JP5492939B2 - Manufacturing method of solid-state imaging device - Google Patents
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Description
本発明は、一対の電極と、前記一対の電極に挟まれた光電変換層とを含む光電変換素子の製造方法と、この製造方法によって製造された光電変換素子を有する固体撮像素子に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a photoelectric conversion element including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes, and a solid-state imaging device having a photoelectric conversion element manufactured by the manufacturing method.
従来、一対の電極と、この一対の電極に挟まれた光電変換層とを含む光電変換素子が知られている（特許文献１参照）。又、この光電変換素子を利用した固体撮像素子が提案されている（特許文献２参照）。 Conventionally, a photoelectric conversion element including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes is known (see Patent Document 1). In addition, a solid-state imaging device using this photoelectric conversion device has been proposed (see Patent Document 2).
上述した構成の光電変換素子においては、光電変換層内に入射する光の絶対量を増加させ、光電変換後のキャリア読み出しの効率を上げるために、光入射側の電極の光透過率はより高いものが求められてきた。そのような高透過率と低抵抗値を考えた場合、光入射側の電極としては、一般に、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）薄膜が好ましいと考えられる。ＴＣＯ透明電極の形成は、一般にスパッタ法などにより行われるが、その場合、Ａｌ（アルミニウム）電極など、加熱蒸着法により形成される金属電極と比較して、リーク電流の増大が生じやすく、固体撮像素子に適用した場合のＳ／Ｎの悪化、性能のばらつき、場合によっては完全にＤＣショートが生じて素子が駆動しない、などの問題が生じてしまう。この理由を以下に述べる。 In the photoelectric conversion element having the above-described configuration, the light transmittance of the light incident side electrode is higher in order to increase the absolute amount of light incident on the photoelectric conversion layer and increase the efficiency of carrier reading after photoelectric conversion. Things have been sought. In view of such high transmittance and low resistance value, it is generally considered that a transparent conductive oxide (TCO) thin film is preferable as the electrode on the light incident side. The TCO transparent electrode is generally formed by a sputtering method or the like. In that case, compared to a metal electrode formed by a thermal evaporation method such as an Al (aluminum) electrode, an increase in leakage current is likely to occur, and solid-state imaging is performed. When applied to an element, there are problems such as deterioration in S / N, performance variation, and in some cases, a DC short circuit occurs and the element does not drive. The reason for this will be described below.
上述した光電変換素子に含まれる一対の電極を上部電極と下部電極とし、基板上に、下部電極、光電変換層、上部電極をこの順に積層して光電変換素子を作製した場合を考える。この場合、リーク電流が大きくなる場合を、鋭意解析、検討した結果、その主な理由は、光電変換層にクラックが発生し、そのクラックを上部電極がカバレッジして、上部電極と下部電極とが物理的に近接してしまうことであることを見出した。この現象は、上部電極がカバレッジ性の高い膜、すなわち、スパッタなどで作成した緻密なＴＣＯ膜において、Ａｌなどの加熱蒸着した金属膜よりも特に顕著に生じる。更に、光電変換層を蒸着により形成する場合、この現象は起き易く、下部電極の凹凸や、下部電極上にあるゴミによる凹凸が、クラック発生の原因と考えられる。 A case is considered in which a pair of electrodes included in the above-described photoelectric conversion element is an upper electrode and a lower electrode, and a lower electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode are stacked in this order on a substrate to produce a photoelectric conversion element. In this case, as a result of earnest analysis and examination when the leakage current becomes large, the main reason is that a crack occurs in the photoelectric conversion layer, the crack is generated by the upper electrode, and the upper electrode and the lower electrode are I found out that it was physically close. This phenomenon occurs particularly conspicuously in a film in which the upper electrode has a high coverage property, that is, in a dense TCO film formed by sputtering or the like, compared to a metal film formed by heating such as Al. Further, when the photoelectric conversion layer is formed by vapor deposition, this phenomenon is likely to occur, and the unevenness of the lower electrode and the unevenness caused by dust on the lower electrode are considered to cause cracks.
このクラックを防止するための対策として、できるだけ平坦な下部電極を作成する、あるいは、ゴミをできるだけ減らすなどの工夫があり、また、クラックが下部電極まで到達しない様、光電変換層自体の厚みを厚くしたり、光電変換層と上部電極の間にクラックを埋める厚い層を挿入したりする方法も知られている（公知文献 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８５，６２６９）。ただし、下部電極を平滑にしようとした場合、表面を限りなく平滑にすることは可能だが、下部電極がパターニングされている場合には、電極エッジ部が段差になり、その部分の対策が新たに必要になる場合がある。また、ゴミを減らすことも、数１００ｎｍレベルのごく小さいゴミであってもリークの原因となる場合があるため、大掛かりな装置が必要であるなど、コスト、効率の面で大きな負担となる。光電変換層自体を厚くしたり、厚い層を挿入したりすることは、そのデバイスのほかの性能を劣化させる原因となり、また、望ましい光吸収、光干渉の設計を制限するため、望ましい分光特性や低い電圧での駆動を妨げる原因となる場合がある。 As measures to prevent this crack, there is a contrivance such as making the bottom electrode as flat as possible or reducing dust as much as possible, and increasing the thickness of the photoelectric conversion layer itself so that the crack does not reach the bottom electrode And a method of inserting a thick layer to fill a crack between the photoelectric conversion layer and the upper electrode is also known (known document Appl. Phys. Lett. 85, 6269). However, when trying to smooth the lower electrode, it is possible to smooth the surface as much as possible, but when the lower electrode is patterned, the electrode edge becomes a step, and a new countermeasure for that part is added It may be necessary. Also, reducing dust can cause a leak even if it is a very small dust of a few hundreds of nanometers level, and thus a large burden is required in terms of cost and efficiency. Increasing the thickness of the photoelectric conversion layer itself or inserting a thick layer can degrade other performances of the device and limit the desired light absorption and interference design, so that the desired spectral characteristics and In some cases, driving at a low voltage may be hindered.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子の製造方法及びその製造方法によって製造された光電変換素子を有する固体撮像素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method for manufacturing a photoelectric conversion element capable of suppressing the occurrence of cracks in a photoelectric conversion layer, and a solid-state imaging having a photoelectric conversion element manufactured by the manufacturing method An object is to provide an element.
本発明の固体撮像素子の製造方法は、一対の電極と、前記一対の電極に挟まれた光電変換層とを含む光電変換素子をアレイ状に多数配列した固体撮像素子の製造方法であって、前記固体撮像素子の各画素の前記一方の電極は画素毎に分割されており、前記一方の電極を形成する工程と、前記一方の電極上に、アモルファス性材料を蒸着により成膜し、アモルファス性材料の膜を加熱して、前記一方の電極の表面の凹凸を緩和する前記多数の画素で共通の一枚構造の凹凸緩和層を形成する工程と、前記凹凸緩和層上に前記光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に前記一対の電極の他方の電極を形成する工程とを含むものである。 The method for producing a solid-state imaging device of the present invention is a method for producing a solid-state imaging device in which a large number of photoelectric conversion elements including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes are arranged in an array , The one electrode of each pixel of the solid-state imaging device is divided for each pixel, and a step of forming the one electrode, and an amorphous material is deposited on the one electrode by vapor deposition, thereby forming an amorphous property. A step of forming a single-layered uneven relief layer that is common to the plurality of pixels to relieve unevenness on the surface of the one electrode by heating a film of the material ; and the photoelectric conversion layer on the unevenness relief layer Forming the other electrode of the pair of electrodes on the photoelectric conversion layer.
本発明によれば、特に、上部電極に透明導電性酸化膜を用いた場合に、リーク電流の増大、ショートの増大を抑制した光電変換素子の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, in particular, when a transparent conductive oxide film is used for the upper electrode, it is possible to provide a method for manufacturing a photoelectric conversion element that suppresses increase in leakage current and increase in short circuit.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態を説明するための光電変換素子の概略構成を示す断面模式図である。
図１に示す光電変換素子１００は、基板１上に形成された下部電極２と、下部電極２に対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間の中間層とを備え、中間層には、光電変換層３と、光電変換層３と下部電極２との間に形成された凹凸緩和層５と、光電変換層３と上部電極４との間に形成された電荷ブロッキング層６とが含まれる。尚、中間層には光電変換層３と凹凸緩和層５が少なくとも含まれていれば良い。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a photoelectric conversion element for explaining a first embodiment of the present invention.
A
図１の例では、光電変換素子１００には上部電極４側から光が入射され、この光に応じた電荷が光電変換層３で発生する。そして、下部電極２と上部電極４とに電圧を印加することで、光電変換層３で発生した電荷が下部電極２及び上部電極４に移動し、下部電極２及び上部電極４のいずれかに移動した電荷に応じた信号を外部に取り出すことができる構成となっている。
In the example of FIG. 1, light is incident on the
下部電極２は、光電変換層３で発生した電荷（例えば電子）を捕集するための電極である。光電変換素子１００を半導体基板上方に少なくとも１つ積層して積層型固体撮像素子を実現する場合には、下部電極２は透明であることが好ましい。本明細書において、透明とは、波長が約４２０ｎｍ〜約６６０ｎｍの範囲の可視光を８０％以上透過することを言う。
The lower electrode 2 is an electrode for collecting charges (for example, electrons) generated in the photoelectric conversion layer 3. In the case where a stacked solid-state imaging device is realized by stacking at least one
上部電極４は、光電変換層３で発生した電荷（例えば正孔）を捕集するための電極である。光電変換層３に光を入射させる必要があるため、上部電極４は透明であることが好ましい。本発明は、上部電極４が透明導電膜であることを特に考慮したものであり、その場合に特に効果が顕著である。
The
光電変換層３は、特定の波長の光を吸収して、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換層は単層構造でも多層構造でも良い。光電変換層を構成する材料としては、無機材料と有機材料を用いることができるが、分光特性や感度に優れる点から、有機材料を用いることが特に好ましい。 The photoelectric conversion layer 3 absorbs light of a specific wavelength and generates a charge corresponding to the absorbed light. The photoelectric conversion layer may have a single layer structure or a multilayer structure. As a material constituting the photoelectric conversion layer, an inorganic material and an organic material can be used, but it is particularly preferable to use an organic material from the viewpoint of excellent spectral characteristics and sensitivity.
凹凸緩和層５は、下部電極２の光電変換層３側の表面（以下、単に下部電極２の表面という）の凹凸を緩和するためのものである。下部電極２の表面に凹凸がある場合、あるいは下部電極２の表面にゴミが付着していた場合、その上に例えば低分子有機材料を蒸着して光電変換層３を形成すると、この凹凸部分で光電変換層３に細かいクラック、つまり光電変換層３が薄くしか形成されない部分ができやすい。この時、さらにその上から上部電極４を形成すると、上記クラック部が上部電極４にカバレッジされて上部電極４と下部電極２とが近接するため、ＤＣショートやリーク電流の増大が生じやすい。特に、上部電極４としてＴＣＯを用いる場合、その傾向が顕著である。このため、あらかじめ下部電極２と光電変換層３との間に、凹凸緩和層５を設けることで凹凸を緩和して、これらを抑制することができる。
The
更に、本出願人は、次の（Ａ）〜（Ｃ）の条件を満たすようにすることで、クラックの発生を効果的に抑制できることを見出した。以下に示す数値とすることで、後述する実施例、比較例に記載しているように、素子のショートを抑制し、歩留まりを向上させることができる Furthermore, the present applicant has found that the occurrence of cracks can be effectively suppressed by satisfying the following conditions (A) to (C). By using the numerical values shown below, as described in Examples and Comparative Examples described later, it is possible to suppress the short circuit of the element and improve the yield.
（Ａ）凹凸緩和層５の光電変換層３側の表面（以下、単に凹凸緩和層５の表面という）の平均面粗さＲａが１．０ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以下、更に好ましくは０．３ｎｍ以下であること。
（Ｂ）凹凸緩和層５の表面の平均面粗さＲａが、下部電極２の表面の平均面粗さＲａの６０％以下、より好ましくは３０％以下であること。
（Ｃ）（Ａ）と（Ｂ）の両方を満たすこと。
(A) The average surface roughness Ra of the surface of the
(B) The average surface roughness Ra of the surface of the
(C) Satisfy both (A) and (B).
このような条件を満たすための方法を以下に列挙する。 Methods for satisfying such conditions are listed below.
（ａ）凹凸緩和層５として有機又は無機のアモルファス性の材料を使用する。
アモルファス性の材料を用いると、表面が平滑な凹凸緩和層５を形成することが可能である。ただし、アモルファス性材料を蒸着により形成する場合、下部電極２の凹凸を強く反映するため、やや厚い膜厚とした方が好ましい。凹凸緩和層５を蒸着によって形成可能な材料としては、ｍ−ＭＴＤＡＴＡやＴＰＤ等の結晶化温度及びガラス転移温度が低い材料を用いることができる。
(A) An organic or inorganic amorphous material is used as the
When an amorphous material is used, it is possible to form the
（ｂ）凹凸緩和層５として有機又は無機のポリマー性材料を使用する。
塗布法（スピンコート法など）により、下部電極２上にポリマー性材料を塗布して凹凸緩和層５を形成すると、下部電極２の表面の凹凸をレベリングし、凹凸緩和層５自体の平滑性も高くすることが可能である。このため、非常に大きなショート防止効果を得ることができる。これは、塗布法の場合、上記（ａ）とは異なり、凹凸緩和層５が下部電極２の表面の凹凸を反映した形状にならず、凹凸緩和層５の表面平滑性は、基板１との濡れ性や材料の粘度、塗布条件、加熱温度等に起因した平滑性を示すためである。使用するポリマー性材料としては、ポリアニリン、ボリチオフェン、ポリピロール、ポリカルバゾール、ＰＴＰＤＥＳ、ＰＴＰＤＥＫなどの高分子系材料が好ましい。
(B) An organic or inorganic polymeric material is used as the
By applying a polymeric material on the lower electrode 2 by a coating method (spin coating method or the like) to form the
（ｃ）凹凸緩和層５を下部電極２上に形成後、加熱する。
蒸着やスピンコートによって凹凸緩和層５を形成した後、凹凸緩和層５を加熱することにより、凹凸緩和層５の表面を平滑化することができる。これは、加熱により、一旦形成された凹凸緩和層５の材料分子が再配列されるためである。尚、加熱温度は、使用する材料（アモルファス性材料又はポリマー性材料）に応じて適当に選ぶ必要がある。加熱する環境は、特に、凹凸緩和層５の材料として有機物を用いる場合、酸素や水分の影響でデバイス性能が劣化するため、窒素雰囲気下などイナートなガスの環境や、真空中で加熱することが望ましい。又、この加熱工程において、ポリマー塗布の溶媒を脱するためのベーキングをかねる場合、真空中で加熱することが望ましい。
(C) The
After forming the
尚、凹凸緩和層５は、ショート防止の観点から厚くすることが望ましいが、デバイス特性を劣化させないためには、より薄くできる、すなわち、層厚設定の自由度が高い方が望ましい。上記（ａ）〜（ｃ）の方法を用いることにより、凹凸緩和層５の厚みを薄く設定することができる。その厚みは１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましい。このような数値とすることで、後述する実施例、比較例に記載しているように、素子のショートを抑制し、歩留まりを向上させることができる。
The
ここで、光電変換素子１００を１画素として、この画素を半導体基板上にアレイ状に多数配列し、多数の画素に含まれる下部電極２を画素毎に分割して、各下部電極２と、半導体基板に形成された電荷蓄積部とを接続して、各下部電極２から電荷を取り出せる構成の固体撮像素子を考える。
この場合、凹凸緩和層５にＰＥＤＯＴＰＳＳ等の高導電性ポリマーを用いると、ショート防止の観点からは好ましいが、導電性ポリマーの導電性が高すぎると一つの問題が発生する。すなわち、隣接する画素を考えた場合、一つの画素に光が当たり、他方の画素には光が当たらない状況を考えると、光が当たった画素では電荷が電荷蓄積部に蓄積されるため、そこに接続された下部電極２の電位が変化するが、光が当たっていない下部電極２では、当初の電位（読み出し方式によるが、通常リセット電位）のままのため、隣接する下部電極２間で電位差が生じる。光電変換層３及び凹凸緩和層５が各画素で共通の一枚構造とし、凹凸緩和層５が隣接する画素を架橋している構造の場合、凹凸緩和層５の導電性が低ければ問題ないが、高い導電度を有する場合、隣接する画素間で電荷の移動が起こってしまう。光が当たっている画素から当たっていない画素へと信号電荷が流れるため、結果として、像がぼやけてしまい、デバイス特性が劣化する。効率的なデバイス作成プロセスを考えた場合、下部電極２のみパターニングし、その上の層はパターニングされていない構造が望ましい。そのため、このような構造を考慮すると、凹凸緩和層５の導電性は、シート抵抗で１×１０１５Ω／□以上であることが好ましく、１×１０１６Ω／□以上であることがより好ましい。
Here, the
In this case, when a highly conductive polymer such as PEDOTPS is used for the
電荷ブロッキング層６は、上部電極４から電荷が注入されることによる暗電流を低減するために設けられており、上部電極４からの電荷が光電変換層３に注入されるのを抑制する。
The charge blocking layer 6 is provided to reduce dark current caused by injection of charges from the
以下、上述した下部電極２、中間層、及び上部電極４の具体例について説明する。
Hereinafter, specific examples of the lower electrode 2, the intermediate layer, and the
（中間層）
中間層は、電磁波を吸収する部位、光電変換層、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子阻止部位、正孔阻止部位、結晶化防止部位等の積み重ねもしくは混合から形成される。光電変換層は有機ｐ型化合物または有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。
(Middle layer)
The intermediate layer is formed by stacking or mixing a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion layer, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, and the like. The photoelectric conversion layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.
有機ｐ型半導体（化合物）は、ドナ性有機半導体（化合物）であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナ性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、ｎ型（アクセプタ性）化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナ性有機半導体として用いてよい。 The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound), which is mainly represented by a hole transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound. For example, triarylamine compound, benzidine compound, pyrazoline compound, styrylamine compound, hydrazone compound, triphenylmethane compound, carbazole compound, polysilane compound, thiophene compound, phthalocyanine compound, cyanine compound, merocyanine compound, oxonol compound, polyamine compound, indole Compounds, pyrrole compounds, pyrazole compounds, polyarylene compounds, condensed aromatic carbocyclic compounds (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives), nitrogen-containing heterocyclic compounds The metal complex etc. which it has as can be used. Not limited to this, as described above, any organic compound having an ionization potential smaller than that of an organic compound used as an n-type (acceptor) compound may be used as a donor organic semiconductor.
有機ｎ型半導体（化合物）は、アクセプタ性有機半導体（化合物）であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプタ性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する５ないし７員のヘテロ環化合物（例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等）、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナ性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプタ性有機半導体として用いてよい。 Organic n-type semiconductors (compounds) are acceptor organic semiconductors (compounds), and are mainly represented by electron-transporting organic compounds and refer to organic compounds that have a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the acceptor organic compound as long as it is an electron-accepting organic compound. For example, condensed aromatic carbocyclic compounds (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives), 5- to 7-membered heterocyclic compounds containing nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms (E.g. pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, quinoline, quinoxaline, quinazoline, phthalazine, cinnoline, isoquinoline, pteridine, acridine, phenazine, phenanthroline, tetrazole, pyrazole, imidazole, thiazole, oxazole, indazole, benzimidazole, benzotriazole, Benzoxazole, benzothiazole, carbazole, purine, triazolopyridazine, triazolopyrimidine, tetrazaindene, o Metal complexes having ligands such as saziazole, imidazopyridine, pyralidine, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, dibenzazepine, tribenzazepine), polyarylene compounds, fluorene compounds, cyclopentadiene compounds, silyl compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds. Etc. Note that the present invention is not limited to this, and as described above, any organic compound having an electron affinity higher than that of the organic compound used as the donor organic compound may be used as the acceptor organic semiconductor.
ｐ型有機色素、またはｎ型有機色素としては、いかなるものを用いても良いが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、３核メロシアニン色素、４核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラ色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）が挙げられる。 Any p-type organic dye or n-type organic dye may be used, but preferably a cyanine dye, styryl dye, hemicyanine dye, merocyanine dye (including zero methine merocyanine (simple merocyanine)), three nucleus Merocyanine dye, 4-nuclear merocyanine dye, rhodacyanine dye, complex cyanine dye, complex merocyanine dye, allopolar dye, oxonol dye, hemioxonol dye, squalium dye, croconium dye, azamethine dye, coumarin dye, arylidene dye, anthraquinone dye, triphenyl Methane dye, azo dye, azomethine dye, spiro compound, metallocene dye, fluorenone dye, fulgide dye, perylene dye, phenazine dye, phenothiazine dye, quinone dye, indigo Dye, diphenylmethane dye, polyene dye, acridine dye, acridinone dye, diphenylamine dye, quinacridone dye, quinophthalone dye, phenoxazine dye, phthaloperylene dye, porphyrin dye, chlorophyll dye, phthalocyanine dye, metal complex dye, condensed aromatic carbocyclic dye (Naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives).
次に金属錯体化合物について説明する。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも１つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体であり、金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、または錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、または亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、または亜鉛イオンである。前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、１９８７年）、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」（裳華房、１９８２年）等に記載の配位子が挙げられる。 Next, the metal complex compound will be described. The metal complex compound is a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom or oxygen atom or sulfur atom coordinated to the metal, and the metal ion in the metal complex is not particularly limited, but preferably beryllium ion, magnesium Ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, or tin ion, more preferably beryllium ion, aluminum ion, gallium ion, or zinc ion, and still more preferably aluminum ion or zinc ion. As the ligand contained in the metal complex, there are various known ligands. Examples include the ligands described in “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds” by Yersin (Springer-Verlag, 1987), “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications” (Yukakabo, 1982), etc. .
前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環置換チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、またはシロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、またはシロキシ配位子が挙げられる。 The ligand is preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 3 to 15 carbon atoms, and a monodentate ligand. Or a bidentate or higher ligand, preferably a bidentate ligand such as a pyridine ligand, a bipyridyl ligand, a quinolinol ligand, a hydroxyphenylazole ligand (hydroxyphenyl) Benzimidazole, hydroxyphenylbenzoxazole ligand, hydroxyphenylimidazole ligand)), alkoxy ligand (preferably 1-30 carbon atoms, more preferably 1-20 carbon atoms, particularly preferably carbon 1-10, for example, methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), aryloxy ligands Preferably it has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyl Oxy, 4-biphenyloxy, etc.), heteroaryloxy ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridyl. Oxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), alkylthio ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio, Ethylthio, etc.), arylthio ligands (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferred) Has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), a heterocyclic substituted thio ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to carbon atoms). 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like, or siloxy ligand (preferably Has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a triphenylsiloxy group, a triethoxysiloxy group, and a triisopropylsiloxy group. More preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a heteroaryloxy group, or a siloxy ligand, Preferably, a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, or a siloxy ligand is used.
光電変換層は、下部電極と上部電極の間にｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、該ｐ型半導体とｎ型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該ｐ型半導体およびｎ型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する場合が好ましい。バルクへテロ接合構造を含有させることにより、有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、バルクへテロ接合構造については、特願２００４−０８０６３９号において詳細に説明されている。 The photoelectric conversion layer has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer between a lower electrode and an upper electrode, and at least one of the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is an organic semiconductor, and those semiconductors It is preferable that a bulk heterojunction structure layer including the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is provided as an intermediate layer between the layers. By including a bulk heterojunction structure, the disadvantage that the carrier diffusion length of the organic layer is short can be compensated, and the photoelectric conversion efficiency can be improved. The bulk heterojunction structure is described in detail in Japanese Patent Application No. 2004-080639.
光電変換層は、下部電極と上部電極の間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層で形成されるｐｎ接合層の繰り返し構造（タンデム構造）の数を２以上有する構造を含有する場合も好ましく、さらに好ましくは、前記繰り返し構造の間に、導電材料の薄層を挿入する場合である。ｐｎ接合層の繰り返し構造（タンデム構造）の数はいかなる数でもよいが、光電変換効率を高くするために好ましくは２〜５０であり、さらに好ましくは２〜３０であり、特に好ましくは２または１０である。導電材料としては銀または金が好ましく、銀が最も好ましい。なお、タンデム構造については、特願２００４−０７９９３０号において詳細に説明されている。 The photoelectric conversion layer may contain a structure having two or more repeating structures (tandem structures) of a pn junction layer formed of a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer between the lower electrode and the upper electrode. Preferably, more preferably, a thin layer of conductive material is inserted between the repetitive structures. The number of repeating structures (tandem structures) of the pn junction layer may be any number, but is preferably 2 to 50, more preferably 2 to 30, particularly preferably 2 or 10 in order to increase the photoelectric conversion efficiency. It is. Silver or gold is preferable as the conductive material, and silver is most preferable. The tandem structure is described in detail in Japanese Patent Application No. 2004-079930.
下部電極と上部電極の間にｐ型半導体の層、ｎ型半導体の層、（好ましくは混合・分散（バルクヘテロ接合構造）層）を持つ光電変換層において、ｐ型半導体およびｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む場合も好ましく、さらに好ましくは、ｐ型半導体およびｎ型半導体の両方に配向制御された（可能な）有機化合物を含む場合である。光電変換部位に用いられる有機化合物としては、π共役電子を持つものが好ましく用いられるが、このπ電子平面が、基板（電極基板）に対して垂直ではなく、平行に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは０°以上８０°以下であり、さらに好ましくは０°以上６０°以下であり、さらに好ましくは０°以上４０°以下であり、さらに好ましくは０°以上２０°以下であり、特に好ましくは０°以上１０°以下であり、最も好ましくは０°（すなわち基板に対して平行）である。上記のように、配向の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良いが、好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が１０％以上の場合であり、さらに好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上、さらに好ましくは７０％以上、特に好ましくは９０％以上、最も好ましくは１００％である。このような状態は、光電変換層において、有機層の有機化合物の配向を制御することにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させるものである。 In a photoelectric conversion layer having a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer (preferably a mixed / dispersed (bulk heterojunction structure) layer) between the lower electrode and the upper electrode, of the p-type semiconductor and the n-type semiconductor It is also preferable to include an organic compound whose orientation is controlled in at least one direction, and more preferably, it includes a (possible) organic compound whose orientation is controlled in both the p-type semiconductor and the n-type semiconductor. As the organic compound used for the photoelectric conversion site, those having π-conjugated electrons are preferably used, but this π-electron plane is not perpendicular to the substrate (electrode substrate) but is oriented at an angle close to parallel. The more preferable. The angle with respect to the substrate is preferably 0 ° or more and 80 ° or less, more preferably 0 ° or more and 60 ° or less, further preferably 0 ° or more and 40 ° or less, and further preferably 0 ° or more and 20 ° or less. Particularly preferably, it is 0 ° or more and 10 ° or less, and most preferably 0 ° (that is, parallel to the substrate). As described above, the organic compound layer whose orientation is controlled may be partially included in the entire organic layer, but preferably the proportion of the portion whose orientation is controlled with respect to the entire organic layer is 10% or more. More preferably, it is 30% or more, more preferably 50% or more, further preferably 70% or more, particularly preferably 90% or more, and most preferably 100%. Such a state compensates for the shortcoming of the short carrier diffusion length of the organic layer by controlling the orientation of the organic compound in the organic layer in the photoelectric conversion layer, and improves the photoelectric conversion efficiency.
有機化合物の配向が制御されている場合において、さらに好ましくはヘテロ接合面（例えばｐｎ接合面）が基板に対して平行ではない場合である。ヘテロ接合面が、基板（電極基板）に対して平行ではなく、垂直に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは１０°以上９０°以下であり、さらに好ましくは３０°以上９０°以下であり、さらに好ましくは５０°以上９０°以下であり、さらに好ましくは７０°以上９０°以下であり、特に好ましくは８０°以上９０°以下であり、最も好ましくは９０°（すなわち基板に対して垂直）である。上記のような、ヘテロ接合面の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良い。好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が１０％以上の場合であり、さらに好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上、さらに好ましくは７０％以上、特に好ましくは９０％以上、最も好ましくは１００％である。このような場合、有機層におけるヘテロ接合面の面積が増大し、界面で生成する電子、正孔、電子正孔対等のキャリア量が増大し、光電変換効率の向上が可能となる。以上の、有機化合物のヘテロ接合面とπ電子平面の両方の配向が制御された光電変換膜（光電変換膜）において、特に光電変換効率の向上が可能である。これらの状態については、特願２００４−０７９９３１号において詳細に説明されている。光吸収の点では有機色素層の膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、有機色素層の膜厚として好ましくは、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 In the case where the orientation of the organic compound is controlled, it is more preferable that the heterojunction plane (for example, the pn junction plane) is not parallel to the substrate. It is more preferable that the heterojunction plane is oriented not at a parallel to the substrate (electrode substrate) but at an angle close to the vertical. The angle with respect to the substrate is preferably 10 ° or more and 90 ° or less, more preferably 30 ° or more and 90 ° or less, further preferably 50 ° or more and 90 ° or less, and further preferably 70 ° or more and 90 ° or less. Particularly preferably, it is 80 ° or more and 90 ° or less, and most preferably 90 ° (that is, perpendicular to the substrate). The organic compound layer whose heterojunction surface is controlled as described above may be partially included in the entire organic layer. Preferably, the proportion of the portion where the orientation is controlled with respect to the entire organic layer is 10% or more, more preferably 30% or more, more preferably 50% or more, further preferably 70% or more, and particularly preferably 90%. Above, most preferably 100%. In such a case, the area of the heterojunction surface in the organic layer is increased, the amount of carriers of electrons, holes, electron-hole pairs and the like generated at the interface is increased, and the photoelectric conversion efficiency can be improved. In the above-described photoelectric conversion film (photoelectric conversion film) in which the orientation of both the heterojunction plane and the π-electron plane of the organic compound is controlled, the photoelectric conversion efficiency can be particularly improved. These states are described in detail in Japanese Patent Application No. 2004-079931. In terms of light absorption, the thickness of the organic dye layer is preferably as large as possible, but considering the ratio that does not contribute to charge separation, the thickness of the organic dye layer is preferably 30 nm to 300 nm, more preferably 50 nm to 250 nm, Especially preferably, it is 80 nm or more and 200 nm or less.
（有機層の形成法）
これらの有機化合物を含む層は、乾式成膜法あるいは湿式成膜法により成膜される。乾式成膜法の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法，分子線エピタキシ法等の物理気相堆積法あるいはプラズマ重合等の化学気相堆積法が挙げられる。湿式成膜法としては、塗布法、回転塗布法、浸漬法、ＬＢ法等が用いられる。
ｐ型半導体（化合物）、または、ｎ型半導体（化合物）のうちの少なくとも一つとして高分子化合物を用いる場合は、作成の容易な湿式成膜法により成膜することが好ましい。蒸着等の乾式成膜法を用いた場合、高分子を用いることは分解のおそれがあるため難しく、代わりとしてそのオリゴマを好ましく用いることができる。一方、低分子を用いる場合は、乾式成膜法が好ましく用いられ、特に真空蒸着法が好ましく用いられる。真空蒸着法は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の化合物の加熱の方法、るつぼ、ボ−ト等の蒸着源の形状、真空度、蒸着温度、基盤温度、蒸着速度等が基本的なパラメータである。均一な蒸着を可能とするために基板を回転させて蒸着することは好ましい。真空度は高い方が好ましく１０−２Ｐａ以下、好ましくは１０−４Ｐａ以下、特に好ましくは１０−６Ｐａ以下で真空蒸着が行われる。蒸着時のすべての工程は上記の真空中で行われることが好ましく、基本的には化合物が直接、外気の酸素、水分と接触しないようにする。真空蒸着の上述した条件は有機膜の結晶性、非晶質性、密度、緻密度等に影響するので厳密に制御する必要がある。水晶振動子、干渉計等の膜厚モニタを用いて蒸着速度をＰＩもしくはＰＩＤ制御することは好ましく用いられる。２種以上の化合物を同時に蒸着する場合には共蒸着法、フラッシュ蒸着法等を好ましく用いることができる。
(Formation method of organic layer)
The layer containing these organic compounds is formed by a dry film formation method or a wet film formation method. Specific examples of the dry film forming method include a physical vapor deposition method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, a molecular beam epitaxy method, or a chemical vapor deposition method such as plasma polymerization. As the wet film forming method, a coating method, a spin coating method, a dipping method, an LB method, or the like is used.
In the case where a polymer compound is used as at least one of a p-type semiconductor (compound) or an n-type semiconductor (compound), it is preferable to form a film by a wet film formation method that is easy to create. When a dry film formation method such as vapor deposition is used, it is difficult to use a polymer because it may be decomposed, and the oligomer can be preferably used instead. On the other hand, when a low molecule is used, a dry film forming method is preferably used, and a vacuum deposition method is particularly preferably used. The vacuum deposition method is basically based on the method of heating compounds such as resistance heating deposition method and electron beam heating deposition method, shape of deposition source such as crucible and boat, degree of vacuum, deposition temperature, base temperature, deposition rate, etc. It is a parameter. In order to enable uniform deposition, it is preferable to perform deposition by rotating the substrate. The higher the degree of vacuum is, preferably 10 −2 Pa or less, preferably 10 −4 Pa or less, particularly preferably 10 −6 Pa or less. It is preferable that all steps during the vapor deposition be performed in the above-described vacuum, and basically the compound is not directly in contact with oxygen and moisture in the outside air. The above-described conditions of vacuum deposition affect the crystallinity, amorphousness, density, density, etc. of the organic film, and must be strictly controlled. It is preferable to use PI or PID control of the deposition rate using a film thickness monitor such as a quartz crystal resonator or an interferometer. When two or more kinds of compounds are vapor-deposited simultaneously, a co-evaporation method, a flash vapor deposition method, or the like can be preferably used.
（電極）
正孔を捕集するための正孔捕集電極は、正孔輸送性光電変換部位または正孔輸送部位から正孔を取り出すことが好ましく、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができる材料である。電子を捕集するための電子捕集電極は、光電変換部位から電子を取り出すことが好ましく、光電変換部位などの隣接する層との密着性や電子親和力、イオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。これらの具体例としては酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、シリコン化合物およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯ、ＩＺＯが好ましい。画素電極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ以上１μｍ以下の範囲のものが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、更に好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
(electrode)
The hole collecting electrode for collecting holes is preferably a hole transporting photoelectric conversion site or a hole transporting site, and is preferably a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or These are materials that can be used as a mixture. The electron collection electrode for collecting electrons preferably takes out electrons from the photoelectric conversion site, taking into consideration the adhesion with adjacent layers such as the photoelectric conversion site, electron affinity, ionization potential, stability, etc. To be elected. Specific examples of these include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium zinc oxide (IZO), and indium tin oxide (ITO), or metals such as gold, silver, chromium, and nickel. Or conductive metal oxide mixtures or laminates, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, silicon compounds and laminates of these with ITO Preferred are conductive metal oxides, and ITO and IZO are particularly preferred in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like. The film thickness of the pixel electrode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 1 μm, more preferably 30 nm to 500 nm, and still more preferably 30 nm to 100 nm.
特に、光電変換素子を積層した積層型固体撮像素子に応用する場合は、上部電極・下部電極ともに透明であることが好ましい。更に、暗電流を抑制する為に、電子捕集電極は、ＩＴＯのような導電性金属酸化物薄膜と、その光電変換層側に銀・インジウム・マグネシウムのような仕事関数の小さい金属超薄膜を積層させた構造がより好ましい。なお、この電子捕集電極の構造については、特願２００５−２５１７４５号において詳細に説明されている。 In particular, when applied to a stacked solid-state imaging device in which photoelectric conversion elements are stacked, both the upper electrode and the lower electrode are preferably transparent. Furthermore, in order to suppress dark current, the electron collection electrode is composed of a conductive metal oxide thin film such as ITO and a metal ultrathin film with a small work function such as silver, indium and magnesium on the photoelectric conversion layer side. A laminated structure is more preferable. The structure of the electron collecting electrode is described in detail in Japanese Patent Application No. 2005-251745.
電極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子線加熱蒸着法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、ＩＴＯ分散物の塗布などの方法で膜形成される。ＩＴＯの場合、紫外線オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。 Various methods are used for producing the electrode depending on the material. For example, in the case of ITO, such as electron beam heating vapor deposition, sputtering, resistance heating vapor deposition, chemical reaction method (sol-gel method, etc.), ITO dispersion coating, etc. A film is formed by the method. In the case of ITO, ultraviolet ozone treatment, plasma treatment, etc. can be performed.
透明電極膜をプラズマフリーで作製することが好ましい。プラズマフリーで透明電極膜を作成することで、プラズマが基板に与える影響を少なくすることができ、光電変換特性を良好にすることができる。ここで、プラズマフリーとは、透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しないか、またはプラズマ発生源から基体までの距離が２ｃｍ以上、好ましくは１０ｃｍ以上、更に好ましくは２０ｃｍ以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。 The transparent electrode film is preferably produced without plasma. By creating a transparent electrode film free from plasma, the influence of plasma on the substrate can be reduced, and the photoelectric conversion characteristics can be improved. Here, plasma free means that no plasma is generated during the formation of the transparent electrode film, or the distance from the plasma generation source to the substrate is 2 cm or more, preferably 10 cm or more, more preferably 20 cm or more. It means a state in which the plasma that reaches is reduced.
透明電極膜の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、例えば、電子線加熱蒸着装置（ＥＢ蒸着装置）やパルスレーザ蒸着装置がある。ＥＢ蒸着装置またはパルスレーザ蒸着装置については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」（シーエムシー、１９９９年）、沢田豊監修「透明導電膜の新展開ＩＩ」（シーエムシー、２００２年）、日本学術振興会著「透明導電膜の技術」（オーム社、１９９９年）、およびそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。以下では、ＥＢ蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をＥＢ蒸着法と言い、パルスレーザ蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をパルスレーザ蒸着法と言う。プラズマ発生源から基体への距離が２ｃｍ以上であって基体へのプラズマの到達が減ずるような状態を実現できる装置（以下、プラズマフリーである成膜装置という）については、例えば、対向ターゲット式スパッタ装置やアークプラズマ蒸着法などが考えられ、それらについては沢田豊監修「透明導電膜の新展開」（シーエムシー、１９９９年）、沢田豊監修「透明導電膜の新展開ＩＩ」（シーエムシー、２００２年）、日本学術振興会著「透明導電膜の技術」（オーム社、１９９９年）、およびそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。 Examples of apparatuses that do not generate plasma during the formation of the transparent electrode film include an electron beam heating vapor deposition apparatus (EB vapor deposition apparatus) and a pulse laser vapor deposition apparatus. Regarding the EB deposition system or pulse laser deposition system, the supervision of Yutaka Sawada “New development of transparent conductive film” (CMC, 1999), the supervision of Yutaka Sawada “New development of transparent conductive film II” (CMC, 2002), Devices as described in “Transparent conductive film technology” by the Japan Society for the Promotion of Science (Ohm Co., 1999) and references attached to them can be used. Hereinafter, a method of forming a transparent electrode film using an EB vapor deposition apparatus is referred to as an EB vapor deposition method, and a method of forming a transparent electrode film using a pulse laser vapor deposition apparatus is referred to as a pulse laser vapor deposition method. For an apparatus that can realize a state in which the distance from the plasma generation source to the substrate is 2 cm or more and the arrival of plasma to the substrate is reduced (hereinafter referred to as a plasma-free film forming apparatus), for example, an opposed target sputtering Equipment, arc plasma deposition, etc. are considered, and these are supervised by Yutaka Sawada “New development of transparent conductive film” (CMC, 1999), and supervised by Yutaka Sawada “New development of transparent conductive film II” (CMC, 2002). ), “Transparent conductive film technology” (Ohm Co., 1999) by the Japan Society for the Promotion of Science, and references and the like appended thereto can be used.
上部透明電極は、固体撮像素子として、より低抵抗なものが良いとされてきたが、ノイズとなる暗電流値を考慮すると、高抵抗な方が良い範囲がある。透明導電性薄膜のシート抵抗は１００Ω／□以上１００００Ω／□以下であって、好ましくは１００Ω／□以上３０００Ω／□以下、さらに好ましくは５００Ω／□以上３０００Ω／□以下、特に好ましくは５００Ω／□以上１０００Ω／□以下である。 The upper transparent electrode has been considered to have a lower resistance as a solid-state imaging device, but there is a range in which a higher resistance is better considering the dark current value that causes noise. The sheet resistance of the transparent conductive thin film is 100Ω / □ or more and 10,000Ω / □ or less, preferably 100Ω / □ or more and 3000Ω / □ or less, more preferably 500Ω / □ or more and 3000Ω / □ or less, and particularly preferably 500Ω / □ or more. 1000Ω / □ or less.
このようにシート抵抗が高く設定できる場合、特に、透明導電膜として透明導電性酸化膜を用いる場合、成膜中の条件はより制限を少なくすることができる。 In this way, when the sheet resistance can be set high, especially when a transparent conductive oxide film is used as the transparent conductive film, the conditions during the film formation can be less restricted.
電荷転送としては、応答速度を早めるために電極の移動度は大きい方が好ましいが、ノイズとしては低キャリア密度のものが好ましい。このため、透明導電膜は低キャリア密度で高移動度なものが好ましく、キャリア密度を減ずるためには、例えば、透明導電性酸化膜の場合、化学量論的な不整合をより少なくする事などが上げられる。化学量論的な不整合をより少なくすることにより、高い透過率を得ることができ、また、結晶中の欠陥が少なくなるため、電荷の移動度を高くすることができる。このためには、成膜時に導入する酸素導入量を、最もシート抵抗が小さくなる酸素導入量より、多くするで実現される。 For charge transfer, it is preferable that the mobility of the electrode is large in order to increase the response speed. However, noise having a low carrier density is preferable. For this reason, the transparent conductive film preferably has a low carrier density and a high mobility. In order to reduce the carrier density, for example, in the case of a transparent conductive oxide film, the stoichiometric mismatch should be reduced. Is raised. By reducing the stoichiometric mismatch, a high transmittance can be obtained, and since defects in the crystal are reduced, the charge mobility can be increased. For this purpose, the amount of oxygen introduced at the time of film formation is made larger than the amount of oxygen introduced that minimizes the sheet resistance.
通常、透明導電性酸化膜において、電極の移動度を大きくしたい場合、上記のように、結晶欠陥を少なくする、すなわち、化学両論的な不整合を少なくするように膜形成する（たとえば、成膜中に酸素を導入することにより、膜中の酸素欠陥少なくする）手法を用いる。逆に、キャリア密度を大きくしたい場合は、化学量論的な不整合が生じるようにする（たとえば、成膜中に導入する酸素量を少なくして膜中に酸素欠陥を導入し、キャリアを導入する）手法が用いられる。そのため、より低抵抗な膜を得るためには、高い移動度と大きなキャリア密度が必要であるが、移動度をあげる手段（結晶欠陥を無くす手段）とキャリア密度を大きくする手段は、相反する関係にあり、そのため、たとえば酸素導入量を、最も低い抵抗値が得られる量から大きくする場合と小さくする場合では、いずれの場合もシート抵抗値は高くなる。 Usually, in a transparent conductive oxide film, when it is desired to increase the mobility of an electrode, as described above, the film is formed so as to reduce crystal defects, that is, to reduce the stoichiometric mismatch (for example, film formation). A method of reducing oxygen defects in the film by introducing oxygen into the film). Conversely, when it is desired to increase the carrier density, make a stoichiometric mismatch (for example, introduce oxygen defects into the film by reducing the amount of oxygen introduced during film formation and introduce carriers). Method) is used. Therefore, high mobility and a large carrier density are required to obtain a lower resistance film, but the means for increasing the mobility (means for eliminating crystal defects) and the means for increasing the carrier density are contradictory. Therefore, for example, when the oxygen introduction amount is increased or decreased from the amount at which the lowest resistance value is obtained, the sheet resistance value is increased in both cases.
透明導電膜の移動度、キャリア密度の観点とは別に、光電変換層として有機膜を考える場合など、ダメージ抑制の観点を考慮した場合には、成膜中の酸素導入量はより少ない、あるいは導入しない条件が好ましい。この場合、本発明の範囲のシート抵抗値となるよう、成膜時に導入する酸素導入量を最もシート抵抗が小さくなる酸素導入量より少なくすることで実現可能である。 Aside from the viewpoints of the mobility and carrier density of the transparent conductive film, the amount of oxygen introduced during film formation is less or less when considering the viewpoint of damage suppression, such as when considering an organic film as a photoelectric conversion layer. The condition which does not do is preferable. In this case, it is possible to realize the sheet resistance value within the range of the present invention by making the amount of oxygen introduced at the time of film formation smaller than the amount of oxygen introduced with the smallest sheet resistance.
上部透明電極は、光電変換層中のクラックを被覆して下部電極と近接し、リーク電流を増大させることを考慮した場合、電極として適当な導電性を安定に有する範囲で、その膜厚は薄い方が望ましい。
本発明の透明導電性膜の膜厚は、好ましくは５〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜５０ｎｍであり、特に好ましくは５〜３０ｎｍである。
In consideration of increasing the leakage current by covering the crack in the photoelectric conversion layer and covering the crack in the photoelectric conversion layer, the upper transparent electrode has a thin film thickness within a range that stably has an appropriate conductivity as an electrode. Is preferable.
The film thickness of the transparent conductive film of the present invention is preferably 5 to 100 nm, more preferably 5 to 50 nm, and particularly preferably 5 to 30 nm.
以上のような構成の光電変換素子１００を利用して積層型固体撮像素子を実現することが可能である。
例えば、特許文献１，２記載のように、シリコン等の半導体基板上方に少なくとも１つ積層された光電変換素子１００と、該光電変換素子１００で発生した電荷に応じた信号をＣＣＤやＣＭＯＳ回路等によって読み出す信号読み出し部とを含む画素をアレイ状に多数配置することで、積層型固体撮像素子を実現することができる。光電変換素子１００を１つ積層する場合、図１に示す基板１の代わりに、半導体基板上に平坦な絶縁層を形成し、この絶縁層の平坦面上に光電変換素子１００を形成すれば良い。光電変換素子１００を複数積層する場合は、既に形成された光電変換素子１００上に絶縁層を形成し、この上に光電変換素子１００を積層すれば良い。
A stacked solid-state imaging device can be realized using the
For example, as described in Patent Documents 1 and 2, at least one
又、半導体基板上方に１つの光電変換素子１００を積層した場合には、例えば、この光電変換素子１００の光電変換層３の材料として、Ｇの波長域の光を吸収する材料を選択することで、モノクロ撮影を行うことができる。又、光電変換素子１００を３つ積層した場合には、３つの光電変換素子１００のそれぞれの光電変換層３の材料として、Ｇの波長域の光を吸収する材料と、Ｒの波長域の光を吸収する材料と、Ｂの波長域の光を吸収する材料とを選択することで、カラー撮影を行うことができる。
When one
又、光電変換素子１００が積層された半導体基板内に、積層された光電変換素子１００を透過した光を検出するフォトダイオードを形成した固体撮像素子を実現することもできる。この場合には、半導体基板上方で１色を検出し、半導体基板内で２色を検出してカラー撮影を可能とする構成や、半導体基板上方で２色を検出し、半導体基板内で１色を検出してカラー撮影を可能とする構成等が実現可能である。
It is also possible to realize a solid-state imaging device in which a photodiode for detecting light transmitted through the stacked
以下、積層型固体撮像素子の構成例について説明する。以下では、半導体基板上方に積層された光電変換を行う部分を有機層といい、半導体基板内に形成された光電変換を行う部分を無機層といい、有機層と無機層を併せて光電変換部という。
（光電変換部）
有機層は、少なくとも青色光、緑色光、赤色光を各々吸収し光電変換することができる少なくとも２層の積層型構造を有する。青色光吸収層（Ｂ）は少なくとも４００〜５００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピーク波長の吸収率は５０％以上である。緑色光吸収層（Ｇ）は少なくとも５００〜６００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピーク波長の吸収率は５０％以上である。赤色光吸収層（Ｒ）は少なくとも６００〜７００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピーク波長の吸収率は５０％以上である。これらの層の序列はいずれの序列でも良く、３層積層型構造の場合は上層からＢＧＲ、ＢＲＧ、ＧＢＲ、ＧＲＢ、ＲＢＧ、ＲＧＢの序列が可能である。好ましくは最上層がＧである。２層積層型構造の場合は上層がＲ層の場合は下層が同一平面状にＢＧ層、上層がＢ層の場合は下層が同一平面状にＧＲ層、上層がＧ層の場合は下層が同一平面状にＢＲ層が形成される。好ましくは上層がＧ層で下層が同一平面状にＢＲ層である。このように下層の同一平面状に２つの光吸収層が設けられる場合には上層の上もしくは上層と下層の間に色分別できるフィルタ層を例えばモザイク状に設けることが好ましい。場合により４層目以上の層を新たな層としてもしくは同一平面状に設けることが可能である。
Hereinafter, a configuration example of the stacked solid-state imaging device will be described. Below, the part which performs the photoelectric conversion laminated | stacked on the semiconductor substrate is called an organic layer, the part which performs the photoelectric conversion formed in the semiconductor substrate is called an inorganic layer, and combines the organic layer and the inorganic layer into the photoelectric conversion part. That's it.
(Photoelectric converter)
The organic layer has a laminated structure of at least two layers capable of absorbing and photoelectrically converting at least blue light, green light, and red light. The blue light absorbing layer (B) can absorb at least light of 400 to 500 nm, and preferably the peak wavelength absorption in the wavelength region is 50% or more. The green light absorbing layer (G) can absorb at least light of 500 to 600 nm, and preferably has a peak wavelength absorption in the wavelength region of 50% or more. The red light absorption layer (R) can absorb light of at least 600 to 700 nm, and preferably has an absorption factor of a peak wavelength in the wavelength region of 50% or more. The order of these layers may be any order, and in the case of a three-layer stacked structure, the order of BGR, BRG, GBR, GRB, RBG, and RGB is possible from the upper layer. Preferably, the uppermost layer is G. In the case of a two-layer structure, when the upper layer is the R layer, the lower layer is the same BG layer, when the upper layer is the B layer, the lower layer is the same planar GR layer, and when the upper layer is the G layer, the lower layer is the same A BR layer is formed in a planar shape. Preferably, the upper layer is a G layer and the lower layer is a BR layer on the same plane. Thus, when two light absorption layers are provided in the same plane of the lower layer, it is preferable to provide, for example, a mosaic layer on the upper layer or a filter layer capable of color separation between the upper layer and the lower layer. In some cases, it is possible to provide a fourth layer or more as a new layer or in the same plane.
光電変換部は、有機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成していても良いし無機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成していても良い。好ましくは有機層と無機層の混合である。この場合、基本的には有機層が１層の時は無機層は１層または２層であり、有機層が２層の時は無機層は１層である。有機層と無機層が１層の場合には無機層が同一平面状に２色以上の光を検出する光電変換素子を形成する。好ましくは上層が有機層でＧ層であり、下層が無機層で上からＢ層、Ｒ層の序列である。場合により４層目以上の層を新たな層として、もしくは同一平面状に設けることが可能である。有機層がＢ／Ｇ／Ｒ層を形成する場合には、その下に電荷蓄積／転送／読み出し部位を設ける。光電変換部として無機層を用いる場合には、この無機層が電荷蓄積／転送／読み出し部位を兼ねる。 In the photoelectric conversion part, the organic layer may form a B / G / R layer, or the inorganic layer may form a B / G / R layer. A mixture of an organic layer and an inorganic layer is preferred. In this case, basically, when the organic layer is one layer, the inorganic layer is one or two layers, and when the organic layer is two layers, the inorganic layer is one layer. In the case where the organic layer and the inorganic layer are one layer, a photoelectric conversion element that detects light of two or more colors in the same plane is formed. Preferably, the upper layer is an organic layer and is a G layer, and the lower layer is an inorganic layer and is an order of B layer and R layer from the top. In some cases, it is possible to provide a fourth layer or more as a new layer or in the same plane. In the case where the organic layer forms a B / G / R layer, a charge accumulation / transfer / readout portion is provided thereunder. When an inorganic layer is used as the photoelectric conversion unit, this inorganic layer also serves as a charge accumulation / transfer / readout part.
有機層に用いられる電極についてさらに詳細に説明する。有機の光電変換層は、画素電極膜（下部電極）、対向電極膜（上部電極）により挟まれる。画素電極膜とは、電荷蓄積／転送／読み出し部位が形成された基板上方に作成された電極膜のことで、通常１ピクセルごとに分割される。これは、光電変換層により変換された信号電荷を電荷蓄積／転送／信号読出回路基板上に１ピクセルごとに読み出すことで、画像を得るためである。 The electrode used for the organic layer will be described in more detail. The organic photoelectric conversion layer is sandwiched between the pixel electrode film (lower electrode) and the counter electrode film (upper electrode). The pixel electrode film is an electrode film formed above the substrate on which the charge accumulation / transfer / read-out site is formed, and is usually divided for each pixel. This is to obtain an image by reading out the signal charges converted by the photoelectric conversion layer on a charge storage / transfer / signal readout circuit substrate for each pixel.
対向電極膜とは、光電変換層を画素電極膜と共にはさみこむことで信号電荷と逆の極性を持つ信号電荷を吐き出す機能をもっている。この信号電荷の吐き出しは各画素間で分割する必要がないため、通常、対向電極膜は各画素間で共通にすることができる。そのため、共通電極膜（コモン電極膜）と呼ばれることもある。光電変換層は、画素電極膜と対向電極膜との間に位置する。光電変換機能は、この光電変換層と画素電極膜および対向電極膜により機能する。 The counter electrode film has a function of discharging a signal charge having a polarity opposite to that of the signal charge by sandwiching the photoelectric conversion layer together with the pixel electrode film. Since the discharge of the signal charge does not need to be divided between the pixels, the counter electrode film can be commonly used between the pixels. Therefore, it may be called a common electrode film (common electrode film). The photoelectric conversion layer is located between the pixel electrode film and the counter electrode film. The photoelectric conversion function functions by the photoelectric conversion layer, the pixel electrode film, and the counter electrode film.
光電変換層積層の構成例としては、まず基板上に積層される有機層が一つの場合として、基板から画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換層、対向電極膜（透明電極膜）を順に積層した構成が挙げられるが、これに限定されるものではない。さらに、基板上に積層される有機層が２つの場合、例えば、基板から画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換層、対向電極膜（透明電極膜）、層間絶縁膜、画素電極膜（基本的に透明電極膜）、光電変換層、対向電極膜（透明電極膜）を順に積層した構成が挙げられる。 As an example of the configuration of the photoelectric conversion layer stack, first, when there is one organic layer stacked on the substrate, the pixel electrode film (basically a transparent electrode film), the photoelectric conversion layer, the counter electrode film (transparent electrode film) from the substrate ) In order, but is not limited thereto. Furthermore, when there are two organic layers stacked on the substrate, for example, from the substrate to the pixel electrode film (basically a transparent electrode film), a photoelectric conversion layer, a counter electrode film (transparent electrode film), an interlayer insulating film, a pixel electrode The structure which laminated | stacked the film | membrane (basically transparent electrode film), the photoelectric converting layer, and the counter electrode film (transparent electrode film) in order is mentioned.
光電変換層を挟む透明電極膜の材料は、プラズマフリーである成膜装置、ＥＢ蒸着装置、およびパルスレーザ蒸着装置により成膜できるものが好ましい。例えば、金属、合金、金属酸化物、金属窒化物、金属硼化物、有機導電性化合物、これらの混合物等が好適に挙げられ、具体例としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウムタングステン（ＩＷＯ）等の導電性金属酸化物、窒化チタン等の金属窒化物、金、白金、銀、クロム、ニッケル、アルミニウム等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物、などが挙げられる。また、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」（シーエムシー、１９９９年）、沢田豊監修「透明導電膜の新展開ＩＩ」（シーエムシー、２００２年）、日本学術振興会著「透明導電膜の技術」（オーム社、１９９９年）等に詳細に記載されているものを用いても良い。 The material of the transparent electrode film sandwiching the photoelectric conversion layer is preferably one that can be formed by a plasma-free film forming apparatus, an EB vapor deposition apparatus, and a pulse laser vapor deposition apparatus. For example, a metal, an alloy, a metal oxide, a metal nitride, a metal boride, an organic conductive compound, a mixture thereof, and the like are preferably exemplified. Specific examples include tin oxide, zinc oxide, indium oxide, ITO, and IZO. , Conductive metal oxides such as indium tungsten oxide (IWO), metal nitrides such as titanium nitride, metals such as gold, platinum, silver, chromium, nickel, and aluminum, and these metals and conductive metal oxides Examples thereof include mixtures or laminates, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole, and laminates of these with ITO. Also, supervised by Yutaka Sawada “New Development of Transparent Conductive Film” (CMC, 1999), supervised by Yutaka Sawada “New Development of Transparent Conductive Film II” (CMC, 2002), “Transparent Conductive Film” by Japan Society for the Promotion of Science. The technology described in detail in “Technology of” (Ohm, 1999) may be used.
透明電極膜の材料として特に好ましいのは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）、弗素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化チタンのいずれかの材料である。透明電極膜の光透過率は、その透明電極膜を含む光電変換素子に含まれる光電変換膜の光電変換光吸収ピーク波長において、６０％以上が好ましく、より好ましくは８０％以上で、より好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。また、透明電極膜の表面抵抗は、画素電極であるか対向電極であるか、さらには電荷蓄積／転送・読み出し部位がＣＣＤ構造であるかＣＭＯＳ構造であるか等により好ましい範囲は異なる。対向電極に使用し電荷蓄積／転送／読み出し部位がＣＭＯＳ構造の場合には１００００Ω／□以下が好ましく、より好ましくは、１０００Ω／□以下である。対向電極に使用し電荷蓄積／転送／読み出し部位がＣＣＤ構造の場合には１０００Ω／□以下が好ましく、より好ましくは、１００Ω／□以下である。画素電極に使用する場合には１００００００Ω／□以下が好ましく、より好ましくは、１０００００Ω／□以下である。 As the material for the transparent electrode film, ITO, IZO, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO), fluorine-doped tin oxide (FTO), zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), gallium-doped zinc oxide ( GZO) or titanium oxide. The light transmittance of the transparent electrode film is preferably 60% or more, more preferably 80% or more, more preferably, in the photoelectric conversion light absorption peak wavelength of the photoelectric conversion film included in the photoelectric conversion element including the transparent electrode film. It is 90% or more, more preferably 95% or more. The preferred range of the surface resistance of the transparent electrode film varies depending on whether it is a pixel electrode or a counter electrode, and whether the charge storage / transfer / read-out site is a CCD structure or a CMOS structure. When it is used for the counter electrode and the charge storage / transfer / readout part has a CMOS structure, it is preferably 10000Ω / □ or less, more preferably 1000Ω / □ or less. When it is used for the counter electrode and the charge storage / transfer / readout part has a CCD structure, it is preferably 1000Ω / □ or less, more preferably 100Ω / □ or less. When used for a pixel electrode, it is preferably 1000000 Ω / □ or less, more preferably 100000 Ω / □ or less.
透明電極膜成膜時の条件について触れる。透明電極膜成膜時の基板温度は５００℃以下が好ましく、より好ましくは、３００℃以下で、さらに好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下である。また、透明電極膜成膜中にガスを導入しても良く、基本的にそのガス種は制限されないが、アルゴン、ヘリウム、酸素、窒素などを用いることができる。また、これらのガスの混合ガスを用いても良い。特に酸化物の材料の場合は、酸素欠陥が入ることが多いので、酸素を用いることが好ましい。 The conditions at the time of forming the transparent electrode film will be mentioned. The substrate temperature at the time of forming the transparent electrode film is preferably 500 ° C. or lower, more preferably 300 ° C. or lower, further preferably 200 ° C. or lower, and further preferably 150 ° C. or lower. Further, a gas may be introduced during the formation of the transparent electrode film, and basically the gas species is not limited, but argon, helium, oxygen, nitrogen and the like can be used. Further, a mixed gas of these gases may be used. In particular, in the case of an oxide material, oxygen defects are often introduced, so that oxygen is preferably used.
光電変換層に電圧を印加した場合、光電変換効率が向上する点で好ましい。印加電圧としては、いかなる電圧でも良いが、光電変換層の層厚により必要な電圧は変わってくる。すなわち、光電変換効率は、光電変換層に加わる電場が大きいほど向上するが、同じ印加電圧でも光電変換層の層厚が薄いほど加わる電場は大きくなる。従って、光電変換層の層厚が薄い場合は、印加電圧は相対的に小さくても良い。光電変換層に加える電場として好ましくは、１０Ｖ・ｍ−１以上であり、さらに好ましくは１×１０３Ｖ・ｍ−１以上、さらに好ましくは１×１０５Ｖ・ｍ−１以上、特に好ましくは１×１０６Ｖ・ｍ−１以上、最も好ましくは１×１０７Ｖ・ｍ−１以上である。上限は特にないが、電場を加えすぎると暗所でも電流が流れ好ましくないので、１×１０１２Ｖ・ｍ−１以下が好ましく、さらに１×１０９Ｖ・ｍ−１以下が好ましい。 When a voltage is applied to the photoelectric conversion layer, it is preferable in that the photoelectric conversion efficiency is improved. The applied voltage may be any voltage, but the necessary voltage varies depending on the thickness of the photoelectric conversion layer. That is, the photoelectric conversion efficiency improves as the electric field applied to the photoelectric conversion layer increases, but the applied electric field increases as the thickness of the photoelectric conversion layer decreases even at the same applied voltage. Therefore, when the photoelectric conversion layer is thin, the applied voltage may be relatively small. The electric field applied to the photoelectric conversion layer is preferably 10 V · m −1 or more, more preferably 1 × 10 3 V · m −1 or more, more preferably 1 × 10 5 V · m −1 or more, particularly preferably. 1 × 10 6 V · m −1 or more, most preferably 1 × 10 7 V · m −1 or more. There is no particular upper limit, but if an electric field is applied too much, an electric current flows even in a dark place, which is not preferable, and is preferably 1 × 10 12 V · m −1 or less, and more preferably 1 × 10 9 V · m −1 or less.
（無機層）
無機層について説明する。この場合、上層の有機層を通過した光を無機層で光電変換することになる。無機層としては結晶シリコン、非晶質シリコン、ガリウム砒素などの化合物半導体のｐｎ接合またはｐｉｎ接合が一般的に用いられる。積層型構造として米国特許第５９６５８７５号明細書に開示されている方法を採用することができる。すなわちシリコンの吸収係数の波長依存性を利用して積層された受光部を形成し、その深さ方向で色分離を行う構成である。この場合、シリコンの光進入深さで色分離を行っているため積層された各受光部で検知するスペクトル範囲はブロードとなる。しかしながら、前述した有機層を上層に用いることにより、すなわち有機層を透過した光をシリコンの深さ方向で検出することにより色分離が顕著に改良される。特に有機層にＧ層を配置すると有機層を透過する光は青色光と赤色光になるためにシリコンでの深さ方向での光の分別は青色・赤色光のみとなり色分離が改良される。有機層がＢ層またはＲ層の場合でもシリコンの光電変換部位を深さ方向で適宜選択することにより顕著に色分離が改良される。有機層が２層の場合にはシリコンでの光電変換部位としての機能は基本的には１色で良く、好ましい色分離が達成できる。
(Inorganic layer)
The inorganic layer will be described. In this case, light passing through the upper organic layer is photoelectrically converted by the inorganic layer. As the inorganic layer, a pn junction or a pin junction of a compound semiconductor such as crystalline silicon, amorphous silicon, and gallium arsenide is generally used. The method disclosed in US Pat. No. 5,965,875 can be adopted as the laminated structure. In other words, a stacked light receiving portion is formed using the wavelength dependence of the absorption coefficient of silicon, and color separation is performed in the depth direction. In this case, since color separation is performed based on the light penetration depth of silicon, the spectral range detected by each stacked light receiving unit is broad. However, color separation is remarkably improved by using the above-described organic layer as an upper layer, that is, by detecting light transmitted through the organic layer in the depth direction of silicon. In particular, when the G layer is disposed in the organic layer, the light transmitted through the organic layer becomes blue light and red light, so that the separation of light in the depth direction in silicon is only blue / red light, and color separation is improved. Even when the organic layer is a B layer or an R layer, color separation is remarkably improved by appropriately selecting the photoelectric conversion site of silicon in the depth direction. When the organic layer has two layers, the function as a photoelectric conversion site in silicon may be basically one color, and preferable color separation can be achieved.
無機層は好ましくは、半導体基板内の深さ方向に、画素毎に複数のフォトダイオードが重層され、前記複数のフォトダイオードに吸収される光によって各フォトダイオードに生じる信号電荷に応じた色信号を外部に読み出す構造である。好ましくは、前記複数のフォトダイオードは、青色光を吸収する深さに設けられる第１のフォトダイオードと、赤色光を吸収する深さに設けられる第２のフォトダイオードの少なくとも１つとを含み、前記複数のフォトダイオードの各々に生じる前記信号電荷に応じた色信号を読み出す色信号読み出し回路を備えることが好ましい。この構成により、カラーフィルタを用いることなく色分離を行うことができる。また、場合によっては、負感度成分の光も検出することができるため、色再現性の良いカラー撮像が可能となる。また、前記第１のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約０．２μｍまでの深さに形成され、前記第２のフォトダイオードの接合部は、前記半導体基板表面から約２μｍまでの深さに形成されることが好ましい。 The inorganic layer is preferably formed by stacking a plurality of photodiodes for each pixel in the depth direction in the semiconductor substrate, and a color signal corresponding to a signal charge generated in each photodiode by light absorbed by the plurality of photodiodes. It is a structure that reads out to the outside. Preferably, the plurality of photodiodes include at least one of a first photodiode provided at a depth that absorbs blue light and a second photodiode provided at a depth that absorbs red light, It is preferable to include a color signal readout circuit that reads out a color signal corresponding to the signal charge generated in each of the plurality of photodiodes. With this configuration, color separation can be performed without using a color filter. In some cases, light of a negative sensitivity component can also be detected, so that color imaging with good color reproducibility is possible. The junction of the first photodiode is formed to a depth of about 0.2 μm from the surface of the semiconductor substrate, and the junction of the second photodiode is about 2 μm from the surface of the semiconductor substrate. It is preferable to be formed to a depth.
無機層についてさらに詳細に説明する。無機層の好ましい構成としては、光伝導型、ｐｎ接合型、ショットキ接合型、ｐｉｎ接合型、ＭＳＭ（金属−半導体−金属）型の受光素子やフォトトランジスタ型の受光素子が挙げられる。単一の半導体基板内に、第１導電型の領域と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域とを交互に複数積層し、前記第１導電型および第２導電型の領域の各接合面を、それぞれ異なる複数の波長帯域の光を主に光電変換するために適した深さに形成してなる受光素子を用いることが好ましい。単一の半導体基板としては、単結晶シリコンが好ましく、シリコン基板の深さ方向に依存する吸収波長特性を利用して色分離を行うことができる。 The inorganic layer will be described in more detail. Preferred configurations of the inorganic layer include a photoconductive type, a pn junction type, a Schottky junction type, a pin junction type, an MSM (metal-semiconductor-metal) type light receiving element, and a phototransistor type light receiving element. A plurality of first conductivity type regions and second conductivity type regions opposite to the first conductivity type are alternately stacked in a single semiconductor substrate, and the first conductivity type and the second conductivity type are stacked. It is preferable to use a light receiving element in which each joint surface of the conductive type region is formed to a depth suitable for mainly photoelectrically converting light in a plurality of different wavelength bands. As the single semiconductor substrate, single crystal silicon is preferable, and color separation can be performed using absorption wavelength characteristics depending on the depth direction of the silicon substrate.
無機半導体として、ＩｎＧａＮ系、ＩｎＡｌＮ系、ＩｎＡｌＰ系、またはＩｎＧａＡｌＰ系の無機半導体を用いることもできる。ＩｎＧａＮ系の無機半導体は、Ｉｎの含有組成を適宜変更し、青色の波長範囲内に極大吸収値を有するよう調整されたものである。すなわち、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦Ｘ＜１）の組成となる。このような化合物半導体は、有機金属化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ法）を用いて製造される。Ｇａと同じ１３族原料のＡｌを用いる窒化物半導体のＩｎＡｌＮ系についても、ＩｎＧａＮ系と同様に短波長受光部として利用することができる。また、ＧａＡｓ基板に格子整合するＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰを用いることもできる As the inorganic semiconductor, an InGaN-based, InAlN-based, InAlP-based, or InGaAlP-based inorganic semiconductor can also be used. The InGaN-based inorganic semiconductor is adjusted so as to have a maximum absorption value in a blue wavelength range by appropriately changing the In-containing composition. That is, the composition is In x Ga 1-x N (0 ≦ X <1). Such a compound semiconductor is manufactured using a metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD method). A nitride semiconductor InAlN system using Al, which is the same group 13 raw material as Ga, can also be used as a short wavelength light receiving section in the same manner as the InGaN system. It is also possible to use InAlP or InGaAlP lattice-matched to the GaAs substrate.
無機半導体は、埋め込み構造となっていてもよい。埋め込み構造とは、短波長受光部部分の両端を短波長受光部とは異なる半導体で覆われる構成のものをいう。両端を覆う半導体としては、短波長受光部のバンドギャップ波長より短いまたは同等のバンドギャップ波長を有する半導体であることが好ましい。有機層と無機層とは、どのような形態で結合されていてもよい。また、有機層と無機層との間には、電気的に絶縁するために、絶縁層を設けることが好ましい。 The inorganic semiconductor may have a buried structure. The embedded structure means a structure in which both ends of the short wavelength light receiving part are covered with a semiconductor different from the short wavelength light receiving part. The semiconductor covering both ends is preferably a semiconductor having a band gap wavelength shorter than or equivalent to the band gap wavelength of the short wavelength light receiving part. The organic layer and the inorganic layer may be combined in any form. In addition, it is preferable to provide an insulating layer between the organic layer and the inorganic layer in order to electrically insulate.
接合は、光入射側から、ｎｐｎ、またはｐｎｐｎとなっていることが好ましい。特に、表面にｐ層を設け表面の電位を高くしておくことで、表面付近で発生した正孔、および暗電流をトラップすることができ暗電流を低減できるため、ｐｎｐｎ接合とすることがより好ましい。 The junction is preferably npn or pnpn from the light incident side. In particular, by providing a p-layer on the surface and increasing the surface potential, holes generated in the vicinity of the surface and dark current can be trapped and dark current can be reduced. preferable.
このようなフォトダイオードは、ｐ型シリコン基板表面から順次拡散される、ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層、ｐ型層をこの順に深く形成することで、ｐｎ接合ダイオードがシリコンの深さ方向にｐｎｐｎの４層が形成される。ダイオードに表面側から入射した光は波長の長いものほど深く侵入し、入射波長と減衰係数はシリコン固有の値を示すので、ｐｎ接合面の深さが可視光の各波長帯域を満足するように設計する。同様に、ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層の順に形成することで、ｎｐｎの３層の接合ダイオードが得られる。ここで、ｎ型層から光信号を取り出し、ｐ型層は接地する。
また、各領域に引き出し電極を設け、所定のリセット電位をかけると、各領域が空乏化し、各接合部の容量は限りなく小さい値になる。これにより、接合面に生じる容量を極めて小さくすることができる。
In such a photodiode, an n-type layer, a p-type layer, an n-type layer, and a p-type layer that are sequentially diffused from the surface of the p-type silicon substrate are formed deeply in this order, so that the pn junction diode has a silicon depth. Four layers of pnpn are formed in the direction. The light incident on the diode from the surface side penetrates deeper as the wavelength is longer, and the incident wavelength and attenuation coefficient show values specific to silicon, so that the depth of the pn junction surface satisfies each wavelength band of visible light. design. Similarly, an n-type layer, a p-type layer, and an n-type layer are formed in this order to obtain a npn three-layer junction diode. Here, an optical signal is taken out from the n-type layer, and the p-type layer is grounded.
Further, when an extraction electrode is provided in each region and a predetermined reset potential is applied, each region is depleted, and the capacitance of each junction becomes an extremely small value. Thereby, the capacity | capacitance produced in a joint surface can be made very small.
（補助層）
好ましくは光電変換層の最上層に紫外線吸収層および／または赤外線吸収層を有する。紫外線吸収層は少なくとも４００ｎｍ以下の光を吸収または反射することができ、好ましくは４００ｎｍ以下の波長域での吸収率は５０％以上である。赤外線吸収層は少なくとも７００ｎｍ以上の光を吸収または反射することができ、好ましくは７００ｎｍ以上の波長域での吸収率は５０％以上である。
(Auxiliary layer)
Preferably, the uppermost layer of the photoelectric conversion layer has an ultraviolet absorption layer and / or an infrared absorption layer. The ultraviolet absorbing layer can absorb or reflect at least light of 400 nm or less, and preferably has an absorptance of 50% or more in a wavelength region of 400 nm or less. The infrared absorbing layer can absorb or reflect light of at least 700 nm or more, and preferably has an absorptance of 50% or more in a wavelength region of 700 nm or more.
これらの紫外線吸収層、赤外線吸収層は従来公知の方法によって形成できる。例えば基板上にゼラチン、カゼイン、グリュあるいはポリビニルアルコールなどの親水性高分子物質からなる媒染層を設け、その媒染層に所望の吸収波長を有する色素を添加もしくは染色して着色層を形成する方法が知られている。さらには、ある種の着色材が透明樹脂中に分散されてなる着色樹脂を用いた方法が知られている。例えば、特開昭５８−４６３２５号公報，特開昭６０−７８４０１号公報，特開昭６０−１８４２０２号公報，特開昭６０−１８４２０３号公報，特開昭６０−１８４２０４号公報，特開昭６０−１８４２０５号公報等に示されている様に、ポリアミノ系樹脂に着色材を混合した着色樹脂膜を用いることができる。感光性を有するポリイミド樹脂を用いた着色剤も可能である。 These ultraviolet absorbing layer and infrared absorbing layer can be formed by a conventionally known method. For example, a method of forming a colored layer by providing a mordant layer made of a hydrophilic polymer material such as gelatin, casein, mul or polyvinyl alcohol on a substrate and adding or dyeing a dye having a desired absorption wavelength to the mordant layer. Are known. Furthermore, a method using a colored resin in which a certain kind of coloring material is dispersed in a transparent resin is known. For example, JP-A-58-46325, JP-A-60-78401, JP-A-60-184202, JP-A-60-184203, JP-A-60-184204, JP As shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-184205 and the like, a colored resin film obtained by mixing a colorant with a polyamino resin can be used. A colorant using a polyimide resin having photosensitivity is also possible.
特公平７−１１３６８５号公報記載の感光性を有する基を分子内に持つ、２００℃以下にて硬化膜を得ることのできる芳香族系のポリアミド樹脂中に着色材料を分散すること、特公平７−６９４８６号公報記載の含量を分散着色樹脂を用いることも可能である。好ましくは誘電体多層膜が用いられる。誘電体多層膜は光の透過の波長依存性がシャープであり、好ましく用いられる。 Dispersing a coloring material in an aromatic polyamide resin having a photosensitivity group described in Japanese Patent Publication No. 7-113685 in a molecule and capable of obtaining a cured film at 200 ° C. or lower; It is also possible to use a dispersion colored resin with the content described in JP-A-69486. A dielectric multilayer film is preferably used. The dielectric multilayer film is preferably used because of its sharp wavelength dependency of light transmission.
積層される複数の光電変換層は絶縁層により分離されていることが好ましい。絶縁層は、ガラス、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性絶縁材料を用いて形成することができる。窒化珪素、酸化珪素等も好ましく用いられる。プラズマＣＶＤ法で成膜した窒化珪素は緻密性が高く透明性も良いために好ましく用いられる。更に、マイクロレンズアレイを受光素子の上部に形成することにより、集光効率を向上させることができるため、このような態様も好ましい。 The plurality of stacked photoelectric conversion layers are preferably separated by an insulating layer. The insulating layer can be formed using a transparent insulating material such as glass, polyethylene, polyethylene terephthalate, polyethersulfone, and polypropylene. Silicon nitride, silicon oxide and the like are also preferably used. Silicon nitride formed by a plasma CVD method is preferably used because it has high density and good transparency. Furthermore, since the light collection efficiency can be improved by forming the microlens array on the light receiving element, such an embodiment is also preferable.
（電荷蓄積／転送／読み出し部位）
電荷転送／読み出し部位については特開昭５８−１０３１６６号公報、特開昭５８−１０３１６５号公報、特開２００３−３３２５５１号公報等を参考にすることができる。半導体基板上にＭＯＳトランジスタが各画素単位に形成された構成や、あるいは、素子としてＣＣＤを有する構成を適宜採用することができる。例えばＭＯＳトランジスタを用いた積層型固体撮像素子の場合、電極を透過した入射光によって光導電膜の中に電荷が発生し、電極に電圧を印加することにより電極と電極との間に生じる電界によって電荷が光電変換層の中を電極まで走行し、さらにＭＯＳトランジスタの電荷蓄積部まで移動し、電荷蓄積部に電荷が蓄積される。電荷蓄積部に蓄積された電荷は、ＭＯＳトランジスタのスイッチングにより電荷読出し部に移動し、さらに電気信号として出力される。これにより、フルカラーの画像信号が得られる。一定量のバイアス電荷を蓄積ダイオードに注入して（リフレッシュモード）おき、一定の電荷を蓄積（光電変換モード）後、信号電荷を読み出すことが可能である。光電変換層そのものを蓄積ダイオードとして用いることもできるし、別途、蓄積ダイオードを付設することもできる。
(Charge accumulation / transfer / readout part)
Regarding the charge transfer / readout site, reference can be made to JP-A-58-103166, JP-A-58-103165, JP-A-2003-332551, and the like. A configuration in which a MOS transistor is formed in each pixel unit on a semiconductor substrate or a configuration having a CCD as an element can be appropriately employed. For example, in the case of a stacked solid-state imaging device using a MOS transistor, charges are generated in the photoconductive film by incident light transmitted through the electrodes, and an electric field generated between the electrodes by applying a voltage to the electrodes. The charge travels through the photoelectric conversion layer to the electrode, and further moves to the charge storage portion of the MOS transistor, and the charge is stored in the charge storage portion. The charge accumulated in the charge accumulation unit moves to the charge readout unit by switching of the MOS transistor, and is further output as an electric signal. Thereby, a full color image signal is obtained. It is possible to inject a certain amount of bias charge into the storage diode (refresh mode) and store the constant charge (photoelectric conversion mode), and then read out the signal charge. The photoelectric conversion layer itself can be used as a storage diode, or a storage diode can be additionally provided.
信号の読み出しについてさらに詳細に説明する。信号の読み出しは、通常のカラー読み出し回路を用いることができる。受光部で光／電気変換された信号電荷もしくは信号電流は、受光部そのものもしくは付設されたキャパシタで蓄えられる。蓄えられた電荷は、Ｘ−Ｙアドレス方式を用いたＭＯＳ型撮像素子（いわゆるＣＭＯＳセンサ）の手法により、画素位置の選択とともに読み出される。他には、アドレス選択方式として、１画素づつ順次マルチプレクサスイッチとデジタルシフトレジスタで選択し、共通の出力線に信号電圧（または電荷）として読み出す方式が挙げられる。２次元にアレイ化されたＸ−Ｙアドレス操作の撮像素子がＣＭＯＳセンサとして知られる。これは、Ｘ−Ｙの交点に接続された画素に設けられたスイッチは垂直シフトレジスタに接続され、垂直走査シフトレジスタからの電圧でスイッチがオンすると同じ行に設けられた画素から読み出された信号は、列方向の出力線に読み出される。この信号は水平走査シフトレジスタにより駆動されるスイッチを通して順番に出力端から読み出される。 The signal readout will be described in more detail. An ordinary color readout circuit can be used for signal readout. The signal charge or signal current optically / electrically converted by the light receiving unit is stored in the light receiving unit itself or an attached capacitor. The stored charge is read out together with the selection of the pixel position by a technique of a MOS type image pickup device (so-called CMOS sensor) using an XY address method. In addition, as an address selection method, there is a method in which each pixel is sequentially selected by a multiplexer switch and a digital shift register and read as a signal voltage (or charge) to a common output line. An image sensor for XY address operation that is two-dimensionally arrayed is known as a CMOS sensor. This is because the switch provided in the pixel connected to the intersection of XY is connected to the vertical shift register, and when the switch is turned on by the voltage from the vertical scanning shift register, the pixel is read out from the pixel provided in the same row. The signal is read out to the output line in the column direction. This signal is sequentially read from the output through a switch driven by a horizontal scanning shift register.
出力信号の読み出しには、フローティングディフュージョン検出器や、フローティングゲート検出器を用いることができる。また画素部分に信号増幅回路を設けることや、相関二重サンプリング（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ Ｄｏｕｂｌｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）の手法などにより、Ｓ／Ｎの向上をはかることができる。 For reading out the output signal, a floating diffusion detector or a floating gate detector can be used. Further, the S / N can be improved by providing a signal amplification circuit in the pixel portion or a correlated double sampling technique.
信号処理には、ＡＤＣ回路によるガンマ補正、ＡＤ変換機によるデジタル化、輝度信号処理や、色信号信号処理を施すことができる。色信号処理としては、ホワイトバランス処理や、色分離処理、カラーマトリックス処理などが挙げられる。ＮＴＳＣ信号に用いる際は、ＲＧＢ信号をＹＩＱ信号の変換処理を施すことができる。 For signal processing, gamma correction by an ADC circuit, digitization by an AD converter, luminance signal processing, and color signal signal processing can be performed. Examples of the color signal processing include white balance processing, color separation processing, and color matrix processing. When used for NTSC signals, RGB signals can be converted to YIQ signals.
電荷転送・読み出し部位は電荷の移動度が１００ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１以上であることが必要であり、この移動度は、材料をＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族の半導体から選択することによって得ることができる。その中でも微細化技術が進んでいることと、低コストであることからシリコン半導体が好ましい。電荷転送・電荷読み出しの方式は数多く提案されているが、何れの方式でも良い。特に好ましい方式はＣＭＯＳ型あるいはＣＣＤ型のデバイスである。更に、ＣＭＯＳ型の方が高速読み出し、画素加算、部分読み出し、消費電力などの点で好ましいことが多い。 The charge transfer / readout site needs to have a charge mobility of 100 cm 2 · V −1 · s −1 or more, and this mobility is based on the group IV, III-V and II-VI groups. It can be obtained by selecting from a semiconductor. Among these, a silicon semiconductor is preferable because of the progress in miniaturization technology and low cost. Many methods of charge transfer and charge reading have been proposed, but any method may be used. A particularly preferred method is a CMOS type or CCD type device. Further, the CMOS type is often preferable in terms of high-speed reading, pixel addition, partial reading, power consumption, and the like.
（接続）
光電変換層を挟む電極と電荷転送・読み出し部位を連結する複数のコンタクト部位はいずれの金属で連結してもよいが、銅、アルミニウム、銀、金、クロム、タングステンの中から選択するのが好ましく、特に銅が好ましい。複数の光電変換層に応じて、それぞれのコンタクト部位を電荷転送・読み出し部位との間に設置する必要がある。青色・緑色・赤色光の複数感光単位の積層構造を採る場合、青色光用取り出し電極と電荷転送・読み出し部位の間、緑色光用取り出し電極と電荷転送・読み出し部位の間および赤色光用取り出し電極と電荷転送・読み出し部位の間をそれぞれ連結する必要がある。
(Connection)
The electrodes sandwiching the photoelectric conversion layer and the plurality of contact parts that connect the charge transfer / readout part may be connected by any metal, but are preferably selected from copper, aluminum, silver, gold, chromium, and tungsten. In particular, copper is preferred. In accordance with a plurality of photoelectric conversion layers, it is necessary to install each contact part between the charge transfer / readout part. When a laminated structure of a plurality of photosensitive units of blue, green, and red light is employed, between the blue light extraction electrode and the charge transfer / readout portion, between the green light extraction electrode and the charge transfer / readout portion, and the red light extraction electrode And the charge transfer / readout part must be connected to each other.
（プロセス）
積層型固体撮像素子は、公知の集積回路などの製造に用いるいわゆるミクロファブリケーションプロセスにしたがって製造することができる。基本的には、この方法は活性光や電子線などによるパターン露光（水銀のｉ，ｇ輝線、エキシマレーザ、さらにはＸ線、電子線）、現像および／またはバーニングによるパターン形成、素子形成材料の配置（塗設、蒸着、スパッタ、ＣＶなど）、非パターン部の材料の除去（熱処理、溶解処理など）の反復操作による。
(process)
The stacked solid-state imaging device can be manufactured according to a so-called microfabrication process used for manufacturing a known integrated circuit or the like. Basically, this method uses pattern exposure by active light or electron beam (mercury i, g emission line, excimer laser, X-ray, electron beam), pattern formation by development and / or burning, and element formation material By repeated operation of arrangement (coating, vapor deposition, sputtering, CV, etc.) and removal of non-patterned material (heat treatment, dissolution treatment, etc.).
（用途）
デバイスのチップサイズは、ブローニーサイズ、１３５サイズ、ＡＰＳサイズ、１／１．８インチ、さらに小型のサイズでも選択することができる。本発明の積層光電変換素子の画素サイズは複数の電磁波吸収・光電変換部位の最大面積に相当する円相当直径で表す。いずれの画素サイズであっても良いが、２〜２０ミクロンの画素サイズが好ましい。さらに好ましくは２〜１０ミクロンであるが、３〜８ミクロンが特に好ましい。画素サイズが２０ミクロンを超えると解像力が低下し、画素サイズが２ミクロンよりも小さくてもサイズ間の電波干渉のためか解像力が低下する。
(Use)
The chip size of the device can be selected from brownie size, 135 size, APS size, 1 / 1.8 inch, and even smaller size. The pixel size of the laminated photoelectric conversion element of the present invention is represented by a circle-equivalent diameter corresponding to the maximum area of a plurality of electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion sites. Any pixel size may be used, but a pixel size of 2 to 20 microns is preferable. More preferably, it is 2 to 10 microns, but 3 to 8 microns is particularly preferable. When the pixel size exceeds 20 microns, the resolving power decreases, and even if the pixel size is smaller than 2 microns, the resolving power decreases due to radio wave interference between the sizes.
積層型固体撮像素子は、デジタルスチルカメラに利用することが出来る。また、テレビカメラに用いることも好ましい。その他の用途として、デジタルビデオカメラ、下記用途などでの監視カメラ（オフィスビル、駐車場、金融機関・無人契約機、ショッピングセンタ、コンビニエンスストア、アウトレットモール、百貨店、パチンコホール、カラオケボックス、ゲームセンタ、病院）、その他各種のセンサ（テレビドアホン、個人認証用センサ、ファクトリーオートメーション用センサ、家庭用ロボット、産業用ロボット、配管検査システム）、医療用センサ（内視鏡、眼底カメラ）、テレビ会議システム、テレビ電話、カメラ付き携帯電話、自動車安全走行システム（バックガイドモニタ、衝突予測、車線維持システム）、テレビゲーム用センサなどの用途に用いることが出来る。 The stacked solid-state imaging device can be used for a digital still camera. It is also preferable to use it for a television camera. Other applications include digital video cameras, surveillance cameras for the following applications (office buildings, parking lots, financial institutions and unmanned contractors, shopping centers, convenience stores, outlet malls, department stores, pachinko halls, karaoke boxes, game centers, Hospital), various other sensors (TV door phone, personal authentication sensor, factory automation sensor, home robot, industrial robot, piping inspection system), medical sensor (endoscope, fundus camera), video conference system, It can be used for applications such as videophones, camera-equipped mobile phones, car safety driving systems (back guide monitors, collision prediction, lane keeping systems), and video game sensors.
中でも、積層型固体撮像素子は、テレビカメラ用途としても適するものである。その理由は、色分解光学系を必要としないためにテレビカメラの小型軽量化を達成することが出来るためである。また、高感度で高解像力を有することから、ハイビジョン放送用テレビカメラに特に好ましい。この場合のハイビジョン放送用テレビカメラとは、デジタルハイビジョン放送用カメラを含むものである。更に、積層型固体撮像素子においては、光学ローパスフィルタを不要とすることが出来、更なる高感度、高解像力が期待できる点で好ましい。更に、積層型固体撮像素子においては厚みを薄くすることが可能であり、かつ色分解光学系が不要となる為、「日中と夜間のように異なる明るさの環境」、「静止している被写体と動いている被写体」など、異なる感度が要求される撮影シーン、その他分光感度、色再現性に対する要求が異なる撮影シーンに対して、積層型固体撮像素子を交換して撮影する事により１台のカメラにて多様な撮影の需要に応えることが出来、同時に複数台のカメラを持ち歩く必要がない為、撮影者の負担も軽減する。交換の対象となる積層型固体撮像素子としては、上記の他に赤外光撮影用、白黒撮影用、ダイナミックレンジの変更を目的に交換光電変換素子を用意することが出来る。 Among these, the multilayer solid-state imaging device is suitable for TV camera applications. This is because a television camera can be reduced in size and weight because no color separation optical system is required. Further, since it has high sensitivity and high resolution, it is particularly preferable for a television camera for high-definition broadcasting. In this case, the high-definition broadcast television camera includes a digital high-definition broadcast camera. Further, the stacked solid-state imaging device is preferable in that an optical low-pass filter can be omitted, and higher sensitivity and higher resolution can be expected. Furthermore, since it is possible to reduce the thickness of the stacked solid-state imaging device and eliminate the need for a color separation optical system, “an environment with different brightness such as daytime and nighttime”, “still For shooting scenes that require different sensitivities, such as “subject and moving subject”, and other shooting scenes that require different spectral sensitivity and color reproducibility, one camera can be used by shooting with the stacked solid-state imaging device replaced. This camera can meet various demands for photography, and it is not necessary to carry multiple cameras at the same time. As the stacked solid-state imaging device to be exchanged, in addition to the above, an exchange photoelectric conversion device can be prepared for infrared light photography, monochrome photography, and dynamic range change.
テレビカメラは、映像情報メディア学会編「テレビジョンカメラの設計技術」（コロナ社、１９９９年）第２章の記述を参考にし、例えば図２．１テレビカメラの基本的な構成の色分解光学系および撮像デバイスの部分を、上述した積層型固体撮像素子と置き換えることにより作製することができる。上述の光電変換素子は、配列することで撮像素子として利用することができるだけでなく、単体としてバイオセンサや化学センサなどの光センサやカラー受光素子としても利用可能である。 The TV camera can be referred to the description in Chapter 2 of “Design Technology for Television Cameras” edited by the Institute of Image Information and Television Engineers (Corona, 1999). For example, the color separation optical system shown in FIG. Further, the imaging device can be manufactured by replacing the part of the imaging device with the above-described stacked solid-state imaging device. The above-described photoelectric conversion elements can be used not only as an image pickup element by being arranged, but also as an optical sensor such as a biosensor or a chemical sensor or a color light receiving element as a single unit.
（第二実施形態）
本実施形態では、第一実施形態で説明した光電変換素子を用いた積層型固体撮像素子の一例を説明する。
(Second embodiment)
In this embodiment, an example of a stacked solid-state imaging device using the photoelectric conversion element described in the first embodiment will be described.
図２は、本発明の第二実施形態を説明するための積層型固体撮像素子の部分断面模式図である。
図２では、光を検出して電荷を蓄積する部分である画素部における２画素分の断面と、その画素部にある電極に接続される配線や、その配線に接続されるボンディングパッド等が形成される部分である周辺回路部との断面を併せて示した。
FIG. 2 is a partial cross-sectional schematic view of a stacked solid-state imaging device for explaining a second embodiment of the present invention.
In FIG. 2, a cross section for two pixels in a pixel portion, which is a portion that detects light and accumulates charges, wiring connected to an electrode in the pixel portion, a bonding pad connected to the wiring, and the like are formed. The cross section with the peripheral circuit part which is a part to be performed is also shown.
画素部のｎ型シリコン基板４１３には、表面部にｐ領域４２１が形成され、ｐ領域４２１の表面部にはｎ領域４２２が形成され、ｎ領域４２２の表面部にはｐ領域４２３が形成され、ｐ領域４２３の表面部にはｎ領域４２４が形成されている。
In the n-
ｐ領域４２１は、ｎ型シリコン基板４１３とのｐｎ接合により光電変換された赤色（Ｒ）成分の電子を蓄積する。Ｒ成分の電子が蓄積されたことによるｐ領域４２１の電位変化が、ｎ型シリコン基板４１３に形成されたＭＯＳトランジスタ４２６から、そこに接続されたメタル配線４１９を介して信号読み出しＰＡＤ４２７に読み出される。
The
ｐ領域４２３は、ｎ領域４２２とのｐｎ接合により光電変換された青色（Ｂ）成分の電子を蓄積する。Ｂ成分の電子が蓄積されたことによるｐ領域４２３の電位変化が、ｎ領域４２２に形成されたＭＯＳトランジスタ４２６’から、そこに接続されたメタル配線４１９を介して信号読み出しＰＡＤ４２７に読み出される。
The
ｎ領域４２４内には、ｎ型シリコン基板４１３上方に積層された光電変換層４２２で発生した緑色（Ｇ）成分の正孔を蓄積するｐ領域からなる正孔蓄積領域４２５が形成されている。Ｇ成分の正孔が蓄積されたことによる正孔蓄積領域４２５の電位変化が、ｎ領域４２４内に形成されたＭＯＳトランジスタ４２６’’から、そこに接続された金属配線４１９を介して信号読み出しＰＡＤ４２７に読み出される。通常、信号読み出しＰＡＤ４２７は、各色成分が読み出されるトランジスタ毎に別々に設けられる。
In the
ここでｎ領域、ｐ領域、トランジスタ、金属配線等は模式的に示したが、それぞれの構造等はこれに限らず、適宜最適なものが選ばれる。Ｂ光、Ｒ光はシリコン基板の深さにより分別しているのでｐｎ接合等のシリコン基板表面からの深さ、各不純物のドープ濃度の選択などは重要である。 Here, the n region, the p region, the transistor, the metal wiring, and the like are schematically shown. However, the structure and the like are not limited to this, and an optimal one is appropriately selected. Since the B light and R light are separated according to the depth of the silicon substrate, it is important to select the depth from the surface of the silicon substrate such as a pn junction and the doping concentration of each impurity.
ｎ型シリコン基板４１３上には、酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする透明な絶縁層４１２が形成され、絶縁層４１２上には酸化珪素、窒化珪素等を主成分とする透明な絶縁層４１１が形成されている。絶縁層４１２の層厚は薄いほど好ましく５μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下である。
A transparent insulating
絶縁層４１１，４１２内には、下部電極４１４と正孔蓄積領域としてのｐ領域４２５とを電気的に接続する例えばタングステンを主成分としたプラグ４１５が形成されており、プラグ４１５は絶縁層４１１と絶縁層４１２との間でパッド４１６によって中継接続されている。パッド４１６はアルミニウムを主成分としたものが好ましく用いられる。絶縁層４１２内には、前述した金属配線４１９やトランジスタ４２６，４２６’，４２６’’のゲート電極等も形成されている。金属配線も含めてバリア層が設けられていることが好ましい。プラグ４１５は、１画素毎に設けられている。
In the insulating
絶縁層４１１内には、ｎ領域４２４とｐ領域４２５のｐｎ接合による電荷の発生に起因するノイズを防ぐために、遮光膜４１７が設けられている。遮光膜４１７は通常、タングステンやアルミニウム等を主成分としたものが用いられる。絶縁層４１１内には、ボンディングパッド４２０（外部から電源を供給するためのパッド）と、信号読み出しパッド４２７が形成される。
In the insulating
絶縁層４１１内の各画素のプラグ４１５上には透明な下部電極４１４が形成されている。下部電極４１４は、画素毎に分割されており、この大きさによって受光面積が決定される。下部電極４１４上には中間層４２が形成され、この上に、上部電極４２８が形成されている。上部電極４２８には、ボンディングパッド４２０からの配線を通じてバイアスがかけられる。
A transparent
中間層４２は、下部電極４１４上に、凹凸緩和層４２１と、光電変換層４２２と、電荷ブロッキング層４２３とがこの順に積層されて構成される。中間層４２の厚みは、０．５μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下、特に好ましくは０．２μｍ以下である。下部電極４１４及び上部電極４２８の厚みは、それぞれ０．２μｍ以下が好ましい。
The
図２の構成では、光電変換層４２２は、緑色光を吸収してこれに応じた電子及び正孔を発生する材料を用いる。中間層４２は、全画素で共通して用いることができるため、画素毎に分離しておく必要はない。
In the configuration of FIG. 2, the
光電変換層４２２を構成する有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として、それぞれキナクリドン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、及びフルオランテン誘導体のいずれかを特に好ましく用いることができる。
As the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor constituting the
図２の積層型固体撮像素子は、上部電極４２８を光入射側の電極とし、光電変換層４２２で発生した電子が上部電極４２８に移動し、光電変換層４２２で発生した正孔が下部電極４１４に移動するように、下部電極４１４と上部電極４２８に電圧が印加される。
The stacked solid-state imaging device in FIG. 2 uses the
電荷ブロッキング層４２３は、下部電極４１４と上部電極４２８への電圧印加時に、上部電極４２８から正孔が注入されることによる暗電流を低減するために設けられており、上部電極４２８からの正孔が光電変換層４２２に注入されるのを抑制する。
The
下部電極４１４、中間層４２、及び上部電極４２８の周囲には、これらを保護する機能を持つ窒化珪素又は窒化酸化珪素を主成分とする保護層４０４が形成されている。保護層４０４には、画素部の下部電極４１４と重ならない位置に開口が形成され、絶縁層４１１及び保護層４０４には、ボンディングパッド４２０上の一部に開口が形成されている。そして、この２つの開口によって露出する上部電極４２８とボンディングパッド４２０とを電気的に接続して、上部電極４２８に電位を与えるためのアルミニウム等からなる配線４１８が、開口内部及び保護層４０４上に形成されている。配線４１８の材料としては、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金等のアルミニウムを含有する合金を用いることもできる。
Around the
配線４１８上には、配線４１８を保護するための窒化珪素等を主成分とする保護層４０３が形成され、保護層４０３上には赤外線遮断誘電体多層膜４０２が形成され、赤外線遮断誘電体多層膜４０２上には反射防止層４０１が形成されている。
A
下部電極４１４は、図１に示す下部電極２と同じ機能を果たす。光電変換層４２２は、図１に示す光電変換層３と同じ機能を果たす。上部電極４２８は、図１に示す上部電極４と同じ機能を果たす。凹凸緩和層４２１は、図１に示す凹凸緩和層５と同じ機能を果たす。
The
以上のような構成により、１画素でＢＧＲ３色の光を検出してカラー撮像を行うことが可能となる。図２の構成では、２つの画素においてＲ，Ｂを共通の値として用い、Ｇの値だけを別々に用いるが、画像を生成する際はＧの感度が重要となるため、このような構成であっても、良好なカラー画像を生成することが可能である。 With the above configuration, it is possible to perform color imaging by detecting light of BGR three colors with one pixel. In the configuration of FIG. 2, R and B are used as common values in two pixels and only the G value is used separately. However, since the sensitivity of G is important when generating an image, such a configuration is used. Even so, it is possible to generate a good color image.
以下、本発明の実施例を説明する。
以下の実施例において平均面粗さＲａの測定は、凹凸緩和層形成後、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、２×２μｍ□の範囲を、１０箇所測定する事により行った。
Examples of the present invention will be described below.
In the following examples, the average surface roughness Ra was measured by measuring 10 ranges of 2 × 2 μm □ with an atomic force microscope (AFM) after the formation of the relief layer.
（実施例１）
下部電極としてＩＴＯから成る透明電極（厚さ１００ｎｍ）が形成されたガラス基板を使用した。この透明電極の表面の平均面粗さＲａは１．６ｎｍであった。この透明電極の表面上に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（厚さ１００ｎｍ）を加熱蒸着して凹凸緩和層を形成した。次に、凹凸緩和層の上に、キナクリドン（厚さ１００ｎｍ）を加熱蒸着して光電変換層を形成した。次に、光電変換層の上に、Ａｌｑ３（厚さ５０ｎｍ）を加熱蒸着して電子ブロッキング層を形成した。次に、電子ブロッキング層上に、スパッタ法（ＴＳ間距離規定、オフセット有り）によりＩＴＯ（厚さ１０ｎｍ）を成膜して上部電極（正孔捕集電極）を形成した。凹凸緩和層形成後の凹凸緩和層の表面の平均面粗さＲａは０．８５ｎｍであった。このようにして作製した素子を素子Ａとする。
Example 1
A glass substrate on which a transparent electrode (thickness: 100 nm) made of ITO was formed was used as the lower electrode. The average surface roughness Ra of the surface of the transparent electrode was 1.6 nm. On the surface of this transparent electrode, m-MTDATA (
（実施例２）
素子Ａの作製過程において、ＩＴＯ上にｍ−ＭＴＤＡＴＡを蒸着した後に、素子を窒素雰囲気中で１５０℃１時間加熱した以外は、実施例１と同じ条件で素子を作製した。このようにして作製した素子を素子Ｂとする。
(Example 2)
In the manufacturing process of element A, an element was manufactured under the same conditions as in Example 1 except that m-MTDATA was deposited on ITO and then the element was heated at 150 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. The element thus manufactured is referred to as element B.
（実施例３）
素子Ａで、ＩＴＯ上にｍ−ＭＴＤＡＴＡを蒸着する代わりに、ＩＴＯ上にＰＴＰＤＥＳのジクロロエタン溶液をスピンコート法で塗布し、塗布後、真空下で１００℃２時間加熱することによりＰＴＰＤＥＳからなる厚み４０ｎｍの凹凸緩和層を形成し、その後は、実施例１と同じ条件で素子を作製した。凹凸緩和層の表面の平均面粗さＲａは０．４ｎｍであった。このようにして作製した素子を素子Ｃとする。
(Example 3)
In device A, instead of depositing m-MTDATA on ITO, a dichloroethane solution of PTPDES was applied on ITO by spin coating, and after application, the film was heated at 100 ° C. for 2 hours under vacuum to have a thickness of 40 nm made of PTPDES. After that, an unevenness relief layer was formed, and thereafter, an element was fabricated under the same conditions as in Example 1. The average surface roughness Ra of the surface of the uneven relief layer was 0.4 nm. The element thus fabricated is referred to as element C.
（比較例）
素子Ａでｍ−ＭＴＤＡＴＡの蒸着工程を省略した以外は実施例１と同じ条件で素子を作製した。このようにして作製した素子を素子Ｄとする。
(Comparative example)
An element was produced under the same conditions as in Example 1 except that the vapor deposition step of m-MTDATA was omitted in element A. The element thus manufactured is referred to as element D.
以上のようにして作製した素子Ａ〜Ｄのショート率を求めた。ショート率とは、例えば１０個の素子を作製したときに、そのうちの何個がショートしていたかを示す割合のことである。素子Ｄのショート率を１００とすると、素子Ａのショート率は６５以下、素子Ｂのショート率は３０以下、素子Ｃのショート率は１６以下となり、凹凸緩和層を設けることで、歩留まりを改善できることが分かった。 The short ratio of the elements A to D manufactured as described above was obtained. The short-circuit rate is a ratio indicating how many of, for example, 10 elements are short-circuited. When the short rate of element D is 100, the short rate of element A is 65 or less, the short rate of element B is 30 or less, the short rate of element C is 16 or less, and the yield can be improved by providing an uneven relief layer. I understood.
以上のように本明細書には以下の事項が開示されている。 As described above, the following items are disclosed in this specification.
開示された光電変換素子の製造方法は、一対の電極と、前記一対の電極に挟まれた光電変換層とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記一対の電極の一方の電極を形成する工程と、前記一方の電極上に、アモルファス性材料又は高分子材料を成膜し、アモルファス性材料の膜又は高分子材料の膜を加熱して、前記一方の電極の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層を形成する工程と、前記凹凸緩和層上に前記光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に前記一対の電極の他方の電極を形成する工程とを含むものである。 The disclosed method for manufacturing a photoelectric conversion element is a method for manufacturing a photoelectric conversion element including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes, wherein one of the pair of electrodes is formed. And forming an amorphous material or a polymer material on the one electrode, and heating the amorphous material film or the polymer material film to alleviate unevenness on the surface of the one electrode. The method includes a step of forming an unevenness relief layer, a step of forming the photoelectric conversion layer on the unevenness relief layer, and a step of forming the other electrode of the pair of electrodes on the photoelectric conversion layer.
開示された光電変換素子の製造方法は、前記凹凸緩和層を形成する工程では、アモルファス性材料の膜又は高分子材料の膜を真空中で加熱するものである。 In the disclosed method for producing a photoelectric conversion element, the film of the amorphous material or the film of the polymer material is heated in a vacuum in the step of forming the unevenness reducing layer.
開示された光電変換素子の製造方法は、前記アモルファス性材料又は高分子材料は、有機材料であるものを含む。 In the disclosed method for manufacturing a photoelectric conversion element, the amorphous material or the polymer material includes an organic material.
開示された光電変換素子の製造方法は、前記他方の電極を透明導電性酸化物によって形成するものである。 In the disclosed method for producing a photoelectric conversion element, the other electrode is formed of a transparent conductive oxide.
開示された光電変換素子の製造方法は、前記他方の電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＡＺＯのうち少なくとも一つを用いて形成するものである。 In the disclosed method for manufacturing a photoelectric conversion element, the other electrode is formed using at least one of ITO, IZO, SnO 2 , ZnO, and AZO.
開示された固体撮像素子は、アレイ状に配列された多数の画素を有する固体撮像素子であって、前記多数の画素の各々は、半導体基板上方に少なくとも１つ積層された前記製造方法によって製造された光電変換素子を含み、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部を備えるものである。 The disclosed solid-state imaging device is a solid-state imaging device having a large number of pixels arranged in an array, and each of the large number of pixels is manufactured by the manufacturing method in which at least one is stacked above a semiconductor substrate. And a signal reading unit that reads a signal corresponding to the electric charge generated in the photoelectric conversion element.
開示された固体撮像素子は、前記一方の電極は画素毎に分割されており、前記光電変換層及び前記凹凸緩和層は、全ての前記画素で共通の一枚構造であるものを含む。 In the disclosed solid-state imaging device, the one electrode is divided for each pixel, and the photoelectric conversion layer and the unevenness reducing layer have a single-sheet structure common to all the pixels.
１ 基板
２ 下部電極
３ 光電変換層
４ 上部電極
５ 凹凸緩和層
６ 電荷ブロッキング層
１００ 光電変換素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower electrode 3
Claims (4)
前記固体撮像素子の各画素の前記一方の電極は画素毎に分割されており、
前記一方の電極を形成する工程と、
前記一方の電極上に、アモルファス性材料を蒸着により成膜し、アモルファス性材料の膜を加熱して、前記一方の電極の表面の凹凸を緩和する前記多数の画素で共通の一枚構造の凹凸緩和層を形成する工程と、
前記凹凸緩和層上に前記光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層上に前記一対の電極の他方の電極を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 A method of manufacturing a solid-state imaging device in which a large number of photoelectric conversion elements including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes are arranged in an array ,
The one electrode of each pixel of the solid-state imaging device is divided for each pixel,
And forming the one electrode,
Wherein on one of the electrodes, the amorphous material is deposited by evaporation, by heating the film in an amorphous material, unevenness of the common single structure by the number of pixels to relax the unevenness of the surface of the one electrode Forming a relaxation layer;
Forming the photoelectric conversion layer on the uneven relief layer;
Method of manufacturing a solid-state imaging device comprising the step of forming the other electrode of the pair of electrodes in the photoelectric conversion layer.
前記アモルファス性材料は、有機材料であり、
前記凹凸緩和層のシート抵抗が１×１０ １５ Ω／□以上である固体撮像素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the solid-state image sensing device according to claim 1 ,
The amorphous material, Ri organic material der,
The manufacturing method of the solid-state image sensor whose sheet resistance of the said uneven | corrugated relief layer is 1 * 10 < 15 > (omega | ohm) / square or more .
前記他方の電極を透明導電性酸化物によって形成する固体撮像素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the solid-state image sensing device according to claim 1 or 2 ,
A method for producing a solid-state imaging device , wherein the other electrode is formed of a transparent conductive oxide.
前記他方の電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＡＺＯのうち少なくとも一つを用いて形成する固体撮像素子の製造方法。 It is a manufacturing method of the solid-state image sensing device according to any one of claims 1 to 3 ,
A method for manufacturing a solid-state imaging device , wherein the other electrode is formed using at least one of ITO, IZO, SnO 2 , ZnO, and AZO.
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