13 can be effectively obtained.

（センサの構成）
図１及び図２において、一対のＭＲセンサ１５，１５のうち、一方のＭＲセンサ１５について説明するが、他方のＭＲセンサ１５も同様の形状及び構造からなる。このＭＲセンサ１５は、例えばパーマロイ等の強磁性体を用い、フォトリゾグラフィー法などにより作製された磁気抵抗素子を有している。 (Sensor configuration)
1 and 2, one MR sensor 15 of the pair of MR sensors 15 and 15 will be described. The other MR sensor 15 also has the same shape and structure. This MR sensor 15 has a magnetoresistive element manufactured by a photolithographic method or the like using a ferromagnetic material such as permalloy.

図３を参照すると、図３には、磁性体１３及び円筒磁石１４に印加される磁界の一例が矢印（磁気ベクトルＺ）で模式的に示されている。図３（ａ）は、図１に示す磁性体１３と円筒磁石１４との間の距離ｄが１ｍｍのときの磁界を、図３（ｂ）は、距離ｄが４ｍｍのときの磁界をそれぞれ表している。なお、磁気ベクトルＺの長さは、磁界の強さに比例しているが、矢印の大きさは、磁界の強さには関係しないものとする。   Referring to FIG. 3, an example of a magnetic field applied to the magnetic body 13 and the cylindrical magnet 14 is schematically shown by an arrow (magnetic vector Z) in FIG. 3. 3A shows a magnetic field when the distance d between the magnetic body 13 and the cylindrical magnet 14 shown in FIG. 1 is 1 mm, and FIG. 3B shows a magnetic field when the distance d is 4 mm. ing. The length of the magnetic vector Z is proportional to the strength of the magnetic field, but the size of the arrow is not related to the strength of the magnetic field.

この円筒磁石１４には、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、４つの磁界が形成される。この４つの磁界の切替領域には、磁気ベクトルＺが円筒磁石１４の中心軸線Ｏに対して真横方向（半径方向）を向く第１領域Ａ及び第２領域Ｂが形成される。この第１及び第２領域Ａ，Ｂは磁界の変化を検出する検出領域とされており、これらの領域Ａ，Ｂ内のそれぞれには、ＭＲセンサ１５，１５が配置されている。   As shown in FIGS. 3A and 3B, four magnetic fields are formed on the cylindrical magnet 14. In the four magnetic field switching regions, a first region A and a second region B are formed in which the magnetic vector Z faces in a direction transverse to the central axis O of the cylindrical magnet 14 (radial direction). The first and second areas A and B are detection areas for detecting a change in magnetic field, and MR sensors 15 and 15 are arranged in these areas A and B, respectively.

このＭＲセンサ１５，１５に印加される磁界は、図３（ａ）に示すように、磁性体１３が円筒磁石１４に近接した初期位置にある状態と、図３（ｂ）に示すように、磁性体１３が円筒磁石１４から離れて、磁性体１３の影響を受けない状態との間で変化する。この磁気ベクトルＺの変化は、ＭＲセンサ１５，１５により検出される。   As shown in FIG. 3A, the magnetic field applied to the MR sensors 15 and 15 is in a state where the magnetic body 13 is in an initial position close to the cylindrical magnet 14, and as shown in FIG. The magnetic body 13 moves away from the cylindrical magnet 14 and changes from a state where it is not affected by the magnetic body 13. This change in the magnetic vector Z is detected by the MR sensors 15 and 15.

磁性体１３が円筒磁石１４に近接したとき、磁性体１３及び円筒磁石１４によって印加される磁界は、図３（ａ）に示すように、円筒部１４ａの内周面側を上向きに通って磁性体１３へ指向して形成される。第１及び第２領域Ａ，Ｂは、磁気ベクトルＺの方向が円筒磁石１４の中心軸線Ｏに対して真横方向を向く領域であり、磁気ベクトルＺの向きがＭＲセンサ１５，１５に対してほぼ０度となれば、ＭＲセンサ１５，１５には出力電圧が発生しないか、あるいは出力電圧が小さくなる。   When the magnetic body 13 is close to the cylindrical magnet 14, the magnetic field applied by the magnetic body 13 and the cylindrical magnet 14 passes through the inner peripheral surface side of the cylindrical portion 14a upward as shown in FIG. It is formed toward the body 13. The first and second regions A and B are regions in which the direction of the magnetic vector Z is directed in a direction transverse to the central axis O of the cylindrical magnet 14, and the direction of the magnetic vector Z is approximately the MR sensor 15 and 15. If it becomes 0 degree, an output voltage will not generate | occur | produce in MR sensors 15 and 15, or an output voltage will become small.

一方、磁性体１３が円筒磁石１４から離れたとき、図３（ｂ）に示すように、円筒磁石１４によって印加される磁界は移動する。磁性体１３が円筒磁石１４から遠ざかり、円筒磁石１４の磁界が移動するのに伴い、第１及び第２領域Ａ，ＢにおけるＭＲセンサ１５，１５を通過する磁気ベクトルＺの方向が変化する。磁界の磁気ベクトルＺの向きに応じてＭＲセンサ１５，１５の磁気抵抗値が変化するので、出力電圧の変化を検出することができる。   On the other hand, when the magnetic body 13 is separated from the cylindrical magnet 14, the magnetic field applied by the cylindrical magnet 14 moves as shown in FIG. As the magnetic body 13 moves away from the cylindrical magnet 14 and the magnetic field of the cylindrical magnet 14 moves, the direction of the magnetic vector Z passing through the MR sensors 15 and 15 in the first and second regions A and B changes. Since the magnetoresistive values of the MR sensors 15 and 15 change according to the direction of the magnetic vector Z of the magnetic field, a change in the output voltage can be detected.

これにより、磁性体１３の円筒磁石１４に対する距離ｄの変化を安定して検出することが可能となり、ＭＲセンサ１５，１５は、磁界方向に応じた電圧を出力することができる。その結果、磁界の磁気ベクトルＺの向きの変化に基づいた磁気抵抗値の変化が検出し易くなる。   This makes it possible to stably detect a change in the distance d of the magnetic body 13 with respect to the cylindrical magnet 14, and the MR sensors 15 and 15 can output a voltage corresponding to the magnetic field direction. As a result, it becomes easy to detect a change in the magnetoresistance value based on a change in the direction of the magnetic vector Z of the magnetic field.

このＭＲセンサ１５は、図４に示すように、４つの磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４を有しており、この磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によりブリッジ回路１６が構成される。磁気抵抗素子Ｒ１と磁気抵抗素子Ｒ３とが互いに直列接続されるとともに、磁気抵抗素子Ｒ２と磁気抵抗素子Ｒ４とが互いに直列接続されている。磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ３と磁気抵抗素子Ｒ２，Ｒ４とは互いに並列接続されている。   As shown in FIG. 4, the MR sensor 15 has four magnetoresistive elements R1 to R4, and the magnetoresistive elements R1 to R4 constitute a bridge circuit 16. The magnetoresistive element R1 and the magnetoresistive element R3 are connected in series with each other, and the magnetoresistive element R2 and the magnetoresistive element R4 are connected in series with each other. The magnetoresistive elements R1, R3 and the magnetoresistive elements R2, R4 are connected in parallel to each other.

この磁気抵抗素子Ｒ１と磁気抵抗素子Ｒ３との間には、図４に示すように、電源部に接続される入力端子１６ａが形成されている。磁気抵抗素子Ｒ２と磁気抵抗素子Ｒ４との間にはアース端子１６ｂが形成されている。磁気抵抗素子Ｒ１と磁気抵抗素子Ｒ２との間には、中点電位Ｖ１が出力される出力端子１６ｃが形成されている。磁気抵抗素子Ｒ３と磁気抵抗素子Ｒ４との間には、中点電位Ｖ２が出力される出力端子１６ｄが形成されている。   As shown in FIG. 4, an input terminal 16a connected to the power supply unit is formed between the magnetoresistive element R1 and the magnetoresistive element R3. A ground terminal 16b is formed between the magnetoresistive element R2 and the magnetoresistive element R4. Between the magnetoresistive element R1 and the magnetoresistive element R2, an output terminal 16c from which a midpoint potential V1 is output is formed. Between the magnetoresistive element R3 and the magnetoresistive element R4, an output terminal 16d from which a midpoint potential V2 is output is formed.

磁性体１３の移動に伴い、円筒磁石１４の磁界が移動するので、磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に付与されている磁界の磁気ベクトルＺの向きが変化する。磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の磁気抵抗値が変化することで、中点電位Ｖ１と中点電位Ｖ２とが変化する。中点電位Ｖ１と中点電位Ｖ２との差分値が、出力電圧Ｖとして出力される。   As the magnetic body 13 moves, the magnetic field of the cylindrical magnet 14 moves, so that the direction of the magnetic vector Z of the magnetic field applied to the magnetoresistive elements R1 to R4 changes. By changing the magnetic resistance values of the magnetoresistive elements R1 to R4, the midpoint potential V1 and the midpoint potential V2 change. A difference value between the midpoint potential V1 and the midpoint potential V2 is output as the output voltage V.

なお、ＭＲセンサ１５の配置位置は、図示例に限定されるものではなく、磁気ベクトルＺの方向が円筒磁石１４の中心軸線Ｏに対して真横方向に向かい、磁性体１３の近接・離間により磁気ベクトルの向きが変化する領域であれば、例えば基板に平行な平面内に自由に配置可能である。磁気センサとしては、例えばホール素子やホールＩＣなどを適用することができる。   The arrangement position of the MR sensor 15 is not limited to the illustrated example, and the direction of the magnetic vector Z is directed to the lateral direction with respect to the central axis O of the cylindrical magnet 14, and the magnetic material 13 approaches and moves away from the magnetism. Any region where the direction of the vector changes can be freely arranged in a plane parallel to the substrate, for example. As the magnetic sensor, for example, a Hall element or a Hall IC can be applied.

（ストップランプスイッチの構成）
上記のごとく構成されたセンサ１１は、移動体の位置検出に用いられる非接触スイッチとして効果的に使用することができる。その一例としては、例えば車両のブレーキペダルの位置検出に用いられるストップランプ（ブレーキランプ）スイッチがある。図５を参照すると、図５には、ブレーキ装置の機能ブロック構成の一例が例示されている。なお、図５において上記第１の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。 (Configuration of stop lamp switch)
The sensor 11 configured as described above can be effectively used as a non-contact switch used for position detection of a moving body. As an example, there is a stop lamp (brake lamp) switch used for detecting the position of a brake pedal of a vehicle, for example. Referring to FIG. 5, FIG. 5 illustrates an example of a functional block configuration of the brake device. In FIG. 5, the same member names and symbols are assigned to substantially the same members as those in the first embodiment.

このストップランプスイッチ１００は、図示しない車体に固定されたセンサ１１と、ブレーキペダル１０１のアーム部に固定された磁性体１３とを備えている。ブレーキペダル１０１は、図示しない車体のフレームに固定されたブラケットに対して、アーム部の上端部が支軸を中心として車体前後方向に移動可能に設けられる。   The stop lamp switch 100 includes a sensor 11 fixed to a vehicle body (not shown) and a magnetic body 13 fixed to an arm portion of a brake pedal 101. The brake pedal 101 is provided such that an upper end portion of an arm portion is movable in the longitudinal direction of the vehicle body about a support shaft with respect to a bracket fixed to a frame of a vehicle body (not shown).

センサ１１は、閾値１７を図示しない判断部としての制御ＩＣ１８に同じく図示を省略したコネクタを介して接続されている。このセンサ１１、磁性体１３、及び制御ＩＣ１８により、非接触スイッチ１０が構成される。センサ１１や磁性体１３の配置位置によって、ストップランプのコントロールユニットであるＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）を介してストップランプスイッチ１００の切替点（オン・オフ）を制御することが可能である。なお、ＭＲセンサ１５と制御ＩＣ１８とをワンチップ化したものをＩＣチップとし、このＩＣチップが樹脂モールドされたモールドＩＣを構成しているものであってもよい。 Sensor 11 is connected likewise via a connector not shown to the control IC 18 as illustrated such have decisions section threshold 17. The sensor 11, the magnetic body 13, and the control IC 18 constitute a non-contact switch 10. The switching point (on / off) of the stop lamp switch 100 can be controlled through an ECU (Electronic Control Unit) which is a control unit of the stop lamp, depending on the arrangement position of the sensor 11 and the magnetic body 13. Note that the MR sensor 15 and the control IC 18 may be integrated into a single chip, which may be an IC chip, and the IC chip may be a resin-molded mold IC.

このストップランプスイッチ１００は、センサ１１の円筒磁石１４の磁界方向を変化させる磁性体１３の位置によって、ブレーキ操作の有無を検出する。ブレーキペダル１０１が踏み込まれていないときの磁性体１３の位置が基準位置とされる。制御ＩＣ１８では、センサ１１からの出力電圧Ｖと閾値１７とを比較してブレーキ操作の有無を判断する。ブレーキ操作が行われたと判断したときは、ＥＣＵ１０３を介してブレーキランプ１０２を点灯させる。 The stop lamp switch 100 detects the presence or absence of a brake operation based on the position of the magnetic body 13 that changes the magnetic field direction of the cylindrical magnet 14 of the sensor 11. The position of the magnetic body 13 when the brake pedal 101 is not depressed is the reference position. The control IC 18 compares the output voltage V from the sensor 11 with the threshold value 17 to determine whether or not a brake operation has been performed. When it is determined that the brake operation has been performed, the brake lamp 102 is turned on via the ECU 103.

ブレーキペダル１０１を踏み込み操作していない状態においては、出力レベルＬの検出信号が出力される。この検出信号は、制御ＩＣ１８において、閾値以下か否かが判定される。出力レベルＬの場合には、閾値以下である旨の判定信号（オフ信号）が出力される。これにより、このオフ信号をＥＣＵ１０３に出力する。図示しないブレーキランプ駆動回路では、オフ信号を入力すると、ブレーキランプ１０２を消灯状態にする。 In a state where the brake pedal 101 is not depressed, an output level L detection signal is output. In the control IC 18, it is determined whether or not this detection signal is equal to or less than a threshold value. When the output level is L, a determination signal (off signal) indicating that the output level is equal to or less than the threshold value is output. Thereby, this OFF signal is output to ECU103. In a brake lamp drive circuit (not shown), when an off signal is input, the brake lamp 102 is turned off.

一方、ブレーキペダル１０１を踏み込み操作すると、ブレーキペダル１０１がアーム部の支軸を中心として車体前方向に移動することで、磁性体１３はセンサ１１の円筒磁石１４から離れる。この状態においては、出力レベルＨの検出信号が出力される。この検出信号は、制御ＩＣ１８において閾値以下か否かが判定される。出力レベルＨの場合には、閾値以上である旨の判定信号（オン信号）が出力される。これにより、このオン信号をＥＣＵ１０３に出力する。ブレーキランプ駆動回路では、オン信号に基づいて、ブレーキランプ１０２を点灯状態とする。 On the other hand, when the brake pedal 101 is depressed, the magnetic pedal 13 moves away from the cylindrical magnet 14 of the sensor 11 by moving the brake pedal 101 forward of the vehicle body about the support shaft of the arm portion. In this state, a detection signal of output level H is output. It is determined in the control IC 18 whether or not this detection signal is equal to or less than a threshold value. When the output level is H, a determination signal (ON signal) indicating that the output level is equal to or higher than the threshold value is output. As a result, this ON signal is output to the ECU 103. In the brake lamp drive circuit, the brake lamp 102 is turned on based on the ON signal.

センサ１１からの制御ＩＣ１８に対する出力電圧Ｖは、２つのＭＲセンサ１５，１５毎に出力されるか、あるいは２つのＭＲセンサ１５，１５のうち、一方のセンサ１５から出力されることで、ブレーキ操作の有無を判断する構成を採用してもよい。２つのＭＲセンサ１５，１５のうち、一方のセンサ１５が故障したとき、制御ＩＣ１８は、故障していない他方のＭＲセンサ１５からの出力電圧Ｖに基づいてブレーキランプ１０２の点灯・消灯（オン・オフ）を判断することができる。なお、出力電圧Ｖは、２つのＭＲセンサ１５，１５の出力を加算した値、あるいは２つの出力の平均値に基づいてブレーキランプ１０２の点灯・消灯（オン・オフ）を判断する構成であってもよいことは勿論である。また、ＥＣＵ１０３に制御ＩＣ１８の故障有無の判定認識を行う機能を持たせてもよい。 The output voltage V from the sensor 11 to the control IC 18 is output for each of the two MR sensors 15, 15, or is output from one of the two MR sensors 15, 15, thereby braking. You may employ | adopt the structure which judges the presence or absence of operation. When one of the two MR sensors 15, 15 fails, the control IC 18 turns on / off (turns on) the brake lamp 102 based on the output voltage V from the other MR sensor 15 that does not fail.・ Off) can be determined. The output voltage V is a configuration for determining whether the brake lamp 102 is turned on or off (on / off) based on a value obtained by adding the outputs of the two MR sensors 15 or 15 or an average value of the two outputs. Of course, it is also good. Further, the ECU 103 may be provided with a function of performing determination recognition of whether or not the control IC 18 has failed.

（第１の実施の形態の効果）
この第１の実施の形態に係る非接触スイッチ１０は、Ｎ極面とＳ極面とを形成する基準曲面を形成する基準曲線ＣＬのそれぞれの点において、垂直方向に所定の肉厚Ｗ１，Ｗ２を有する円筒形状に形成されている。図示例では、円筒磁石１４が均等な形状であり、磁極ＮＳを半径方向半々ずつ均等に配置する構成となっているため、上記効果に加えて、以下の効果を有する。
（１）円筒磁石１４から付与される磁界の歪みによる検出誤差を抑制することが可能になる。
（２）円筒磁石１４からの磁界の方向が広い範囲にわたって均一となり、磁界の方向が均一な磁界をＭＲセンサ１５の周囲の設置空間に形成することができるようになる。
（３）従来のコ字状の永久磁石と比べると、組み付け性を向上させることができる。
（４）磁束方向が円筒磁石１４の中心軸線Ｏに対して真横方向に向かう安定した領域で磁性体１３の近接・離間を検出するので、誤作動を抑制することが可能になる。それに加えて、２つのＭＲセンサ１５，１５により検出するので、検出精度を高めることができる。
（５）円筒磁石１４の温度による減磁分を補償することができるので、指令値に対応する正確な制御を実現することができる。 (Effects of the first embodiment)
The non-contact switch 10 according to the first embodiment has a predetermined thickness W1, W2 in the vertical direction at each point of the reference curve CL that forms the reference curved surface that forms the N pole face and the S pole face. It is formed in the cylindrical shape which has. In the illustrated example, the cylindrical magnets 14 have a uniform shape, and the magnetic poles NS are equally arranged half by half in the radial direction. Therefore, in addition to the above effects, the following effects are obtained.
(1) It is possible to suppress detection errors due to distortion of the magnetic field applied from the cylindrical magnet 14.
(2) The direction of the magnetic field from the cylindrical magnet 14 is uniform over a wide range, and a magnetic field having a uniform magnetic field direction can be formed in the installation space around the MR sensor 15.
(3) Compared with a conventional U-shaped permanent magnet, the assemblability can be improved.
(4) Since the proximity / separation of the magnetic body 13 is detected in a stable region in which the magnetic flux direction is in a lateral direction with respect to the central axis O of the cylindrical magnet 14, malfunction can be suppressed. In addition, since detection is performed by the two MR sensors 15 and 15, detection accuracy can be increased.
(5) Since the demagnetization due to the temperature of the cylindrical magnet 14 can be compensated, accurate control corresponding to the command value can be realized.

［第２の実施の形態］
この第２の実施の形態にあっても、上記第１の実施の形態に係る非接触スイッチ１０と基本的な構成において変わるところはない。図６において、上記第１の実施の形態と大きく異なるところは、上記第１の実施の形態では、磁界発生筒部を円筒状に形成した構成となっていたものを、この第２の実施の形態にあっては、磁界発生筒部を半割円筒状に形成した点にある。なお、図６において上記第１の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。 [Second Embodiment]
Even in the second embodiment, there is no difference in the basic configuration from the non-contact switch 10 according to the first embodiment. In FIG. 6, the main difference from the first embodiment is that in the first embodiment, the configuration in which the magnetic field generating cylinder is formed in a cylindrical shape is the same as that of the second embodiment. In the form, the magnetic field generating cylinder is formed in a half-cylindrical shape. In FIG. 6, the same member name and reference numeral are assigned to substantially the same members as those in the first embodiment. Therefore, the detailed description regarding these members is omitted.

図示例では、磁石２１は、円筒部の中心軸線Ｏに沿って２つに分割した一方の半割円筒部２１ａからなる。この半割円筒部２１ａの内外周面は、内周面の曲率と外周面の曲率とが同一曲率を有する同心状半円弧面に形成されている。磁石２１には、図示しない固定部材を介して基板１２が固定されており、基板１２の表面に形成されたＭＲセンサ１５，１５が半割円筒部２１ａと相対移動しないようになっている。基板１２には、２つのＭＲセンサ１５，１５が中心軸線Ｏを含む垂直面を対称面として配置されている。なお、図示例では、半割円筒部２１ａの内外周方向の曲率は、同一の曲面に形成されているが、これに限定されるものではないことは、上記第１の実施の形態と同様である。   In the example of illustration, the magnet 21 consists of one half cylinder part 21a divided | segmented into two along the central axis O of the cylinder part. The inner and outer peripheral surfaces of the half cylindrical portion 21a are formed as concentric semicircular arc surfaces in which the curvature of the inner peripheral surface and the curvature of the outer peripheral surface have the same curvature. The substrate 21 is fixed to the magnet 21 via a fixing member (not shown) so that the MR sensors 15 and 15 formed on the surface of the substrate 12 do not move relative to the half cylinder portion 21a. Two MR sensors 15 and 15 are arranged on the substrate 12 with a vertical plane including the central axis O as a symmetrical plane. In the illustrated example, the curvatures in the inner and outer peripheral directions of the half cylindrical portion 21a are formed on the same curved surface, but the present invention is not limited to this, as in the first embodiment. is there.

（第２の実施の形態の効果）
この第２の実施の形態に係る非接触スイッチ１０にあっても、磁石２１の半割円筒部２１ａが均等な形状であり、磁極が半径方向半々ずつ均等に配置される構成となっているため、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。 (Effect of the second embodiment)
Even in the non-contact switch 10 according to the second embodiment, the halved cylindrical portion 21a of the magnet 21 has a uniform shape, and the magnetic poles are equally arranged half by half in the radial direction. The same effect as in the first embodiment can be obtained.

［第３の実施の形態］
この第３の実施の形態にあっても、上記第１の実施の形態に係る非接触スイッチ１０と基本的な構成において変わるところはない。図７において、この第３の実施の形態にあっては、磁界発生筒部がＵ字状に形成されている。なお、図７において上記第１及び第２の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付して、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。 [Third Embodiment]
Even in the third embodiment, there is no difference in the basic configuration from the non-contact switch 10 according to the first embodiment. In FIG. 7, in the third embodiment, the magnetic field generating cylinder is formed in a U shape. In FIG. 7, members that are substantially the same as those in the first and second embodiments are given the same member names and reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted.

図示例では、磁石２２は、曲面部である半割円筒部２１ａと、半割円筒部２１ａの両側先端面から同じ方向へ延出した板状の延出部２２ａ，２２ａとを有するＵ字形状に形成されている。この磁石２１の内部には、図示しない固定部材を介して基板１２が固定されている。基板１２の表面に形成されたＭＲセンサ１５，１５と半割円筒部２１ａとが相対移動しないようになっている。基板１２には、２つのＭＲセンサ１５，１５が中心軸線Ｏを含む垂直面を対称面として配置されている。この第３の実施の形態にあっても、半割円筒部２１ａの内外周方向の曲率は、同一の曲面に形成されているが、これに限定されるものではない。   In the illustrated example, the magnet 22 has a U-shape having a half-cylindrical portion 21a that is a curved surface portion, and plate-like extension portions 22a and 22a that extend in the same direction from both end surfaces of the half-cylindrical cylinder portion 21a. Is formed. The substrate 12 is fixed inside the magnet 21 via a fixing member (not shown). The MR sensors 15 and 15 formed on the surface of the substrate 12 and the half-cylindrical portion 21a do not move relative to each other. Two MR sensors 15 and 15 are arranged on the substrate 12 with a vertical plane including the central axis O as a symmetrical plane. Even in the third embodiment, the curvature in the inner and outer circumferential directions of the half cylinder portion 21a is formed on the same curved surface, but is not limited to this.

（第３の実施の形態の効果）
この第３の実施の形態に係る非接触スイッチ１０にあっても、磁石２２の磁極を均等に配置する構成となっているため、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。 (Effect of the third embodiment)
Even in the non-contact switch 10 according to the third embodiment, since the magnetic poles of the magnets 22 are arranged uniformly, the same effect as the first embodiment can be obtained.

［第４の実施の形態］
上記第１の実施の形態では、無接点スイッチ１０にブリッジ回路１６を用いていたが、この第４の実施の形態にあっては、無接点スイッチ１０にハーフブリッジ回路１９ａ，１９ｂを用いている。なお、図８において上記第１の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。 [Fourth Embodiment]
In the first embodiment, the bridge circuit 16 is used for the contactless switch 10. However, in the fourth embodiment, the half bridge circuits 19 a and 19 b are used for the contactless switch 10. . In FIG. 8, members that are substantially the same as those in the first embodiment are given the same member names and symbols. Therefore, the detailed description regarding these members is omitted.

ＭＲセンサ１５は、図８に示すように、ハーフブリッジ回路１９ａ，１９ｂによって構成されている。ハーフブリッジ回路１９ａは、磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２によって構成されており、図３に示す第１領域Ａ又は第２領域Ｂに配置される。一方のハーフブリッジ回路１９ｂは、磁気抵抗素子Ｒ３，Ｒ４によって構成されており、図３に示す第２領域Ｂ又は第１領域Ａに配置される。   As shown in FIG. 8, the MR sensor 15 includes half bridge circuits 19a and 19b. The half bridge circuit 19a is configured by magnetoresistive elements R1 and R2, and is arranged in the first region A or the second region B shown in FIG. One half-bridge circuit 19b is configured by magnetoresistive elements R3 and R4, and is arranged in the second region B or the first region A shown in FIG.

ハーフブリッジ回路１９ａは、第１の出力電圧Ｖを磁性体１３と円筒磁石１４との距離ｄに応じて出力する。一方のハーフブリッジ回路１９ｂは、第１の出力電圧Ｖ１とは異なる第２の出力電圧Ｖ２を距離ｄに応じて出力するように構成されている。ハーフブリッジ回路１９ａの出力電圧Ｖ１を図示しないオペアンプ等を用いて反転させ、その反転させた出力電圧とハーフブリッジ回路１９ｂの出力電圧Ｖ２とを加算した出力電圧とすることができる。   The half bridge circuit 19 a outputs the first output voltage V according to the distance d between the magnetic body 13 and the cylindrical magnet 14. One half bridge circuit 19b is configured to output a second output voltage V2 different from the first output voltage V1 according to the distance d. The output voltage V1 of the half bridge circuit 19a can be inverted using an operational amplifier (not shown), and the inverted output voltage and the output voltage V2 of the half bridge circuit 19b can be added.

この第４の実施の形態に係るＭＲセンサ１５にあっても、図５に示すように、車両のブレーキペダル１０１の位置検出に効果的に用いることができる。ＭＲセンサ１５からの出力電圧は、制御ＩＣ１８の閾値１７と比較することで、ブレーキ装置におけるブレーキ操作の有無を判断し、ＥＣＵ１０３を介してブレーキランプ１０２の点灯及び消灯の制御を行うことができる。なお、ハーフブリッジ回路１９ａ，１９ｂは、独立してモールド化して第１領域Ａ及び第２領域Ｂに配置してもよく、１つのＭＲセンサとして、第１領域Ａ及び第２領域Ｂにハーフブリッジ回路１９ａ，１９ｂが含まれるように、モールド化してもよい。 The MR sensor 15 according to the fourth embodiment can be effectively used for detecting the position of the brake pedal 101 of the vehicle as shown in FIG. By comparing the output voltage from the MR sensor 15 with the threshold value 17 of the control IC 18, it is possible to determine the presence or absence of a brake operation in the brake device, and to control the turning on and off of the brake lamp 102 via the ECU 103. . The half-bridge circuits 19a and 19b may be molded independently and arranged in the first region A and the second region B. As one MR sensor, the half-bridge circuits 19a and 19b are formed in the first region A and the second region B. It may be molded so that the circuits 19a and 19b are included.

（第４の実施の形態の効果）
ハーフブリッジ回路１９ａ，１９ｂを第１領域Ａ及び第２領域Ｂに配置する構成となっているので、上記第１の実施の形態と同様に、安定してブレーキ操作の有無を判断することができる。 (Effect of the fourth embodiment)
Since the half-bridge circuits 19a and 19b are arranged in the first area A and the second area B, the presence or absence of the brake operation can be determined stably as in the first embodiment. .

上記実施の形態では、ブレーキランプ１０２の点灯及び消灯の制御を行うことを説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば車両のインパネの収納ボックス内の照明の制御、あるいは車両以外の他の制御にも適用できることは勿論である。   In the embodiment described above, the control of turning on and off the brake lamp 102 has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the lighting control in the storage box of the instrument panel of the vehicle or the vehicle Of course, the present invention can also be applied to other controls.

以上の説明からも明らかなように、本発明の非接触スイッチの代表的な構成例を、上記実施の形態、変形例、及び図示例を挙げて説明したが、上記実施の形態、変形例、及び図示例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。上記実施の形態、変形例、及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが本発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきであり、本発明の技術思想の範囲内において種々の構成が可能であることは勿論である。   As is clear from the above description, the typical configuration example of the non-contact switch of the present invention has been described with reference to the embodiment, the modification, and the illustrated example, but the embodiment, the modification, The illustrated examples are not intended to limit the claimed invention. It should be noted that not all the combinations of the features described in the above embodiments, modifications, and illustrated examples are essential to the means for solving the problems of the present invention. Of course, various configurations are possible within the scope of this technical idea.

１０…無接点スイッチ、１１…センサ、１２…基板、１３…磁性体、１４，２１，２２…磁石、１４ａ…円筒部、１５…ＭＲセンサ、１６…ブリッジ回路、１６ａ…入力端子、１６ｂ…アース端子、１６ｃ，１６ｄ…出力端子、１７…閾値、１８…制御ＩＣ、１９ａ，１９ｂ…ハーフブリッジ回路、２１ａ…半割円筒部、２２ａ…延出部、１００…ストップランプスイッチ、１０１…ブレーキペダル、１０２…ブレーキランプ、１０３…ＥＣＵ、Ａ…第１領域、Ｂ…第２領域、ＣＬ…基準曲面、ｄ…距離、Ｏ…中心軸線、Ｒ１〜Ｒ４…磁気抵抗素子、Ｖ…出力電圧、Ｖ１，Ｖ２…中点電位、Ｗ１，Ｗ２…肉厚、Ｚ…磁束線（磁気ベクトル） DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Solid state switch, 11 ... Sensor, 12 ... Board | substrate, 13 ... Magnetic body, 14, 21, 22 ... Magnet, 14a ... Cylindrical part, 15 ... MR sensor, 16 ... Bridge circuit, 16a ... Input terminal, 16b ... Ground Terminals, 16c, 16d ... Output terminals, 17 ... Threshold, 18 ... Control IC , 19a, 19b ... Half bridge circuit, 21a ... Half cylindrical part, 22a ... Extension part, 100 ... Stop lamp switch, 101 ... Brake pedal, DESCRIPTION OF SYMBOLS 102 ... Brake lamp, 103 ... ECU , A ... 1st area | region, B ... 2nd area | region, CL ... Reference | standard curved surface, d ... Distance, O ... Center axis, R1-R4 ... Magnetoresistive element, V ... Output voltage, V1, V2: Midpoint potential, W1, W2 ... Thickness, Z ... Magnetic flux line (magnetic vector)

Claims (3)

所定の方向に向いた磁束を検出領域に発生させる磁石と、
前記検出領域に配置され、磁性部材の近接による前記磁束の方向の変化を検出する磁気センサと、
前記磁気センサの出力信号に基づいてオン又はオフを判断する判断部とを備えてなり、
前記磁石は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを形成する基準曲面に対して、その基準曲面のそれぞれの点において垂直方向に所定の厚みを有して形状が形成され、前記それぞれの点において前記垂直方向に着磁されて磁気形成されていることを特徴とする非接触スイッチ。 A magnet for generating a magnetic flux directed in a predetermined direction in a detection region;
A magnetic sensor that is disposed in the detection region and detects a change in the direction of the magnetic flux due to the proximity of a magnetic member;
A determination unit that determines on or off based on an output signal of the magnetic sensor,
The magnet has a predetermined thickness in a vertical direction at each point of the reference curved surface with respect to the reference curved surface forming the first surface serving as the N pole and the second surface serving as the S pole. A non-contact switch having a shape and magnetized by being magnetized in the vertical direction at each of the points. 前記磁石は、曲面部と、前記曲面部から同じ方向へ延びた一対の延出部とを有するＵ字形状に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の非接触スイッチ。   The non-contact switch according to claim 1, wherein the magnet is formed in a U shape having a curved surface portion and a pair of extending portions extending in the same direction from the curved surface portion. 所定の方向に向いた磁束を検出領域に発生させる磁石と、A magnet for generating a magnetic flux directed in a predetermined direction in a detection region;
前記検出領域に配置され、磁性部材の近接による前記磁束の方向の変化を検出する磁気検出素子とを備え、A magnetic detection element disposed in the detection region and detecting a change in the direction of the magnetic flux due to the proximity of a magnetic member;
前記磁石は、Ｎ極となる第１の面と、Ｓ極となる第２の面とを形成する基準曲面に対して、その基準曲面のそれぞれの点において垂直方向に所定の厚みを有して形状が形成され、前記それぞれの点において前記垂直方向に着磁されて磁気形成されていることを特徴とする磁気センサ。The magnet has a predetermined thickness in a vertical direction at each point of the reference curved surface with respect to the reference curved surface forming the first surface serving as the N pole and the second surface serving as the S pole. A magnetic sensor having a shape and magnetized by being magnetized in the vertical direction at each of the points.

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