JP5512800B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 180
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 108
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 102
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 96
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 20
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 15
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14678—Contact-type imagers
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
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- Human Computer Interaction (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Description
本実施形態の半導体装置は、光センサー部を備えたアクティブマトリクス基板である。本実施形態のアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置や有機EL表示装置などの表示装置に広く適用され得る。特に、タッチパネル機能を備えた液晶表示装置に好適に用いられる。
以下、図面を参照しながら、本発明による半導体装置の第2の実施形態を説明する。本実施形態は、光センサー部を備えた表示装置である。
102 RST信号ライン
104 RWS信号ライン
105 画素用TFT
106 ゲートバスライン
108 ソースバスライン
R、G、B (原色の)画素
109a、109b カラー表示画素
200、400 光センサー部
202、402a、402b、402c 光センサーTFD
204 保持TFT
206 蓄積容量
208 バッファTFT
209 ノード
111 基板
149、159 遮光層
113、114 下地膜
119 ゲート絶縁膜
120、121 層間絶縁膜
130、140、150 半導体層
131、141 チャネル領域
132、142 LDD領域
133、143 ソース・ドレイン領域
135、145 ゲート電極
137、147 ソース・ドレイン電極
151 真性領域(受光領域)
153 n型領域
154 p型領域
157 電極
Claims (18)
- 複数の画素を有する表示領域を備えた半導体装置であって、
基板と、
前記基板上に、画素ごとに形成された第1導電型の第1の薄膜トランジスタと、
前記表示領域において、前記基板上に形成され、光を検知してセンシング信号を生成する複数の光センサー部と
を備え、
前記複数の光センサー部のそれぞれは、
少なくとも1つの薄膜ダイオードを含む受光部と、
前記少なくとも1つの薄膜ダイオードで生じた光電流を蓄積する容量と、
前記受光部および前記容量の間に配置された第1導電型の第2の薄膜トランジスタであって、前記受光部は第2の薄膜トランジスタを介して前記容量と接続されている、第2の薄膜トランジスタと
を含んでおり、
前記第1および第2の薄膜トランジスタと前記少なくとも1つの薄膜ダイオードとは、同一の半導体膜から形成された半導体層を有し、
前記第1および第2の薄膜トランジスタの半導体層は、何れも、ソースおよびドレイン領域と、これらの領域の間に位置するチャネル領域とを含み、
前記第1の薄膜トランジスタの特性と前記第2の薄膜トランジスタの特性とは異なっている半導体装置。 - 前記第1の薄膜トランジスタの閾値電圧と前記第2の薄膜トランジスタの閾値電圧とは異なっている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の薄膜トランジスタの前記チャネル領域は、何れも、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物を含んでおり、
前記第1および第2の薄膜トランジスタの前記チャネル領域における前記第2導電型の不純物の濃度は互いに異なっている請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の薄膜トランジスタのオフリーク電流と前記第2の薄膜トランジスタのオフリーク電流とは異なっている請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の薄膜トランジスタのオフリーク電流は、前記第1の薄膜トランジスタのオフリーク電流よりも小さい請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第2の薄膜トランジスタは、前記ソースおよびドレイン領域と前記チャネル領域との間に形成され、前記ソースおよびドレイン領域よりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む低濃度不純物領域を有しており、前記低濃度不純物領域はゲート電極と重なっていない請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の薄膜トランジスタは、前記ソースおよびドレイン領域と前記チャネル領域との間に形成され、前記ソースおよびドレイン領域よりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む低濃度不純物領域を有しており、前記低濃度不純物領域はゲート電極と重なっておらず、
前記第1および第2の薄膜トランジスタの前記低濃度不純物領域における前記第1導電型の不純物の濃度は互いに異なっている請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第2の薄膜トランジスタはマルチゲート構造を有する請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第2の薄膜トランジスタはトリプルゲート構造を有する請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2の薄膜トランジスタの半導体層と前記基板との間には、前記第2の薄膜トランジスタの半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域と重なるように遮光層が形成されている請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記遮光層の電位が固定されている請求項10に記載の半導体装置。
- 前記少なくとも1つの薄膜ダイオードの半導体層と前記基板との間には、センサー用遮光層が配置されており、前記センサー用遮光層と前記遮光層とは電気的に接続されている請求項10または11に記載の半導体装置。
- 前記薄膜ダイオードの半導体層は、p型領域と、n型領域と、前記p型領域および前記n型領域との間に位置する真性領域とを有している請求項1から12のいずれかに記載の半導体装置。
- 第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である請求項1から13のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記表示領域以外の領域において、前記基板上に形成された他の薄膜トランジスタをさらに備え、
前記他の薄膜トランジスタは、前記同一の半導体膜から形成され、ソースおよびドレイン領域とチャネル領域とを有する半導体層を有しており、
前記他の薄膜トランジスタの特性は、前記第2の薄膜トランジスタの特性と異なっている請求項1から14のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記他の薄膜トランジスタおよび前記第2の薄膜トランジスタの前記チャネル領域における前記第2導電型の不純物の濃度は互いに異なっている請求項15に記載の半導体装置。
- 可視光および赤外光を出射するバックライトをさらに備え、
前記薄膜ダイオードは前記赤外光を検知し得る請求項1から16のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記光センサー部は、各画素または2以上の画素からなるセットに対応して配置されている請求項1から17のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012510717A JP5512800B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010095136 | 2010-04-16 | ||
JP2010095136 | 2010-04-16 | ||
PCT/JP2011/059410 WO2011129441A1 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-15 | 半導体装置 |
JP2012510717A JP5512800B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011129441A1 JPWO2011129441A1 (ja) | 2013-07-18 |
JP5512800B2 true JP5512800B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=44798809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012510717A Active JP5512800B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8803151B2 (ja) |
EP (1) | EP2560207A4 (ja) |
JP (1) | JP5512800B2 (ja) |
CN (1) | CN102859693B (ja) |
WO (1) | WO2011129441A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011011767A1 (de) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | Medizintechnisches Gerät mit Mehrfunktionsdisplay |
KR101887988B1 (ko) * | 2012-07-03 | 2018-08-14 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템 |
KR101896666B1 (ko) * | 2012-07-05 | 2018-09-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템 |
JP6166128B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2017-07-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
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US9454265B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-09-27 | Qualcomm Incorporated | Integration of a light collection light-guide with a field sequential color display |
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CN110391269A (zh) | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制备方法 |
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JP2010177362A (ja) | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置 |
TWI389329B (zh) * | 2009-06-29 | 2013-03-11 | Au Optronics Corp | 平面顯示面板、紫外光感測器及其製造方法 |
EP2485126A4 (en) | 2009-09-30 | 2014-07-30 | Sharp Kk | DISPLAY DEVICE |
JP5349607B2 (ja) | 2009-09-30 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
CN102511022B (zh) | 2009-09-30 | 2014-10-29 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
JP2011076023A (ja) | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Sharp Corp | 液晶表示装置の動作方法 |
-
2011
- 2011-04-15 JP JP2012510717A patent/JP5512800B2/ja active Active
- 2011-04-15 WO PCT/JP2011/059410 patent/WO2011129441A1/ja active Application Filing
- 2011-04-15 US US13/641,186 patent/US8803151B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-15 CN CN201180019503.8A patent/CN102859693B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-15 EP EP11768962.0A patent/EP2560207A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2560207A1 (en) | 2013-02-20 |
CN102859693A (zh) | 2013-01-02 |
WO2011129441A1 (ja) | 2011-10-20 |
JPWO2011129441A1 (ja) | 2013-07-18 |
CN102859693B (zh) | 2015-12-16 |
US8803151B2 (en) | 2014-08-12 |
EP2560207A4 (en) | 2014-10-08 |
US20130037815A1 (en) | 2013-02-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5512800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |