JP5491295B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
このようなエポキシ変性シリコーンレジンとして、例えば、分岐状ポリシロキサン等を用いることができる。
上記一般式(c)中のR1としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
(エポキシ樹脂1)
ビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YX4000H」、エポキシ当量195
(エポキシ樹脂2)
ビスフェノールF型エポキシ樹脂、東都化成(株)製「YSLV80XY」、エポキシ当量173
(エポキシ樹脂3)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YL6810」、エポキシ当量175
(フェノール硬化剤)
フェノールノボラック樹脂、明和化成(株)製「DL−92」、水酸基当量105
(無機充填材)
溶融シリカ、電気化学工業(株)製「FB820」
(エポキシ変性シリコーンレジン)
東レ・ダウコーニング(株)製「AY42−119」
(カップリング剤1)
N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM573」
(カップリング剤2)
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM403」
(ステアリン酸ワックス)
W02
(金型離型用ワックス)
カルナバワックス、大日化学工業(株)製「F1−100」
(着色剤)
カーボンブラック、三菱化学(株)製「40B」
(硬化促進剤)
北興化学工業(株)製「TPP」
表1に示す各配合成分を、表1に示す割合で配合し、ミキサー、ブレンダー等で均一に混合した後、ニーダーやロールで加熱、混練し、その後冷却固化し、次いで粉砕機で所定粒度に粉砕して粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
金型温度:175℃
注入圧力:70kgf/cm2
成形時間:90秒
後硬化:175℃/6h
次の測定および評価を行った。
1.測定
[スパイラルフロー]
ASTMD3123に準じたスパイラルフロー測定金型を用いて上記条件にて成形し、流動距離(cm)を測定した。
[パッケージ反り量(常温)、パッケージ反り変化量(常温〜260℃)]
35×35×0.5mmtPBGA(封止サイズ29×29×L17mmt、BT基板、レジストPSR4000)を175℃、90sキュアにて成形し後硬化してPBGAのパッケージを作製した。このパッケージについて、AKROMETRIX社製のシャドウモアレ(PS200)を用いて、常温(25℃)および260℃の反り(コプラナリティー)を測定した。
2.評価
[流動性]
上記のスパイラルフローの測定結果より次の基準に基づき評価した。
◎:230cm以上
○:200cm以上230cm未満
△:170cm以上200cm未満
×:170cm未満
[パッケージ反り(常温)]
上記の常温でのパッケージ反り量の測定結果より次の基準に基づき評価した。
◎:100μm以上130μm未満
○:70μm以上100μm未満または130μm以上160μm未満
△:40μm以上70μm未満
×:40μm未満または160μm以上
[パッケージ反り(変化量)]
上記の常温および260℃でのパッケージ反り量の測定結果より、反り変化量から次の基準に基づき評価した。
◎:400μm未満
○:400μm以上450μm未満
△:450μm以上500μm未満
×:500μm以上
その結果を表1に示す。
Claims (2)
- 有機回路基板と半導体チップとがワイヤで電気的に接続された片面封止タイプの半導体装置の封止に使用されるエポキシ樹脂組成物であって、ビスフェノールF型エポキシ樹脂を70〜100質量%含有するエポキシ樹脂、フェノール硬化剤、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して70〜90質量%の無機充填材、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して1〜3質量%のエポキシ変性シリコーンレジン、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して2〜4質量%のN−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、および半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して0.5〜2質量%のステアリン酸ワックスを含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 有機回路基板と半導体チップとがワイヤで電気的に接続された片面封止タイプの半導体装置であって、請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体チップが封止されていることを特徴とする片面封止タイプの半導体装置。
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