JP5488241B2 - 合成石英ガラス基板の処理方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
基板表面にレジスト膜が被覆された合成石英ガラス基板を、テルペン類が溶解している溶剤に浸漬して、上記レジスト膜を溶解させずに剥離し、次いで当該基板を水リンスすることを特徴とする合成石英ガラス基板の処理方法。
請求項2:
前記レジスト膜上に、更に保護膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
請求項3:
前記保護膜の主成分が、ロジン及びこれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類であることを特徴とする請求項2に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
請求項4:
前記テルペン類が、リモネンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
請求項5:
前記レジスト膜の主成分が、ポリノルボルネン系樹脂、ポリヒドロキシスチレン系樹脂、ノボラック樹脂のいずれか1種類から選ばれたものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
基板の大きさは適宜選定されるが、基板を溶剤に浸漬・揺動させるため、基板そのものの質量や使用する槽の大きさを考えると、基板表面の面積が100〜100,000mm2、特に100〜50,000mm2が好ましい。
例えば、半導体フォトマスク基板でよく用いられる四角形状の6025基板、丸形状であるならば6インチφ、8インチφのウェーハが例として挙げられる。
合成石英ガラス基板上に、レジスト膜を形成する方法としては、レジスト組成物を塗布後、加熱処理してベークする方法で行う。なお、膜厚、ベーク温度及び時間はレジスト組成物の種類によって適宜選択できる。
基板表面が研磨されて鏡面化している合成石英ガラス基板(6インチ)を用意し、その基板表面上にノボラック樹脂を主成分とするi線用レジスト組成物(AZP1350、AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を120℃の温度下で5分間ベークし、膜厚1μmのレジスト膜が形成された基板を用意した。
次に、アビエチン酸を主成分とする固形のシフトワックス(日化精工社製)を70℃の条件下で溶解させながら、基板上のレジスト膜に塗布し、膜厚5μmの保護膜とした。
この基板を、60質量%のd−リモネンが溶解しているエチレングリコールに一気に浸漬させ、手動にて揺動させた。基板を浸漬させると直ちにレジスト−シフトワックス膜の層にヒビ割れが生じて膜が剥離し始め、浸漬後180秒で基板の表面積90%程度のレジスト−シフトワックス膜が剥離した。
その後、d−リモネンが溶解している有機溶剤槽から基板を引き上げてよく液切りした後、基板を水槽へ移し、28kHzの超音波を基板にあてながら水リンスを180秒間行った。d−リモネンが溶解している有機溶剤槽で取りきれなかったレジスト−シフトワックス膜は、水槽にて全て剥離し、合成石英ガラス基板はレジストベーク前のリファレンス状態と同じとなった。
基板表面からレジスト膜が完全になくなったことは、FT−IR ATR法による基板表面の成分分析から、ノボラック樹脂の主成分であるフェノール等の有機物が検出されなかったことより確認した。
また、d−リモネンが溶解している有機溶剤槽内で剥離したレジスト−シフトワックス膜の残渣は、固体として液中に存在するため、ネットで容易に回収することができた。即ち、有機溶剤内にレジスト−シフトワックス成分が溶解しないため、液のライフを延長することができた。
実施例1と同様に、レジスト−シフトワックス膜が形成された基板に対し、ハイドロフルオロエーテル(HFE−7100、住友スリーエム社製)を主成分とする有機溶剤槽に基板を一気に浸漬させ、手動にて揺動させた。基板を浸漬させると、レジスト−シフトワックス膜の層が有機溶剤へ溶解し始め、浸漬後300秒で、蛍光灯下で基板表面からレジスト−シフトワックス膜が液中へ溶解したのを目視確認した。
その後、有機溶剤槽から基板を引き上げた後、基板を上記と同じハイドロフルオロエーテルが主成分の有機溶剤槽へ移し、リンス工程を180秒間行った。
FT−IR ATR法により、基板表面の成分分析を実施したところ、ノボラック樹脂の主成分であるフェノール由来のC=C伸縮振動等のスペクトルが検出された。
また、レジスト−シフトワックス成分は、有機溶剤中に完全に溶解したため、回収することはできなかった。
実施例1と同様に、レジスト−シフトワックス膜が形成された基板に対し、イソプロピルアルコール(IPA)槽に基板を一気に浸漬させ、手動にて揺動させた。基板を浸漬させると、レジスト−シフトワックス膜の層がIPAへ溶解し始め、浸漬後600秒で、蛍光灯下で基板表面からレジスト−シフトワックス膜がIPA中へ溶解したのを目視確認した。
その後、IPA槽から基板を引き上げた後、水槽へ移し、28kHzの超音波を基板にあてながら水リンスを180秒間行った。
FT−IR ATR法により、基板表面の成分分析を実施したところ、ポリヒドロキシスチレン系樹脂の成分である芳香環由来のC=C伸縮振動等のスペクトルが検出された。更に、この基板は、集光目視においても基板に曇りが確認され、レジスト膜及び保護膜が完全に除去されていないことが確認された。
また、レジスト−シフトワックス成分は、比較例1と同様に、IPA中に完全に溶解したため、回収することはできなかった。
Claims (5)
- 基板表面にレジスト膜が被覆された合成石英ガラス基板を、テルペン類が溶解している溶剤に浸漬して、上記レジスト膜を溶解させずに剥離し、次いで当該基板を水リンスすることを特徴とする合成石英ガラス基板の処理方法。
- 前記レジスト膜上に、更に保護膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
- 前記保護膜の主成分が、ロジン及びこれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類であることを特徴とする請求項2に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
- 前記テルペン類が、リモネンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
- 前記レジスト膜の主成分が、ポリノルボルネン系樹脂、ポリヒドロキシスチレン系樹脂、ノボラック樹脂のいずれか1種類から選ばれたものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の合成石英ガラス基板の処理方法。
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