JP5514819B2 - オプトエレクトロニクス半導体チップ - Google Patents

Description

放射放出半導体チップの発光効率は、さまざまな要因に依存する。半導体チップを大面積の電気コンタクトを介して接続することによって、比較的高い内部量子効率を得ることができる。しかしながら、その一方で、大面積のコンタクトを介して接続する結果として吸収損失が発生することがあり、この吸収損失は、光取り出し効率、したがって半導体チップの発光効率を相当に制限する。

特許文献１には、発光ダイオードチップを電気コンタクトを介して接続するために設けられるコンタクトは、電流拡散層の２〜４％以上を覆わないべきであることが記載されている。

独国特許出願第１０２００８０２１６７５．５号明細書

本発明の一目的は、改良された発光効率を有するオプトエレクトロニクス半導体チップを開示することである。

この目的は、請求項１によるオプトエレクトロニクス半導体チップによって達成される。

本オプトエレクトロニクス半導体チップの構造形態および発展形態は、従属請求項に開示されている。

好ましい一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体チップは、電磁放射を発生させる活性ゾーンを備えている半導体積層体と、構造化された電流拡散層であって、透明導電性酸化物を含んでおり、半導体積層体の主領域上に配置されている、構造化された電流拡散層と、を備えており、電流拡散層が、主領域の少なくとも３０％、最大で６０％を覆っている。

活性ゾーンは、電磁放射を発生させる目的でｐｎ接合を備えている。最も単純な場合、このｐｎ接合は、互いに直接隣接しているｐ導電型半導体層とｎ導電型半導体層とによって形成することができる。実際の放射発生構造（例えばドープされた、またはドープされていない量子構造の形の構造）は、ｐ型導電層とｎ型導電層との間に形成されていることが好ましい。量子構造は、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造として、あるいは量子細線構造または量子ドット構造として具体化することができる。

本半導体チップの有利な一構造形態においては、半導体積層体は、Ａｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｎ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）を含んでいる。窒化物化合物半導体をベースとする半導体チップは、特に、放出波長が可視スペクトルの短波長範囲にある放射を発生させるために適している。

透明導電性酸化物は、金属酸化物、例えば、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）であることが好ましい。二元の金属−酸素化合物（例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、またはＩｎ_２Ｏ_３）のみならず、三元の金属−酸素化合物（例えば、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３、ＺｎＳｎＯ_３、ＭｇＩｎ_２Ｏ_４、ＧａＩｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２）、または複数の異なる透明導電性酸化物の混合物を使用することも可能である。さらに、必ずしも化学量論的な組成でなくてよい。さらには、透明導電性酸化物をｐ型あるいはｎ型にドープすることもできる。

電流拡散層によって、半導体チップの十分に良好な電流拡散および通電（energization）を得ることが可能になる。

さらには、領域の一部分を覆うことによって、全体を覆う場合と比較して、電流拡散層に起因する光吸収損失を減少させることができる。

さらなる好ましい実施形態によると、電流拡散層は、主領域の４０〜５０％を覆っている。このような領域被覆率（area coverage）においては、第一に、吸収損失が減少し、これは有利である。このような領域被覆率においては、第二に、電流拡散層における十分に良好な電流拡散を確保することができる。

特に、発生させる放射の放出波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内である場合、領域被覆率が小さい方が有利である。可視スペクトルの短波長範囲においては、電流拡散層に起因する光吸収は、領域被覆率が小さいことに起因する電気的損失よりも、損失要因として大きく影響する。対照的に、可視スペクトルの長波長範囲においては、領域被覆率が小さい場合、光吸収に起因する損失よりも電気的損失の方が大きく影響する。したがって、この場合、領域被覆率が大きい方が適している。

電流拡散層の厚さは、１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内であることが有利である。厚さを減少させることによって光吸収損失を減少させることができるが、その場合、横方向導電率も同時に減少する。１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内の厚さにおいては、利得と損失とが互いに適切な割合にある。

さらには、構造化された電流拡散層の隙間空間（すなわち電流拡散層によって覆われていない領域）の大きさ（すなわち長さもしくは幅またはその両方）は、電流拡散層に隣接する半導体積層体の半導体材料の横方向導電率に適合させることが有利である。具体的には、１μｍ〜６μｍの距離であれば、電流拡散層を必要とすることなく、隣接する半導体積層体によって横方向導電率を確保することが可能である。したがって、隙間空間は、１μｍ〜６μｍの範囲内の大きさを有することが有利である。隙間空間は、３μｍ〜４μｍの範囲の大きさで形成されていることが好ましい。この関係を考慮しながら、電流拡散層をさまざまな方法で構造化することができる。一例として、不規則な構造、あるいは規則的な構造（例えば格子）が考えられる。

有利な一構造形態によると、電流拡散層の構造は、長方形格子に対応する。格子は、特に、第１の方向に延びている、透明導電性酸化物から成る複数の平行な帯状部と、第２の方向に延びている、透明導電性酸化物から成る複数の平行な帯状部と、を備えており、第１の方向が第２の方向に垂直に延びている。第１の方向に延びている平行な帯状部の間の距離は、第２の方向に延びている平行な帯状部の間の距離とは異なっていることができる。帯状部の交点が、格子点に対応している。

電流拡散層との電気的接続は、少なくとも１つの電気コンタクトウエブ（electrical contact web）によって形成されていることが好ましい。このコンタクトウエブは、特に、電流拡散層が配置されている平面に垂直に延びており、接触のために設けられているコンタクト位置において電流拡散層に接触している。コンタクトウエブは、円錐台、角錐台、または円筒の形状を有することができる。

特に、複数のコンタクトウエブが、電流拡散層の領域上に規則的に分布している。各コンタクト位置は、格子点に位置していることが好ましい。しかしながら、この場合、各格子点にコンタクト位置を設ける必要はない。

コンタクトウエブは、高い導電率を有する金属を含んでいることが好ましい。さらには、コンタクトウエブには、高い反射率を有する材料を使用することが好ましい。１つの適切な材料は、例えばＡｇである。

好ましい一実施形態によると、電流拡散層は、半導体積層体とミラーとの間に配置されている。

特に、電気コンタクトウエブは、ミラーの開口の中に延びている。上記のようにコンタクトウエブが高い反射率を有するならば、ミラーとコンタクトウエブとの組合せによって、全体として高い反射率を得ることができる。結果として、活性ゾーンによって電流拡散層の方向に放出される放射を、大きな光損失なしに、光取り出し領域の方向に反射させることができる。光取り出し領域は、特に、電流拡散層とは反対にあたる活性ゾーンの側に配置されている。さらに、構造化された電流拡散層によってと、それに対応する低い領域被覆率とによって、光損失が制限されている。

有利な一構造形態においては、ミラーは誘電体層を備えている。特に、誘電体層は、半導体積層体の半導体材料よりも低い屈折率を有する。一例として、誘電体層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、またはガラス（好ましくはスピンオンガラス）から形成されている。異なる屈折率を有する誘電体副層が交互に配置されているブラッグミラーとして、誘電体層を具体化することもできる。

ミラー、特に誘電体層は、電流拡散層に隣接していることが好ましい。構造化された電流拡散層の隙間空間は、少なくともミラー、特に誘電体層の一部によって、満たすことができる。さらには、ミラーまたは誘電体層の少なくとも一部が電流拡散層を覆っていることができる。コンタクトウエブが中に延びている開口が、誘電体層に設けられていることが好ましい。

さらには、ミラーは、連続的な金属層を備えていることが有利である。このような金属層は、特に、電流拡散層とは反対にあたるミラーの側に配置されている。誘電体層が金属層によって覆われていることが好ましい。金属層は、少なくとも２層として具体化することができる。一例として、金属層は、接着を促進するための、白金もしくはチタンまたはその両方なら成る層と、高い反射率を有する（例えば銀から成る）層とを備えていることができる。

好ましい一実施形態によると、半導体チップは薄膜発光ダイオードチップである。この場合、半導体積層体は成長基板を備えておらず、すなわち、半導体積層体を成長させるために使用した成長基板が、半導体積層体から除去されている、または少なくとも大幅に薄くされている。

あるいは、半導体積層体を安定化させるため、半導体積層体をキャリア基板上に配置することができる。特に、キャリア基板は、光取り出し面とは反対側である半導体チップの裏面上に位置している。電流拡散層は、半導体積層体とキャリア基板との間に配置されていることが好ましい。

有利な一実施形態によると、キャリア基板は、導電性であり、半導体チップの第１の電気コンタクトとしての役割を果たす。この場合、電流拡散層は、適切な場合にミラーの金属層を介して電気コンタクトウエブによってキャリア基板に電気的に接続されていることが有利である。第２の電気コンタクトは光取り出し領域上に配置することができる。

好ましい一構造形態においては、半導体積層体は、電流拡散層の側においてｐ型導電性である。ｐ側は一般には導電率が低いため、高い導電率を有する電流拡散層が有利である。適切なドーパント濃度は、１０^２０／ｃｍ^３以上である。

さらなる利点および有利な構造形態は、以下の説明を図１〜図８を参照しながら読み進めることによって明らかになるであろう。

オプトエレクトロニクス半導体チップの概略的な断面図を示している。 図１に示した半導体チップの電流拡散層に沿った断面の概略図を示している。 さまざまな領域被覆率における主領域上の電流密度の分布を示している。 異なる電流密度における電気的損失を示すグラフを示している。 異なる波長における取り出し効率を示すグラフを示している。 異なる波長の場合において異なる電流密度の関数としての電力変換効率を示すグラフを示している。 異なる波長の場合において異なる電流密度の関数としての電力変換効率を示すグラフを示している。 異なる波長の場合において異なる電流密度の関数としての電力変換効率を示すグラフを示している。

例示的な実施形態および図面において、同一の構成部分、または機能が同一である構成部分には、同じ参照記号を付してある。

図１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１を示しており、このチップ１は、電磁放射を発生させるための活性ゾーン４を有する半導体積層体２を備えている。活性ゾーン４は、第１の半導体領域３と第２の半導体領域５との間に位置している。この例示的な実施形態においては、第１の半導体領域３がｐ型導電性であり、第２の半導体領域５がｎ型導電性である。好ましくは、２つの半導体領域３，５がＧａＮを含んでおり、活性ゾーン４がＩｎＧａＮを含んでいる。２つの半導体領域３，５および活性ゾーン４は、それぞれ、複数の半導体層を備えていることができる。

好ましくは、半導体積層体２はエピタキシャル成長されており、半導体積層体２の厚さが１０μｍ未満であるように、成長基板（図示していない）が半導体積層体２から除去されている。

あるいは、安定化させる目的で、半導体積層体２がキャリア基板１３の上に配置されている。キャリア基板１３は、導電性であることが好ましい。

適切な基板は、例えば、Ｇｅ基板またはＳｉ基板である。あるいは、先行する金属層の電気分解補強（electrolytic reinforcement）によって、キャリア基板１３をＣｕから作製することができる。

半導体積層体２の主領域１２の上には、構造化された電流拡散層６が配置されている。電流拡散層６は、透明導電性酸化物を含んでおり、主領域１２の上に均一に蒸着またはスパッタリングした後に適切な方法で構造化することができる。構造化は、例えばリソグラフィを利用して実施することができる。電流拡散層６の厚さは、１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内であることが有利である。この厚さを小さくすることによって、光吸収損失を減少させることが可能である一方で、その結果として、横方向導電率が低下する。１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内の厚さの場合、光損失と電気的損失との間の良好な妥協点が存在する。

ミラー９は、主領域１２の上に配置されており、したがって、主領域１２の方向に放出される放射を光取り出し領域１４の方向に進路変更させることができる。

この例示的な実施形態においては、ミラー９は誘電体層７を備えており、この誘電体層７は、特に、比較的低い屈折率を有する材料から（例えば、屈折率が１．４未満であるスピンオンガラスから）形成されている。誘電体層７は、４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の厚さを有することができる。さらには、ミラー９は、誘電体層７に隣接する金属層８を備えている。金属層８は、Ｐｔから成る接着促進層と、Ａｇから成る反射層とから形成することができる。金属層８の厚さは、途切れ（interruptions）を有するほど薄くすることができる。約０．２ｎｍは十分な層厚さである。

構造化された電流拡散層６は、誘電体層７に埋め込まれている。

さらには、誘電体層７は開口を備えており、この開口の中にコンタクトウエブ１０が延びている。コンタクトウエブ１０は、電流拡散層６が配置されている平面に垂直に延びており、接触のために設けられているコンタクト位置において電流拡散層６に接触している。コンタクトウエブ１０は、自身が電流拡散層６に通電できるように、導電性材料を含んでいることが有利である。一例として、コンタクトウエブ１０は、比較的高い反射率を有するＡｇを含んでいることができ、したがって、ミラー９の反射率はコンタクトウエブ１０において大幅には下がらない。この場合、主領域１２のうちコンタクトウエブ１０によって覆われる領域が４％を超えないならば、さらに有利である。しかしながら、十分な電流供給を確保するためには、領域被覆率を２％以上とするべきである。コンタクトウエブ１０の形は、円筒状であることが好ましい。

コンタクトウエブ１０は、電流拡散層６と、特に、導電性のキャリア基板１３との間の電気接続を形成することができる。

図２は、構造化された電流拡散層６が上に形成されている主領域１２を示している。電流拡散層６は、第１の方向に延びている平行な帯状部６ａと、第２の方向に延びている平行な帯状部６ｂとから形成されている長方形格子の形状を有する。複数の格子点、すなわち帯状部６ａ，６ｂの複数の交点に、コンタクト位置１１が設けられており、コンタクト位置にコンタクトウエブ１０が配置されている。

コンタクト位置１１は、帯状部６ａ，６ｂと同じ材料から作製されている。コンタクト位置１１は、コンタクトウエブ１０の断面と同じように円形であり、コンタクトウエブ１０に対して同心に配置されている。

領域被覆率が５０％であり、チップのエッジ長さが１ｍｍであるならば、コンタクト位置１１の直径Ｄ_２は約６μｍであることが有利である。第１の方向におけるコンタクト位置１１の間の距離Ａ_ｂと、第２の方向におけるコンタクト位置１１の間の距離Ａ_ａは、同じ程度であり、約２０μｍであることが好ましい。コンタクトウエブ１０の直径Ｄ_１は４μｍである。

帯状部６ａは帯状部６ｂよりも細く、約２μｍの幅とすることができ、その一方で、帯状部６ｂは約４μｍの幅である。さらには、帯状部６ａは帯状部６ｂよりも高い密度で配置されている、すなわち、第１の方向および第２の方向における格子定数は互いに異なる。

帯状部６ａおよび帯状部６ｂによって画成される長方形の隙間空間１５は、約１６μｍの長さｄ_ｂと約３μｍの幅ｄ_ａとを有する。

図３Ａ〜図３Ｄは、図１に示した半導体チップの主領域上の電流密度の分布を、さまざまな領域被覆率の場合について示している。すべてのバリエーションにおいて、電流拡散層６の厚さは４０ｎｍである。すべてのバリエーションにおいて、通電は公称電流密度５０Ａ／ｃｍ^２で行われる。

領域被覆率は、図３Ａに示したバリエーションでは１００％、図３Ｂに示したバリエーションでは５０％、図３Ｃに示したバリエーションでは４０％、図３Ｄに示したバリエーションでは３０％である。図３Ｂ〜図３Ｄの異なるバリエーションでは、距離Ａ_ｂおよび距離Ａ_ａ（図２に示してある）が一定に維持されている。しかしながら、帯状部の幅が小さくなっている。さらに、隙間空間１５を大きくすることができる。一例として、隙間空間１５の幅ｄ_ａ（図２に示してある）は、図３Ｄに示したバリエーションでは約４μｍとすることができ、図３Ｂに示したバリエーションでは３μｍである。

異なる電流密度は異なる階調によって表してあり、暗い領域ほど、明るい領域より電流密度が高い。

図３Ａから明らかであるように、１００％の領域被覆率の場合、理想的には電流密度の不均一が生じない。しかしながら、５０％および４０％の領域被覆率の場合、隙間空間１５における電流密度が低下する。これによって、最大２０％の勾配が発生しうる。しかしながら、この状態は、比較的均一な電流密度分布と呼ぶことができる。３０％の領域被覆率ではより顕著であり、この場合、４０％の勾配、したがって不均一な電流密度分布が発生しうる。

図４のグラフからは、電流拡散層において発生する電気的損失１−Ｌが明らかである。

１００％の領域被覆率の場合、理想的には電気的損失は発生しない（Ｋ１を参照）。しかしながら、領域被覆率が減少すると（Ｋ２：５０％、Ｋ４：２０％、Ｋ３：３０％）、電気的損失１−Ｌが増大する。電気的損失は、接触面積が小さいことと、電流拡散が不良である結果として発生する。さらに、損失は、活性ゾーンにおける電流の不均一な流れの結果として起こり、これは、第１のｐ型導電性半導体領域における不良な電流拡散に起因する。損失１−Ｌは、電流密度Ｊが増大するにつれて、および領域被覆率が減少するにつれて増大する。電気的損失１−Ｌは、波長には実質的に依存しない。

図５は、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ_２層と、厚さ０．２ｎｍのＰｔ／Ａｇ層とを備えているミラーを有する半導体チップにおいて、電流拡散層を使用しない（Ｋ１）場合と、領域被覆率が１００％である電流拡散層を使用する（Ｋ２）場合について、さまざまな放出波長λにおける取り出し効率Ｅを示している。電流拡散層の厚さは３０ｎｍである。

Ｋ３は、電流拡散層に起因する吸収損失を表している。このグラフから、電流拡散層の吸収は波長に大きく依存することが明らかである。短波長範囲では、電流拡散層の結果として約２０％の損失が発生し、長波長範囲では約５％である。

図６〜図８は、放出波長４００ｎｍ（図６）、放出波長４６０ｎｍ（図７）、および放出波長５４０ｎｍ（図８）における電力変換効率（wall-plug efficiency）ＷＰ、すなわち電気−光効率を示している。この場合、電気的損失が、取り出し効率における予測利得に加えられる。

各波長において、異なる電流密度Ｊと、１００％（Ｋ１）、５０％（Ｋ２）、４０％（Ｋ３）、および３０％（Ｋ４）の異なる領域被覆率における電力変換効率ＷＰが示されている。

図６から明らかであるように、４００ｎｍの放出波長を有する半導体チップの場合、電流拡散層の構造化の結果として最大で約１０％の改善が生じる。

より長い波長範囲では、電流拡散層を構造化した場合における取り出し効率の利得は、短波長範囲におけるほど大きくはなく（約６％）、なぜなら、電流拡散層の透明度がより高く、結果として、電気的損失の影響が大きいためである。しかしながら、２００Ａ／ｃｍ^２までの電流密度では、４０％〜５０％の領域被覆率の方が、１００％の領域被覆率よりも良好である。

したがって、要約すれば、特に、電流拡散層による主領域の領域被覆率が４０％〜５０％であるとき、可視スペクトルの短波長範囲から長波長範囲までのすべての波長において発光効率の増大がもたらされると言える。

ここまで、本発明についてその例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。

関連出願

本特許出願は、独国特許出願第１０２００８０３５１１０．５号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。

Claims (15)

1. オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
   − 電磁放射を発生させる活性ゾーン（４）を備えている半導体積層体（２）と、
   − 構造化された電流拡散層（６）であって、透明導電性酸化物を含んでおり、前記半導体積層体（２）の主領域（１２）上に配置されており、前記主領域（１２）の少なくとも３０％、最大で６０％を覆っており、かつ、前記主領域（１２）を覆っていない複数の隙間空間を有する、前記構造化された電流拡散層（６）と、
   ミラー（９）および少なくとも１つの電気コンタクトウエブ（１０）と、
   を備え、
   前記電流拡散層（６）が、前記半導体積層体（２）と前記ミラー（９）との間に配置されているとともに、少なくとも１つのコンタクト位置（１１）において前記電気コンタクトウエブ（１０）に接続されており、
   前記電気コンタクトウエブ（１０）が、前記ミラー（９）の開口の中に延びている、
   オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
2. 前記電流拡散層（６）が前記主領域（１２）の４０％〜５０％を覆っている、
   請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
3. 発生する前記放射が、４００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内の放出波長を有する、
   請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
4. 前記半導体積層体（２）がＡｌ_ｎＧａ_ｍＩｎ_{１−ｎ−ｍ}Ｎを含んでおり、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１である、
   請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
5. 前記電流拡散層（６）が、インジウムスズ酸化物、酸化インジウム亜鉛、または酸化亜鉛を含んでいる、
   請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
6. 前記電流拡散層（６）が１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内の厚さを有する、
   請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
7. 前記電流拡散層（６）が長方形格子の形状を有する、
   請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
8. 前記格子は、第１の方向に延びている、透明導電性酸化物から成る複数の平行な帯状部と、第２の方向に延びている、透明導電性酸化物から成る複数の平行な帯状部と、を備えており、第１の方向が第２の方向に垂直に延びており、帯状部の交点が格子点に対応している、
   請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
9. 前記電流拡散層（６）が、少なくとも１つの格子点において、前記電気コンタクトウエブ（１１）に接続されている、
   請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
10. 前記電気コンタクトウエブ（１０）は、金属コンタクトウェブである、
    請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
11. 前記ミラー（９）が誘電体層（７）を備えており、前記誘電体層（７）が前記電流拡散層（６）に隣接しており、前記誘電体層（７）に前記開口が設けられている、
    請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
12. 前記ミラー（９）が、
    前記電流拡散層（６）とは反対側の面において前記誘電体層（７）を覆っている連続的な金属層（８）、
    を備えている、
    請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
13. キャリア基板（１３）を備えており、
    前記電流拡散層（６）が前記半導体積層体（２）と前記キャリア基板（１３）との間に配置されている、
    請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
14. 前記電流拡散層（６）が前記電気コンタクトウエブ（１０）によって前記キャリア基板（１３）に電気的に接続されている、
    請求項１３に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
15. 前記半導体積層体（２）が、前記電流拡散層（６）の側においてｐ型導電性である、
    請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。