JP5474317B2 - 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 165
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 14
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Description
サセプタ2には、被処理基板3が水平に載置され、サセプタ4内には、熱伝導により、被処理基板3を面内均一に昇温できるように抵抗加熱ヒータ(以下、ヒータという)4が内蔵されている。
処理ガスを供給するためのガス供給ユニット5は、処理室1に接続されており、処理室1内を真空排気するガス排気ユニット6は、処理室1の圧力を調節する圧力制御弁(例え
ば、APCバルブ(APC:Auto Pressure Controllerバルブ)7を介して処理室1に接続されている。
熱電対8はヒータ4が加熱する加熱ゾーンを複数に区分したゾーン毎に設けられており、ヒータ用電力調節器もヒータ4のゾーン毎に設けられている。
なお、ランピング設定温度とは、ヒータのランプレート値から一義的に定まる所定時間当たりの設定温度(℃/min)のことをいう。また、「目標温度」とは、ヒータの初期設定温度から最終の目標温度(処理工程の処理温度)までの間を複数段に分けてステップ的に温度を変化させる場合の各段の温度のことをいう。
ヒータ4の昇降温指令が有る場合、すなわち、ヒータ4を昇温又は降温の指示がある場
合は、判定結果がYESとなる。また、ヒータ4の昇降温指令がない場合は、判定結果がNOとなる。
ヒータの昇降温指令が有る場合、すなわち、YESの場合は、次のエラー発生監視分岐処理30に進む。
エラー発生監視分岐処理S30で判定結果がYES、すなわち、エラーが発生していない場合(NO)は、設定データ判定分岐処理ステップS21に進む。
岐処理S20に戻り、ヒータ4のモニタ温度が最終目標温度となるまでヒータ制御ステータス(昇降温中)セット処理22〜温度制御処理S25のルーチンを繰り返す。そして、設定データ変更判定分岐処理S21で判定結果がNOのとき、すなわち、設定データである目標温度、ランプレート値がそのまま保持される場合に、ヒータ4の加熱が終了したものとして、ヒータ昇降制御テータス(昇降温完了)セット処理S27に進み、操作画面等に表示されている制御ステータスの「昇降温中」の代わりに「昇降温完了」の表示を表示させる。
このヒータ制御ステータスセット(OFF)処理では、操作画面等に表示する制御ステータスの「昇降中」の表示の代わりに「OFF」等、温度調節器12が停止した旨の表示を表示させる。
オペレータやメンテナンス作業者は、温度調節器12が停止した旨の表示が表示されたときは、エラー原因の解析と復旧を行う。
このとき、ヒータは自動又は手動によって再起動されるが、ヒータ停止後、再起動時は、ヒータからの放熱量が大きく、ヒータの温度が急激に低下する。これにより、ヒータのランプレート値が大きくなる。その後、ヒータの放熱が停止し、ヒータの温度が安定すると、今度は、ヒータの温度が急激に上昇してしまい、ヒータの熱負荷が突然に大きくなる。これにより、ヒータの損傷又はヒータの再度のエラーが発生し、ヒータが突然に停止することがある。
このMMT装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、処理室をある一定の圧力に保ちながら反応ガスを処理室にシャワーヘッドを介して導入する。そして、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。
放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成することができる。
従って、MMT装置を用いると、反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
MMT装置は、処理容器203を有する。
処理容器203は、第1の容器であるドーム型の上側容器210と第2の容器である碗型の下側容器211によって形成され、上側容器210が下側容器211上に被せられる。上側容器210は、例えば、酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器211は、例えば、アルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板保持具(基板保持手段)であるサセプタ217を窒化アルミニウムや、セラミックス又は石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
ンプ246に接続されている。
筒状磁石216は、筒状電極215の外表面の上下端近傍にそれぞれ配置される。上下の筒状磁石216、216は、処理室201の半径方向に沿った両端(内周端と外周端)に磁極を持ち、上下の筒状磁石216、216の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極215の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
ができる。
また、MMT装置には、ヒータ4を制御するため、電源(図示せず)からヒータ4の各加熱ゾーンへの供給電力を調節する複数のヒータ用電力調節器9,10と、各ヒータ用電力調節器9,10へのヒータ制御出力比率を調節することで電源からヒータ4の各加熱ゾーンへの電力供給量を制御するヒータ用制御出力比率調節器11と、このヒータ用制御出力比率調節器11のヒータ制御出力比率(制御操作量)を制御する温度調節器12とが設けられる。
ヒータ用制御出力比率調節器11は、温度調節器12からの基準操作出力値に、ヒータ4の各ゾーンの温度に応じた制御比率係数を掛けた値をヒータ制御出力比率とする。また、温度調節器12は、コントローラ121内の制御部(図示せず)に接続されており、コントローラ121により統括制御されるものとする。
次に、下側容器211に設けられたゲートバルブ244が開かれ、図中省略の搬送機構によってウエハ200をウエハ突上げピン266の先端に載置する。搬送機構が処理室201外へ退避すると、ゲートバルブ244が閉じられる。
サセプタ217がサセプタ昇降機構268により上昇すると、サセプタ217上面にウエハ200を載置することができ、更にウエハ200を処理する位置まで上昇する。
図2に示すように、まず、ヒータ昇降温制御指定判定分岐処理S20を実行する。
ヒータ昇降温制御指定判定分岐処理S20では、温度調節器12がコントローラ121のプロセスレシピの設定条件を参照し、ヒータ4の昇降温指令の有無を判定する。ヒータ4の昇降温指令がある場合、判定はYESとなり、昇降温指令がない場合、判定はNOとなる。判定結果がYESの場合、次のエラー発生監視分岐処理S30に進み、NOの場合は、ヒータ制御停止処理S28に進む。
エラー発生監視分岐処理S30で、エラーが発生していた場合は、判定がYES、エラーが発生していない場合は判定がNOとなる。そして、エラーが発生していた場合は、ヒータ制御停止処理S28に進み、エラーが発生していない場合はヒータ初期設定処理実行判定分岐処理S50に進む。
20の判定結果がYES、且つ、エラー発生監視分岐処理S30の判定結果がNOのときに実行され、ヒータ初期設定を実行したかどうかを判定する。判定は、ヒータ初期設定処理の実行が既に終了しているときYESとなり、ヒータ初期設定処理を初めて実行するときはNOとなる。判定がYESの場合、設定データ変更判定分岐処理S21に進み、判定がNOの場合、ヒータ初期設定実行フラグセット処理S51に進む。
ヒータ初期設定実行フラグセット処理S51を終了すると、現在温度取得処理(1)S52に進む。
SV=SV1+α×t
ただし、SV:ランピング設定温度(ヒータ動作時の処理設定温度℃)
SV1:現在温度取得処理S52で取得したヒータ4の現在の温度(PV)
α:ヒータの仕様で決定されている昇温レート(℃/min)
t:時間(min)
PVがSV1よりも小さい場合は、ヒータ4からの放熱量が大きく降温レートが高いと判定する(YES)。
また、PVがSV1以上の場合は、ヒータ4からの放熱が停止しているものと判定する(NO)。
そして、放熱レートが高い場合(YES)は、ヒータ4の放熱が停止するまで、言い換
えると、ヒータ4の温度が安定するまで、現在温度取得処理(1)S52から現在温度判定分岐処理S57までの処理を繰り返す。ヒータ4の温度が安定したときは(NO)、ヒータ温度低下判定分岐処理S58に進む。
SVがPV以下の場合は、ヒータ4からの放熱が停止していないと判定(YES)して、設定データ変更判定分岐処理S21に進み、SVがPVを越える場合は、放熱が停止し、ヒータ温度が安定したものとして(NO)、現在温度取得処理S56に移行させ、現在温度取得処理S56及び現在温度判定分岐処理S57を繰り返す。
ヒータ4の温度が最終目標温度に到達した場合は、判定がYESとなり、到達しない場合はNOとなる。判定がYES、すなわち、最終目標温度に到達した場合は、ヒータ昇降制御テータス(昇降温完了)セット処理S27に進む。
これにより、ヒータ4全体が最終目標温度に加熱され、サセプタ2に載置された被処理基板3全体が最終目標温度に加熱される。
最終目標温度に到達しない場合は、ヒータ昇降温制御指定判定分岐処理S20に移行してヒータ昇降温制御指定判定分岐処理S20以降の処理を繰り返す。
ている制御ステータスの「昇降温中」の代わりに「昇降温完了」の表示を表示させる。
オペレータは、この「昇降温完了」の表示により、ヒータ4の加熱終了を確認する。
オペレータやメンテナンス作業者は、温度調節器12が停止した旨の表示を認識し、対応する処理、例えば、エラー原因の解析と復旧とを行う。
[実施形態の効果]
このように本実施の基板処理方法では、ヒータ停止後の再起動時に、ヒータの放熱が停止し、ヒータ温度が安定した後に、ヒータの初期設定値を決定する。また、目標温度とヒータのランプレートに基づいてヒータのランピング温度を決定する。このため、従来のヒータの温度制御のように、ヒータ停止後、再起動時に、ヒータに供給する電力が過大とならず、ヒータが適正な電力にて加熱される。これにより、ヒータの損傷、ヒータのエラーに起因したヒータの停止を防止することができる。
また、ヒータのゾーン別にヒータの温度制御を実行するので半導体装置の歩留まりが大幅に向上させることができる。
また、従来と比較してヒータの使い勝手が大幅に向上する。
以下、本発明の好ましい態様を示す。
被処理物を処理室に搬入する工程と、処理室を減圧するとともに抵抗加熱ヒータにより加熱した後、被処理基板を被処理室の減圧加熱雰囲気下で処理する処理工程と、処理工程の終了後、被処理基板を処理室から搬出する搬出工程と、を含む基板処理方法であって、抵抗加熱ヒータの停止時の再起動時に、ヒータの初期設定値を自動設定するようにした基板処理方法。
この場合、「被処理基板を被処理室の減圧加熱雰囲気下で処理する」とは、本実施の形態のようにサセプタを介して被処理基板を処理するだけではなく、縦型、横型の基板処理装置のように、処理室内雰囲気下で被処理基板を処理する形態も含まれるものとする。
この場合、好ましくは、抵抗加熱ヒータ、停止時の再起動時に、ヒータ初期設定値で一旦、安定させるようにするとよい。
また、より、好ましくは、ヒータ停止時の降温レートが所定の降温レートよりも大きいかどうかを判定し、ヒータ停止時の降温レートが大きい場合は、ヒータ初期設定値を自動更新するとよい。
さらに、好ましくは、ヒータ温度安定後に、最終目標温度(処理工程の処理温度)に向けて昇温度を開始するようにするとよい。
また、抵抗加熱ヒータはセラミックヒータか又は石英ヒータとするとよい。
加熱装置としてランプヒータを設け、ウエハの温度を制御するようにしてもよい。
このように、本発明は種々の変形が可能であり、この変形された発明に本発明が及ぶことは当然である。
121 コントローラ
200 ウエハ(被処理基板)
201 処理室
Claims (4)
- ヒータで基板を加熱する工程と、
前記ヒータによる基板の加熱を停止する工程と、
前記ヒータによる基板の加熱を停止した後、前記ヒータの温度を測定する第1のステップと、前記第1のステップで測定した温度と前記ヒータの昇温レートとを基に算出される設定データを温度調節器に送信する第2のステップと、前記設定データを基に前記温度調節器が前記ヒータを制御する第3のステップと、前記ヒータの温度を再び測定する第4のステップと、をこの順に行うサイクルを、前記第4のステップで測定した温度が前記第1のステップで測定した温度以上の温度になるまで繰り返すことで、前記ヒータの温度を安定化させる工程と、
前記ヒータの温度が安定した後、前記ヒータを処理温度まで昇温する工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。 - 前記ヒータの温度を安定化させる工程は、当該ヒータの降温レートが所定の降温レートよりも小さくなるまで行う請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記ヒータの温度を安定化させる工程は、当該ヒータの放熱が停止するまで行う請求項1又は2に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 基板を加熱するヒータと、
前記ヒータの温度を検出する温度検出手段と、
前記ヒータで基板を加熱する処理と、前記ヒータによる前記基板の加熱を停止する処理と、前記ヒータによる基板の加熱を停止した後、前記ヒータの温度を測定する第1のプロセスと、前記第1のプロセスで測定した温度と前記ヒータの昇温レートとを基に算出される設定データを温度調節器に送信する第2のプロセスと、
前記設定データを基に前記温度調節器が前記ヒータを制御する第3のプロセスと、前記ヒータの温度を再び測定する第4のプロセスと、をこの順に行うサイクルを、前記第4のプロセスで測定した温度が前記第1のプロセスで測定した温度以上の温度になるまで繰り返すことで、前記ヒータの温度を安定化させる処理と、前記ヒータの温度が安定した後、前記ヒータを処理温度まで昇温する処理と、を行うように、前記ヒータ、前記温度検出手段および前記温度調節器を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008148020A JP5474317B2 (ja) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008148020A JP5474317B2 (ja) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009295793A JP2009295793A (ja) | 2009-12-17 |
JP5474317B2 true JP5474317B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=41543719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008148020A Active JP5474317B2 (ja) | 2008-06-05 | 2008-06-05 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5474317B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208421A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Kokusai Electric Co Ltd | 固体デバイス製造装置 |
JP4128318B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2008-07-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理装置の制御方法 |
JP2001183066A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Komatsu Ltd | 熱処理装置 |
JP3810726B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2006-08-16 | 三菱重工業株式会社 | 基板加熱制御システム及び基板加熱制御方法 |
-
2008
- 2008-06-05 JP JP2008148020A patent/JP5474317B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009295793A (ja) | 2009-12-17 |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
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