JP5481104B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1〜図4を用いて、本発明の実施の形態1による半導体装置(電力変換装置等)について説明する。実施の形態1は、概要として、図1等に示すように、誘導導体201上、2つの半導体パッケージ10(P1,P2)が逆向きで隣接して並列に配置され、それらの一方側のリード(102,101)同士が第3のリード103により連結され、第3のリード103が誘導導体201に近接するように配置された構造である。
次に、図5を用いて、実施の形態2による半導体装置100について説明する。図5において、実施の形態2の半導体装置100の断面(例えば第2の半導体パッケージ10(P2)の断面)を示している。上平面構造については図2と同様なので省略する。
次に、図6を用いて、実施の形態3による半導体装置100について説明する。図6(a)は、実施の形態3の半導体装置100の上平面構造を、図6(b)は、そのB−B(P2)断面を示している。
次に、図7を用いて、実施の形態4による半導体装置100について説明する。図7(a)は、実施の形態4の半導体装置100の上平面構造を、図7(b)は、そのC−C(P2)断面を示している。
次に、図8を用いて、実施の形態5による半導体装置100について説明する。図8(a)は、実施の形態5の半導体装置100の上平面構造を、図8(b)は、そのD−D(P2)断面を、図8(c)は、E−E断面を示している。
次に、図9を用いて、実施の形態6による半導体装置100について説明する。図9(a)は、実施の形態6の半導体装置100の上平面構造を、図9(b)は、そのF−F(P2)断面を、図9(c)は、G−G断面を示している。
次に、図10を用いて、実施の形態7による半導体装置100について説明する。図10(a)は、実施の形態7の半導体装置100の上平面構造を、図10(b)は、そのH−H(P2)断面を示している。
次に、図11を用いて、実施の形態8による半導体装置100について説明する。図11(a)は、実施の形態8の半導体装置100の上平面構造を、図11(b)は、そのI−I(P2)断面を示している。
次に、図12,図13を用いて、実施の形態9による半導体装置900について説明する。図12(a)は、実施の形態9の半導体装置900の上平面構造を、図12(b)は、そのK−K(10−2,P2)断面を示している。図13は、本半導体装置900を用いて構成される電力変換装置の回路を示している。
次に、図14,図15を用いて、実施の形態10による半導体装置1000について説明する。図14(a)は、実施の形態10の半導体装置1000の上平面構造を、図14(b)は、そのL−L(P2)断面を示している。図15は、本半導体装置1000を用いて構成される電力変換装置の回路を示している。
Claims (9)
- 少なくとも2つの半導体パッケージと、主面に前記2つの半導体パッケージが搭載された誘導導体と、を有する半導体装置であって、
前記半導体パッケージは、ヒートスプレッダ上に第1の電極面が電気的に接続される半導体素子と、前記ヒートスプレッダに電気的に接続されて外部に一部が露出する第1のリードと、前記半導体素子の第2の電極面に電気的に接続されて外部に一部が露出する第2のリードと、前記ヒートスプレッダの一部、前記半導体素子、前記第1のリードの一部、及び前記第2のリードの一部を樹脂封止するモールド材と、を有し、
前記2つの半導体パッケージは、前記誘導導体の前記主面上に、絶縁性部材を介して配置され、第1の半導体パッケージは、前記誘導導体の前記主面上において、第1の方向に配置され、第2の半導体パッケージは、前記第1の半導体パッケージに対し、逆向きとなる第2の方向に隣接して配置され、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードと、前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードとを電気的に接続する第3のリードを備え、
前記第3のリードの一部が前記絶縁性部材と接触していることにより、前記第3のリードは、前記誘導導体と近接して配置された構造となっている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第3のリードは、前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードおよび前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードのそれぞれと接合部材を介して電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第2のリードおよび前記第2の半導体パッケージの前記第1のリードのそれぞれは前記誘導導体に向かう下方向に折り曲げられている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体パッケージの前記第1のリードおよび前記第2の半導体パッケージの前記第2のリードのそれぞれは前記誘導導体から離れる上方向に折り曲げられている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記誘導導体は、アルミニウムから成る半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記半導体パッケージの前記ヒートスプレッダは、前記モールド材から露出し、前記絶縁性部材と接触している半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第3のリードと電気的に接続された第4のリードをさらに有し、
前記第4のリードは、その端部が前記誘導導体から離れる上方向に折り曲げられている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1および第2のリードは、外部電源が接続可能なリードであって、
前記第1のリードは、電流が流れる閉ループにおける入力端子であり、
前記第2のリードは、電流が流れる閉ループにおける出力端子である半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置において、
前記第1のリードは、前記半導体素子のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第2のリードは、前記半導体素子のソース電極と電気的に接続されている半導体装置。
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