JP5456783B2 - 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係るエピタキシャル基板10の構成を概略的に示す模式断面と、エピタキシャル基板10のTEM(透過型電子顕微鏡)による観察像とを対比的に示す図である。
初期層3と中間層4との界面I1(初期層3の表面)は、初期層3を構成する柱状結晶等の外形形状を反映した三次元的凹凸面となっている。界面I1がこのような形状を有することは、図2に例示する、エピタキシャル基板10のHAADF(高角散乱電子)像において、明瞭に確認される。なお、HAADF像とは、走査透過電子顕微鏡(STEM)によって得られる、高角度に非弾性散乱された電子の積分強度のマッピング像である。HAADF像においては、像強度は原子番号の二乗に比例し、原子番号が大きい原子が存在する箇所ほど明るく(白く)観察される。
上述のように、エピタキシャル基板10は、下地基板1と初期層3の間に界面層2を備える態様であってもよい。界面層2は、数nm程度の厚みを有し、アモルファスのSiAlxOyNzからなるのが好適な一例である。
上述のように、エピタキシャル基板10は、中間層4と機能層5の間に超格子構造層6を備える態様であってもよい。図1に示す例であれば、超格子構造層6は、中間層4の上に、相異なる組成の2種類のIII族窒化物層である第1単位層6aと第2単位層6bとを繰り返し交互に積層することにより形成されてなる。ここで、1つの第1単位層6aと1つの第2単位層6bとの組をペア層とも称する。
図1においては、エピタキシャル基板10がHEMT素子の基板として用いられる場合を想定して、機能層5として、高抵抗のGaNからなるチャネル層5aと、AlNからなるスペーサ層5bと、AlGaNやInAlNなどからなる障壁層5cとが形成される場合を例示している。チャネル層5aは数μm程度の厚みに形成されるのが好適である。スペーサ層5bは1nm程度の厚みに形成されるのが好適である。ただし、HEMT素子を構成するにあたってスペーサ層5bは必須の構成要素ではない。障壁層5cは、数十nm程度の厚みに形成されるのが好適である。係る層構成を有することにより、チャネル層5aの障壁層5c(あるいはスペーサ層5b)とのヘテロ接合界面近傍には、自発分極効果やピエゾ分極効果などによって二次元電子ガス領域が形成される。
次に、MOCVD法を用いる場合を例として、エピタキシャル基板10を製造する方法について概説する。
本実施例では、初期層3の形成条件を違えた4種のエピタキシャル基板10(試料名a−1〜a−4)を作製した。ただし、界面層2および超格子構造層6の形成は省略した。図4に、実施例1に係るエピタキシャル基板10について、AlN層(初期層)形成条件および種々の評価結果を示している。
初期層3の形成条件を、20nm/min以上という成膜速度と200nm以下という目標膜厚との少なくとも一方をみたさないように定めた他は、実施例1と同様の条件での4種のエピタキシャル基板(試料名b−1〜b−4)を作製した。比較例1についても、図4に、係るエピタキシャル基板10について、AlN層形成条件および種々の評価結果を示している。
図4に示すように、実施例1では全ての試料において初期層3が三次元的凹凸を有するように形成されているのに対して、比較例1において初期層が三次元的凹凸を有するように形成されたのはb−2の試料のみである。特に、b−4の試料については、(0002)面の半値幅が極めて小さく、モザイク度が小さくなっていた。また、b−2についても、実施例1に比べると十分な三次元的凹凸は得られなかった。
界面層2を設けるようにした他は、実施例1と同様の条件および手順で4種のエピタキシャル基板10(試料名a−5〜a−8)を作製した。実施例2についても、図4に、係るエピタキシャル基板10について、AlN層形成条件および種々の評価結果を示している。
界面層2を設けた実施例2においては、凸部の様子は実施例1と同じであるものの、AlN層の(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が実施例1よりも小さくなっている。また、GaN層についてみると、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅のみならず、転位密度についても実施例1より小さくなっている。
実施例3として、中間層であるAl0.3Ga0.7N層の平均膜厚を40nm以上の範囲で種々に違えた他は、実施例1と同様の手順で、5種のエピタキシャル基板10(試料名a−9〜a−13)を作製した。なお、a−10は実施例1のa−2と同一である。
実施例5として、中間層4の組成を種々に違えた他は実施例1と同様の手順で、4種のエピタキシャル基板10(試料名a−19〜a−22)を作製した。なお、a−20は実施例1のa−2と同一である。
本比較例では、下地基板としてサファイア基板を用いたエピタキシャル基板を作製した。
図4ないし図6に示した、実施例1ないし実施例6に係るエピタキシャル基板10における機能層の全転位密度を、比較例3に係るエピタキシャル基板の全転位密度と比較すると、実施例1ないし実施例6の方が値は大きいが、オーダーとしては同じである。特に、界面層2を備える実施例2、実施例4、および実施例6に係るエピタキシャル基板10においては、比較例3との差が最大でも2割程度と非常に小さくなっている。また、らせん転位密度についても、実施例1ないし実施例6に係るエピタキシャル基板10の値は比較例3に係るエピタキシャル基板の値のせいぜい数倍程度に収まっている。
実施例7ないし実施例10として、エピタキシャル基板10を用いた半導体素子として、ショットキーダイオードを作製した。また、比較例4として、サファイアウェハーを下地基板とするエピタキシャル基板を用いたショットキーダイオードの作成を行った。図7に、実施例7ないし実施例10、および比較例4に係るエピタキシャル基板について、層構成および種々の評価結果を示している。
実施例11ないし実施例14として、HEMT素子用のエピタキシャル基板10を作製した。また、比較例5として、サファイアウェハーを下地基板とする、HEMT素子用のエピタキシャル基板を作製した。図8に、実施例11ないし実施例14、および比較例5に係るエピタキシャル基板について、層構成および種々の評価結果を示している。
Claims (20)
- (111)方位の単結晶シリコンである下地基板の上に、前記下地基板の基板面に対し(0001)結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなる、半導体素子用のエピタキシャル基板であって、
前記下地基板の上に形成された、AlNからなる第1のIII族窒化物層と、
前記第1のIII族窒化物層の上に形成され、InxxAlyyGazzN(xx+yy+zz=1、0≦xx<1、0≦yy<1、0<zz≦1)からなる第2のIII族窒化物層と、
前記第2のIII族窒化物層の上にエピタキシャル形成された少なくとも1つの第3のIII族窒化物層と、
を備え、
前記第1のIII族窒化物層が、柱状あるいは粒状の結晶もしくはドメインの少なくとも一種から構成される多結晶欠陥含有性層であって、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が0.5度以上1.1度以下であり、(10−10)面のX線ロッキングカーブ半値幅が0.8度以上1.1度以下であり、
前記第1のIII族窒化物層と前記第2のIII族窒化物層との界面が3次元的凹凸面である、
ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1に記載のエピタキシャル基板であって、
前記下地基板と前記第1のIII族窒化物層との間に、アモルファスの界面層が形成されてなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項2に記載のエピタキシャル基板であって、
前記界面層がSiAl x O y N z からなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項3に記載のエピタキシャル基板であって、
前記第1のIII族窒化物層の(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が0.5度以上0.8度以下である、
ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
計測対象面について原子間力顕微鏡により計測した5μm×5μm領域についての平均粗さを表面粗さと定義するとき、前記第2のIII族窒化物層と前記少なくとも1つの第3のIII族窒化物層との界面の表面粗さが、4nm以上12nm以下である、
ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
前記第2のIII族窒化物層がAl yy Ga zz N(yy+zz=1、0≦yy<1、0<zz≦1)からなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
前記第1のIII族窒化物層の凸部の密度が5×10 9 /cm 2 以上5×10 10 /cm 2 以下であることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
前記第1のIII族窒化物層の凸部の平均間隔が45nm以上140nm以下であることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
前記少なくとも1つの第3のIII族窒化物層が半導体素子の機能層を含むことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、
前記少なくとも1つの第3のIII族窒化物層が、相異なる組成の2種類以上のIII族窒化物層を前記第2のIII族窒化物層の直上に周期的に積層した超格子構造層を含む、
ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。 - 請求項1ないし請求項10のいずれかに記載のエピタキシャル基板を用いて作製した半導体素子。
- (111)方位の単結晶シリコンである下地基板の上に、前記下地基板の基板面に対し(0001)結晶面が略平行なIII族窒化物層群を形成してなる半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法であって、
前記下地基板の上にAlNからなる第1のIII族窒化物層を形成する第1形成工程と、
前記第1のIII族窒化物層の上にIn xx Al yy Ga zz N(xx+yy+zz=1、0≦xx<1、0≦yy<1、0<zz≦1)からなる第2のIII族窒化物層を形成する第2形成工程と、
前記第2のIII族窒化物層の上に少なくとも1つの第3のIII族窒化物層をエピタキシャル形成する第3形成工程と、
を備え、
前記第1形成工程においては、成膜速度を20nm/min.以上とし、前記第1のIII族窒化物層を、柱状あるいは粒状の結晶もしくはドメインの少なくとも一種から構成され、表面が三次元的凹凸面であり、平均膜厚が200nm以下の多結晶欠陥含有性層として形成する、
ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記下地基板と前記第1のIII族窒化物層との間に、アモルファスの界面層を形成する界面層形成工程、
をさらに備えることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項13に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記界面層がSiAl x O y N z からなることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12ないし請求項14のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
計測対象面について原子間力顕微鏡により計測した5μm×5μm領域についての平均粗さを表面粗さと定義するとき、前記第2形成工程においては、表面粗さが4nm以上12nm以下の前記第2のIII族窒化物層を形成することを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12ないし請求項15のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記第2形成工程においては、Al yy Ga zz N(yy+zz=1、0≦yy<1、0<zz≦1)からなる前記第2のIII族窒化物層を形成することを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12ないし請求項16のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記第3形成工程が半導体素子の機能層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12ないし請求項17のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記第3形成工程が相異なる組成の2種類以上のIII族窒化物層を前記第2のIII族窒化物層の直上に周期的に積層する工程を含む、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項12ないし請求項18のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法を用いて作製した半導体素子用エピタキシャル基板。
- 請求項12ないし請求項18のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法を用いて作製した半導体素子用エピタキシャル基板を備える半導体素子。
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