JP5504663B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
上述した図16に示す変形例1の半導体装置の製造方法に従って、半導体装置を、第3の導電層が形成されたシリコン基板20に対して背面洗浄を行う工程(図8)まで製造して、実施例1を得た。実施例1のN数は3とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理において、処理時間を120秒とした他は、実施例1と同様に形成して、実施例2を得た。実施例2のN数は2とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理において、処理時間を200秒とした他は、実施例1と同様に形成して、実施例3を得た。実施例3のN数は2とした。
上述した実施例1の製造工程における第1の減圧加熱処理を行わなかった点を除いては、実施例1と同様に形成して、比較例を得た。比較例のN数は1とした。
上述した実施例1〜3及び比較例に対して、第3の導電層の形成工程前の段階で、強誘電体膜の面配向の測定を以下のように行った。
また、上述した実施例1〜3及び比較例に対して、欠陥数の測定を以下のように行った。
例えば、上述した本実施形態では、強誘電体キャパシタはプレーナ型であったが、強誘電体キャパシタはスタック型であっても良い。
導電層を形成し、
前記導電層の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を大気にさらし、
前記酸化膜を、減圧下且つ第1の温度で減圧加熱処理し、
前記減圧加熱処理された前記酸化膜を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第1の温度よりも低い第2の温度で、非晶質の誘電体層を前記酸化膜上に形成し、
前記第1の温度よりも高い第3の温度で、非晶質の前記誘電体層を結晶化する、
工程を有する半導体装置の製造方法。
前記酸化膜を形成する工程は、20オングストローム以下の膜厚の酸化膜を形成する付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記酸化膜を形成する工程は、アモルファス酸化膜を形成する付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
前記酸化膜を形成する工程は、前記導電層を大気にさらさした状態で、前記第1の導電層の表面に自然酸化膜を形成する付記1から3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の温度は、100℃〜300℃の範囲にある付記1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記減圧加熱処理する工程は、100Pa以下に減圧する付記1から5の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記誘電体層を結晶化する工程では、前記酸化膜が分解して、酸素が前記誘電体層に吸収される付記1から6の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の温度は、30℃以上100℃未満の範囲にある付記1から7の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第3の温度は、580℃〜620℃の範囲にある付記1から8の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記誘電体層を結晶化する工程の前に、前記誘電体層を大気にさらし、
前記誘電体層を結晶化する工程の後に、
更に、
結晶された前記誘電体層を、減圧下且つ前記第1の温度で第2の減圧加熱処理し、
前記第2の減圧加熱処理された前記誘電体層を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第2の温度で、非晶質の第2の誘電体層を前記誘電体層上に形成する、
工程を有する付記1から9の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の誘電体層を前記誘電体層上に形成する工程の後に、
更に、
前記第2の誘電体層を大気にさらし、
前記第2の誘電体層を、減圧下且つ前記第1の温度で第3の減圧加熱処理し、
前記第3の減圧加熱処理された前記第2の誘電体層を大気にさらすことなく、減圧下で第2の導電層を前記第2の誘電体層上に形成する、
工程を有する付記10に記載の半導体装置の製造方法。
10 酸化膜
20 シリコン基板
40 第1の導電層(導電層)
41 第1の強誘電体層(誘電体層)
42 第2の強誘電体層
43 第2の導電層
44 第3の導電層
Q 強誘電体キャパシタ
Qa 上部電極
Qb 強誘電体膜
Qc 下部電極
Claims (5)
- 半導体基板上にプラチナ膜を形成し、
前記プラチナ膜の表面に酸化プラチナ膜を形成し、
前記酸化プラチナ膜を大気にさらし、
前記酸化プラチナ膜を、減圧下且つ第1の温度で第1の減圧加熱処理し、
前記第1の減圧加熱処理された前記酸化プラチナ膜を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第1の温度よりも低い第2の温度で、非晶質の第1の誘電体層を前記酸化プラチナ膜上に形成し、
前記第1の誘電体層を大気にさらし、
前記第1の温度よりも高い第3の温度で、非晶質の前記第1の誘電体層を結晶化し、
結晶化された前記第1の誘電体層を、減圧下且つ前記第1の温度で第2の減圧加熱処理し、
前記第2の減圧加熱処理された前記第1の誘電体層を大気にさらすことなく、減圧下且つ前記第2の温度で、非晶質の第2の誘電体層を前記第1の誘電体層上に形成する、
工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記酸化プラチナ膜を形成する工程は、20オングストローム以下の膜厚の酸化プラチナ膜を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化プラチナ膜を形成する工程は、アモルファス酸化プラチナ膜を形成する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化プラチナ膜を形成する工程は、前記プラチナ膜を大気にさらさした状態で、前記プラチナ膜の表面に自然酸化膜を形成する請求項1から3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の温度は、100℃〜300℃の範囲にある請求項1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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