JP5489387B2 - 能動領域の欠陥が低減されユニークな接触スキームを有する半導体デバイス - Google Patents
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Description
M. T. Currie et al, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 14, p. 1718 (1998) G. Masini et al, Electronics Letters, Vol. 35, No.17, p. 1467(1999), H-C Luan, et al, Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 19, p. 2909(1999) L. Colace et al, Appl. Phys. Lett. Vol., 76, No. 10, p. 1231(2000) G. Masini et al, IEEE Trans on Elec. Dev., Vol. 48, No. 6. p. 1092 (2001) O. Nam et al, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, No. 18, p. 2638 (1997) S. Nakamura et al, Jap. J. Appl. Phys. Vol. 36, No. 12A, Part 2, p. L1568 (1997) T. Langdo et al, Appl. Phys. Lett., Vol. 76, No. 25, p. 3700 (2000)
(a)第1の材料の単一結晶体の主表面上に、誘電性クラッド領域を形成する工程と、
(b)クラッド領域中に第1の深さまで延びる第1の開口を形成する工程と、
(c)第1の開口内にあり、第1の深さより深い第2の深さまで延び、単一結晶体の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第2の開口を形成する工程と、
(d)各開口中およびクラッド領域の上部上に、第2の半導体材料の領域をエピタキシャル的に成長させる工程と、
(e)第2の開口内およびクラッド領域の上部上で成長したエピタキシャル領域に欠陥を閉じ込め、第1の所定の領域が、第1の開口内に配置され、本質的に欠陥がない(すなわち、約103cm−3より少ない)ように、第2の開口の寸法を制御する工程と、
(f)デバイスの上部を平坦化して、クラッド層の上部の上に延在するエピタキシャル領域をすべて除去し、それによって第2の開口中に成長した第1の所定の領域の上部を、ぜひともクラッド領域の上部と同一平面にさせる工程と、
(g)デバイスの組み立てを完成させるために、追加の工程を実施する工程とを含む。
本発明のいくつかの実施形態によれば、第1の材料は、Siであり、第2の材料は、Si1−xGex(0<x≦1)またはGaNいずれかである。
(a)第1の材料の単一結晶体と、
(b)結晶体の主表面上に配置され、第1の深さまで延びる第1の開口を有し、第1の開口内にあり、第1の深さより深い第2の深さまで延び、主表面の下にある部分を剥き出しにするより小さい第2の開口を有した、誘電性クラッド領域と、
(c)第1の開口中に能動領域、および第2の開口中にステム領域を形成するための、第2の半導体材料の第1および第2の領域であって、それぞれ第1および第2の開口を充填し、第1の領域の上部が、クラッド領域の上部と同一平面であることが必須である、第2の半導体材料の第1および第2の領域と、
(d)ステム領域に欠陥を閉じ込めることになる寸法を有し、第1の領域が、本質的に欠陥から自由である、第2の開口とを含む。
本発明の一態様による新規なプロセスを使用して実現することができる、様々なデバイス設計を詳細に議論する前に、まず、PDおよびMOSFETなどのデバイスの比較的欠陥のない半導体能動領域を製造するための一般的な手法として、プロセスを議論する。しかし、説明では、例示する目的のため、および本発明の主な用途の1つを反映するものとして、約800〜1600nmのIR波長で動作するために、SiGeによるPDの、低欠陥密度を有した吸収領域の製造に焦点を合わせる。
例示的に、本発明の様々な実施形態による半導体デバイスは、いくつかの異なるデバイス、たとえば表面照射PD(たとえば、図5fおよび図6a)、集積化されたWGを有した縁照射PD(たとえば、図6b)またはMOSFET(たとえば、図6c)として機能するように設計することができる。
この基本デバイス構造は、図6aの平面図で示すように、表面照射PINPDとして、またはそのようなPDのアレイ60として機能するように設計される。各PDは、第1の材料を含み、それに欠陥を閉じ込めるように設計された単一結晶ステム領域55(図5f)を含む。ステム領域55は、異なる材料を含む単一結晶基板51をピクセル56.1にエピタキシャル的に接続する。前述の製造についての項で述べたように、ステム領域は、領域55および56.1のエピタキシャル成長中、剥き出しにされた基板表面において、核の形成が可能になるように働く。各PDは、信号光がその中で吸収される同じ材料の、本質的に欠陥がないi型の単一結晶能動領域(またはピクセル)56.1を含む。図5fに示すように、各ピクセル56.1の上部は、この実施形態ではコンフォーマル誘電性層54を含む誘電性クラッド領域52上部と、本質的に同一平面である。
本発明の他の実施形態によれば、PDは、表面照射でなく縁照射である。この場合、図6bに示すように、検出する信号光が、半導体導波路83の手段によって、ピクセル81に送達される。ピクセル81および導波路83は、それぞれ、同様の処置であるが異なるマスクを使用して製造されるステム領域82および84を有する。さらに、ピクセル・ステム領域82の断面が、正方形として示してあるが、導波路の断面は、長方形として示してあり、やはり、説明の目的のためだけである(導波路83の細長い形状が、その外部末端部にある、たとえば劈開表面89によって終端され、導波路およびそのステム領域が、ともに長方形になるように設計が、どうしても導かれることになる)。
本発明の他の実施形態によれば、図6cに示すように、MOSFETは、単一結晶基板71と、ステム領域に欠陥を閉じ込めるように基板上に形成されたステム領域75と、ステム領域上に形成された比較的欠陥のない能動領域76とを含む。ステム領域および能動領域は、誘電性クラッド領域72中に埋め込まれ、能動領域の上部は、本質的にクラッド領域の上部と同一平面である。別々のソースおよびドレイン領域が、能動領域中に形成され(たとえば、イオン注入によって)、ゲート構造が、それらの間に形成される。ゲート構造は、ゲート誘電体(たとえば、ALDによって成長させた、Hf2O3またはAl2O3などの高k誘電体)と、周知のゲート・スタック(たとえば、1つまたは複数の結晶シリコン層)とを含む。チャネル(図示せず)が、ゲート誘電体74の下でソース領域とドレイン領域73の間に延在する。ILD78が、クラッドおよび能動領域の上部の上に形成され、ウィンドウが、その中に形成されて、ソース、ドレインおよびゲート電極(それぞれ75、76および77)が、対応するソースおよびドレイン領域、およびゲート構造と電気的に接触することが可能になる。
本発明の他の態様は、走行時間が、長い拡散時間(τdiff)ではなく短いドリフト時間によって限定されることを保証する、PD接触構成に関するものである。これらの設計は、図8aおよび図8bに示してあり、PDの動作速度を高め、したがって高速(たとえば、>2.5Gb/s)の通信システムでの動作に殊によく適する。
図9aに、表面照射ピクセル・アレイ用のいくつかの可能な接触構成を実現するために使用される、マスキング形状の平面図を示す。複数のタイプの接触構成が、説明の目的だけのために、同じPDについて示してある。実際、たぶん、これらの構成の1つだけが、個々のPDについて使用されるはずである。
本発明の他の態様は、暗電流を低減させるPD接触構成に関するものである。図10に、これらの設計を示す。
Claims (23)
- 欠陥密度が低減された少なくとも1つの所定のエピタキシャル領域を有した、半導体デバイス(70)を製作する方法であって、
(a)第1の材料の単一結晶体(51)の主表面上に、誘電性クラッド領域(52)を形成する工程と、
(b)前記クラッド領域中に第1の深さまで延びる第1の開口(53)を形成する工程と、
(c)前記第1の開口内にあり、前記第1の深さより深い第2の深さまで延び、前記単一結晶体(51)の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第2の開口(55)を形成する工程と、
(d)各前記開口(53,55)中および前記クラッド領域(52)の上部上に、第2の半導体材料(56)をエピタキシャル成長させる工程と、
(e)前記第2の開口(55)内で成長した第1のエピタキシャル領域および前記クラッド領域(52)の上部上に過成長したエピタキシャル領域に、欠陥が閉じ込められることになり、第1の所定の領域が、前記第1の開口(53)内に配置され、欠陥がないように、前記第2の開口(55)の寸法を制御する工程と、
(f)前記クラッド領域(52)の上部を平坦化して、前記クラッド層の上部の上に延在するエピタキシャルの過成長した領域(56)をすべて除去し、それによって前記第2の開口内で成長した前記第1の所定の領域の上部を、前記クラッド領域(52)の上部と同一平面にさせる工程と、
(g)前記半導体デバイス(70)の組み立てを完成させるための追加の工程を実施する工程とを含む
方法。 - 前記第1の材料(51)が、Siを含み、工程(d)が、0<x≦1のSi1−xGexとして前記第2の半導体材料を成長させる、請求項1に記載の方法。
- 前記所定の領域が、前記デバイスの能動領域(56.1)として形成される、請求項1に記載の方法。
- 工程(f)の前に、
(h)前記クラッド領域中に第3の深さまで延びる細長い第3の開口(83)を形成する工程と、
(i)前記第3の開口(83)内にあり、前記第3の深さより深い第4の深さまで延び、前記単一結晶体(51)の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第4の開口(84)を形成する工程と、
(j)各前記開口(53,55,83,84)中および前記クラッド領域(52)の上部上に、第3の半導体材料の領域(56)をエピタキシャル成長させる工程と、
(k)前記第4の開口(84)内および前記クラッド領域の上部上で成長した第2のエピタキシャル・ステム領域に、欠陥が閉じ込められることになり、第2の所定の領域が、前記第3の開口内に配置され、欠陥がないように、前記第4の開口の寸法を制御する工程との追加の工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の所定の領域が、検出する光(88.2)を吸収する能動領域(81)であり、前記第2の所定の領域が、検出する光(88.2)を伝播軸に沿って前記能動領域(81)に送達する導波路領域(83,84)である縁照射光センサ(80)として、前記デバイスが形成される、請求項4に記載の方法。
- 前記能動領域(81)および前記導波路領域(83)が、0<x≦1のSi 1−xGexとして形成され、前記導波路領域(83)中のGeのモル分率が、前記能動領域中のモル分率より小さくされる、縁照射光センサを製造するための請求項5に記載の方法。
- 前記能動領域(81)および前記導波路領域(83)が、ギャップによって互いに隔てられて形成され、該ギャップの長さが、前記光センサが検出する光(88.2)の、前記ギャップ材料中で測定されたときの波長の半分の波長の偶数倍数に等しい、縁照射光センサ(80)を製造するための請求項5に記載の方法。
- 前記第1の所定の領域が検出する光を吸収する能動領域(56.1)である光センサ(81)として、前記デバイスが形成される、請求項1に記載の方法。
- 工程(a)が、
その主表面上に第1のクラッド層(52.1)を含む少なくとも3つの絶縁層(52.1,52.2,52.3)からなるスタックと、
前記第1のクラッド層(52.1)上にエッチング停止層(52.2)と、
前記エッチング停止層(52.2)上に第2のクラッド層(52.3)とを形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。 - 形成工程(c)と成長工程(d)との間に、
前記クラッド領域(52)の上部、ならびに前記第1の開口(53)の壁および底部と整合するように誘電性層(54)を形成する工程と、
前記第2の開口の底部上の前記誘電性層(54)の一部分を異方性でエッチング除去する工程との追加の工程を含む、請求項5に記載の方法。 - 基板(171)と能動領域(175)の間に遮断p−n接合部(189b)を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記デバイスが、前記所定の領域(76)内に配置されたソース、ドレイン(73)およびチャネル領域を有したMOSFETとして形成される、請求項1に記載の方法。
- 半導体デバイスであって、
(a)第1の材料の単一結晶半導体本体(51)と、
(b)前記本体の主表面上に配置された誘電性クラッド領域(52)と、
(c)第1の深さまでその中に延びる第1の開口(53)を有した前記クラッド領域と、
(d)前記第1の開口(53)内にあり、前記第1の深さより深い第2の深さまで延び、前記本体(51)の下にある部分を剥き出しにする、より小さな第2の開口(55)を有した前記クラッド領域(52)と、
(e)前記第1の開口中に能動領域(256)と前記第2の開口中に第1のステム領域(255)とを形成するために、各前記開口(53,55)を充填した前記クラッド領域の上部上にある第2の半導体材料(56)であって、前記能動領域(256)の上部が、前記クラッド領域(252)の上部と同一平面である、第2の半導体材料と、
(f)欠陥が、前記ステム領域に閉じ込められ、前記能動領域が、欠陥がないようにする前記第2の開口(55)の寸法とを含む、半導体デバイス。 - 前記第1の材料(51)が、Siを含み、前記第2の半導体材料(56)が、0<x≦1のSi 1−xGexを含む、請求項13に記載のデバイス。
- (g)前記クラッド領域(52)が、第3の深さまでその中に延びる細長い第3の開口(83)を有し、
(h)前記クラッド領域(52)が、前記第3の開口(83)内に、前記第3の深さより深い第4の深さまで延び、前記本体(51)の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第4の開口(84)を有し、
(i)第3の半導体材料(56)が、前記第3の開口(83)内に第2の所定の領域、および前記第4の開口(84)を有した第2のステム領域を形成するために、各前記開口(83,84)を充填し、前記クラッド領域(52)の上部と同一平面であり、
(j)前記第4の開口(84)の寸法が、欠陥を前記第2のステム領域に閉じ込め、前記第2の所定の領域が低い欠陥密度を有するようにさせる寸法である、請求項13に記載のデバイス。 - 前記第1の所定領域が、検出する光(88.2)を吸収する前記能動領域(81)であり、前記第2の所定の領域が、検出する光(88.2)を伝播軸に沿って前記能動領域へ送達する導波路領域(83)である、縁照射光センサ(80)として使用するための、請求項15に記載のデバイス。
- 前記能動領域(81)および前記導波路領域(83)が、0<x≦1のSi1−xGexを含み、前記導波路領域中のGeのモル分率が、前記能動領域中のモル分率より小さい、縁照射光センサ(80)として使用するための請求項16に記載のデバイス。
- 前記能動領域(81)および前記導波路領域(83)が、ギャップによって互いに隔離され、該ギャップの長さが、検出する光の、前記ギャップの材料中で測定したときの波長の半分の波長の偶数倍数に等しい、縁照射光センサ(80)として使用するための請求項17に記載のデバイス。
- 前記能動領域が、検出する光を吸収する所定の領域である、光センサとして使用するための請求項13に記載のデバイス。
- 前記能動領域のアレイを含む、表面照射光センサ(60)として使用するための請求項19記載のデバイス。
- 前記クラッド領域(52)が、前記主表面上の第1のクラッド層(52.1)と、前記第1のクラッド層(52.1)上のエッチング停止層(52.2)と、前記エッチング停止層(52.2)上の第2のクラッド層(52.3)とを含む絶縁層(52.1,52.2,52.3)のスタックを含む、請求項13に記載のデバイス。
- 前記デバイスが、前記基板(171)と前記能動領域(175)の間に配置された遮断p−n接合部(189b)を含む基板(171)上に形成された、請求項13に記載のデバイス。
- 前記能動領域(76)内に配置されたソース、ドレイン(73)およびチャネルを有したMOSFET(70)として使用するための請求項13に記載のデバイス。
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US6946371B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-09-20 | Amberwave Systems Corporation | Methods of fabricating semiconductor structures having epitaxially grown source and drain elements |
US6982474B2 (en) * | 2002-06-25 | 2006-01-03 | Amberwave Systems Corporation | Reacted conductive gate electrodes |
US7453129B2 (en) | 2002-12-18 | 2008-11-18 | Noble Peak Vision Corp. | Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry |
US7643755B2 (en) * | 2003-10-13 | 2010-01-05 | Noble Peak Vision Corp. | Optical receiver comprising a receiver photodetector integrated with an imaging array |
US20060055800A1 (en) * | 2002-12-18 | 2006-03-16 | Noble Device Technologies Corp. | Adaptive solid state image sensor |
US7589380B2 (en) * | 2002-12-18 | 2009-09-15 | Noble Peak Vision Corp. | Method for forming integrated circuit utilizing dual semiconductors |
US7122392B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-10-17 | Intel Corporation | Methods of forming a high germanium concentration silicon germanium alloy by epitaxial lateral overgrowth and structures formed thereby |
US7503706B2 (en) * | 2003-09-05 | 2009-03-17 | Sae Magnetics (Hong Kong) Limited | MSM photodetector assembly |
US7579263B2 (en) | 2003-09-09 | 2009-08-25 | Stc.Unm | Threading-dislocation-free nanoheteroepitaxy of Ge on Si using self-directed touch-down of Ge through a thin SiO2 layer |
US6919258B2 (en) * | 2003-10-02 | 2005-07-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device incorporating a defect controlled strained channel structure and method of making the same |
JP2008511968A (ja) | 2003-10-13 | 2008-04-17 | ノーブル ピーク ヴィジョン コーポレーション | シリコン基板およびシリコン回路と一体化された分離されたゲルマニウム光検出器を備えるイメージ・センサ |
US7198970B2 (en) * | 2004-01-23 | 2007-04-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices |
US7186622B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-03-06 | Infineon Technologies Ag | Formation of active area using semiconductor growth process without STI integration |
US20060073681A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-04-06 | Han Sang M | Nanoheteroepitaxy of Ge on Si as a foundation for group III-V and II-VI integration |
US7439542B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-10-21 | International Business Machines Corporation | Hybrid orientation CMOS with partial insulation process |
KR100641068B1 (ko) * | 2005-01-21 | 2006-11-06 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다마신 채널 구조물과 그 제조 방법 |
US7298009B2 (en) * | 2005-02-01 | 2007-11-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor method and device with mixed orientation substrate |
US20060292719A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US20070267722A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
CN101268547B (zh) * | 2005-07-26 | 2014-07-09 | 琥珀波***公司 | 包含交替有源区材料的结构及其形成方法 |
US7459367B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Method of forming a vertical P-N junction device |
US20070054467A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Amberwave Systems Corporation | Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators |
US7638842B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-12-29 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators |
US7705370B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-04-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Monolithically integrated photodetectors |
US20070252223A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-11-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Insulated gate devices and method of making same |
US8530355B2 (en) | 2005-12-23 | 2013-09-10 | Infineon Technologies Ag | Mixed orientation semiconductor device and method |
US7629661B2 (en) * | 2006-02-10 | 2009-12-08 | Noble Peak Vision Corp. | Semiconductor devices with photoresponsive components and metal silicide light blocking structures |
US7901968B2 (en) * | 2006-03-23 | 2011-03-08 | Asm America, Inc. | Heteroepitaxial deposition over an oxidized surface |
WO2007112066A2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
US7485524B2 (en) * | 2006-06-21 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | MOSFETs comprising source/drain regions with slanted upper surfaces, and method for fabricating the same |
US8063397B2 (en) * | 2006-06-28 | 2011-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor light-emitting structure and graded-composition substrate providing yellow-green light emission |
US8173551B2 (en) | 2006-09-07 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Defect reduction using aspect ratio trapping |
WO2008036256A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-03-27 | Amberwave Systems Corporation | Aspect ratio trapping for mixed signal applications |
WO2008039534A2 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Amberwave Systems Corporation | Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures |
US7799592B2 (en) * | 2006-09-27 | 2010-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
US8502263B2 (en) * | 2006-10-19 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US7825328B2 (en) | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
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CN101884117B (zh) | 2007-09-07 | 2013-10-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 多结太阳能电池 |
WO2009058470A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for fabricating butt-coupled electro-absorptive modulators |
US7723206B2 (en) * | 2007-12-05 | 2010-05-25 | Fujifilm Corporation | Photodiode |
CN101946307B (zh) * | 2008-03-01 | 2012-12-19 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子装置 |
KR20100123680A (ko) * | 2008-03-01 | 2010-11-24 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 제조방법 및 전자 디바이스 |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
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US8084739B2 (en) | 2008-07-16 | 2011-12-27 | Infrared Newco., Inc. | Imaging apparatus and methods |
US8686365B2 (en) * | 2008-07-28 | 2014-04-01 | Infrared Newco, Inc. | Imaging apparatus and methods |
CN102160145B (zh) | 2008-09-19 | 2013-08-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 通过外延层过成长的元件形成 |
US20100072515A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
TWI471910B (zh) * | 2008-10-02 | 2015-02-01 | Sumitomo Chemical Co | 半導體晶圓、電子裝置及半導體晶圓之製造方法 |
CN102379046B (zh) | 2009-04-02 | 2015-06-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法 |
KR20120022872A (ko) * | 2009-05-22 | 2012-03-12 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 전자 디바이스, 반도체 기판의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
CN102449784B (zh) * | 2009-06-05 | 2015-06-03 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法 |
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JP5969811B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2016-08-17 | アイメックImec | シリコン・フォトニクスプラットフォーム上でのフォトニックデバイスの共集積化方法 |
US8546250B2 (en) | 2011-08-18 | 2013-10-01 | Wafertech Llc | Method of fabricating vertical integrated semiconductor device with multiple continuous single crystal silicon layers vertically separated from one another |
US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
US9709740B2 (en) * | 2012-06-04 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and structure providing optical isolation of a waveguide on a silicon-on-insulator substrate |
US9142400B1 (en) | 2012-07-17 | 2015-09-22 | Stc.Unm | Method of making a heteroepitaxial layer on a seed area |
US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
US9213137B2 (en) * | 2013-07-12 | 2015-12-15 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor devices including photodetectors integrated on waveguides and methods for fabricating the same |
US9224882B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-12-29 | Intel Corporation | Low voltage photodetectors |
SG11201600820PA (en) * | 2013-09-04 | 2016-03-30 | Intel Corp | Methods and structures to prevent sidewall defects during selective epitaxy |
US10096474B2 (en) | 2013-09-04 | 2018-10-09 | Intel Corporation | Methods and structures to prevent sidewall defects during selective epitaxy |
US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
US9799689B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-10-24 | Artilux Inc. | Light absorption apparatus |
TWI621253B (zh) | 2014-11-13 | 2018-04-11 | 光澄科技股份有限公司 | 光吸收裝置及其形成方法 |
KR102284657B1 (ko) | 2015-01-05 | 2021-08-02 | 삼성전자 주식회사 | 포토 다이오드 및 이를 포함하는 광통신 시스템 |
KR102279162B1 (ko) * | 2015-03-03 | 2021-07-20 | 한국전자통신연구원 | 게르마늄 온 인슐레이터 기판 및 그의 형성방법 |
CN108352393B (zh) | 2015-07-23 | 2022-09-16 | 光程研创股份有限公司 | 高效宽光谱传感器 |
US9917189B2 (en) * | 2015-07-31 | 2018-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for detecting presence and location of defects in a substrate |
US10861888B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-12-08 | Artilux, Inc. | Silicon germanium imager with photodiode in trench |
TWI698011B (zh) | 2015-08-04 | 2020-07-01 | 光澄科技股份有限公司 | 製造影像感測陣列之方法 |
US10761599B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-09-01 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
US10707260B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-07-07 | Artilux, Inc. | Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode |
EP3341970B1 (en) | 2015-08-27 | 2020-10-07 | Artilux Inc. | Wide spectrum optical sensor |
US10739443B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
US10886309B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
US10741598B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Atrilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
US10254389B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-04-09 | Artilux Corporation | High-speed light sensing apparatus |
US10418407B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-09-17 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
IL242952B (en) | 2015-12-06 | 2021-02-28 | Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership | Array of detectors and a method to create it |
US20170350752A1 (en) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | Ventsislav Metodiev Lavchiev | Light emitting structures and systems on the basis of group iv material(s) for the ultraviolet and visible spectral ranges |
GB2549951B (en) * | 2016-05-03 | 2019-11-20 | Metodiev Lavchiev Ventsislav | Light emitting structures and systems on the basis of group-IV material(s) for the ultra violet and visible spectral range |
CN109642985B (zh) | 2016-07-13 | 2021-03-12 | 洛克利光子有限公司 | 模式转换器及其制造方法 |
US11105928B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-08-31 | Artilux, Inc. | Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof |
CN111868929B (zh) | 2018-02-23 | 2021-08-03 | 奥特逻科公司 | 光检测装置及其光检测方法 |
TWI758599B (zh) | 2018-04-08 | 2022-03-21 | 美商光程研創股份有限公司 | 光偵測裝置 |
US10854770B2 (en) | 2018-05-07 | 2020-12-01 | Artilux, Inc. | Avalanche photo-transistor |
US10969877B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-04-06 | Artilux, Inc. | Display apparatus |
JP6836547B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2021-03-03 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器 |
US10861896B2 (en) | 2018-07-27 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Capping structure to reduce dark current in image sensors |
WO2023059548A1 (en) * | 2021-10-06 | 2023-04-13 | Analog Devices Inc. | Monolithic multi-wavelength optical devcies |
EP4167269A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-19 | Infineon Technologies AG | Heteroepitaxial semiconductor device and method for fabricating a heteroepitaxial semiconductor device |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61177742A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPS63216386A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
JPH01184878A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 横型pinフオトダイオードの製造方法 |
JPH03125458A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Canon Inc | 単結晶領域の形成方法及びそれを用いた結晶物品 |
US5162891A (en) * | 1991-07-03 | 1992-11-10 | International Business Machines Corporation | Group III-V heterostructure devices having self-aligned graded contact diffusion regions and method for fabricating same |
KR100259063B1 (ko) * | 1992-06-12 | 2000-06-15 | 김영환 | Ccd 영상소자 |
JP3930161B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2007-06-13 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
US6057586A (en) * | 1997-09-26 | 2000-05-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity |
JP3501265B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2004-03-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO1999044224A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-09-02 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
US6500257B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-12-31 | Agilent Technologies, Inc. | Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same |
JP4032538B2 (ja) | 1998-11-26 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 |
JP3824446B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2006-09-20 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US6396046B1 (en) * | 1999-11-02 | 2002-05-28 | General Electric Company | Imager with reduced FET photoresponse and high integrity contact via |
JP3455512B2 (ja) * | 1999-11-17 | 2003-10-14 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
TW494574B (en) * | 1999-12-01 | 2002-07-11 | Innotech Corp | Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system |
JP3827909B2 (ja) | 2000-03-21 | 2006-09-27 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
GB0014961D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements |
JP3912024B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | Pin構造のラテラル型半導体受光素子 |
JP2002314116A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | Pin構造のラテラル型半導体受光素子 |
GB0111207D0 (en) | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Btg Int Ltd | A method to produce germanium layers |
JP4375517B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2009-12-02 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
US7248297B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-07-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Integrated color pixel (ICP) |
US6835954B2 (en) * | 2001-12-29 | 2004-12-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent display device |
US7098069B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
TW546853B (en) * | 2002-05-01 | 2003-08-11 | Au Optronics Corp | Active type OLED and the fabrication method thereof |
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