JP2000208421A - 固体デバイス製造装置 - Google Patents

固体デバイス製造装置

Info

Publication number
JP2000208421A
JP2000208421A JP11009559A JP955999A JP2000208421A JP 2000208421 A JP2000208421 A JP 2000208421A JP 11009559 A JP11009559 A JP 11009559A JP 955999 A JP955999 A JP 955999A JP 2000208421 A JP2000208421 A JP 2000208421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
power failure
furnace
processing
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11009559A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Todoroki
豊 轟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP11009559A priority Critical patent/JP2000208421A/ja
Publication of JP2000208421A publication Critical patent/JP2000208421A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 停電が発生した場合、復電後の処理を自動的
に決定することができるようにする。 【解決手段】 温度センサ24は、反応炉21の内部の
温度を検出する。圧力センサ25は、反応炉21の内部
の圧力を検出する。停電/復電検知回路31は、ヒータ
用電源の停電および復電を検出する。停電/復電検知回
路32は、真空ポンプ用電源の停電および復電を検出す
る。コントローラ27は、停電/復電検知回路31また
は32によって、ヒータ用電源または真空ポンプ用電源
に停電が発生したことが検知されると、温度センサ24
と圧力センサ25の検出出力に基づいて、停電発生時と
復電時の炉内温度差および炉内圧力差を求め、これらに
基づいて、復電後の処理を自動的に決定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体デバイスの製
造工程で用いられる固体デバイス製造装置に係わり、特
に、密閉された処理空間で被処理物に所定の処理を施す
固体デバイス製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスや液晶表示デバ
イス等の固体デバイスの製造工程で用いられる固体デバ
イス製造装置では、停電が発生した場合に、装置の動作
が停止すること等を極力防止する必要がある。
【0003】このため、このような固体デバイス製造装
置では、通常、主電源の他にバックアップ電源を設け、
主電源に停電が発生すると、装置をバックアップ電源に
よってバックアップするようになっている。
【0004】しかし、CVD(Chemical Vapor Deposit
ion)装置等の固体デバイス製造装置では、コントロー
ラのような消費電力の小さな負荷だけでなく、ヒータや
真空ポンプのような消費電力の大きな負荷が存在する。
ここで、消費電力の大きな負荷をバックアップする場合
は、多大な設備が必要となる。このため、消費電力の大
きな負荷を有する固体デバイス製造装置では、通常、消
費電力の小さな負荷をバックアップし、消費電力の大き
な負荷はバックアップしないようになっている。
【0005】図15は、このような電源バックアップ機
能を備えた従来のCVD装置の構成を示すブロック図で
ある。図示の装置は、反応炉11と、ヒータ12と、真
空ポンプ13と、コントローラ14と、無停電電源(以
下「UPS」という。)15とを有し、コントローラ用
電源に停電が発生すると、UPS15によってコントロ
ーラ14をバックアップするようになっている。
【0006】このような構成によれば、コントローラ1
4は、コントローラ用電源に停電が発生しても、この停
電に左右されることなく、予め定められた処理を実行す
ることができる。
【0007】しかしながら、このような構成では、ヒー
タ用電源や真空ポンプ用電源に停電が発生した場合、ヒ
ータ12や真空ポンプ13をバックアップすることがで
きない。これにより、コントローラ14が処理を続行す
ることができても、反応炉11の内部の温度や圧力の制
御は不可能となる。
【0008】このため、CVD装置のような固体デバイ
ス製造装置では、従来、ヒータ用電源や真空ポンプ用電
源に停電が発生すると、これをオペレータが認識し、停
電時間が停電許容時間内であれば、停電が復旧した後、
オペレータが自動復帰操作を行い、被処理物の処理を続
行するようになっていた。これに対し、停電時間が停電
許容時間外であれば、停電が復旧したときの装置の状態
をオペレータが目視で確認し、被処理物の処理を続行す
るか、中断するか等を決定するようになっていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、停電が発生したことをオペレータが気づ
かなかった場合、または、気づいたとしてもオペレータ
の対処が遅れた場合や判断ミスが生じた場合、固体デバ
イスに不良が発生するという問題があった。
【0010】そこで、本発明は、停電が発生した場合、
復電後の処理を自動的に決定することができる固体デバ
イス製造装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の固体デバイス製造装置は、固体デバイ
スの製造工程で用いられ、密閉された処理空間で被処理
物に所定の処理を施す装置において、処理空間の温度を
検出する温度検出手段と、処理空間の圧力を検出する圧
力検出手段と、停電が発生すると、温度検出手段の検出
出力と圧力検出手段の検出出力の少なくとも一方に基づ
いて、停電が復旧した後に実行すべき処理を自動的に決
定する処理決定手段とを備えたことを特徴とする。
【0012】この請求項1記載の装置では、温度検出手
段により処理空間の温度が検出され、圧力検出手段によ
り処理空間の圧力が検出される。そして、停電が発生す
ると、これら2つの検出出力の少なくとも一方に基づい
て、処理決定手段によって、復電後の処理が自動的に決
定される。これにより、停電が発生したことをオペレー
タが気づかなかった場合等でも、固体デバイスに不良が
発生することを防止することができる。また、温度や圧
力のような被処理物の処理の実行条件を規定するパラメ
ータに基づいて、復電後の処理を決定することができ
る。これにより、信頼性の高い決定を行うことができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
【0014】[1]一実施の形態 [1−1]構成 図1は、本発明の一実施の形態の構成を示すブロック図
である。なお、以下の説明では、本発明を縦型のCVD
装置に適用した場合を代表として説明する。
【0015】図示のCVD装置は、基板の表面に所定の
薄膜を形成するための密閉された反応空間を形成する反
応炉21と、この反応炉21の内部(反応空間)に収容
された基板を加熱するためのヒータ22と、この反応炉
21の内部の雰囲気を排出するための真空ポンプ23と
を有する。
【0016】また、この装置は、反応炉21の内部の温
度を検出するための温度センサ24と、反応炉21の内
部の圧力を検出するための圧力センサ25と、装置にデ
ータや命令等を入力したり、装置の状態を示すデータ等
を出力するための入出力部26と、装置の動作を制御す
るためのコントローラ27と、各種プログラムや各種テ
ーブル等を記憶するためのメモリ28と、時刻を計測す
るためのタイマ29とを有する。
【0017】さらに、この装置は、コントローラ用電源
に停電が発生した場合にコントローラ24をバックアッ
プするためのUPS30と、ヒータ用電源の停電および
復電を検知する停電/復電検知回路31と、真空ポンプ
用電源の停電および復電を検知する停電/復電検知回路
32とを有する。これら停電/復電検知回路31,32
は、例えば、ヒータ22や真空ポンプ23の電源ライン
に接続されたリレーによって構成されている。
【0018】なお、コントローラ用電源と、ヒータ用電
源と、真空ポンプ用電源としては、例えば、異なる電源
が用いられる。この場合、コントローラ用電源として
は、例えば、AC100ボルトまたは115ボルトの電
源が用いられ、ヒータ用電源やポンプ用電源としては、
例えば、AC200ボルトまたは208ボルトの電源が
用いられる。
【0019】[1−2]動作 上記構成において、動作を説明する。
【0020】基板に所定の薄膜を形成する場合、まず、
基板チャージ処理が実行される。これにより、図示しな
いカセットに収容されている複数の基板が図示しないボ
ートに移載される。この基板チャージ処理が終了する
と、ボートローディング処理が実行される。これによ
り、ボートが反応炉21の内部に搬入される。その結
果、ボートに収容されている複数の基板がヒータ22に
より加熱される。
【0021】このボートローディング処理が終了する
と、成膜処理が実行される。これにより、反応炉21の
内部に反応ガス等が供給される。その結果、基板表面に
所定に薄膜が形成される。また、このとき、真空ポンプ
23により、反応炉21の内部の雰囲気が排出される。
これにより、反応生成物等が排出される。
【0022】この成膜処理が終了すると、ボートアンロ
ーディング処理が実行される。これにより、ボートが反
応炉21から搬出される。このボートアンローディング
処理が終了すると、基板ディスチャージ処理が実行され
る。これにより、成膜処理の済んだ複数の基板がボート
からカセットに移載される。以下、同様に、1回分の成
膜処理が終了するたびに、上述した処理が実行される。
【0023】この成膜プロセスにおいて、コントローラ
27の電源電圧は、コントローラ用電源から供給され
る。同様に、ヒータ22の電源電圧は、ヒータ用電源か
ら供給され、真空ポンプ23の電源電圧は、ポンプ用電
源から供給される。
【0024】この状態で、コントローラ用電源に停電が
発生すると、この停電はUPS30によって検出され
る。UPS30は、この停電を検出すると、コントロー
ラ27に電源電圧を供給する。これにより、コントロー
ラ用電源に停電が発生すると、コントローラ27は、U
PS30によってバックアップされる。この状態で、コ
ントローラ用電源の停電が復旧すると、コントローラ2
7の電源供給は、コントローラ用電源に戻される。
【0025】また、ヒータ用電源に停電が発生すると、
この停電は、停電/復電検知回路31によって検知され
る。停電/復電検知回路31は、この停電を検知する
と、停電検知信号をコントローラ27に供給する。この
状態で、ヒータ用電源の停電が復旧すると、この復電
は、停電/復電検知回路31によって検知される。停電
/復電検知回路31は、この復電を検知すると、復電検
知信号をコントローラ27に供給する。コントローラ2
7は、停電/復電検知回路31から停電検知信号を受信
すると、停電処理を実行し、復電検知信号を受信する
と、復電後の処理を決定する。
【0026】同様に、ポンプ用電源に停電が発生する
と、停電/復電検知回路32からコントローラ27に停
電検知信号が供給され、この停電が復旧すると、復電検
知信号が供給される。コントローラ27は、停電/復電
検知回路32から停電検知信号を受信すると、停電処理
を実行し、復電検知信号を受信すると、復電後の処理を
決定する。
【0027】図2および図3は、コントローラ27によ
る停電処理を示すフローチャートである。なお、この停
電処理を実行するためのプログラムは、メモリ28に格
納されている。
【0028】図示のごとく、コントローラ27は、停電
/復電検知回路31または32から停電検知信号を受信
すると、停電が発生したときの時刻と、炉内温度と、炉
内圧力とを停電発生時制御状態テーブルに書き込む(ス
テップS11)。ここで、停電発生時制御状態テーブル
とは、停電発生時の装置の制御状態を書き込むためのテ
ーブルである。停電発生時の時刻はタイマ29によって
計測され、炉内温度は温度センサ24によって検出さ
れ、炉内圧力は圧力センサ25によって検出される。
【0029】図4は、停電発生時制御状態テーブルの構
成の一例を示す図である。図示の停電発生時制御状態テ
ーブルには、停電発生時の時刻A1、炉内温度A2、炉
内圧力A3等が書き込まれるようになっている。このテ
ーブルは、図1のメモリ28に格納されている。
【0030】この書込み処理が終了すると、コントロー
ラ27は、停電発生時の炉内温度と、炉内圧力とを最大
・最小値テーブルに書き込む(ステップS12)。ここ
で、最大・最小値テーブルとは、停電発生期間における
炉内温度の最大値および最小値、炉内圧力の最大値およ
び最小値等を書き込むためのテーブルである。
【0031】図5は、最大・最小値テーブルの構成の一
例を示す図である。図示の最大・最小値テーブルには、
炉内温度の最大値B1および最小値B2、炉内圧力の最
大値B3および最小値B4等が書き込まれるようになっ
ている。この場合、停電発生時の炉内温度は、炉内温度
の最大値B1および最小値B2として書き込まれる。ま
た、停電発生時の炉内圧力は、炉内圧力の最大値B3お
よび最小値B4として書き込まれる。
【0032】この書込み処理が終了すると、コントロー
ラ27は、所定時間が経過したか否かを判定し(ステッ
プS13)、経過すると、炉内温度の最大値または最小
値の更新処理を実行する(ステップS14)。この更新
処理は、現在の炉内温度と、最大・最小値テーブルに書
き込まれている炉内温度の最大値B1および最小値B2
とを比較することにより行われる。
【0033】すなわち、この比較の結果、現在の炉内温
度が最大・最小値テーブルに書き込まれている炉内温度
の最大値B1より高ければ、この最大値B1が現在の炉
内温度に書き換えられる。これに対し、現在の炉内温度
が最大・最小値テーブルに書き込まれている炉内温度の
最小値B2より低ければ、この最小値B2が現在の炉内
温度に書き換えられる。また、現在の炉内温度が最小値
B2以上で最大値B1以下であれば、この書換えは行わ
れない。
【0034】この更新処理が終了すると、コントローラ
27は、炉内圧力の最大値B3および最小値B4の更新
処理を実行する(ステップS15)。この更新処理も、
炉内温度の最大値B1および最小値B2の更新処理と同
じようにして行われる。
【0035】この更新処理が終了すると、コントローラ
27は、停電/復電検知回路31または32から復電検
知信号を受信したか否かを判定し(ステップS16)、
受信しない場合は、ステップS13に戻り、所定時間が
経過した時点で、再び、更新処理を実行する。これに対
し、復電検知信号を受信した場合は、復電時の時刻と、
炉内温度と、炉内圧力とを復電時制御状態テーブルに書
き込む(ステップS17)。ここで、復電時制御状態テ
ーブルとは、ヒータ用電源や真空ポンプ用電源が復電し
たときの装置の制御状態を書き込むためのテーブルであ
る。
【0036】図6は、復電時制御状態テーブルの構成の
一例を示す図である。図示の復電時制御状態テーブル
は、復電時の時刻C1、炉内温度C2、炉内圧力C3等
が書き込まれるようになっている。
【0037】この書込み処理が終了すると、コントロー
ラ27は、炉内温度の最大値B1および最小値B2と、
炉内圧力の最大値B3および最小値B4との更新処理を
実行する(ステップS18,S19)。これにより、炉
内温度の最大値B1および最小値B2と、炉内圧力の最
大値B3および最小値B4が確定する。
【0038】この更新処理が終了すると、コントローラ
27は、復電後の処理を決定するための決定処理とし
て、時間決定処理を行うか、温度差等決定処理を行うか
を判定する(ステップS20)。ここで、時間決定処理
とは、停電時間によって規定される決定処理である。ま
た、温度差等決定処理とは、停電発生時と復電時の炉内
温度差および炉内圧力差によって規定される決定処理で
ある。
【0039】図7は、時間決定処理(図3のステップS
21)を示すフローチャートである。図示のごとく、こ
の時間決定処理においては、コントローラ27は、ま
ず、停電時間を算出する(ステップS31)。この算出
は、復電時制御状態テーブル(図6参照)に書き込まれ
ている復電時刻から停電発生時制御状態テーブル(図4
参照)に書き込まれている停電発生時刻を引くことによ
り求められる。
【0040】この算出処理が終了すると、コントローラ
24は、算出した停電時間に基づいて、復電後の処理を
決定し、これを実行する(ステップS32〜S36)。
復電後の処理の決定は、時間決定処理用テーブルを用い
て行われる。
【0041】図8は、この時間決定処理用テーブルの構
成の一例を示す図である。図示の時間決定処理用テーブ
ルには、停電許容時間D1と、処理コマンドE1と、停
電許容時間D2と、処理コマンドE2と、処理コマンド
E3とが書き込まれるようになっている。ここで、停電
許容時間D2は、停電許容時間D1より長くなるように
設定されている。また、処理コマンドE1,E2,E3
によって指定される処理としては、例えば、安全状態へ
の移行処理、成膜プロセスの中断処理、ブザー鳴動処
理、一時停止処理、処理をスキップまたはジャンプさせ
る処理、復電時処理等がある。安全状態への移行処理と
は、炉内温度、炉内圧力、ガス流量を初期状態に戻して
装置の安全を確保するリセットモードへの移行処理であ
る。また、復電時処理とは、復電時に実行する処理のこ
とで、予めサブレシピ等で定義された処理である。
【0042】上述した図7のフローチャートは、時間決
定処理テーブルとして、図8の時間決定処理テーブルを
用いる場合を示す。この場合、コントローラ27は、算
出した停電時間が停電許容時間D1以内か否かを判定し
(ステップS32)、停電許容時間D1以内であれば、
処理コマンドE1を実行する(ステップS33)。これ
に対し、停電許容時間D1より大きい場合は、停電許容
時間D2以内か否かを判定し(ステップS34)、停電
許容時間D2以内であれば、処理コマンドE2を実行す
る(ステップS35)。これに対し、停電許容時間D2
より大きい場合は、処理コマンドE3を実行した後(ス
テップS36)、停電許容時間D2より大きかったこと
をエラーテーブルに書き込む(ステップS37)。
【0043】図9は、上述した停電許容時間D1,D2
と処理コマンドE1,E2,E3との関係を示す図であ
る。図示のごとく、停電時間が停電許容時間D1以内の
場合は、処理コマンドE1が実行され、許容停電時間D
2以内の場合は、処理コマンドE2が実行され、許容停
電時間D3より大きい場合は、処理コマンドE3が実行
される。
【0044】図10および図11は、温度差等決定処理
(図3のステップS22)を示すフローチャートであ
る。図示のごとく、この温度差等決定処理においては、
コントローラ27は、まず、復電時の炉内温度と停電発
生時の炉内温度との差を算出する(ステップS41)。
この算出は、復電時制御状態テーブル(図6参照)に書
き込まれている復電時の炉内温度から停電発生時制御状
態テーブル(図4参照)に書き込まれている停電発生時
の炉内温度を引くことにより求められる。
【0045】この算出処理が終了すると、コントローラ
27は、算出した炉内温度差が許容温度差以内か否かを
判定し、許容温度差以内であれば、許容温度差用エラー
フラグを0にし、許容温度差より大きければ、このエラ
ーフラグを1にする(ステップS42〜S47)。
【0046】このあと、コントローラ27は、まず、復
電時の炉内圧力と停電発生時の炉内圧力との差を算出す
る(ステップS48)。この算出は、復電時制御状態テ
ーブル(図6参照)に書き込まれている復電時の炉内圧
力から停電発生時制御状態テーブル(図4参照)に書き
込まれている停電発生時の炉内圧力を引くことにより求
められる。
【0047】この算出処理が終了すると、コントローラ
27は、算出した炉内圧力差が許容圧力差以内か否かを
判定し、許容圧力差以内であれば、許容圧力差用エラー
フラグを0にし、許容圧力差より大きければ、このエラ
ーフラグを1にする(ステップ49〜S58)。
【0048】このあと、コントローラ27は、エラーフ
ラグに基づいて、復電後の処理を決定し、これを実行す
る(ステップS55〜S58)。復電後の処理の決定
は、温度差等決定処理用テーブルを用いて行われる。
【0049】図12は、この温度差等決定処理用テーブ
ルの構成の一例を示す図である。図示の温度差決定処理
用テーブルには、許容温度差として、マイナスの許容温
度差F1と、プラスの許容温度差F2とが書き込まれる
ようになっている。同様に、許容圧力差として、マイナ
スの許容圧力差G1と、プラスの許容圧力差F2とが書
き込まれるようになっている。また、処理コマンドH1
としては、炉内温度差と炉内圧力差とがともに許容値内
の場合に実行される処理コマンドH1と、1つでも許容
値外である場合に実行される処理コマンドH2とが書き
込まれるようになっている。この処理コマンドH1,H
2も、上述したような処理コマンドE1,E2,E3と
同じような内容を有する。
【0050】上述した図10および図11のフローチャ
ートは、温度差決定処理テーブルとして、図12の温度
差決定処理テーブルを用いる場合を示す。この場合、コ
ントローラ27は、算出した炉内温度差がマイナス許容
温度差F1以内か否かを判定し(ステップS42)、マ
イナス許容温度差F1以内であれば、マイナス許容温度
差用エラーフラグを0にした後(ステップS43)、炉
内温度差がプラス許容温度差F2以内か否かを判定する
(ステップS45)。これに対し、マイナス許容温度差
F1以内でなければ、マイナス許容温度差用エラーフラ
グを1にした後(ステップS44)、炉内圧力差を算出
する(ステップS48)。
【0051】炉内温度差がプラス許容温度差F2以内で
あれば、プラス許容温度差用エラーフラグを0にした後
(ステップS46)、炉内圧力差を算出する(ステップ
S48)。これに対し、プラス許容温度差F2以内でな
ければ、プラス許容温度差用エラーフラグを1にした後
(ステップS47)、炉内圧力差を算出する(ステップ
S48)。
【0052】このあと、コントローラ27は、算出した
炉内圧力差について、炉内温度差に対する処理と同じよ
うな処理を実行する(ステップS49〜S54)。この
処理が終了すると、コントローラ27は、すべてのエラ
ーフラグが0か否かを判定し(ステップS55)、0の
場合は、処理コマンドH1を実行し(ステップS5
6)、1つでも1があると、処理コマンドH2を実行し
た後(ステップS57)、どのエラーフラグが1であっ
たかをエラーテーブルに書き込む(ステップS58)。
【0053】図13は、停電が発生した後の炉内温度の
変化の一例を示す特性図である。図において、横軸は時
間を示し、縦軸は、炉内温度を示し、Jは、炉内温度の
変化特性を示す。図には、炉内温度が停電発生時から徐
々に低下する場合を示す。今、停電が時刻K1に復旧し
たものとする。この場合は、炉内温度差がマイナス許容
温度差F1に達しない。これにより、この場合は、処理
コマンドH1が実行される。これに対し、停電が時刻K
2に復旧したものとする。この場合は、炉内温度差がマ
イナス許容温度差F1に達する。これにより、この場合
は、処理コマンドH2が実行される。
【0054】決定処理として、時間決定処理を実行する
か、温度差等決定処理を実行するかは、レシピの各ステ
ップごとに指定される。これを図14を参照しながら説
明する。図14は、成膜用レシピの一例を概念的に示す
図である。
【0055】図示のごとく、成膜用レシピには、各ステ
ップMn(n=1,2,3,…)ごとに、処理コマンド
Nnと、制御パラメータPnと、決定処理指定データQ
1またはQ2が記述されている。ここで、ステップM
1,M2,M3,…は、それぞれ、例えば、上述した基
板チャージ処理、ボートローディング処理、成膜処理、
…を実行するためのステップである。また、処理コマン
ドN1,N2,N3,…は、それぞれ、対応するの処理
を指示するためのコマンドである。さらに、制御パラメ
ータP1,P2,P3,…は、それぞれ対応する処理の
実行条件を指定するためのパラメータである。このパラ
メータPnとしては、例えば、温度、圧力、処理時間等
がある。決定処理指定データQ1は、時間決定処理を指
定するデータであり、決定処理指定データQ2は、温度
差等決定処理を指定するデータである。
【0056】このような構成においては、コントローラ
27は、あるステップMnの実行中に、ヒータ用電源や
ポンプ用電源に停電が発生すると、このステップMnの
決定処理指定データに基づいて、時間決定処理を実行す
るか、温度差等決定処理を実行するかを判定する(図3
のステップS20参照)。これにより、図14の例の場
合、例えば、成膜処理ステップA3の実行中に、ヒータ
用電源やポンプ用電源に停電が発生すると、温度差等決
定処理が実行される。
【0057】時間決定処理と温度差等決定処理のどちら
を指定するかは、ユーザの自由であるが、一例として、
例えば、次のような指定の仕方が考えられる。すなわ
ち、時間決定処理を指定する場合としては、例えば、ど
のくらい停電すれば、成膜プロセスに支障を来すか否か
が経験によって確かめられている場合が考えられる。こ
れに対し、温度差等決定処理を指定する場合としては、
このような経験がない場合が考えられる。
【0058】なお、停電発生時制御状態テーブル(図4
参照)、最大・最小値テーブル(図5参照)、復電時制
御状態テーブル(図6参照)、エラーテーブルの情報
は、コントローラ27のアラーム情報として記録され
る。これにより、オペレータは、停電発生後の自動処理
の状態を後で確認することができる。
【0059】[1−3]効果 以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を
得ることができる。
【0060】(1)まず、本実施の形態によれば、停電
が発生すると、炉内温度および炉内圧力を検出し、この
検出出力に基づいて、復電後の処理を自動的に決定する
ようになっている。これにより、停電が発生したことを
オペレータが気づかなかった場合等でも、固体デバイス
に不良が発生することを防止することができる。
【0061】(2)また、本実施の形態によれば、炉内
温度や炉内圧力のような基板の処理(基板チャージ処
理、ボートローディング処理、成膜処理等)の実行条件
を規定するパラメータに基づいて、復電後の処理を決定
するようになっている。これにより、信頼性の高い決定
を行うことができる。
【0062】(3)さらに、本実施の形態によれば、炉
内温度と炉内圧力のいずれか一方ではなく、両方に基づ
いて、復電後の処理を決定するようになっている。これ
により、いずれか一方に基づいて復電後の処理を決定す
る場合より、決定の信頼性を高くすることができる。
【0063】(4)さらにまた、本実施の形態によれ
ば、復電後の処理を決定するための情報として、停電発
生時と復電時の炉内温度差および炉内圧力差を用いるよ
うになっている。これにより、復電後の処理を決定する
場合、停電中の炉内温度および炉内圧力の変化を加味し
た決定を行うことができる。その結果、復電後の処理を
決定するための情報として、停電発生中のある時点の炉
内温度および炉内圧力を用いる場合に比べ、決定の信頼
性を高めることができる。
【0064】(5)また、本実施の形態によれば、復電
後の処理を決定するための情報として、炉内温度および
炉内圧力の代わりに停電時間も指定可能となっている。
これにより、柔軟性の高い装置を提供することができ
る。
【0065】(6)さらに、本実施の形態によれば、成
膜レシピの各ステップごとに、復電後の処理を決定する
ための情報を指定可能となっている。これにより、柔軟
性の高い装置を提供することができる。
【0066】[2]その他の実施の形態 以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明したが、本発
明は、上述したような実施の形態に限定されるものでは
ない。
【0067】(1)例えば、先の実施の形態では、復電
後の処理を決定するための情報として、停電発生時と復
電時の炉内温度差および炉内圧力差を用いる場合を説明
した。しかしながら、本発明は、これらのいずれか一方
を用いるようにしてもよい。また、本発明は、炉内温度
差や炉内圧力差ではなく、停電発生中のある時点の炉内
温度や炉内圧力を用いるようにしてもよい。
【0068】(2)また、先の実施の形態では、温度差
等決定処理用テーブルとして、1つのテーブルを用いる
場合を説明した。しかしながら、本発明では、複数のテ
ーブルを設け、これらを選択的に用いるようにしてもよ
い。これは、時間決定処理用テーブルについても同様で
ある。
【0069】(3)さらに、先の実施の形態では、復電
後の処理を決定するための情報として、炉内温度や炉内
圧力と停電時間とを用いる場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、炉内温度や炉内圧力のみを用いるように
してもよい。この場合、温度差等決定処理用テーブルと
して複数のテーブルを設ける場合は、例えば、各ステッ
プごとにこのテーブルを指定するようにしてもよい。
【0070】(4)この他にも、本発明は、その要旨を
逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論で
ある。
【0071】
【発明の効果】以上詳述したように請求項1記載の固体
デバイス製造装置によれば、停電が発生すると、炉内温
度と炉内圧力の少なくとも一方に基づいて、復電後の処
理を自動的に決定するようになっている。これにより、
停電が発生したことをオペレータが気づかなかった場合
等でも、固体デバイスに不良が発生することを防止する
ことができる。また、被処理物の処理の実行条件を規定
するパラメータに基づいて、復電後の処理が決定するこ
とができる。これにより、信頼性の高い決定を行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の構成を示す図である。
【図2】本発明の一実施の形態における停電処理を示す
フローチャートである。
【図3】本発明の一実施の形態における停電処理を示す
フローチャートである。
【図4】本発明の一実施の形態における停電発生時制御
状態テーブルの構成を示す図である。
【図5】本発明の一実施の形態における最大値・最小値
テーブルの構成を示す図である。
【図6】本発明の一実施の形態における復電時制御状態
テーブルの構成を示す図である。
【図7】本発明の一実施の形態における時間決定処理を
示すフローチャートである。
【図8】本発明の一実施の形態における時間決定処理用
テーブルを示す図である。
【図9】本発明の一実施の形態における時間決定処理を
示す図である。
【図10】本発明の一実施の形態における温度差等決定
処理を示すフローチャートである。
【図11】本発明の一実施の形態における温度差等決定
処理を示すフローチャートである。
【図12】本発明の一実施の形態における温度差等決定
処理用テーブルを示す図である。
【図13】本発明の一実施の形態における温度差等時間
決定処理の一例を示す図である。
【図14】本発明の一実施の形態における成膜レシピの
構成を示す図である。
【図15】従来の固体デバイス製造装置の構成を示すブ
ロック図である。
【符号の説明】
21…反応炉、22…ヒータ、23…真空ポンプ、24
…温度センサ、25…圧力センサ、26…入出力部、2
7…コントローラ、28…メモリ、29…タイマ、30
…UPS、31,32…停電/復電検知回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体デバイスの製造工程で用いられ、密
    閉された処理空間で被処理物に所定の処理を施す固体デ
    バイス製造装置において、 前記処理空間の温度を検出する温度検出手段と、 前記処理空間の圧力を検出する圧力検出手段と、 停電が発生すると、前記温度検出手段の検出出力と前記
    圧力検出手段の検出出力の少なくとも一方に基づいて、
    前記停電が復旧した後に実行すべき処理を自動的に決定
    する処理決定手段とを備えたことを特徴とする固体デバ
    イス製造装置。
JP11009559A 1999-01-18 1999-01-18 固体デバイス製造装置 Pending JP2000208421A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11009559A JP2000208421A (ja) 1999-01-18 1999-01-18 固体デバイス製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11009559A JP2000208421A (ja) 1999-01-18 1999-01-18 固体デバイス製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000208421A true JP2000208421A (ja) 2000-07-28

Family

ID=11723652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11009559A Pending JP2000208421A (ja) 1999-01-18 1999-01-18 固体デバイス製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000208421A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295793A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
CN110581089A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
US11289351B2 (en) 2017-09-15 2022-03-29 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295793A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
US11289351B2 (en) 2017-09-15 2022-03-29 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
CN110581089A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
KR20190139059A (ko) * 2018-06-07 2019-12-17 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102168381B1 (ko) * 2018-06-07 2020-10-21 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11244848B2 (en) 2018-06-07 2022-02-08 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
CN110581089B (zh) * 2018-06-07 2024-02-27 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4111890B2 (ja) 無停電電源装置
JP4837152B1 (ja) プログラマブルコントローラ
JPH10308334A (ja) プロセス制御システムとそのプロセスデータ転送制御方法
JP2000208421A (ja) 固体デバイス製造装置
TWI297423B (ja)
JPH07298512A (ja) 充電装置および充電方法
JP2007026936A (ja) 調理器
JP2980704B2 (ja) プログラマブルコントローラ
US9329071B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2007073858A (ja) 基板処理装置
JPS62281781A (ja) 故障情報モニタリング方法
JP2002048395A (ja) 自動風呂装置
JP2767668B2 (ja) 電気機器
JP2002317977A (ja) 恒温恒湿庫の制御装置
JP2002353085A (ja) 半導体製造装置の管理システム及び半導体製造装置の管理方法
JP2010055226A (ja) 充電制御装置、充電制御方法、プログラムおよび金融端末装置
JP2005148890A (ja) プロセッサ監視装置
JPH03262623A (ja) 樹脂成形制御装置
JPH06102902A (ja) プロセス制御装置
JPH1124712A (ja) プログラマブルコントローラ
JPH0259801A (ja) 最適化制御装置
JP4592280B2 (ja) データ記憶装置
JP2005209998A (ja) 装置データの管理システム、装置データの管理方法および装置データの管理プログラム
JPH05297988A (ja) 制御装置
JPH07127914A (ja) 貯湯式電気温水器の制御装置