JP5460191B2 - 磁界の空間成分を測定する磁界センサ装置 - Google Patents
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- 磁界の空間成分を測定する磁界センサ装置において、
磁気抵抗性の層構造のXMR効果を利用する少なくとも2つの磁界センサ(4)および少なくとも2つの別の磁界センサ(5)を用いて、前記層構造に対して垂直であるか、平行ではない、検出すべき前記磁界の既存の別の成分を、磁束線(3)が前記磁界の水平成分を形成するように磁束コンセントレータ(1)の縁部領域において前記磁束線(3)が偏向されるように前記層構造上に少なくとも1つの磁束コンセントレータ(1)が配置されていることによって検出し、
前記少なくとも2つの磁界センサ(4)は、前記磁束コンセントレータ(1)の外側の縁部領域に配置されており、
前記少なくとも2つの別の磁界センサ(5)は、前記磁束コンセントレータ(1)の下側かつ内側に配置されており、
前記少なくとも2つの磁界センサ(4)および前記少なくとも2つの別の磁界センサ(5)は測定ブリッジ回路を形成する、
ことを特徴とする、磁界センサ装置。 - 前記磁束コンセントレータ(1)は、ディスク状であり、
前記磁気抵抗性の層構造の基準層磁化(9)は、該基準層磁化(9)が前記磁束コンセントレータ(1)の外側の境界部と垂直に交差し、前記磁束コンセントレータ(1)の中心点に向かって放射状に示されるか、または、中心点から放射状に示されるように配向されている、請求項1記載の磁界センサ装置。 - コイル装置を用いることにより、前記磁界センサ(4)および前記別の磁界センサ(5)によって形成されている環状抵抗の上方に放射状の磁界が形成されることによって前記基準層磁化(9)を達成する、
請求項2記載の磁界センサ装置。 - 前記磁気抵抗性の層構造は薄い金属性の層から構成されており、該薄い金属性の層は基板上に被着されている、
請求項1から3までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記基板は半導体チップ(2)である、
請求項4記載の磁界センサ装置。 - 前記少なくとも2つの磁界センサ(4)が前記磁束コンセントレータ(1)の縁部領域に配置されており、且つ、2つのオーム抵抗(7,8)と接続されており、該2つのオーム抵抗(7,8)と共に測定ブリッジ回路を形成する、
請求項1から5までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記別の磁界センサ(5)を用いて前記磁界の別の空間成分が検出される、
請求項1から6までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記磁界センサ(4)および前記別の磁界センサ(5)はAMRセンサである、
請求項1から7までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記磁界センサ(4)および前記別の磁界センサ(5)はGMRセンサである、
請求項1から7までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記磁界センサ(4)および前記別の磁界センサ(5)はTMRセンサである、
請求項1から7までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 1つまたは複数の前記磁束コンセントレータ(1)は軟磁性の磁束コンセントレータである、
請求項1から10までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。 - 前記磁界センサ装置を用いて3次元の磁界測定を行なう、
請求項1から11までのいずれか1項記載の磁界センサ装置。
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