JP5514526B2 - Vehicle window glass manufacturing method - Google Patents
Vehicle window glass manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5514526B2 JP5514526B2 JP2009279945A JP2009279945A JP5514526B2 JP 5514526 B2 JP5514526 B2 JP 5514526B2 JP 2009279945 A JP2009279945 A JP 2009279945A JP 2009279945 A JP2009279945 A JP 2009279945A JP 5514526 B2 JP5514526 B2 JP 5514526B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- substrate
- protective film
- window glass
- polycarbonate resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 46
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 41
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、ポリカーボネイト樹脂基板に、ＳｉＯ2からなる耐摩耗性の高い硬質膜を形成する技術に関する。 The present invention relates to a technique for forming a hard film made of SiO 2 with high wear resistance on a polycarbonate resin substrate.
ポリカーボネイト樹脂（ＰＣ）は透明で機械的強度が高いことから、窓用の材料として適しているが、硬度が低いために、傷が付きやすいことが欠点であり、車両用の窓材として用いるための大きな障害となっている。
ＰＣの表面硬化方法として、電子ビーム蒸着法により、ＰＣ表面に厚さ５μｍ〜６μｍのＳｉＯ2蒸着膜を形成することが検討された。しかし、一般的な電子ビーム蒸着法の条件で形成されたＳｉＯ2蒸着膜は、ガラス並みの十分な硬度を有するが、膜の潤滑性が劣るため、テーバー摩耗による摩耗テストを行うと膜に曇り（ヘーズ）が生じる問題があった。
Polycarbonate resin (PC) is transparent and has high mechanical strength, so it is suitable as a material for windows. However, its hardness is low, so it has a drawback of being easily scratched and used as a window material for vehicles. Has become a major obstacle.
As a surface hardening method for PC, it was studied to form a SiO 2 vapor deposition film having a thickness of 5 μm to 6 μm on the PC surface by an electron beam vapor deposition method. However, SiO 2 deposited film formed under the conditions of general electron beam deposition has sufficient hardness as glass, but the film is inferior in lubricity. There was a problem of causing (haze).
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ＰＣ上にヘーズに対する耐性の高いＳｉＯ2膜を形成する点にある。 The present invention was created to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art, and an object thereof is to form a SiO 2 film having high resistance to haze on a PC.
上記課題を解決するために、本発明は、真空雰囲気中にポリカーボネイト樹脂基板を配置し、前記真空雰囲気中に有機ケイ素化合物の気体を導入しながら、シリコン酸化物から成る蒸着材料を加熱して蒸気を発生させ、発生した蒸気を前記ポリカーボネイト樹脂基板上に到達させ、炭素を含有するシリコン酸化物薄膜から成る保護膜を形成し、前記保護膜を有する前記ポリカーボネイト樹脂基板から成る車両用窓ガラスを製造する車両用窓ガラス製造方法であって、前記ポリカーボネイト樹脂基板が配置された基板ホルダに交流電圧を印加しながら、炭素を含有する前記シリコン酸化物薄膜を形成する車両用窓ガラス製造方法である。 In order to solve the above-described problems, the present invention is directed to disposing a polycarbonate resin substrate in a vacuum atmosphere and heating a vapor deposition material made of silicon oxide while introducing a gas of an organosilicon compound into the vacuum atmosphere. And the generated vapor reaches the polycarbonate resin substrate to form a protective film made of a silicon oxide thin film containing carbon, and a vehicle window glass made of the polycarbonate resin substrate having the protective film is manufactured. A vehicle window glass manufacturing method for forming a silicon oxide thin film containing carbon while applying an AC voltage to a substrate holder on which the polycarbonate resin substrate is disposed.
本発明により、耐摩耗性に優れたポリカーボネイト樹脂基板の車両用窓ガラスを得ることができる。 By this invention, the window glass for vehicles of the polycarbonate resin substrate excellent in abrasion resistance can be obtained.
図１、図２の符号１１、１２は、本発明の車両用窓ガラスの形成に使用できる第一、第二の蒸着装置であり、同じ部材には同じ符号を付して説明する。
第一、第二の蒸着装置１１、１２は、真空槽２０をそれぞれ有しており、真空槽２０の内部には、底壁側に蒸着源２１が配置され、その上方位置に基板ホルダ２３が配置されている。
基板ホルダ２３には、ＰＣ基板(ポリカーボネイト樹脂基板)２５が保持されており、蒸着源２１内には、シリコン酸化物(ＳｉＯ2)から成る蒸着材料２２が配置されている。
The first and second
The
真空槽２０には真空排気系２８が接続されており、真空槽２０内は所定圧力まで真空排気される。
真空槽２０にはガス導入系２９が接続されている。後述する蒸着方法による薄膜形成は、残留ガスから成る真空雰囲気中と、ガス導入系２９から導入した所定のガス雰囲気から成る真空雰囲気中で行うことができ、本発明では、真空槽２０内が所定圧力まで真空排気された後、ガス導入系２９から有機ケイ素化合物ガスを導入し、真空槽２０内を大気よりも低圧の有機ケイ素化合物ガス雰囲気にし、真空槽２０に配置ＥＢガン３９から蒸着材料２２に電子ビームを照射し、加熱して蒸着材料２２の蒸気を放出させる。ここでは蒸着材料２２として粒状のＳｉＯ2の塊が配置されている。
An
A
基板ホルダ２３と蒸着源２１の間にはシャッター２７が配置されており、蒸着源２１から放出された蒸着材料２２の蒸気はシャッター２７に到達し、ＰＣ基板２５表面には到達しない。
A
第一の蒸着装置１１では、基板ホルダ２３にバイアス電源３０が接続されており、基板ホルダ２３に交流電圧を印加できるようにされている。ここではバイアス電源３０内にはＲＦ電源３３とマッチングボックス３４が配置されており、マッチングボックス３４によってインピーダンスが調節された状態で、ＲＦ電源３３から基板ホルダ２３に交流電圧が印加され、その状態で蒸着材料２２が加熱されてその蒸気が真空槽２０内に放出された後、シャッター２７を蒸着材料２２とＰＣ基板２５の間から移動させ、ＰＣ基板２５を蒸着材料２２に対面させると、ＰＣ基板２５の表面に、導入した有機ケイ素化合物由来の炭素を化学構造中に含有するシリコン酸化物の薄膜が形成される。
In the first
バイアス電源３０を動作させず、基板ホルダ２３に交流電圧を印加しない場合でも、炭素を化学構造中に含有するシリコン酸化物の薄膜が形成される。
Even when the
他方、第二の蒸着装置１２では、真空槽２０にプラズマ化装置４０が設けられており、真空槽２０内に導入した有機ケイ素化合物の気体の一部をプラズマ化し、そのプラズマがＰＣ基板２５の表面に到達するように構成されている。
On the other hand, in the second
プラズマ化装置４０は、ここでは、ＲＦコイル４５と、ＲＦコイル４５にマッチングボックス４４を介して接続されたＲＦ電源４３とで構成されており、ＲＦコイル４５は、真空槽２０内で、基板ホルダ２３と、蒸着源２１内の蒸着材料２２との間に配置され、シャッター２７を開けると、ＲＦコイル４５で取り囲まれた領域を挟んで、ＰＣ基板２５と蒸着材料２２とが対面するように構成されている。
Here, the
ＲＦ電源４３によってマッチングボックス４４を介してＲＦコイル４５に交流電圧を印加し、ＲＦコイル４５に交流電流を流すと、ＲＦコイル４５で取り囲まれた領域に交番磁界が形成され、ＲＦコイル４５で取り囲まれた領域に導入した反応ガスがプラズマにされる。
蒸着源２１から放出された蒸着材料２２の蒸気がＲＦコイル４５で取り囲まれた領域を通過してＰＣ基板２５表面に到達すると、プラズマ内又はＰＣ基板２５の表面でプラズマと反応し、導入した有機ケイ素化合物由来の炭素を化学構造中に含有するシリコン酸化物が生成され、その薄膜がＰＣ基板２５上に形成される。
When an AC voltage is applied to the
When the vapor of the
＜実施例１＞
図１の第一の蒸着装置１１を用い、バイアス電源３０を動作させず、ガス導入系２９から気体状の有機ケイ素化合物を導入しながら蒸着源２１から蒸着材料２２の蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５表面に炭素含有ＳｉＯ2薄膜から成る保護膜を形成した。
<Example 1>
The
本実施例１及び下記実施例２、３では、用いた有機ケイ素化合物はＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）であり、それを加熱して発生した蒸気を真空槽２０内に導入した（ＨＭＤＳＯ反応性蒸着）。真空槽２０内に酸素ガスは導入していない。
図３の符号１は、得られた車両用窓ガラスであり、ＰＣ基板２５表面に、炭素含有ＳｉＯ2薄膜から成る保護膜３が配置されている。
In this Example 1 and Examples 2 and 3 below, the organosilicon compound used was HMDSO (hexamethyldisiloxane), and steam generated by heating it was introduced into the vacuum chamber 20 (HMDSO reactive vapor deposition). ). No oxygen gas is introduced into the
この車両用窓ガラス１の保護膜３表面に、「ＴＡＢＥＲ摩耗試験機」ＭＯＤＥＬ５１３５(ダイトエレクトロン株式会社製)によって、荷重；５００ｇ、回転数；１０００回の条件で試験用のホイールを当接させ、保護膜３の耐摩耗性試験を行い、ヘーズメータによってヘーズ(ヘーズ：曇りの測定結果、濁度)を測定した。
成膜条件と測定結果を下記表１に示す。下記実施例２、３と比較例の耐摩耗性試験と測定の条件は実施例１と同じである。
A test wheel is brought into contact with the surface of the
The film formation conditions and measurement results are shown in Table 1 below. The wear resistance test and measurement conditions of Examples 2 and 3 below and the comparative example are the same as those of Example 1.
下記比較例と対比させると、ＳｉＯ2の蒸着中にＨＭＤＳＯを導入することによって、保護膜３の耐摩耗性が５％まで大幅に改善され、自動車用窓に適用可能なレベルに近い結果である。シリコン酸化物(ＳｉＯ2)膜に含有される炭素がシリコン酸化物(ＳｉＯ2)と強く結合し、シリコン酸化物間の結合強度を高めているためと考えられる。
In comparison with the following comparative example, by introducing HMDSO during the deposition of SiO 2 , the wear resistance of the
＜実施例２＞
図１の第一の蒸着装置１１を用い、基板ホルダー２３にＲＦ電力を印加しながら、真空槽２０内にＨＭＤＳＯを導入し、ＰＣ基板２５の表面に保護膜３を形成した（ＲＦバイアスイオンプレーティング）
成膜条件と測定結果を下記表２に示す。
<Example 2>
While applying RF power to the
The film formation conditions and measurement results are shown in Table 2 below.
ヘーズが２．５％にまで低減しており、実施例１の反応性蒸着法よりも膜の耐摩耗性が改善されている。 The haze is reduced to 2.5%, and the wear resistance of the film is improved as compared with the reactive vapor deposition method of Example 1.
＜実施例３＞
図２の第二の蒸着装置１２を用い、ＲＦコイル４５に通電しながら真空槽２０内にＨＭＤＳＯの気体を導入し、ＨＭＤＳＯのプラズマを生成しながら蒸着材料２２を加熱してその蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５の表面に保護膜３を形成した（ＲＦ反応性蒸着（ＲＦイオンプレーティング））。
成膜条件と測定結果を下記表３に示す。
<Example 3>
The HMDSO gas is introduced into the
The film formation conditions and measurement results are shown in Table 3 below.
ヘーズが３．８％まで低減されており、実施例１の反応性蒸着法による車両用窓ガラス１よりも保護膜３の耐摩耗性が改善された。
The haze was reduced to 3.8%, and the wear resistance of the
＜比較例＞
第一の蒸着装置１１を用い、バイアス電源３０を動作させず、ガス導入系２９から酸素ガスを導入しながら蒸着材料２２を加熱してその蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５表面にＳｉＯ2薄膜を形成した。ＨＭＤＳＯガスは導入していない。
成膜条件と測定結果を下記表４に示す。
<Comparative example>
Using the first
The film forming conditions and measurement results are shown in Table 4 below.
耐摩耗試験の結果、膜の曇り（ヘーズ）は３０％に達し、自動車用窓ガラスには適さないことが分かる。 As a result of the abrasion resistance test, it can be seen that the haze of the film reaches 30%, which is not suitable for an automotive window glass.
なお、以上の本実施例１〜３ではＨＭＤＳＯを用いたが、ＨＭＤＳＯに限定されるものではなく、ＨＭＤＳＯ以外の有機ケイ素化合物の気体を真空槽２０内に導入しながら保護膜３を形成しても、実施例１〜３と同じ成膜条件ではそれぞれ実施例１〜３と同様の耐摩耗性を有する保護膜３が得られる。
In addition, although HMDSO was used in the above Examples 1-3, it is not limited to HMDSO, and the
ＨＭＤＳＯを真空槽２０内に導入して保護膜３を形成する場合、真空雰囲気中に、ＨＭＤＳＯの気体に加えて酸素ガスも導入したところ、形成された保護膜は２時間の煮沸で密着性が悪化した。
In the case where the
上記実施例３では、ＲＦコイル４５を用い、交番磁界によって導入した有機ケイ素化合物をプラズマ化したが、有機ケイ素化合物をプラズマ化するプラズマ化装置４０は、ＲＦコイル４５を有するものに限定されるものではなく、例えば、真空槽内に配置した電極に交流電圧を印加して有機ケイ素化合物のプラズマを生成する装置でもよく、更に、その他の手段によって真空槽２０内に導入した有機ケイ素化合物のプラズマを生成する装置であってもよい。
また、上記実施例では、ポリカーボネイト樹脂基板２５の表面に保護膜３を形成したが、ポリカーボネイト樹脂基板２５と保護膜３との間に、密着性を高める薄膜等、他の薄膜を配置してもよい。
In Example 3 described above, the
Moreover, in the said Example, although the
＜測定例＞
次に、実施例と同様に、第一の蒸着装置１１を用い、基板ホルダー２３にＲＦ電力を印加しながら真空槽２０内にＨＭＤＳＯを導入してＰＣ基板２５の表面にＳｉＯ2膜を形成する際に、ＰＣ基板２５毎にＨＭＤＳＯの導入量を変え、異なる真空槽２０内のＨＭＤＳＯ分圧中で炭素含有量が異なる保護膜３を形成した。
ＨＭＤＳＯ分圧値、形成された保護膜３中の炭素含有量、ヘーズ度の関係を下記表５に示す。ＨＭＤＳＯ分圧値と炭素含有量の関係は図４のグラフにも示す。
<Measurement example>
Next, as in the example, using the first
Table 5 below shows the relationship between the HMDSO partial pressure value, the carbon content in the formed
表中、Ｃ濃度(mol%)は、保護膜の単位体積当たりの、(保護膜中の炭素原子数)／(保護膜中の炭素、酸素、Ｓｉの合計の原子数) の値である。
保護膜３の炭素濃度は高い方がヘーズが小さく、ＳｉＯ2の蒸気によってＳｉＯ2の薄膜が形成できる範囲内で、シロキサン等の有機ケイ素化合物の分圧を大きくするのがよい。
In the table, the C concentration (mol%) is a value of (number of carbon atoms in the protective film) / (total number of atoms of carbon, oxygen, and Si in the protective film) per unit volume of the protective film.
Carbon concentration of the
次に、本発明の上記実施例１で得られた保護膜３と、実施例２で、基板ホルダ２３への投入電力(表中「RF Power」)をＰＣ基板２５毎に変えて形成した保護膜３の密着性を測定した。その測定結果を下記表６に示す。
Next, the
「初期密着性」は、温水又は沸騰水に浸漬する前の密着性であり、「煮沸」は、沸騰水に２時間浸漬した後の密着性であり、「耐水性」は、６０℃の温水に１５０時間浸漬した後の密着性を示している。
密着性の測定は、保護膜３に切れ目を形成して粘着シートを貼付した後、粘着シートを引き剥がしたときに保護膜３がＰＣ基板２５から剥離した場合を×とし、ＰＣ基板２５上に残った場合を○として記載した。
“Initial adhesion” is adhesion before immersion in warm water or boiling water, “boiling” is adhesion after immersion in boiling water for 2 hours, and “water resistance” is 60 ° C. warm water. Shows the adhesion after being immersed in 150 hours.
In the measurement of adhesion, a case where the
表に記載した結果から、保護膜３が煮沸に対する耐性を必要とする場合は、基板ホルダ２３には、ＰＣ基板２５の成膜面(ＰＣ基板２５の片面)の単位面積１ｃｍ2当たり０．１Ｗ(０．１Ｗ／ｃｍ2)以上の交流電力を投入することが望ましいことが分かる。
From the results shown in the table, when the
２２……シリコン酸化物（蒸着材料）
２３……基板ホルダ
２５……ポリカーボネイト樹脂基板
22 …… Silicon oxide (deposition material)
23 ……
Claims (1)
前記真空雰囲気中に有機ケイ素化合物の気体を導入しながら、シリコン酸化物から成る蒸着材料を加熱して蒸気を発生させ、発生した蒸気を前記ポリカーボネイト樹脂基板上に到達させ、炭素を含有するシリコン酸化物薄膜から成る保護膜を形成し、前記保護膜を有する前記ポリカーボネイト樹脂基板から成る車両用窓ガラスを製造する車両用窓ガラス製造方法であって、
前記ポリカーボネイト樹脂基板が配置された基板ホルダに交流電圧を印加しながら、炭素を含有する前記シリコン酸化物薄膜を形成する車両用窓ガラス製造方法。
Place the polycarbonate resin substrate in a vacuum atmosphere,
While introducing an organic silicon compound gas into the vacuum atmosphere, the vapor deposition material made of silicon oxide is heated to generate vapor, and the generated vapor reaches the polycarbonate resin substrate to oxidize the silicon-containing silicon oxide. A vehicle window glass manufacturing method for manufacturing a vehicle window glass formed of a polycarbonate resin substrate having the protective film by forming a protective film made of a physical thin film ,
A vehicle window glass manufacturing method for forming the silicon oxide thin film containing carbon while applying an AC voltage to a substrate holder on which the polycarbonate resin substrate is disposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009279945A JP5514526B2 (en) | 2009-12-09 | 2009-12-09 | Vehicle window glass manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009279945A JP5514526B2 (en) | 2009-12-09 | 2009-12-09 | Vehicle window glass manufacturing method |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011122196A JP2011122196A (en) | 2011-06-23 |
| JP2011122196A5 JP2011122196A5 (en) | 2012-11-29 |
| JP5514526B2 true JP5514526B2 (en) | 2014-06-04 |
Family
ID=44286362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009279945A Active JP5514526B2 (en) | 2009-12-09 | 2009-12-09 | Vehicle window glass manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5514526B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5766172B2 (en) * | 2012-11-15 | 2015-08-19 | 尾池工業株式会社 | Heat ray shielding film |
| CN104561898A (en) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 大连爱瑞德纳米科技有限公司 | Method for depositing wearing layer of glass window film and glass window film |
| JP6776528B2 (en) * | 2015-12-07 | 2020-10-28 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of gas barrier film |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06212430A (en) * | 1991-03-28 | 1994-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Formation of hardened protective film on surface of plastic substrate |
| JP4176538B2 (en) * | 2003-04-17 | 2008-11-05 | 帝人化成株式会社 | Polymer resin laminate and window material |
-
2009
- 2009-12-09 JP JP2009279945A patent/JP5514526B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011122196A (en) | 2011-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6085652B2 (en) | Method for fixing to a layer made of amorphous carbon film and laminate | |
| JP5966928B2 (en) | Gas barrier film | |
| US9564610B2 (en) | Electronic device and method for manufacturing same | |
| JPH08281861A (en) | Gas barrier film | |
| JP6642003B2 (en) | Laminated films and flexible electronic devices | |
| WO2012176824A1 (en) | Method for inspecting laminated film and method for producing laminated film | |
| WO2016052369A1 (en) | Laminated film and flexible electronic device | |
| Mu et al. | Preparation and atomic oxygen erosion resistance of SiOx coating formed on polyimide film by plasma polymer deposition | |
| JPWO2015111572A1 (en) | Gas barrier film | |
| JP4424033B2 (en) | Deposition film by plasma CVD method | |
| JP2015174270A (en) | Film having gas barrier property | |
| WO2013132889A1 (en) | Chemical vapor deposited film formed by plasma chemical vapor deposition method | |
| JP5514526B2 (en) | Vehicle window glass manufacturing method | |
| Wrobel et al. | Remote Hydrogen Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Carbonitride (a‐SiCN) Coatings Derived From Tris (dimethylamino) Silane | |
| JPWO2018168671A1 (en) | Gas barrier film, gas barrier film, method of manufacturing gas barrier film, and method of manufacturing gas barrier film | |
| Mittal et al. | Adhesion in microelectronics | |
| JPH0699536A (en) | Gas barrier transparent conductive laminate and manufacture thereof | |
| Wrobel et al. | Amorphous silicon carbonitride thin‐film coatings produced by remote nitrogen microwave plasma chemical vapour deposition using organosilicon precursor | |
| JP2014088016A (en) | Gas barrier film | |
| JP5159422B2 (en) | Polyester resin container | |
| Uznanski et al. | Atomic hydrogen induced chemical vapor deposition of silicon oxycarbide thin films derived from diethoxymethylsilane precursor | |
| Wrobel et al. | Silicon oxycarbide films produced by remote microwave hydrogen plasma CVD using a tetramethyldisiloxane precursor: Growth kinetics, structure, surface morphology, and properties | |
| JP2018052041A (en) | Laminate | |
| JP5595897B2 (en) | Manufacturing method of resin products | |
| RU2374358C1 (en) | Method of carbon-bearing coating receiving |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20121011 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121011 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130430 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130619 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130619 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5514526 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |