JP5500523B2 - 変位センサ - Google Patents

Description

本発明は、リードスイッチを使用して被検出体の変位を検出する変位センサに関する。

従来、リードスイッチを使用した変位センサは、例えば図２２に示すように構成されている。図２２において、変位センサ１は、ケース２内の下端付近に配置されたリードスイッチ３と、ケース２内でリードスイッチ３の上方に配置された磁石４及び検出部材５と、から構成されている。

ケース２は上下方向に細長い形状を有しており、下端付近で側方に開口したリードスイッチ収容部２ａと、リードスイッチ収容部２ａの直上に形成された磁石収容部２ｂと、を有している。
リードスイッチ収容部２ａは、図２２にて左右方向に細長い形状を有している。開放した右端からリードスイッチ収容部２ａ内にリードスイッチ３が挿入された後、例えばウレタン樹脂等の封止材がリードスイッチ収容部２ａ内に充填され硬化されることにより、リードスイッチ３は、リードスイッチ収容部２ａ内で固定され、防水性を付与される。

リードスイッチ３は公知の構成であって、細長いガラス管３ａに封入された二本のリード３ｂ，３ｃから構成されており、二本のリード３ｂ，３ｃがそれぞれガラス管３ａ内で両端から軸方向に延びていて、その一端の接点部３ｄ，３ｅがガラス管３ａの軸方向中央付近で軸方向と垂直な方向にずれて重なっている。なお、ガラス管３ａ内には、各接点部３ｄ，３ｅの酸化による接触不良を防止するために、例えば窒素等の不活性ガスが封入されている。また、二本のリード３ｂ，３ｃの他端は、ガラス管３ａの外側まで延びており、外部接続のためのリード線３ｆ，３ｇが接続されている。

磁石収容部２ｂは上下方向に長く形成されており、その横断面の大きさが磁石４の外形よりやや大きく選定されている。これにより、磁石４は磁石収容部２ｂ内で上下方向に移動し得る。さらに、磁石収容部２ｂ内において、磁石４の下方には、磁石４を上方に向かって付勢する圧縮バネ４ａが配置されている。また、磁石収容部２ｂ内において、磁石４の上方には検出部材５が配置されている。

磁石４は磁性材料から構成されていて、細長い棒状の形状を有しており、一端がＳ極、他端がＮ極となるように着磁されている。

ここで、検出部材５は、その下端が磁石４の上面に接着等により固定されている。また、検出部材５は、その上面から上方へ突出するノブ５ａを有している。ノブ５ａは、磁石４が圧縮バネ４ａにより磁石収容部２ｂ内の上方へ付勢されることにより、ケース２の上面に設けられた貫通孔２ｃを通って外部に突出する。

このような構成の変位センサ１によれば、図２２に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ５ａが下方に押し込まれない状態では、磁石４は圧縮バネ４ａの弾性に基づいて磁石収容部２ｂ内で上方に押圧されている。従って、リードスイッチ３の接点部３ｄ，３ｅには磁石４の磁力が及ばないので、互いに離反した状態にあって、リードスイッチ３はオフ状態にある。

この状態から、被検出体（図示せず）がノブ５ａに接触すると、ノブ５ａ及び検出部材５は磁石４を介して圧縮バネ４ａの張力に抗して下方へ移動し、磁石４も下方へ移動してリードスイッチ３に接近する。これにより、図２３に示すように、点線で示す磁力線がリードスイッチ３のリード３ｂ，３ｃを通るので、各接点部３ｄ，３ｅは互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これにより、リードスイッチ３はオン状態となる。

ここで、磁石４の位置とリードスイッチ３のオンオフの関係は、図２４のようにリードスイッチの駆動領域として表される。即ち、リードスイッチ３の軸方向をＸ方向とし、磁石４の移動方向をＹ方向とすると、Ｘ方向に三つ並んだオン領域と、これらのオン領域周りの保持領域と、オン領域及び保持領域を除いたオフ領域とがある。
従って、磁石４がリードスイッチ３に接近して、磁石４の中心がオフ領域から保持領域を越えてオン領域内に入ったとき、リードスイッチ３はオンとなる。

これに対して、磁石４がリードスイッチ３から離反して、磁石４の中心がオン領域から保持領域を越えてオフ領域に入ったとき、リードスイッチ３はオフとなる。

また、図２５に示す構成の変位センサも知られている。図２５において、変位センサ６では，図２２に示した変位センサ１に対して、ケース２のリードスイッチ収容部２ａが磁石収容部２ｂの側方に配置されており、リードスイッチ３は、その軸方向が図面にて上下に、即ち磁石４の移動方向に平行に配置されている。

このような構成の変位センサ６によれば、図２５に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ５ａが下方に押し込まれない状態では、磁石４は圧縮バネ４ａの弾性に基づいて磁石収容部２ｂ内で上方に押圧されている。従って、磁石４の中心線がリードスイッチ３の中心部（接点部３ｄ，３ｅ）とほぼ一致しており、リードスイッチ３の接点部３ｄ，３ｅは、磁石４の極の配置から何れもＮ極となるので、互いに離反した状態にあって、リードスイッチ３はオフ状態にある。

この状態から、被検出体（図示せず）がノブ５ａに接触すると、ノブ５ａ及び検出部材５は、磁石４を介して圧縮バネ４ａの張力に抗して下方へ移動し、磁石４も下方へ移動接近する。これにより、図２６に示すように、磁石４の中心線がリードスイッチ３の中心からずれて、リードスイッチ３の一方の接点部３ｄはＮ極となり、他方の接点部３ｅはＳ極となるので、各接点部３ｄ，３ｅは互いに異極に磁化されて吸引され、相互に接触する。つまり、リードスイッチ３はオン状態となる。

この場合、磁石４の位置とリードスイッチ３のオンオフの関係は、図２７のようにリードスイッチの駆動領域として表される。即ち、リードスイッチ３の軸方向中心を挟んだ二つのオン領域と、これらのオン領域周りの保持領域と、オン領域及び保持領域を除いたオフ領域とがある。
従って、磁石４の中心線がリードスイッチ３の中心を通る場合には、リードスイッチ３はオフ状態であり、磁石４の中心線がリードスイッチ３の中心からずれて、オフ領域から保持領域を越えてオン領域内にリードスイッチ３の中心付近の接点部３ｄ，３ｅが入ったとき、リードスイッチ３はオンとなる。これに対して、磁石４の中心線がリードスイッチ３の中心と一致すると、オン領域から保持領域を越えてオフ領域にリードスイッチ３の接点部３ｄ，３ｅが入ったとき、リードスイッチ３はオフとなる。

これに対し、特許文献１に開示された近接スイッチでは、一端がケースからノブ状に突起し被検出体との接触により移動する検出棒と、検出棒の他端に接し検出棒の移動に応じて回転軸の周りで回動する磁石と、が設けられている。磁石の先端部がリードスイッチの接点の付近で回動することで、被検出体の移動を接点の開閉によって検知している。

また、特許文献２には、磁性材料から成る一対のリードがその接点部を対向させて絶縁容器に封入され、リードに印加する磁界に応じて、接点部が開放または接触するリードスイッチにおいて、磁界が印加していない状態では接点部同士がリードの弾性力により機械的に押し付けられた状態で接触しており、各接点部を同極に磁化し磁気反発力を誘起することにより接点部を開放する常閉型のリードスイッチが開示されている。

さらに、特許文献３に開示された車両用ストップランプスイッチでは、車両のブレーキペダルの踏み込み操作に応じて移動する移動子と、移動子と共に移動する可動磁石と、可動磁石の移動によって動作されるリードスイッチと、リードスイッチによって動作されるトランジスタと、トランジスタによって動作されるリレーと、を備えており、スイッチケースに、移動子を磁石と共に移動可能に設けると共に、リードスイッチ、トランジスタ及びリレーを収納配置している。さらにスイッチケースには、リードスイッチに常時磁力を及ぼす固定磁石が収納配置されており、可動磁石が移動して固定磁石とでリードスイッチに及ぼす磁界を変化させることにより、リードスイッチが動作する。

特開２００７−３２８９９３号公報（例えばフロント頁、請求項１） 特開２００７−３３５２１７号公報（例えばフロント頁、請求項１、図６、図７） 特開２００８−０８４５８２号公報（例えばフロント頁、請求項１）

図２２に示した変位センサ１においては、リードスイッチ３を安定して動作させるためには、オン領域とオフ領域とを確実に切り換える必要がある。しかしながら、図２４に示すようにオン領域とオフ領域の間には広い保持領域が存在するため、磁石４の移動量を大きくする必要がある。従って、検知部材５のストロークも大きくする必要があり、被検出体による変位を検出することが困難になってしまう。また、リードスイッチ３の軸方向に対して直角に磁石４を移動させるため、ケース２が磁石４の移動方向に関して大きくなってしまうので、変位センサを小型化することができない。

図２５に示した変位センサ６においては、オフ状態において磁石４の中心線がリードスイッチ３のほぼ中心を通るように高精度に配置しなければならない。即ち、磁石の移動量に対して最適な感動値を有するリードスイッチを選択する必要がある。また、磁石４はリードスイッチ３の軸方向に対して直交するよう配置されている。このため、ケース２が磁石の中心線の方向に長くなってしまい、変位センサを小型化することができない。

特許文献１による近接スイッチにおいては、磁石が回動することによって検出棒の移動量を拡大しており、オン領域とオフ領域の切り換えを確実に行なうことができる。しかしながら、この場合も、磁石がリードスイッチの軸方向に直交するように配置されているため、ケースが磁石の中心線の方向に長くなり、変位センサを小型化することができない。

一方、特許文献２によるリードスイッチ機構では、二個の角棒状または丸棒状の磁石を中央部がＮ極またはＳ極同士になるように直列に並べて接続したことにより、中央部から指向性の鋭い磁束が発生することを利用して、磁石の変位に応答して、常閉型のリードスイッチの接点部の開閉が行なわれている。しかしながら、この場合、リードスイッチの接点部が互いに機械的に押圧されることにより、閉状態となっており、開状態にするためには、磁石の中央部の接近によって、この押圧力に匹敵する強い反発力を接点部間に発生させる必要がある。従って、この場合も同様に、最適な感動値を有するリードスイッチと強い磁石との組み合わせを選択する必要がある。

本発明は、以上の点に鑑み、小型で簡単な構成により、被検出体の変位を高精度で検知する変位センサを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明による変位センサの第一の構成は、被検出体の運動を伝達する検知部材と、第一の磁石と第二の磁石とが検知部材の移動方向に沿って並んで配置された一対の磁石と、一対の磁石に併設されたリードスイッチと、を備え、第一の磁石が検知部材側に位置し、リードスイッチの軸方向が第一の磁石及び第二の磁石の並び方向に沿っており、第一の磁石におけるそれぞれの極がリードスイッチの軸方向に沿って配置され、第二の磁石におけるそれぞれの極がリードスイッチの軸方向に沿って配置され、第一の磁石及び第二の磁石が同極を対向するように並んで配置されており、リードスイッチと第一の磁石との相対的な変位方向にリードスイッチのオン領域に挟まれてオフ領域が形成され、検知部材の移動に連動して第一の磁石とリードスイッチとの相対的な変位が生じることによりリードスイッチが開閉する。

本発明による変位センサの第二の構成は、被検出体の運動を伝達する検知部材と、第一の磁石と第二の磁石とが検知部材の移動方向に沿って並んで配置されてなる一対の磁石と、一対の磁石に併設されたリードスイッチと、を備え、第一の磁石が検知部材側に位置し、リードスイッチの軸方向が第一の磁石及び第二の磁石の並び方向と交差しており、第一の磁石におけるそれぞれの極がリードスイッチの軸方向に沿って配置され、第二の磁石におけるそれぞれの極がリードスイッチの軸方向に沿って配置され、第一の磁石及び第二の磁石が異極を対向するように並んで配置されており、リードスイッチと第一の磁石との相対的な変位方向にリードスイッチのオン領域に挟まれてオフ領域が形成され、検知部材の移動に連動して第一の磁石とリードスイッチとの相対的な変位が生じることによりリードスイッチが開閉する。

上記第一の構成の変位センサでは、一対の磁石が同極同士を向かい合わせて第一及び第二の磁石の直列配列により構成されているので、第一の磁石と第二の磁石の間に磁束密度が極めて高い領域が形成される。一対の磁石とリードスイッチとの組み合わせで、リードスイッチの中心部にリードスイッチのオフ領域が極めて狭くなるよう形成可能となる。よって、少なくとも第一の磁石をリードスイッチの軸方向に沿って移動させることによりリードスイッチの一対の接点部を開閉し、変位を検出することができる。

上記第二の構成の変位センサでは、一対の磁石が異極同士を並列に向かい合わせて第一及び第二の磁石の並列配列により構成されているので、第一の磁石と第二の磁石との間に磁束密度が極めて低い領域が形成される。一対の磁石とリードスイッチとの組み合わせで、リードスイッチの中心部にリードスイッチのオフ領域を極めて狭くなるよう形成可能となる。よって、少なくとも第一の磁石をリードスイッチの軸に対して垂直な方向に移動させることによりリードスイッチの一対の接点部を開閉し、変位を検出することができる。

このように、本発明によれば、簡単な構成により、被検出体の変位を高精度で検知することができる。

本発明の第一の実施形態に係る変位センサによる非検知状態を示す概略断面図である。 図１の変位センサによる検知状態を示す概略断面図である。 同極同士を対向した一対の磁石により生じる磁界の様子を示し、（Ａ）は概略斜視図、（Ｂ）はＡ−Ａ線に沿う断面図である。 図１の変位センサにおいて、リードスイッチの動作状態を示し、（Ａ）はリードスイッチのＯＮ領域，ＯＦＦ領域，保持領域を示すグラフ、（Ｂ）はリードスイッチと一対の磁石との関係を示す概略説明図である。 図１の変位センサにおける磁石の移動量に対するＯＮ位置，ＯＦＦ位置とリードスイッチの感動値との関係を示すグラフである。 本発明の第二の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第三の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第四の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第五の実施形態に係る変位センサに関して非検出状態を示す概略断面図である。 図９の変位センサについてリードスイッチと一対の磁石との配置関係を示す斜視図である。 図９の変位センサによる検知状態を示す概略断面図である。 図９の変位センサにおいて、一対の磁石により生じる磁界の様子を示し、（Ａ）は概略斜視図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 図９の変位センサにおいて、リードスイッチの動作状態を示し、（Ａ）はリードスイッチのＯＮ領域，ＯＦＦ領域，保持領域を示すグラフ、（Ｂ）はリードスイッチと一対の磁石との関係を示す説明図である。 本発明の第六の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第七の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第八の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第九の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第十の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第十一の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第十二の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。 本発明の第十三の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は検出部材の移動方向から見た模式図、（Ｂ）はＣ−Ｃ線に沿う模式的な断面図である。 従来の変位センサの一例の構成を示す非検知状態の概略断面図である。 図２２の変位センサの検知時の概略断面図である。 図２２の変位センサにおいて、リードスイッチの動作状態を示し、（Ａ）はリードスイッチのＯＮ領域，ＯＦＦ領域，保持領域を示すグラフ、（Ｂ）はリードスイッチと磁石との関係を示す説明図である。 従来の変位センサの他の例の構成を示す非検知状態の概略断面図である。 図２５の変位センサの検知状態の概略断面図である。 図２５の変位センサにおいて、リードスイッチの動作状態を示し、（Ａ）はリードスイッチのＯＮ領域，ＯＦＦ領域，保持領域を示すグラフ、（Ｂ）はリードスイッチと磁石との関係を示す説明図である。

以下、図面を参照しながら本発明の幾つかの実施形態について詳細に説明する。

〔第一の実施形態〕
図１及び図２は本発明の第一の実施形態に係る変位センサの構成を示し、図１では非検知状態を、図２では検知状態を示している。
図１において、変位センサ１０は、ケース１１内の一側に配置されたリードスイッチ１２と、リードスイッチ１２に隣接して平行に配置された一対の磁石１３と、一対の磁石１３の上方に配置された検出部材１４と、から構成されている。

ケース１１は、リードスイッチ１２の軸方向に沿って上下方向に細長い形状を有しており、一側で下方に開口したリードスイッチ収容部１１ａと、このリードスイッチ収容部１１ａに隣接して形成された磁石収容部１１ｂと、を有している。
リードスイッチ収容部１１ａは、図１にて上下方向に細長い形状を有している。開放した下端からリードスイッチ収容部１１ａ内にリードスイッチ１２が挿入された後、例えばウレタン樹脂等の封止材１６がリードスイッチ収容部１１ａ内に充填され硬化されることにより、リードスイッチ１２は、リードスイッチ収容部１１ａ内で固定され、防水性が付与されている。

リードスイッチ１２は、細長いガラス管１２ａに封入された二本のリード１２ｂ，１２ｃから構成されており、双方のリード１２ｂ，１２ｃがそれぞれガラス管１２ａ内で上下両端から軸方向に延びていて、各一端の接点部１２ｄ，１２ｅがガラス管１２ａの軸方向中央部で軸方向と垂直な方向（図面では左右方向）にずれて重なっている。なお、ガラス管１２ａ内には、各接点部１２ｄ，１２ｅの酸化による接触不良を防止するために、例えば窒素等の不活性ガスが封入されている。また、二本のリード１２ｂ，１２ｃの他端は、ガラス管１２ａの外側まで延びており、外部接続のためのリード線１２ｆ，１２ｇが接続されている。

磁石収容部１１ｂは上下方向に長く形成されており、その横断面の大きさが一対の磁石１３の外形よりやや大きく選定されている。磁石収容部１１ｂ内において、一対の磁石１３の下方には、一対の磁石１３を上方に向かって付勢する圧縮バネ１５が配置されている。磁石収容部１１ｂ内において、一対の磁石１３の上方には、検出部材１４が配置されている。従って、磁石収容部１１ｂの上下方向の長さは、一対の磁石１３，検出部材１４及び圧縮バネ１５を収容することができる程度に選定されている。

一対の磁石１３は、図１に示すように、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとから構成されている。第一の磁石１３ａ及び第二の磁石１３ｂは何れも磁性材料から構成された永久磁石であって、例えば細長い棒状の形状を有しており、一端がＳ極，他端がＮ極となるように着磁されている。第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂは、何れも、リードスイッチ１２の軸方向に沿って配置され、しかも、同極（図示の場合Ｎ極）同士を対向するよう向かい合わせて配置されている。第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面が接触して一体化されている。第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面は必要に応じて接着剤等で接着されていてもよい。一対の磁石１３は、全体が一体的に磁石収容部１１ｂ内にてその長手方向に沿って、つまり、検知部材１４の移動方向に沿って移動する。

検出部材１４は、その下端が第一の磁石１３ａの上面に接触している。検出部材１４と第一の磁石１３ａとは接着等により固定されていてもよい。検出部材１４は、一対の磁石１３とは反対側に突出するノブ１４ａを有している。ノブ１４ａは、一対の磁石１３が圧縮バネ１５により磁石収容部１１ｂ内で上方へ移動する。検出部材１４が磁石収容部１１ａの上壁面に当接して移動が規制され、ノブ１４ａはケース１１の上部に設けられた貫通孔１１ｃを通って外部に突出する。このとき、第一の磁石１３ａ，第二の磁石１３ｂの突き合わせ面、つまり中心面１３ｃは、リードスイッチ１２の中心部即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さに位置している。

被検出体が検知部材１４のケース１１から突出したノブ１４ａを押圧したとき、図２に示すように、ノブ１４ａ及び検知部材１４が一対の磁石１３を介在して圧縮バネ１５の張力に抗して下方に向かって押動され、一対の磁石１３が下方へ移動する。このとき、一対の磁石１３の中心面１３ｃは、リードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅよりも下方の高さに位置している。

本発明の第一の実施形態に係る変位センサ１０は、以上のように構成されており、次のように動作する。即ち、図１に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ１４ａが下方に押し込まれない状態では、一対の磁石１３、即ち第一の磁石１３ａ及び第二の磁石１３ｂは、圧縮バネ１５の弾性に基づいて磁石収容部１１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、検知部材１４の上面がケース１１の磁石収容部１１ｂの上壁面に当接して、磁石１３の中心面１３ｃはリードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さ位置にある。この状態では、一対の磁石１３の中心面１３ｃからリードスイッチ１２側に向かって延びる磁力線は、図面にて矢印で示すように、リードスイッチ１２に隣接した領域でそれぞれ上下方向に屈曲し、一対の磁石１３の上下端でそれぞれ第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂ内に戻っている。従って、リードスイッチ１２の各リード１２ｂ，１２ｃには、互いに逆向きの磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃは、互いに逆向きに磁化される。これにより、各リード１２ｂ，１２ｃの先端の接点部１２ｄ，１２ｅは、共にＳ極となり、反発力により互いに離反し、リードスイッチ１２がオフとなる。

このオフ状態から、被検出体（図示せず）がノブ１４ａを押圧すると、ノブ１４ａ及び検出部材１４は、一対の磁石１３を介在して圧縮バネ１５の張力に抗して下方へ移動し、一対の磁石１３が下方へ移動する。これにより、図２に示すように、一対の磁石１３の中心面１３ｃはリードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さ位置から下方、つまり第二の磁石１３ｂ側にずれる。従って、リードスイッチ１２の中心付近には、一対の磁石１３の中心面１３ｃからリードスイッチ１２側に向かいさらに上方に屈曲した磁力線による磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃの接点部１２ｄ，１２ｅは、互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これにより、リードスイッチ１２はオン状態となる。

ところで、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂから成る一対の磁石１３は、図３（Ａ）に示すように、第一の磁石１３ａ、第二の磁石１３ｂ単体の場合と比較して、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面の間では、磁力線の間隔が圧縮されて磁束密度が局部的に極めて高くなる。このため、図３（Ｂ）に示すように、磁束密度が極めて高い領域が形成される。この局部的な領域の磁束密度は、第一及び第二の磁石１３ａ,１３ｂの周りのうち対向側を除いた領域と比較して極めて高い。従って、一対の磁石１３の位置とリードスイッチ１２のオンオフの関係は、図４に示すリードスイッチの駆動領域により表される。リードスイッチ１２の軸方向をＸ方向とし、それに垂直な方向をＹ方向とすると、リードスイッチ１２の中心部（Ｘ＝０）を挟んで二つのオン領域が互いに接近しており、上述の磁束密度が極めて高い領域によって二つのオン領域の間にオフ領域が非常にせまい範囲で画成され、それに伴って保持領域も非常に狭くなっている。

従って、一対の磁石１３の変位によって、リードスイッチ１２の中心付近において、オン及びオフの切り換えを確実に行なうことができる。その際、保持領域も非常に狭いことから、リードスイッチ１２の中心付近に対して一対の磁石１３の接近時と離反時における切り換え位置のずれも非常に小さくすることができる。

即ち、図５のグラフに示すように、リードスイッチ１２の感動値に対するオンオフ時の一対の磁石１３の移動量はあまり変化しない。例えば感動値１４Ａのリードスイッチ１２を使用する場合、一対の磁石１３の移動量は、オン時で約０．８ｍｍであり、オフ時で約０．６ｍｍである。また感動値２０Ａのリードスイッチ１２を使用する場合、一対の磁石１３の移動量は、オン時で約１．２ｍｍであり、オフ時で約１．０ｍｍである。

このようにして、異なる感動値のリードスイッチ１２を使用しても、リードスイッチ１２がオフからオンとなるよう一対の磁石１３が移動する量、逆にリードスイッチ１２がオフからオンとなるよう一対の磁石１３が移動する量は、リードスイッチ１２の感動値により大きく依存しない。即ち、最適な感動値のリードスイッチを選択する必要がないので、変位センサ１０の製造コストを低減することができる。

その際、変位センサ１０においては、同極同士を直列に向かい合わせた一対の磁石１３即ち第一の磁石１３ａ，第二の磁石１３ｂを使用して、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとの間に、磁束密度が極めて高い領域を形成して、一対の磁石１３をリードスイッチ１２の軸方向に沿って平行に配置することにより、リードスイッチ１２の中心部に極めて狭いオフ領域が形成されている。そして、このオフ領域と隣接するオン領域との境界を跨ぐように、一対の磁石１３をリードスイッチ１２の軸方向に沿って移動させることにより、一対の磁石１３の変位に基づいて、リードスイッチがオンオフされる。

〔第二の実施形態〕
図６は、本発明の第二の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。変位センサ２０は、図１に示した変位センサ１０とは、一対の磁石１３ａ，１３ｂが互いに一体に連結されておらず、圧縮バネ１５を備えていない点で異なる構成である。
第二の実施形態では、ケース１１の磁石収容部１１ｂ内において、第一の磁石１３ａは、第二の磁石１３ｂとの間で発生する反発力によって、上方に向かって付勢されている。第二の磁石１３ｂは、第一の磁石１３ａとの間で発生する反発力によって、下方に向かって付勢され、磁石収容部１１ｂの下壁面に対して当接し、実質的に固定保持されている。なお、第二の磁石１３ｂは、磁石収容部１１ｂの下壁面に対して接着剤等により固定されていてもよい。

第二の実施形態において一対の磁石１３の位置とリードスイッチ１２のオンオフの関係についても、図４に示すようなリードスイッチの駆動領域により表される。ただし、第二の実施形態においては、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとの中心面の位置で駆動領域が示されている。よって、第二の実施形態においても、リードスイッチ１２の中心部（Ｘ＝０）を挟んで二つのオン領域が互いに接近しており、磁束密度が極めて高い領域によって二つのオン領域の間にオフ領域が非常に狭い範囲で画成され、それに伴って保持領域も非常に狭くなっている。従って、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとの中心面の変位によって、リードスイッチ１２の中心付近において、オン及びオフの切り換えを確実に行なうことができる。

第二の実施形態に係る変位センサ２０によれば、図６（Ａ）に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ１４ａが下方に押し込まれない状態では、第一の磁石１３ａは、第二の磁石１３ｂとの間に発生する反発力により磁石収容部１１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、検知部材１４の上面が磁石収容部１１ｂの上壁面に当接して、第一の磁石１３ａの中心は、リードスイッチ１２の中心付近、即ち接点部１２ｄ，１２ｅより上方の高さ位置にある。また、第二の磁石１３ｂの中心は、リードスイッチ１２の中心部より下方の高さにある。これにより、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの対向面側からリードスイッチ１２側に向かって延びる磁力線は、それぞれ図面にて矢印で示すように、リードスイッチ１２に隣接した領域でそれぞれ上下方向に屈曲し、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの他端で各磁石１３ａ，１３ｂ内に戻っている。
従って、リードスイッチ１２の各リード１２ｂ，１２ｃには、互いに逆向きの磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃは、互いに逆向きに磁化される。これにより、各リード１２ｂ，１２ｃの先端の接点部１２ｄ，１２ｅは、共にＳ極となり、反発力により互いに離反し、リードスイッチ１２がオフとなる。

このオフ状態から、被検出体がノブ１４ａを押圧すると、検出部材１４は、第一の磁石１３ａを介在して第二の磁石１３ｂとの間に発生する反発力に抗して下方へ移動し、第一の磁石１３ａも下方へ移動する。これにより、図６（Ｂ）に示すように、一対の磁石１３の突き合わせ面はリードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅより下方の高さ位置にずれる。
従って、リードスイッチ１２の中心部には、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面からリードスイッチ１２側に向かいさらに上方に屈曲した磁力線による磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃの接点部１２ｄ，１２ｅは、互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これにより、リードスイッチ１２はオン状態となる。

〔第三の実施形態〕
図７は、本発明の第三の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。図７において、変位センサ３０は、図１に示した変位センサ１０とほぼ同じ構成であり、一対の磁石１３の位置とリードスイッチ１２のオンオフの関係は、第一の実施形態と同様である。第三の実施形態は第一の実施形態と次の点で異なる。図７（Ａ）に示す非検知状態では、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとの突き合わせ面、即ち一対の磁石１３の中心面１３ｃは、リードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅより上方の高さ位置に位置している。そして、検知状態では、被検出体がノブ１４ａを押圧して、検知部材１４が一対の磁石１３と共に圧縮バネ１５の張力に抗して下方に向かって移動すると、一対の磁石１３の中心面１３ｃは、リードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さに位置する。

第三の実施形態に係る変位センサ３０によれば、被検出体がない状態、即ちノブ１４ａが下方に押し込まれない状態では、一対の磁石１３は、圧縮バネ１５の弾性に基づいて磁石収容部１１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、図７（Ａ）に示すように、磁石１３の中心面１３ｃはリードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅより上方の高さ位置にある。従って、リードスイッチ１２の中心部には、一対の磁石１３の中心面１３ｃからリードスイッチ１２側に向かいさらに下方に屈曲した磁力線による磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃの接点部１２ｄ，１２ｅは、互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これにより、リードスイッチ１２はオン状態となる。

このオン状態から、被検出体がノブ１４ａを押圧すると、検出部材１４は、一対の磁石１３を介在して圧縮バネ１５の張力に抗して下方へ移動し、一対の磁石１３も下方へ移動する。このとき、図７（Ｂ）に示すように、一対の磁石１３の中心面１３ｃはリードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さ位置にある。これにより、一対の磁石１３の中心面１３ｃからリードスイッチ１２側に向かって延びる磁力線は、図面にて矢印で示すように、リードスイッチ１２に隣接した領域でそれぞれ上下方向に屈曲し、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの他端で第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂ内にそれぞれ戻っている。従って、リードスイッチ１２の各リード１２ｂ，１２ｃには、互いに逆向きの磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃは、互いに逆向きに磁化される。これにより、各リード１２ｂ，１２ｃの先端の接点部１２ｄ，１２ｅは、共にＳ極となり、反発力により互いに離反し、リードスイッチ１２がオフとなる。

〔第四の実施形態〕
図８は、本発明の第四の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。図８において、変位センサ４０は、図６に示した変位センサ２０とほぼ同じ構成であり、一対の磁石１３の位置とリードスイッチ１２のオンオフの関係は、第二の実施形態と同様である。第二の実施形態とは次の点で異なる。図８（Ａ）に示す非検知状態では、図６（Ａ）に示す変位センサ２０と比べて、リードスイッチ１２の各接点部１２ｄ，１２ｅが第二の磁石１３ｂからの磁界が強く作用して第二の磁石１３ｂの上端のＮ極とは逆のＳ極となるよう、リードスイッチ１２と第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂとが距離を保って配置されている。

検知状態では、被検出体が検知部材１４のケース１１から突出したノブ１４ａを押圧して、検知部材１４が第一の磁石１３ａと共に第二の磁石１３ｂとの間に発生する反発力に抗して下方に向かって移動して、第一の磁石１３ａの下面が第二の磁石１３ｂの上面に当接するので、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面は、リードスイッチ１２の中心部、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さに位置する。

第四の実施形態に係る変位センサ４０によれば、被検出体がなくノブ１４ａが下方に押し込まれない状態では、第一の磁石１３ａは、第二の磁石１３ｂとの間の反発力により磁石収容部１１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、図８（Ａ）に示すように、第二の磁石１３ｂによりリード１２ｂ，１２ｃの各接点部１２ｄ，１２ｅが第二の磁石１３ｂの上端の極とは異なる極（図８に示す態様ではＳ極）となる。別の説明をすると、リードスイッチ１２の中心部には、第二の磁石１３ｂの上端からリードスイッチ１２側に向かいさらに下方に屈曲した磁力線による磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃの接点部１２ｄ，１２ｅは互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これにより、リードスイッチ１２はオン状態となる。

このオン状態から、被検出体がノブ１４ａを押圧すると、検出部材１４は第一の磁石１３ａと共に、第二の磁石１３ｂとの間に発生する反発力に抗して下方へ移動し、第一の磁石１３ａが第二の磁石１３ｂと当接する。このとき、図８（Ｂ）に示すように、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの突き合わせ面はリードスイッチ１２の中心付近、即ち接点部１２ｄ，１２ｅとほぼ同じ高さ位置にある。これにより、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの対向面側からリードスイッチ１２側に向かって延びる磁力線は、矢印で示すように、リードスイッチ１２に隣接した領域でそれぞれ上下方向に屈曲し、第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの他端で第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂ内に戻っている。従って、リードスイッチ１２の各リード１２ｂ，１２ｃには、互いに逆向きの磁界が作用するので、リード１２ｂ，１２ｃは、互いに逆向きに磁化される。これにより、各リード１２ｂ，１２ｃの先端の接点部１２ｄ，１２ｅは、共にＳ極となり、反発力により互いに離反し、リードスイッチ１２がオフとなる。

〔第五の実施形態〕
図９は本発明の第五の実施形態に係る変位センサの構成を示し、図１０は図９の変位センサについてリードスイッチと一対の磁石との配置関係を示す斜視図である。第五の実施形態に係る変位センサ５０は、ケース５１内の一側に配置されたリードスイッチ５２と、リードスイッチ５２に隣接してリードスイッチ５２の軸方向に沿って平行に配置された一対の磁石５３と、一対の磁石５３の上方に配置された検出部材５４と、から構成されている。

ケース５１は、リードスイッチ５２の軸方向に平行な横方向に細長い形状を有しており、一側で下方に開口したリードスイッチ収容部５１ａと、リードスイッチ収容部５１ａに隣接して形成された磁石収容部５１ｂと、を有している。
リードスイッチ収容部５１ａは、図９にて紙面垂直方向に細長い形状を有している。開放した下端からリードスイッチ収容部５１ａ内にリードスイッチ５２が挿入された後、例えばウレタン樹脂等の封止材５６がリードスイッチ収容部５１ａ内に充填され硬化されることにより、リードスイッチ５２は、リードスイッチ収容部５１ａ内で固定され、防水性が付与される。

リードスイッチ５２は、図１０に示すように、細長いガラス管５２ａに封入された二本のリード５２ｂ，５２ｃから構成されている。各リード５２ｂ，５２ｃは、その先端の接点部５２ｄ，５２ｅが、ガラス管５２ａの軸方向中央部で軸方向と垂直な方向（図面では上下方向）にずれて重なっていると共に、その他端は、それぞれガラス管５２ａの外側まで延びており、外部接続のためのリード線５２ｆ，５２ｇが接続されている。

磁石収容部５１ｂは、リードスイッチ収容部５１ａと平行に細長く形成されており、その横断面の大きさが一対の磁石５３の外形よりやや大きく選定されている。磁石収容部５１ｂ内において、一対の磁石５３の下方には、一対の磁石５３を上方に向かって付勢する圧縮バネ５５が配置されている。磁石収容部５１ｂ内において、一対の磁石５３の上方には、検出部材５４が配置されている。従って、磁石収容部５１ｂの上下方向の長さは、一対の磁石５３，検出部材５４及び圧縮バネ５５を収容することができる程度に選定されている。

一対の磁石５３は、図９及び図１０に示すように、第一の磁石５３ａ，第二の磁石５３ｂから構成されている。第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂは、それぞれ磁性材料から構成された永久磁石であって、例えば細長い棒状の形状を有しており、一端がＳ極，他端がＮ極となるように着磁されている。第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂは、図１０に示すように、第一の磁石５３ａにおけるそれぞれの極がリードスイッチ５２の軸方向に沿って配置され、第二の磁石５３ｂにおけるそれぞれの極がリードスイッチ５２の軸方向に沿って配置され、しかも第一の磁石５３ａ及び第二の磁石５３ｂが異極を対向する第二の磁石５３ｂの上に第一の磁石５３ａが積まれて積層されている。第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとは、リードスイッチ５２の軸方向とは交差、詳細にはほぼ直交するよう並んで配置されている。第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとは磁力により互いに引き合うため一体化される。ただし、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとを接着剤等で一体化することを妨げるものではない。以上のように、一対の磁石５３は全体が一体化され、磁石収容部５１ｂ内にてその長手方向に垂直な方向に沿って移動する。

検出部材５４は、その下端が第一の磁石５３ａの上面に接触している。検出部材５４の下端と第一の磁石５３ａとは接着等により固定されていてもよい。検出部材５４は、その上面から上方へ突出するノブ５４ａを有している。ノブ５４ａは、一対の磁石５３が圧縮バネ５５により磁石収容部５１ｂ内で上方へ移動すると、ケース５１の上面に設けられた貫通孔５１ｃを通って外部に突出する。このとき、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの突き合わせ面、即ち一対の磁石５３の中心面５３ｃは、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さ位置に位置している。

ノブ５４ａがケース５１の上面から突出している状態において、図示しない被検出体がノブ５４ａと接触し、図１１に示すように、検知部材５４が一対の磁石５３を介在して圧縮バネ５５の張力に抗して下方に向かって押動すると、一対の磁石５３も下方へ移動する。このとき、一対の磁石５３の中心面５３ｃは、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅよりも下方の高さ位置に位置している。

第五の実施形態に係る変位センサ５０は、次のように動作する。即ち、図９に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ５４ａが下方に押し込まれない状態では、一対の磁石５３は、圧縮バネ５５の弾性に基づいて磁石収容部５１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、検知部材５４の上面がケース５１の磁石収容部５１ｂの上壁面に当接して、磁石５３の中心面５３ｃはリードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さ位置にある。

ところで、第一の磁石５３ａ，第二の磁石５３ｂから成る一対の磁石５３は、図１２（Ａ）に示すように、第一の磁石５３ａ、第二の磁石５３ｂ単体による場合と比較して、第一の磁石５３ａの一側（図では右側）の端面から出る磁力線のうち下側に屈曲する磁力線は、第二の磁石５３ｂの一側（図では右側）の端面に入る。また第二の磁石５３ｂの他側（図では左側）の端面から出る磁力線のうち上側に屈曲する磁力線は、第一の磁石５３ａの他側（図では右側）の端面に入る。従って、第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂの突き合わせ面の間の両側には、磁束密度が局部的に極めて低くなる。即ち、図１２（Ｂ）に示すように、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとが異極同士を対向させているので、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの両端側には磁束密度の高い領域が形成され、かつ第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの間でその一対の磁石５３よりも外側にはそれぞれ磁束密度が極めて低い領域が形成される。従って、一対の磁石５３の位置とリードスイッチ５２のオンオフの関係は、図１３に示すリードスイッチの駆動領域により表される。リードスイッチ５２の軸方向をＸ方向とし、それに垂直な方向をＹ方向とすると、リードスイッチ５２の中心部（Ｙ＝０）を挟んで二つのオン領域が互いに接近しており、上述の磁束密度が極めて低い領域によって二つのオン領域の間にオフ領域が非常に狭い範囲で画成され、それに伴って保持領域も非常に狭くなっている。

従って、一対の磁石５３の変位によって、リードスイッチ５２の中心付近において、オン及びオフの切り替えを確実に行なうことができる。その際、保持領域も非常に狭いことから、リードスイッチ５２の中心付近に対して一対の磁石５３の接近時と離反時における切り換え位置のずれも非常に小さくすることができる。

中心面５３ｃがリードスイッチ５２の中心部とほぼ同じ高さ位置にあるときには、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２ｃは、上述の磁束密度が極めて低い領域と重なる。このため、各リード５２ｂ，５２には、一対の磁石５３ａ，５３ｂからそれぞれ出た磁力線による磁界が互いに反対方向に作用し、互いに相殺されるので、実質的に各リード５２ｂ，５２ｃには磁界が強く作用しない。これにより、各リード５２ｂ，５２ｃの先端の接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに離反した状態に保持され、リードスイッチ５２がオフとなる。

このオフ状態から、被検出体がノブ５４ａを押圧すると、検出部材５４は、一対の磁石５３を介在して圧縮バネ５５の張力に抗して下方へ移動し、一対の磁石５３も下方へ移動する。これにより、図１１に示すように、一対の磁石５３の中心面５３ｃはリードスイッチ５２の中心付近、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さ位置から下方にずれる。従って、リードスイッチ５２の中心付近には、第一の磁石５３ａの端面からリードスイッチ５２側に向かいさらにリードスイッチ５２の軸方向に沿って進む磁力線による磁界が作用するので、リード５２ｂ，５２ｃの接点部５２ｄ，５２ｅは互いに異極に磁化され、吸引されて、互いに接触する。これにより、リードスイッチ５２はオン状態となる。

第五の実施形態に係る変位センサ５０では、異極同士を並列に向かい合わせた一対の磁石５３を備えており、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの間でかつ一対の磁石５３の両極に垂直な方向の両側には磁束密度の極めて低い領域が形成され、一対の磁石５３をリードスイッチ５２の軸方向と平行に配置している。よって、リードスイッチ５２の中心付近に極めて狭いオフ領域が形成されている。そして、このオフ領域と隣接するオン領域との境界を跨ぐように、一対の磁石５３をリードスイッチ１２の軸方向に垂直な方向に沿って移動させることにより、一対の磁石５３の変位に基づいて、リードスイッチがオンオフされる。

〔第六の実施形態〕
図１４は、本発明の第六の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。図１４において、変位センサ６０は、図９に示した変位センサ５０とは、第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂが一体化されておらず、圧縮バネ５５が第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの間に介装されている点で異なる構成である。この場合、ケース５１の磁石収容部５１ｂ内において、第一の磁石５３ａは、第二の磁石５３ｂとの間に介装された圧縮バネ５５の弾性によって、上方に向かって付勢されている。第二の磁石５３ｂは、同様に第一の磁石５３ａとの間で発生する反発力によって、下方に向かって付勢され、磁石収容部５１ｂの下壁面に対して当接し、実質的に固定保持されている。なお、第二の磁石５３ｂは、磁石収容部５１ｂの下壁面に対して接着剤等により固定されていてもよい。

第六の実施形態において、一対の磁石５３の位置とリードスイッチ５２のオンオフの関係についても、図１３に示すようなリードスイッチの駆動領域により表される。ただし、第六の実施形態においては、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとの中心面の位置で駆動領域が示されている。よって、第六の実施形態においても、リードスイッチ５２の中心部（Ｙ＝０）を挟んで二つのオン領域が互いに接近しており、上述の磁束密度が極めて低い領域によって二つのオン領域の間にオフ領域が非常に狭い範囲で画成され、それに伴って保持領域も非常に狭くなっている。

このような構成の変位センサ６０によれば、図１４（Ａ）に示すように、被検出体がない状態、即ちノブ５４ａが下方に押し込まれない状態では、第一の磁石５３ａは、第二の磁石５３ｂとの間に介装された圧縮バネ５５の弾性により磁石収容部５１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、検知部材５４の上面が磁石収容部５１ｂの上壁面に当接して、第一の磁石５３ａの中心は、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅより上方の高さ位置にある。また、第二の磁石５３ｂの中心は、リードスイッチ５２の中心部より下方の高さ位置にある。
ここで、第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂは、リードスイッチ５２の中心部に対してそれぞれ上方及び下方に同じ距離だけずれており、図９の場合と同様にして、リードスイッチ５２の中心部は、磁束密度の極めて低い領域と重なることになる。
従って、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２には、実質的に強い磁界が作用しないので、各リード５２ｂ，５２ｃの先端の接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに離反した状態に保持され、リードスイッチ５２がオフとなる。

この状態から、被検出体がノブ５４ａを押圧すると、検出部材５４は、第一の磁石５３ａと共に第二の磁石５３ｂとの間に介装された圧縮バネ５５の弾性に抗して下方へ移動し、第一の磁石５３ａが下方へ移動する。これにより、図１４（Ｂ）に示すように、第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂの互いに対向する端面はリードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅより下方の高さ位置にずれる。従って、リードスイッチ５２の中心部には、第一の磁石５３ａの一側の端面からリードスイッチ５２側に向かいさらにリードスイッチ５２の軸方向に沿って進む磁力線による磁界が作用するので、リード５２ｂ，５２ｃの接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに異極に磁化され、吸引されて、互いに接触する。これにより、リードスイッチ５２はオン状態となる。

〔第七の実施形態〕
図１５は、本発明の第七の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。図１５において、変位センサ７０は、図９に示した変位センサ５０とほぼ同じ構成であり、一対の磁石５３の位置とリードスイッチ５２のオンオフの関係は、第五の実施形態と同様である。第七の実施形態は第五の実施形態と次の点で異なっている。図１５（Ａ）に示す非検知時において、一対の磁石５３の中心面５３ｃは、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅより上方の高さ位置に位置している。そして、検知時において、被検出体が検知部材５４のケース５１から突出したノブ５４ａを押圧して、検知部材５４が一対の磁石５３と共に圧縮バネ５５の張力に抗して下方に向かって移動したとき、一対の磁石５３の中心面５３ｃは、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さに位置する。

第七の実施形態に係る変位センサ７０によれば、被検出体がない状態、即ちノブ５４ａが下方に押し込まれない状態では、一対の磁石５３は、圧縮バネ５５の弾性に基づいて磁石収容部５１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、図１５（Ａ）に示すように、一対の磁石５３の中心面５３ｃはリードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅより上方の高さ位置にある。従って、リードスイッチ５２の中心部には、第二の磁石５３ｂの端面からリードスイッチ５２側に向かいさらにリードスイッチ５２に沿って進む磁力線による磁界が作用するので、リード５２ｂ，５２ｃの接点部５２ｄ，５２ｅは互いに異極に磁化されて吸引され、互いに接触する。これによりリードスイッチ１２はオン状態となる。

このオン状態から、被検出体がノブ５４ａを押圧すると、検出部材５４は、一対の磁石５３を介在して圧縮バネ５５の張力に抗して下方へ移動し、一対の磁石５３が下方へ移動する。このとき、図１５（Ｂ）に示すように、一対の磁石５３の中心面５３ｃはリードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さ位置にある。これにより、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２ｃ及び各接点部５２ｄ，５２ｅは、上述の磁束密度の極めて低い領域と重なることになる。このため、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２には、一対の磁石５３の第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂからそれぞれ出た磁力線による磁界が互いに反対方向に作用し、互いに相殺されるので、実質的に各リード５２ｂ，５２ｃには磁界が強く作用しない。これにより、各リード５２ｂ，５２ｃの先端の接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに離反した状態に保持され、リードスイッチ５２がオフとなる。

〔第八の実施形態〕
図１６は、本発明の第八の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態を、（Ｂ）は検知状態を示している。図１６において、変位センサ８０は、図１４に示した変位センサ６０とほぼ同じ構成であり、一対の磁石５３の位置とリードスイッチ５３のオンオフの関係は、第六の実施形態と同様である。第八の実施形態は第六の実施形態と次の点で異なっている。図１６（Ａ）に示す非検知状態において、第二の磁石５３ｂの上面が、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅより下方の高さ位置に位置していると共に、第一の磁石５３ａの下面は、リードスイッチ５２の中心部からより遠い高さ位置に位置している。そして、検知状態においては、検知部材５４のケース５１から突出したノブ５４ａを被検出体が押圧して、検知部材５４が第一の磁石５３ａと共に第二の磁石５３ｂとの間に介装された圧縮バネ５５の弾性に抗して下方に向かって移動して、圧縮バネ５５が最も圧縮されたとき、二つの磁石５３ａ，５３ｂの互いに対向する突き合わせ面の中間位置が、リードスイッチ１２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅとほぼ同じ高さに位置する。

第八の実施形態に係る変位センサ８０によれば、被検出体がない状態、即ちノブ５４ａが下方に押し込まれない状態では、第一の磁石５３ａは、圧縮バネ５５の弾性に基づいて磁石収容部５１ｂ内で上方に押圧されている。このとき、図１６（Ａ）に示すように、リードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅからみて第一の磁石５３ａは第二の磁石５３ｂより遠く離れている。従って、リードスイッチ５２の中心部には、第二の磁石５３ｂの端面からリードスイッチ５２側に向かいさらにリードスイッチ５２に沿って進む磁力線による磁界が作用するので、リード５２ｂ，５２ｃの接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに異極に磁化されて吸引されて、互いに接触する。これにより、リードスイッチ５２はオン状態となる。

このオン状態から、被検出体がノブ５４ａを押圧すると、検出部材５４は、第一の磁石５３ａと共に、第二の磁石５３ｂとの間に発生する反発力に抗して下方へ移動し、第一の磁石５３ａが第二の磁石５３ｂと当接する。このとき、図１６（Ｂ）に示すように、第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂの突き合わせ面はリードスイッチ５２の中心部、即ち接点部５２ｄ，５２ｅに対して上下にほぼ同じ距離だけずれている。これにより、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２ｃ及び各接点部５２ｄ，５２ｅは、磁束密度の極めて低い領域と重なることになる。このため、リードスイッチ５２の各リード５２ｂ，５２には、第一及び第二の磁石５３ａ，５３ｂからそれぞれ出た磁力線による磁界が互いに反対方向に作用し、互いに相殺されるので、実質的に各リード５２ｂ，５２ｃには強い磁界が作用しない。これにより、各リード５２ｂ，５２ｃの先端の接点部５２ｄ，５２ｅは、互いに離反した状態に保持され、リードスイッチ５２がオフとなる。

上述したように、第一乃至第八の実施形態の何れも、一対の磁石に対して一つのリードスイッチを所定の方向に向けて併設している。しかしながら、一対の磁石に対して複数のリードスイッチを併設してもよい。以下、第一乃至第八の実施形態の応用として、第九乃至第十二の実施形態を説明する。

〔第九の実施形態〕
図１７は本発明の第九の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。第九の実施形態に係る変位センサ９０は、図１に示す第一の実施形態に係る変位センサ１０とは、別のリードスイッチ１７を併設している点で異なる。即ち、変位センサ９０では、一対の磁石１３を挟んでリードスイッチ１２とほぼ対峙する位置に別のリードスイッチ１７を設け、かつ、リードスイッチ１２の各接点部１２ｄ，１２ｅと別のリードスイッチ１７の各接点部１７ｄ，１７ｅとを検知部材１４の移動方向に僅かにずらしている。

詳細には、ケース１１のほぼ中心には磁石収容部１１ｂが設けられ、その両側にリードスイッチ収容部１１ａ，１１ｄが設けられている。磁石収容部１１ｂには、図１と同様に一対の磁石１３が収容されており、第一の磁石１３ａの上端側には検知部材１４が設けられ、検知部材１４のノブ１４ａがケース１１の貫通孔１１ｃに挿通されている。第二の磁石１３ｂの下端には磁石収容部１１ｂの底面との間に圧縮バネ１５が設けられている。リードスイッチ収容部１１ａ,１１ｄにはそれぞれリードスイッチ１２と別のリードスイッチ１７が一つずつ設けられ封止材１６，１８で固定されている。

リードスイッチ１２と別のリードスイッチ１７は何れも、リード１２ｂ，１２ｃ，１７ｂ，１７ｃが接点部１２ｄ，１２ｅ，１７ｄ，１７ｅが重なり合うよう配置されてガラス管１２ａ，１７ａに封入されて構成されている。

非検知状態では、リードスイッチ１２がオフとなり、別のリードスイッチ１７がオンとなるよう、接点部１２ｄ，１２ｅ，１７ｄ，１７ｅが一対の磁石１３との距離を保って配置されている。

この非検知状態において、図示しない被検出体がノブ１４ａを押圧したとき、図１７（Ｂ）に示すように、検知部材１４が一対の磁石１３を介在して圧縮バネ１５の張力に抗して下方に向かって押動され、一対の磁石１３が下方へ移動する。すると、リードスイッチ１２の接点部１２ｄ，１２ｅには第一の磁石１３ａからの磁界が強く作用して、接点部１２ｄ，１２ｅが異極となるよう磁化され、吸引されて、オン状態となる。一方、別のリードスイッチ１７の接点部１７ｄ，１７ｅには第一の磁石１３ａ及び第二の磁石１３ｂからほぼ等しく磁界を受けて、同極のＳ極となり、反発力により互いに離反し、別のリードスイッチ１７がオフとなる。

このように第九の実施形態に係る変位センサ９０によれば、検知状態と非検知状態とでは、リードスイッチ１２と別のリードスイッチ１７の状態が相反するので、微小変位検出の性能が高く、誤検出が極めて少なくなる。

〔第十の実施形態〕
図１８は本発明の第十の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。第十の実施形態に係る変位センサ１００は、図６に示す第二の実施形態に係る変位センサ２０とは、別のリードスイッチ１７を併設している点で異なる。即ち、変位センサ１００では、一対の磁石１３を挟んでリードスイッチ１２とほぼ対峙する位置に別のリードスイッチ１７を設け、かつ、リードスイッチ１２の各接点部１２ｄ，１２ｅと別のリードスイッチ１７の各接点部１７ｄ，１７ｅとを検知部材１４の移動方向に僅かにずらしている。

変位センサ１００は、非検知状態において第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとが接触しておらず、第一の磁石１３ａと第二の磁石１３ｂとが反発して第二の磁石１３ｂが磁石収容部１１ｂの底面に接触しており、図１７に示す圧縮バネ１５が介在していない点で第九の実施形態とは異なる。その他の構成については前述と同様であるので説明を省略する。

非検知状態では、リードスイッチ１２がオフとなり、別のリードスイッチ１７がオンとなるよう、接点部１２ｄ，１２ｅ，１７ｄ，１７ｅが一対の磁石１３との距離を保って配置されている。

この非検知状態において、図示しない被検出体がノブ１４ａを押圧したとき、図１８（Ｂ）に示すように、検知部材１４が第一及び第二の磁石１３ａ，１３ｂの反発力に抗して下方に向かって押動され、第一の磁石１３ａが下方へ移動する。すると、リードスイッチ１２の接点部１２ｄ，１２ｅには第一の磁石１３ａからの磁界が強く作用して、接点部１２ｄ，１２ｅが異極となるよう磁化され、吸引されて、オン状態となる。一方、別のリードスイッチ１７の接点部１７ｄ，１７ｅには第一の磁石１３ａ及び第二の磁石１３ｂからほぼ等しく磁界を受けて、同極のＳ極となり、反発力により互いに離反し、別のリードスイッチ１７がオフとなる。

このように第十の実施形態に係る変位センサ１００によれば、検知状態と非検知状態とでは、リードスイッチ１２と別のリードスイッチ１７の状態が相反するので、微小変位検出の性能が高く、誤検出が極めて少なくなる。

〔第十一の実施形態〕
図１９は本発明の第十一の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。第十一の実施形態に係る変位センサ１１０は、図９に示す第五の実施形態に係る変位センサ５０とは、別のリードスイッチ５７を併設している点で異なる。即ち、変位センサ１１０では、一対の磁石５３を挟んでリードスイッチ５２とほぼ対峙する位置に別のリードスイッチ５７を設け、かつ、リードスイッチ５２の各接点部５２ｄ，５２ｅと別のリードスイッチ５７の各接点部５７ｄ，５７ｅとを検知部材５４の移動方向に僅かにずらしている。

詳細には、ケース５１のほぼ中心には磁石収容部５１ｂが設けられ、その両側にリードスイッチ収容部５１ａ，５１ｄが設けられている。磁石収容部５１ｂには、図９と同様に一対の磁石５３が収容されており、第一の磁石５３ａの上端側には検知部材５４が設けられ、検知部材５４のノブ５４ａがケース５４の貫通孔５１ｃに挿通されている。第二の磁石５３ｂの下端には磁石収容部５１ｂの底面との間に圧縮バネ５５が設けられている。リードスイッチ収容部５５ａ,５５ｄにはそれぞれリードスイッチ５２と別のリードスイッチ５７が一つずつ設けられ封止材５６，５８で固定されている。

リードスイッチ５２と別のリードスイッチ５７は何れも、リードが接点部５２ｄ，５２ｅ，５７ｄ，５７ｅが重なり合うよう配置されてガラス管に封入されて構成されている。

非検知状態では、リードスイッチ５２がオフとなり、別のリードスイッチ５７がオンとなるよう、接点部５２ｄ，５２ｅ，５７ｄ，５７ｅが一対の磁石５３との距離を保って配置されている。

この非検知状態において、図示しない被検出体がノブ５４ａを押圧したとき、図１９（Ｂ）に示すように、検知部材５４が一対の磁石５３を介在して圧縮バネ５５の張力に抗して下方に向かって押動され、一対の磁石５３が下方へ移動する。すると、リードスイッチ５２の接点部５２ｄ，５２ｅには第一の磁石５３ａからの磁界が作用して、接点部５２ｄ，５２ｅが異極となるよう磁化され、吸引されて、オン状態となる。一方、別のリードスイッチ５７の接点部５７ｄ，５７ｅには第一の磁石５３ａ及び第二の磁石５３ｂからほぼ等しく磁界を受けて、同極となり、反発力により互いに離反し、別のリードスイッチ５７がオフとなる。

このように第九の実施形態に係る変位センサ１１０によれば、検知状態と非検知状態とでは、リードスイッチ５２と別のリードスイッチ５７の状態が相反するので、微小変位検出の性能が高く、誤検出が極めて少なくなる。

〔第十二の実施形態〕
図２０は本発明の第十二の実施形態に係る変位センサの構成を示し、（Ａ）は非検知状態の概略断面図、（Ｂ）は検知状態の概略断面図である。第十二の実施形態に係る変位センサ１２０は、図１４に示す第六の実施形態に係る変位センサ６０とは、別のリードスイッチ５７を併設している点で異なる。即ち、変位センサ１２０では、一対の磁石５３を挟んでリードスイッチ５２とほぼ対峙する位置に別のリードスイッチ５７を設け、かつ、リードスイッチ５２の各接点部５２ｄ，５２ｅと別のリードスイッチ５７の各接点部５７ｄ，５７ｅとを検知部材５４の移動方向に僅かにずらしている。

変位センサ１２０は、非検知状態において第一の磁石５３ａと第二の磁石５３ｂとが圧縮バネ５５で離隔しており、第二の磁石５３ｂが磁石収容部５１ｂの底面に接触している点で第十一の実施形態とは異なる。その他の構成については前述と同様であるので省略する。

非検知状態では、リードスイッチ５２がオフとなり、別のリードスイッチ５７がオンとなるよう、接点部５２ｄ，５２ｅ，５７ｄ，５７ｅが一対の磁石５３との距離を保って配置されている。

この非検知状態において、図示しない被検出体がノブ５４ａを押圧したとき、図２０（Ｂ）に示すように、検知部材５４が圧縮バネ５５の反発力に抗して下方に向かって押動され、第一の磁石５３ａが下方へ移動する。すると、リードスイッチ５２の接点部５２ｄ，５２ｅには第一の磁石５３ａからの磁界が強く作用して、接点部５２ｄ，５２ｅが異極となるよう磁化され、吸引されて、オン状態となる。一方、別のリードスイッチ５７の接点部５７ｄ，５７ｅには第一の磁石５３ａ及び第二の磁石５３ｂからほぼ等しく逆向きの磁界を受けて同極となり、反発力により互いに離反し、別のリードスイッチ５７がオフとなる。

このように第十の実施形態に係る変位センサ１２０によれば、検知状態と非検知状態とでは、リードスイッチ５２と別のリードスイッチ５７の状態が相反するので、微小変位検出の性能が高く、誤検出が極めて少なくなる。

〔その他の形態〕
本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において様々な形態で実施することができる。
例えば、上述した第二、第四、第六、第八、第十、第十二の実施形態において、第二の磁石１３ｂ，５３ｂが第一の磁石１３ａ，５３ａと離れて配置されている場合、第二の磁石１３ｂ，５３ｂは、磁石収容部１１ｂ，５１の下壁面に対して固定されていないが、これに限らず、第二の磁石１３ｂ，５３ｂを、例えば接着剤等により磁石収容部１１ｂ，５１の下壁面に対して固定してもよい。また、検出部材１４，５４は、その下端が第一の磁石１３ａの上面に接着等により固定されているが、これに限らず、検出部材１４は、例えば接着剤等によりその下端を第一の磁石１３ａの上面に対して接着等により固定していなくてもよい。

また、上述した第一、第三、第五、第七、第九、第十一の実施形態において、第二の磁石１３ｂ，５３ｂが第一の磁石１３ａ，５３ａと一体的に連結されている場合、実際には第二の磁石１３ｂ，５３ｂは第一の磁石１３ａ，５３ａに対して接着剤等により固定されているが、これに限らず、第二の磁石１３ｂ，５３ｂは、第一の磁石１３ａ，５３ａに対して一体的に連結されていなくてもよい。
この場合、圧縮バネ１５，５５は、非検知時に、第二の磁石１３ｂ，５３ｂを第一の磁石１３ａ，５３ａに対して密着するか又は磁束密度が極めて高い領域を形成する程度に接近させる張力を備えている必要がある。ただし、圧縮バネ１５，５５の張力を高くすると、被検出体に対する検知部材１４，５４の応答感度が低下してしまう。

また、第九及び第十の実施形態のように、一対の磁石１３に対して対称に二つのリードスイッチ１２，１７を設けるだけでなく、図２１（Ａ）に示すように、一対の磁石１３２の周りに、間隔をおいて三つ以上のリードスイッチ１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄを設けて、図２１（Ｂ）にＣ線−Ｃ線に沿う断面を示すようにリードスイッチ１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ毎の接点部をノブ１３１の移動方向に沿ってずらしてもよい。なお、図２１（Ｂ）にはリードスイッチ１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄのみを概念的に示している。

以上述べたように、本発明によれば、簡単な構成により、被検出体の変位を高精度で検知できるようにした小型の変位センサが提供される。

１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１１０，１２０，１３０：変位センサ
１１，５１：ケース
１１ａ，１１ｄ，５１ａ，５１ｄ：リードスイッチ収容部
１１ｂ，５１ｂ：磁石収容部
１１ｃ，５１ｃ：貫通孔
１２，１７，５２，５７：リードスイッチ
１２ａ，５２ａ：ガラス管
１２ｂ，１２ｃ，１７ｂ，１７ｃ，５２ｂ，５２ｃ，５７ｂ，５７ｃ，１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ：リード
１２ｄ，１２ｅ，１７ｄ，１７ｅ，５２ｄ，５２ｅ，５７ｄ，５７ｅ:接点部
１２ｆ，１２ｇ，１７ｆ，１７ｇ，５２ｆ，５２ｇ，５７ｆ，５７ｇ：リード線
１３，５３，１３２：一対の磁石
１３ａ，５３ａ：第一の磁石
１３ｂ，５３ｂ：第二の磁石
１３ｃ，５３ｃ：中心面
１４，５４：検出部材
１４ａ，５４ａ，１３１：ノブ
１５，５５：圧縮バネ
１６，１８，５６，５８：封止材

Claims (10)

1. 被検出体の運動を伝達する検知部材と、第一の磁石と第二の磁石とが上記検知部材の移動方向に沿って並んで配置された一対の磁石と、上記一対の磁石に併設されたリードスイッチと、を備え、
   上記第一の磁石が上記検知部材側に位置し、
   上記リードスイッチの軸方向が上記第一の磁石及び上記第二の磁石の並び方向に沿っており、
   上記第一の磁石におけるそれぞれの極が上記リードスイッチの軸方向に沿って配置され、上記第二の磁石におけるそれぞれの極が上記リードスイッチの軸方向に沿って配置され、上記第一の磁石及び上記第二の磁石が同極を対向するように並んで配置されており、
   上記リードスイッチと上記第一の磁石との相対的な変位方向に上記リードスイッチのオン領域に挟まれてオフ領域が形成され、
   上記検知部材の移動に連動して上記第一の磁石と上記リードスイッチとの相対的な変位が生じることにより上記リードスイッチが開閉する、変位センサ。
2. さらに、前記一対の磁石及び前記リードスイッチを収容するケースを備え、
   上記ケースが、前記一対の磁石を前記リードスイッチの軸方向に沿って移動可能に収容する磁石収容部を有しており、
   上記ケースが、上記磁石収容部内の前記検知部材側から外部に連通する貫通孔を備えていて、前記検知部材の前記一対の磁石とは反対側に設けられたノブが、上記貫通孔を通って外部に突出する、請求項１に記載の変位センサ。
3. 前記第一の磁石が、前記磁石収容部内で、前記第一の磁石と前記第二の磁石との間に作用する反発力により、前記ノブ側に付勢されている、請求項２に記載の変位センサ。
4. 前記第一の磁石と前記第二の磁石が接触して前記一対の磁石が一体的に構成され、
   前記磁気収容部には、前記検知部材と反対側に圧縮バネが配置されており、
   前記一対の磁石が前記磁石収容部内で上記圧縮バネにより前記ノブ側に付勢されている、請求項２に記載の変位センサ。
5. 被検出体の運動を伝達する検知部材と、第一の磁石と第二の磁石とが上記検知部材の移動方向に沿って並んで配置された一対の磁石と、上記一対の磁石に併設されたリードスイッチと、を備え、
   上記第一の磁石が上記検知部材側に位置し、
   上記リードスイッチの軸方向が上記第一の磁石及び上記第二の磁石の並び方向と交差しており、
   上記第一の磁石におけるそれぞれの極が上記リードスイッチの軸方向に沿って配置され、上記第二の磁石におけるそれぞれの極が上記リードスイッチの軸方向に沿って配置され、上記第一の磁石及び上記第二の磁石が異極を対向するように並んで配置されており、
   上記リードスイッチと上記第一の磁石との相対的な変位方向に上記リードスイッチのオン領域に挟まれてオフ領域が形成され、
   上記検知部材の移動に連動して上記第一の磁石と上記リードスイッチとの相対的な変位が生じることにより上記リードスイッチが開閉する、変位センサ。
6. さらに、前記一対の磁石及び前記リードスイッチを収容するケースを備え、
   上記ケースが、前記一対の磁石をその並び方向に沿って移動可能に収容する磁石収容部を有しており、
   上記ケースが、上記磁石収容部内の前記検知部材側から外部に連通する貫通孔を備えていて、前記検知部材の前記一対の磁石とは反対側に設けられたノブが、上記貫通孔を通って外部に突出する、請求項５に記載の変位センサ。
7. 前記磁気収容部において前記第一の磁石と前記第二の磁石との間に圧縮バネが設けられており、
   前記第一の磁石が前記磁石収容部内で上記圧縮バネにより前記ノブ側に付勢されている、請求項６に記載の変位センサ。
8. 前記第一の磁石と前記第二の磁石が接触して前記一対の磁石が一体的に構成され、
   前記磁気収容部には、前記検知部材と反対側に圧縮バネが配置されており、
   前記一対の磁石が前記磁石収容部内で上記圧縮バネにより前記検知部材側に付勢されている、請求項６に記載の変位センサ。
9. 前記リードスイッチが前記一対の磁石の周りに複数配置されている、請求項１又は５に記載の変位センサ。
10. 前記リードスイッチが各接点部の相互の位置を前記リードスイッチの軸方向にずらして配置されている、請求項９に記載の変位センサ。

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