JP5445487B2

JP5445487B2 - Wireless transmission device

Info

Publication number: JP5445487B2
Application number: JP2011038612A
Authority: JP
Inventors: 朋宏久野
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2011-02-24
Filing date: 2011-02-24
Publication date: 2014-03-19
Anticipated expiration: 2031-02-24
Also published as: JP2012175648A

Description

本発明は、無線送信装置に関する。 The present invention relates to a wireless transmission device.

車両において、ユーザーが携帯する携帯機との間で無線通信によりＩＤ認証し、さらには、該携帯機からの指令により、ドアロックの施錠／開錠やエンジン始動などの制御を可能としたキーレスエントリーシステムが普及している。 Keyless entry that enables ID authentication by wireless communication with a portable device carried by a user in a vehicle, and further enables control such as locking / unlocking of a door lock and engine starting by a command from the portable device. The system is widespread.

また、車輪のバルブに搭載されている空気圧センサと無線で通信し、空気圧の低下を検出するとメータに警告表示を出力するタイヤ空気圧監視システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）も普及している。 In addition, a tire pressure monitoring system (TPMS: Tire Pressure Monitoring System) that communicates wirelessly with an air pressure sensor mounted on a wheel valve and outputs a warning display to a meter when a decrease in air pressure is detected is also widespread.

上記のような無線通信を用いるシステムにおいては、アンテナ出力の波形振幅を安定に維持できて、かつ損失が少なく、確実に探索用電波の到達エリアを形成あるいは変更可能なことが求められる（例えば、特許文献１参照）。 In the system using the wireless communication as described above, it is required that the waveform amplitude of the antenna output can be stably maintained, the loss is small, and the arrival area of the search radio wave can be reliably formed or changed (for example, Patent Document 1).

特開２００８−０７２２１０号公報JP 2008-072210 A

特許文献１では、探索用電波の電波到達エリアを変更するために、送信用アンテナへの送信駆動電圧を可変としている。このため、電圧変換回路（コンバータ）あるいは電圧調整回路（レギュレータ）を用いている。 In Patent Document 1, in order to change the radio wave arrival area of the search radio wave, the transmission drive voltage to the transmission antenna is variable. For this reason, a voltage conversion circuit (converter) or a voltage adjustment circuit (regulator) is used.

特に、車両のように無線通信装置の電源としてバッテリーを用いる場合、温度その他の使用環境によって、他の電源装置に比べて電源電圧が変動しやすいので、電波の出力（電界強度つまり電波到達エリア）も変動してしまう。そこで、電波到達エリアを一定に保つため、バッテリー電圧に応じて送信駆動電圧の昇圧／降圧（電源電圧の安定化）を行う必要がある。このため、昇圧／降圧に必要な回路を追加することにより、装置が大型化するとともにコストが上昇する問題が生ずる。また、スイッチング素子を用いて電源電圧の安定化を行う際には、スイッチングノイズも無視できないレベルとなる。 In particular, when a battery is used as a power source for a wireless communication device such as a vehicle, the power supply voltage is more likely to fluctuate than other power supply devices depending on the temperature and other usage environments. Will also fluctuate. Therefore, in order to keep the radio wave arrival area constant, it is necessary to increase / decrease the transmission drive voltage (stabilize the power supply voltage) according to the battery voltage. For this reason, adding a circuit necessary for step-up / step-down causes a problem that the apparatus becomes larger and the cost increases. Further, when the power supply voltage is stabilized using the switching element, the switching noise is at a level that cannot be ignored.

上記問題点を背景として、本発明の課題は、電源電圧の安定化を行うことなく、電界強度の安定化あるいは、電界強度の変動を低減することが可能な無線送信装置を提供することにある。 Against the background of the above problems, an object of the present invention is to provide a wireless transmission device that can stabilize electric field strength or reduce fluctuations in electric field strength without stabilizing power supply voltage. .

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記課題を解決するための無線送信装置は、送信用アンテナと、電源と、送信用アンテナの第一端と、電源および接地との間にそれぞれ設けられる第一スイッチング素子および第二スイッチング素子を含み、第一スイッチング素子がオン状態となり第二スイッチング素子がオフ状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を、送信用アンテナの第一端側から第二端側に向う第一通電方向とし、第一スイッチング素子がオフ状態となり第二スイッチング素子がオン状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を該第一通電方向とは逆の第二通電方向とするハーフブリッジ回路として動作するスイッチング回路と、電源の電圧を検出する電源電圧検出回路と、送信用アンテナの第二端と接地との間に設けられ、予め定められたインピーダンス値を発生するインピーダンス回路と、検出した電源の電圧に基づいて、インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する送信制御回路と、を備えることを特徴とする。 A wireless transmission device for solving the above problems includes a transmission antenna, a power source, a first end of the transmission antenna, a first switching element and a second switching element provided between the power source and the ground, respectively. When the first switching element is turned on and the second switching element is turned off, the first energization direction from the first end side of the transmitting antenna to the second end side is changed to the energizing direction of the transmitting antenna by the power source. Direction, and the first switching element is turned off and the second switching element is turned on, so that the energizing direction to the transmitting antenna by the power source is the second energizing direction opposite to the first energizing direction. A switching circuit that operates as a circuit, a power supply voltage detection circuit that detects the voltage of the power supply, and is provided between the second end of the transmitting antenna and the ground, An impedance circuit for generating an order was impedance value based on the voltage of the detected power, characterized in that it comprises a transmission control circuit for adjusting the impedance value of the impedance circuit.

本発明は、電源電圧が変動する環境下で使用されるハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、電源安定化回路を使用せず、出力電界強度を安定化、または出力電界強度の変動を低減させるものである。アンテナ駆動時のＱは、Ｑ＝ω×Ｌ／Ｒ（ω×Ｌ：送信用アンテナのリアクタンス，Ｒ：送信用アンテナおよびインピーダンス回路の抵抗分）と表すことができ、送信用アンテナのコイルの端子電圧ＶＬと電源電圧Ｖの関係は、上述のＱを用いると、ＶＬ＝Ｑ×Ｖと表すことができる。つまり、電源電圧Ｖの変動に応じてＱを変化させれば、ＶＬを一定値あるいはＶＬの変動を所定範囲内に収めることができる。上記構成によって、ハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、上述のインピーダンス値を調整することで、端子電圧ＶＬすなわち出力電界強度の変動を低減することができる。 The present invention stabilizes the output electric field strength or reduces the fluctuation of the output electric field strength without using the power supply stabilization circuit in the wireless transmission device using the half-bridge circuit used in an environment where the power supply voltage fluctuates. It is something to be made. Q at the time of antenna driving can be expressed as Q = ω × L / R (ω × L: reactance of transmitting antenna, R: resistance of transmitting antenna and impedance circuit), and terminal of coil of transmitting antenna The relationship between the voltage VL and the power supply voltage V can be expressed as VL = Q × V using the above-described Q. That is, if Q is changed according to the fluctuation of the power supply voltage V, VL can be kept constant or the fluctuation of VL can be kept within a predetermined range. With the above configuration, in the wireless transmission device using the half-bridge circuit, the terminal voltage VL, that is, the variation in the output electric field strength can be reduced by adjusting the impedance value described above.

また、本発明の無線送信装置における送信制御回路は、送信用アンテナから送信する電波の電界強度が予め定められた電界強度範囲内に含まれるように、インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する。 Further, the transmission control circuit in the wireless transmission device of the present invention adjusts the impedance value of the impedance circuit so that the electric field intensity of the radio wave transmitted from the transmitting antenna is included in a predetermined electric field intensity range.

上記構成によって、ハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、インピーダンス値を調整することで出力電界強度の変動を低減する他に、電源電圧の変動に関係なく、出力電界強度が所望の電界強度範囲内に含まれる（すなわち、所望の電波到達エリアを形成できる）ようにすることができる。 With the above configuration, in a wireless transmission device using a half-bridge circuit, the output field strength can be reduced within the desired field strength range regardless of fluctuations in the power supply voltage, in addition to reducing the variation in output field strength by adjusting the impedance value. (That is, a desired radio wave arrival area can be formed).

また、本発明の無線送信装置におけるインピーダンス回路は、送信用アンテナの第二端と接地との間に接続された抵抗素子を含み、送信制御回路は、電源の電圧に基づいて、抵抗素子の抵抗値を変化させることにより、インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する。 In addition, the impedance circuit in the wireless transmission device of the present invention includes a resistance element connected between the second end of the transmission antenna and the ground, and the transmission control circuit determines the resistance of the resistance element based on the voltage of the power source. The impedance value of the impedance circuit is adjusted by changing the value.

上記構成によって、ハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、いわゆるダンピング抵抗値を電源電圧に応じて調整することによりＱを変化させることができ、電源電圧の変動に関係なく、送信用アンテナの端子電圧ＶＬすなわち出力電界強度の変動を低減することができる。 With the above configuration, in a wireless transmission device using a half-bridge circuit, Q can be changed by adjusting a so-called damping resistance value according to the power supply voltage, and the terminal of the transmitting antenna can be used regardless of fluctuations in the power supply voltage. Variations in the voltage VL, that is, the output electric field strength can be reduced.

また、本発明の無線送信装置におけるインピーダンス回路は、送信用アンテナの第二端と接地との間に設けられたインピーダンス発生用スイッチング素子と、インピーダンス発生用スイッチング素子に接続され、インピーダンス発生用スイッチング素子がオン状態となったときにインピーダンス発生用スイッチング素子に流れる電流値を調整するための電流調整用抵抗素子を含んで構成され、送信制御回路は、電源の電圧に基づいて、電流調整用抵抗素子の抵抗値を変化させてインピーダンス発生用スイッチング素子に流れる電流値を調整することで、インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する。 An impedance circuit in the wireless transmission device of the present invention includes an impedance generation switching element provided between the second end of the transmission antenna and the ground, and the impedance generation switching element, and the impedance generation switching element. Including a current adjustment resistor element for adjusting the value of the current flowing through the impedance generation switching element when the signal is turned on, and the transmission control circuit is configured to control the current adjustment resistor element based on the voltage of the power supply. The impedance value of the impedance circuit is adjusted by adjusting the value of the current flowing through the impedance generation switching element by changing the resistance value.

インピーダンス発生用スイッチング素子に流れる電流値を調整するということは、インピーダンス発生用スイッチング素子を含むインピーダンス回路の抵抗値を調整するということである。つまり、このインピーダンス発生用スイッチング素子が、抵抗値が可変となるダンピング抵抗の役割を果たしている。上記構成によっても、ハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、電源電圧の変動に関係なく、出力電界強度の変動を低減することができる。 Adjusting the value of the current flowing through the impedance generation switching element means adjusting the resistance value of the impedance circuit including the impedance generation switching element. That is, this impedance generating switching element plays a role of a damping resistor whose resistance value is variable. Also with the above configuration, in a wireless transmission device using a half-bridge circuit, fluctuations in output electric field strength can be reduced regardless of fluctuations in power supply voltage.

また、本発明の無線送信装置におけるスイッチング回路は、送信用アンテナの第二端と、電源および接地との間にそれぞれ設けられる第三スイッチング素子および第四スイッチング素子とをさらに含み、
送信制御回路は、電源の電圧が予め定められた電圧閾値を上回るときには、電源の電圧に基づいてインピーダンス回路のインピーダンス値を調整するとともに、第三スイッチング素子および第四スイッチング素子をオフ状態として、スイッチング回路をハーフブリッジ回路として動作させ、
電源の電圧が電圧閾値を下回るときには、インピーダンス回路のインピーダンス値を高インピーダンス状態あるいは開放状態とするとともに、スイッチング回路を、第一スイッチング素子および第四スイッチング素子がオン状態となり、第三スイッチング素子および第二スイッチング素子がオフ状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を第一通電方向とし、第一スイッチング素子および第四スイッチング素子がオフ状態となり、第三スイッチング素子および第二スイッチング素子がオン状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を第二通電方向とするＨブリッジ回路として動作させる。 The switching circuit in the wireless transmission device of the present invention further includes a third switching element and a fourth switching element provided between the second end of the transmitting antenna and the power source and the ground,
The transmission control circuit adjusts the impedance value of the impedance circuit based on the voltage of the power supply when the voltage of the power supply exceeds a predetermined voltage threshold, and switches the third switching element and the fourth switching element to the OFF state. Operate the circuit as a half-bridge circuit,
When the voltage of the power source is lower than the voltage threshold, the impedance value of the impedance circuit is set to a high impedance state or an open state, and the switching circuit is turned on so that the first switching element and the fourth switching element are turned on. When the two switching elements are in the off state, the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the first energization direction, the first switching element and the fourth switching element are in the off state, and the third switching element and the second switching element Is turned on, it operates as an H-bridge circuit in which the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the second energization direction.

上記構成によって、ハーフブリッジ回路を用いた無線送信装置において、インピーダンス値を調整しても所望の出力電界強度を得ることができなかったり、出力電界強度を所定範囲内に収めることができないときには、スイッチング回路を、より強い出力電界強度を得ることができるＨブリッジ回路として動作させることで、電源電圧の変動に関係なく、出力電界強度を所定範囲内に収めることができる。 With the above configuration, in a wireless transmission device using a half-bridge circuit, when the desired output electric field strength cannot be obtained even if the impedance value is adjusted, or the output electric field strength cannot be kept within the predetermined range, switching is performed. By operating the circuit as an H-bridge circuit capable of obtaining a stronger output electric field strength, the output electric field strength can be kept within a predetermined range regardless of fluctuations in the power supply voltage.

また、本発明の無線送信装置におけるスイッチング回路は、送信用アンテナの第二端と、電源および接地との間にそれぞれ設けられる第三スイッチング素子および第四スイッチング素子とをさらに含み、インピーダンス回路は、第四スイッチング素子と、第四スイッチング素子に接続され、第四スイッチング素子がオン状態となったときに、第四スイッチング素子に流れる電流値を可変とするための電流調整用抵抗素子とを含んで構成され、
送信制御回路は、電源の電圧が予め定められた電圧閾値を上回るときに、電源の電圧に基づいて、電流調整用抵抗素子の抵抗値を変化させて第四スイッチング素子に流れる電流値を調整することで、インピーダンス回路のインピーダンス値を調整するとともに、第三スイッチング素子をオフ状態として、スイッチング回路をハーフブリッジ回路として動作させ、
電源の電圧が電圧閾値を下回るときには、複数の抵抗素子のうちから予め定められたものを選択して、スイッチング回路を、第一スイッチング素子および第四スイッチング素子がオン状態となり、第三スイッチング素子および第二スイッチング素子がオフ状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を第一通電方向とし、第一スイッチング素子および第四スイッチング素子がオフ状態となり、第三スイッチング素子および第二スイッチング素子がオン状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を第二通電方向とするＨブリッジ回路として動作させる。 The switching circuit in the wireless transmission device of the present invention further includes a third switching element and a fourth switching element provided between the second end of the transmitting antenna and the power source and the ground, respectively. A fourth switching element; and a current adjusting resistor element that is connected to the fourth switching element and is configured to change a current value flowing through the fourth switching element when the fourth switching element is turned on. Configured,
The transmission control circuit adjusts the current value flowing through the fourth switching element by changing the resistance value of the current adjusting resistance element based on the voltage of the power supply when the voltage of the power supply exceeds a predetermined voltage threshold. By adjusting the impedance value of the impedance circuit, the third switching element is turned off, and the switching circuit is operated as a half-bridge circuit.
When the voltage of the power supply falls below the voltage threshold, a predetermined one of the plurality of resistance elements is selected, the switching circuit is turned on, the first switching element and the fourth switching element are turned on, the third switching element and When the second switching element is turned off, the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the first energization direction, the first switching element and the fourth switching element are turned off, and the third switching element and the second switching element are turned off. When the element is turned on, the element is operated as an H bridge circuit in which the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the second energization direction.

上記構成によって、無線送信装置がＨブリッジ回路で構成されるときには、その一方のスイッチング素子の組をインピーダンス回路として用い、無線送信装置をハーフブリッジ回路として動作させ、インピーダンス値を調整しても所望の出力電界強度を得ることができなかったり、出力電界強度を所定範囲内に収めることができないときには、Ｈブリッジ回路として動作させることで、電源電圧の変動に関係なく、出力電界強度を所定範囲内に収めることができる。また、常時Ｈブリッジ回路として動作させる構成に比べて、消費電力を低減することもできる。 With the above configuration, when the wireless transmission device is configured with an H-bridge circuit, one set of switching elements is used as an impedance circuit, the wireless transmission device is operated as a half-bridge circuit, and the desired impedance value can be adjusted. When the output electric field strength cannot be obtained or the output electric field strength cannot be kept within the predetermined range, the output electric field strength is kept within the predetermined range by operating as an H-bridge circuit regardless of the fluctuation of the power supply voltage. Can fit. In addition, power consumption can be reduced as compared with a configuration in which the circuit is always operated as an H-bridge circuit.

また、本発明の無線送信装置は、送信用アンテナを用いて、ＬＦ帯の電波により無線通信を行う。 In addition, the wireless transmission device of the present invention performs wireless communication using radio waves in the LF band using a transmission antenna.

キーレスエントリーシステムでの車両から携帯機への送信においては、セキュリティの観点から、通信エリアを車両の周囲に限定するため、ＬＦ帯（例えば、１００ｋＨｚ帯）の電波が使われている。また、タイヤ空気圧監視システムにおいても、空気圧センサと車体側機器との通信は広い通信範囲を必要としないため、ＬＦ帯の電波が使われている。上記構成によって、車載機器のように電源に電源電圧が変動しやすいバッテリーを用いる場合、電圧変換回路あるいは電圧調整回路を用いることなく出力電界強度を所定範囲内に収めることができる。 In transmission from a vehicle to a portable device in a keyless entry system, radio waves in the LF band (for example, 100 kHz band) are used in order to limit the communication area to the periphery of the vehicle from the viewpoint of security. Also in the tire pressure monitoring system, communication between the air pressure sensor and the vehicle body side device does not require a wide communication range, and therefore, radio waves in the LF band are used. With the above configuration, when a battery whose power supply voltage is likely to fluctuate is used as a power source, such as in-vehicle equipment, the output electric field strength can be kept within a predetermined range without using a voltage conversion circuit or a voltage adjustment circuit.

無線送信装置の構成を示す回路ブロック図（実施例１）。1 is a circuit block diagram illustrating a configuration of a wireless transmission device (first embodiment). アンテナ駆動処理を説明するフロー図（実施例１）。The flowchart explaining an antenna drive process (Example 1). 電源電圧とアンテナの出力電界強度との関係を示す図。The figure which shows the relationship between a power supply voltage and the output electric field strength of an antenna. 無線送信装置の構成の別例を示す回路ブロック図（実施例２）。FIG. 9 is a circuit block diagram showing another example of the configuration of the wireless transmission device (second embodiment). アンテナ駆動処理の別例を説明するフロー図（実施例２）。The flowchart explaining the other example of an antenna drive process (Example 2). 無線送信装置の構成の別例を示す回路ブロック図（実施例３）。FIG. 10 is a circuit block diagram illustrating another example of the configuration of the wireless transmission device (third embodiment). アンテナ駆動処理の別例を説明するフロー図（実施例３）。FIG. 10 is a flowchart for explaining another example of the antenna driving process (third embodiment).

以下、本発明の無線送信装置について、図面を用いて説明する。無線送信装置は、例えば、ＬＦ帯の電波により無線通信を行う、上述のようなキーレスエントリーシステムあるいはタイヤ空気圧監視システム等に用いられる。図１に、無線送信装置１の構成を示す。無線送信装置１は、ＣＰＵ２、駆動制御回路３、スイッチング回路４，５、送信用アンテナ（以下、「アンテナ」と略称する）６、インピーダンス調整回路７，バッテリー１０，電源回路１１を含んで構成される。 Hereinafter, a wireless transmission device of the present invention will be described with reference to the drawings. The wireless transmission device is used, for example, in a keyless entry system or a tire pressure monitoring system as described above that performs wireless communication using radio waves in the LF band. FIG. 1 shows a configuration of the wireless transmission device 1. The wireless transmission device 1 includes a CPU 2, a drive control circuit 3, switching circuits 4 and 5, a transmission antenna (hereinafter abbreviated as “antenna”) 6, an impedance adjustment circuit 7, a battery 10, and a power supply circuit 11. The

ＣＰＵ２は、周知のマイコン、メモリ（図示せず）およびＡＤ変換器２１等の周辺回路を含む演算処理回路である。そして、マイコンがメモリに記憶された制御プログラムを実行することで、無線送信装置１の各種機能を実現する。なお、ＣＰＵ２が本発明の送信制御回路に相当する。また、ＡＤ変換器２１が本発明の電源電圧検出回路に相当する。 The CPU 2 is an arithmetic processing circuit including peripheral circuits such as a known microcomputer, a memory (not shown), and an AD converter 21. The microcomputer executes the control program stored in the memory, thereby realizing various functions of the wireless transmission device 1. The CPU 2 corresponds to the transmission control circuit of the present invention. The AD converter 21 corresponds to the power supply voltage detection circuit of the present invention.

駆動制御回路３は、ドライバ回路ともいわれ、ＣＰＵ２からの制御指令により、スイッチング回路４，５を、例えばアンテナ６が送信する電波の搬送波周波数にて切り替え駆動するための信号を出力する。 The drive control circuit 3 is also called a driver circuit, and outputs a signal for switching and driving the switching circuits 4 and 5 at, for example, a carrier frequency of a radio wave transmitted by the antenna 6 according to a control command from the CPU 2.

スイッチング回路４は、アンテナ６の第一端６ａと、電源（Ｖｃｃ）および接地との間にそれぞれ設けられる第一スイッチングトランジスタＴｒ１および第二スイッチングトランジスタＴｒ２を有するハーフブリッジ回路として構成されている。そして、第一スイッチング素子がオン状態となり第二スイッチング素子がオフ状態となることで、電源によるアンテナ６への通電方向を、アンテナ６の第一端６ａ側から第二端６ｂ側に向う第一通電方向Ｘとし、第一スイッチング素子がオフ状態となり第二スイッチング素子がオン状態となることで、電源による送信用アンテナへの通電方向を該第一通電方向とは逆の第二通電方向Ｙとの間で切り替える。 The switching circuit 4 is configured as a half-bridge circuit having a first switching transistor Tr1 and a second switching transistor Tr2 provided between the first end 6a of the antenna 6 and a power source (Vcc) and ground, respectively. Then, when the first switching element is turned on and the second switching element is turned off, the energization direction of the antenna 6 by the power source is directed from the first end 6a side to the second end 6b side of the antenna 6. When the energizing direction X is set and the first switching element is turned off and the second switching element is turned on, the energizing direction to the transmitting antenna by the power source is set to the second energizing direction Y opposite to the first energizing direction. Switch between.

スイッチング回路５は、アンテナ６の第二端６ｂと、電源および接地との間にそれぞれ設けられる第三スイッチングトランジスタＴｒ３および第四スイッチングトランジスタＴｒ４とを有し、スイッチング回路４と合わせたＨブリッジ回路として動作する。 The switching circuit 5 includes a second end 6b of the antenna 6 and a third switching transistor Tr3 and a fourth switching transistor Tr4 provided between the power source and the ground, respectively. Operate.

このＨブリッジ回路は、第一スイッチングトランジスタＴｒ１および第四スイッチングトランジスタＴｒ４がオン状態となり、第三スイッチングトランジスタＴｒ３および第二スイッチングトランジスタＴｒ２がオフ状態となることで、電源によるアンテナ６への通電方向は第一通電方向Ｘとなる。また、第一スイッチングトランジスタＴｒ１および第四スイッチングトランジスタＴｒ４がオフ状態となり、第三スイッチングトランジスタＴｒ３および第二スイッチングトランジスタＴｒ２がオン状態となることで、電源によるアンテナ６への通電方向は第二通電方向Ｙとなる。 In this H-bridge circuit, the first switching transistor Tr1 and the fourth switching transistor Tr4 are turned on, and the third switching transistor Tr3 and the second switching transistor Tr2 are turned off. The first energization direction X is obtained. In addition, when the first switching transistor Tr1 and the fourth switching transistor Tr4 are turned off and the third switching transistor Tr3 and the second switching transistor Tr2 are turned on, the energization direction of the antenna 6 by the power source is the second energization direction. Y.

なお、第一スイッチングトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４が本発明の第一〜第四スイッチング素子に相当する。 The first switching transistors Tr1 to Tr4 correspond to the first to fourth switching elements of the present invention.

上述のスイッチングトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴにより構成され、ハイサイド（電源Ｖｃｃ側）の第一および第三スイッチングトランジスタＴｒ１，Ｔｒ３をＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴとし、ローサイド（接地側）の第二および第四スイッチングトランジスタＴｒ２，Ｔｒ４をＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとしている。また、全てのスイッチングトランジスタをＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴとしてもよい。このとき、駆動制御回路３は、これらスイッチングトランジスタの構成に応じた回路構成となる。 The above-described switching transistors are constituted by MOSFETs, and the first and third switching transistors Tr1 and Tr3 on the high side (power supply Vcc side) are P-channel MOSFETs, and the second and fourth switching transistors Tr2 on the low side (ground side). Tr4 are N-channel MOSFETs. All the switching transistors may be N-channel MOSFETs. At this time, the drive control circuit 3 has a circuit configuration corresponding to the configuration of these switching transistors.

また、上述の構成では、スイッチングトランジスタとしてＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を用いているが、バイポーラトランジスタ（ＰＮＰ型／ＮＰＮ型の併用、あるいはＮＰＮ型のみ）、リレー、電子スイッチ（すなわち、スイッチング素子）を用いた構成としてもよい。 In the above-described configuration, an FET (field effect transistor) is used as a switching transistor. However, a bipolar transistor (combined use of PNP type / NPN type or NPN type only), a relay, and an electronic switch (ie, a switching element) are used. It is good also as the structure used.

アンテナ６は、アンテナコイルＬ１と、アンテナコイルＬ１に直列共振結合するキャパシタＣ１とを含む共振アンテナである。そして、駆動制御回路３は、例えば、共振アンテナの共振周波数に対応した搬送波周波数によってスイッチング回路４，５を切り替えて駆動する。 The antenna 6 is a resonant antenna including an antenna coil L1 and a capacitor C1 that is coupled in series resonance with the antenna coil L1. Then, the drive control circuit 3 switches and drives the switching circuits 4 and 5 with a carrier frequency corresponding to the resonance frequency of the resonance antenna, for example.

インピーダンス調整回路７は、アンテナ６の第二端６ｂと接地との間に設けられ、抵抗素子とスイッチング素子とが直列接続された抵抗回路を１つ含むもの、あるいは複数の抵抗回路が並列接続されたものとして構成されている。図１の例では、３つの抵抗回路７１〜７３を含み、例えば、抵抗回路７１は、抵抗Ｒ７１とトランジスタＴｒ７１とが直列接続されている。そして、トランジスタＴｒ７１は、ＣＰＵのポートＰ７１を介してオン／オフの状態が切り替えられる（他の抵抗回路も同様）。また、各抵抗Ｒ７１〜Ｒ７３の値は異なり、Ｒ７１＜Ｒ７２＜Ｒ７３の関係がある。なお、抵抗回路７１〜７３が本発明の抵抗素子に相当する。 The impedance adjustment circuit 7 is provided between the second end 6b of the antenna 6 and the ground, and includes one resistance circuit in which a resistance element and a switching element are connected in series, or a plurality of resistance circuits are connected in parallel. It is configured as a thing. In the example of FIG. 1, three resistor circuits 71 to 73 are included. For example, the resistor circuit 71 includes a resistor R71 and a transistor Tr71 connected in series. The transistor Tr71 is switched on / off via the CPU port P71 (the same applies to other resistor circuits). The values of the resistors R71 to R73 are different and have a relationship of R71 <R72 <R73. The resistance circuits 71 to 73 correspond to the resistance element of the present invention.

上記構成における、アンテナ６駆動時のＱは、Ｑ＝ω×Ｌ１／Ｒ（ω×Ｌ１：アンテナのリアクタンス，Ｒ：アンテナ６およびインピーダンス調整回路７の抵抗分）と表すことができる。 In the above configuration, Q when the antenna 6 is driven can be expressed as Q = ω × L1 / R (ω × L1: reactance of the antenna, R: resistance of the antenna 6 and the impedance adjustment circuit 7).

また、無線送信装置１の各部には電源回路１１から電源（電圧値：Ｖｃｃ）が供給される。電源回路１１は、例えば過電圧保護、逆接続保護、ローパスフィルタなどを含む簡易なもので、バッテリー１０の電圧が変動しても所定の電圧を出力する電源安定化回路を含んでいない。これにより、電源回路１１を簡素化できコストも低減できる。 Further, power (voltage value: Vcc) is supplied from the power supply circuit 11 to each unit of the wireless transmission device 1. The power supply circuit 11 is a simple one including, for example, overvoltage protection, reverse connection protection, a low-pass filter, and the like, and does not include a power supply stabilization circuit that outputs a predetermined voltage even when the voltage of the battery 10 fluctuates. Thereby, the power supply circuit 11 can be simplified and cost can also be reduced.

図２を用いて、ＣＰＵ２において実行するアンテナ駆動処理について説明する。なお、本処理は、上述の制御プログラムに含まれ、予め定められたタイミングで繰り返し実行される。まず、ＡＤ変換器２１を介して電源電圧の値Ｖｃｃを取得する（Ｓ１１）。次に、電源電圧（Ｖｃｃ）が予め定められた下限値（例えば、８Ｖ，本発明の電源閾値）を下回るか否かを判定する。 The antenna driving process executed by the CPU 2 will be described with reference to FIG. This process is included in the above-described control program and is repeatedly executed at a predetermined timing. First, the power supply voltage value Vcc is acquired via the AD converter 21 (S11). Next, it is determined whether or not the power supply voltage (Vcc) is lower than a predetermined lower limit value (for example, 8 V, the power supply threshold of the present invention).

Ｖｃｃが８Ｖを下回るとき（Ｓ１２：Ｙｅｓ）、インピーダンス調整回路７の全てのトランジスタ（Ｔｒ７１〜７３）をオフ状態として、インピーダンス調整回路７のインピーダンス値を高インピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）あるいは開放状態とし、スイッチング回路４およびスイッチング回路５を用いたＨブリッジ回路として駆動させ（Ｓ２１）、アンテナに通電を行う（アンテナ駆動，Ｓ１７）。 When Vcc falls below 8V (S12: Yes), all the transistors (Tr71 to 73) of the impedance adjustment circuit 7 are turned off, and the impedance value of the impedance adjustment circuit 7 is set to a high impedance state (Hi-Z) or an open state. Then, it is driven as an H bridge circuit using the switching circuit 4 and the switching circuit 5 (S21), and the antenna is energized (antenna driving, S17).

一方、Ｖｃｃが８Ｖを上回るとき（Ｓ１２：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の下限値よりも大きい予め定められた第一電圧値（例えば、１０Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１０Ｖを下回るとき（Ｓ１３：Ｙｅｓ）、インピーダンス調整回路７の全てのトランジスタ（Ｔｒ７１〜７３）をオフ状態として、インピーダンス調整回路７全体のインピーダンス値を高インピーダンス状態あるいは開放状態とし、スイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ２０）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ１７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 8V (S12: No), it is determined whether Vcc is below a predetermined first voltage value (for example, 10V) larger than the above-described lower limit value. When Vcc falls below 10 V (S13: Yes), all the transistors (Tr71 to 73) of the impedance adjustment circuit 7 are turned off, and the impedance value of the entire impedance adjustment circuit 7 is set to a high impedance state or an open state. It is driven as a half-bridge circuit using only the circuit 4 (S20), and the antenna 6 is energized (S17).

一方、Ｖｃｃが１０Ｖを上回るとき（Ｓ１３：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第一電圧値よりも大きい予め定められた第二電圧値（例えば、１２Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１２Ｖを下回るとき（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、インピーダンス調整回路７ではトランジスタＴｒ７１のみをオン状態（他の抵抗回路は高インピーダンス状態あるいは開放状態）として抵抗Ｒ７１のみでインピーダンスを発生し、第三および第四スイッチングトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４をオフ状態として、スイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ１９）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ１７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 10V (S13: No), it is determined whether Vcc is below a predetermined second voltage value (for example, 12V) that is larger than the first voltage value described above. When Vcc falls below 12V (S14: Yes), the impedance adjustment circuit 7 turns on only the transistor Tr71 (the other resistance circuit is in a high impedance state or an open state), and generates impedance only by the resistor R71. Then, the fourth switching transistors Tr3 and Tr4 are turned off and driven as a half-bridge circuit using only the switching circuit 4 (S19), and the antenna 6 is energized (S17).

一方、Ｖｃｃが１２Ｖを上回るとき（Ｓ１４：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第二電圧値よりも大きい予め定められた上限値（例えば、１４Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１４Ｖを下回るとき（Ｓ１５：Ｙｅｓ）、インピーダンス調整回路７ではトランジスタＴｒ７２のみをオン状態（他の抵抗回路は高インピーダンス状態あるいは開放状態）として抵抗Ｒ７２のみでインピーダンスを発生し、第三および第四スイッチングトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４をオフ状態として、スイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ１８）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ１７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 12V (S14: No), it is determined whether or not Vcc is below a predetermined upper limit value (for example, 14V) larger than the above-described second voltage value. When Vcc falls below 14V (S15: Yes), only the transistor Tr72 is turned on in the impedance adjustment circuit 7 (the other resistance circuit is in a high impedance state or an open state), and the impedance is generated only by the resistor R72. Then, the fourth switching transistors Tr3 and Tr4 are turned off and driven as a half-bridge circuit using only the switching circuit 4 (S18), and the antenna 6 is energized (S17).

一方、Ｖｃｃが１４Ｖを上回るとき（Ｓ１５：Ｎｏ）、インピーダンス調整回路７ではトランジスタＴｒ７３のみをオン状態（他の抵抗回路は高インピーダンス状態あるいは開放状態）として抵抗Ｒ７３のみでインピーダンスを発生し、第三および第四スイッチングトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４をオフ状態として、スイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ１６）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ１７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 14V (S15: No), only the transistor Tr73 is turned on in the impedance adjustment circuit 7 (the other resistance circuit is in a high impedance state or an open state), and the impedance is generated only by the resistor R73. Then, the fourth switching transistors Tr3 and Tr4 are turned off and driven as a half-bridge circuit using only the switching circuit 4 (S16), and the antenna 6 is energized (S17).

上述の構成により、電源電圧Ｖｃｃが変動しても、インピーダンス調整回路７で発生するインピーダンスを調整することで、アンテナコイルＬ１の両端に印加される電圧（上述のＶＬ）の変動を抑えることができる。 With the above-described configuration, even if the power supply voltage Vcc varies, by adjusting the impedance generated by the impedance adjustment circuit 7, it is possible to suppress the variation in the voltage applied to both ends of the antenna coil L1 (the above-described VL). .

上述の処理では、各状態で、オン状態とするトランジスタを１つとしていたが、Ｔｒ７１〜Ｔｒ７３のうち複数のトランジスタをオン状態として、Ｒ７１〜Ｒ７３のうち２つ以上の抵抗の組み合わせを用いてインピーダンスを生成するようにしてもよい。これにより、より木目細かくインピーダンスすなわちアンテナ６の出力電界強度を調整することができる。 In the above-described processing, one transistor is turned on in each state, but a plurality of transistors among Tr71 to Tr73 are turned on, and a combination of two or more resistors among R71 to R73 is used for impedance. May be generated. Thereby, the impedance, that is, the output electric field strength of the antenna 6 can be adjusted more finely.

なお、上述の処理において、無線送信装置１がハーフブリッジ回路のみを含む構成としてもよい。この場合、スイッチング回路５を含まず、図２のステップＳ１２およびＳ２１は実行しない。 In the above-described processing, the wireless transmission device 1 may include only a half bridge circuit. In this case, the switching circuit 5 is not included, and steps S12 and S21 in FIG. 2 are not executed.

また、上述の構成において、アンテナ６の第一端６ａあるいは第二端６ｂの少なくとも一方と接地との間に、予めダンピング抵抗Ｒ（図１参照）を接続しておいてもよい。そして、インピーダンス調整回路７は、このダンピング抵抗Ｒのインピーダンスを調整するために用いる。ダンピング抵抗Ｒを接続する代わりに、インピーダンス調整回路７のＴｒ７１〜Ｔｒ７３のうちいずれかを常時オン状態としてもよい。 In the above-described configuration, a damping resistor R (see FIG. 1) may be connected in advance between at least one of the first end 6a or the second end 6b of the antenna 6 and the ground. The impedance adjustment circuit 7 is used to adjust the impedance of the damping resistor R. Instead of connecting the damping resistor R, any one of Tr71 to Tr73 of the impedance adjustment circuit 7 may be always turned on.

図３に、従来技術と上述の本発明の構成とにおける、電源電圧（Ｖｃｃ）とアンテナ６の出力電界強度との関係を、グラフおよび表を用いて示す。グラフの○で示される「単一駆動モード」が従来技術の構成（すなわち、インピーダンス調整回路７の調整値が一意に決まっている）に相当する。また、グラフの□で示される「Ｈ−Ｂｒｉｄｇｅ／Ｈａｌｆ−Ｂｒｉｄｇｅ切替」が従来技術の構成に図２のステップＳ２０，Ｓ２１の動作を加えたもの（以下、「モード２」と称する）に相当する。また、グラフの△で示される「Ｈ−Ｂｒｉｄｇｅの抵抗切替（１段）」が「Ｈ−Ｂｒｉｄｇｅ／Ｈａｌｆ−Ｂｒｉｄｇｅ切替」に図２のステップＳ１９の動作を加えたもの（以下、「モード３」と称する）に相当する。また、グラフの×で示される「Ｈ−Ｂｒｉｄｇｅの抵抗切替（２段）」が「Ｈ−Ｂｒｉｄｇｅの抵抗切替（１段）」に図２のステップＳ１６，Ｓ１８の動作を加えたもの（以下、「モード４」と称する）に相当する（つまり、抵抗切り替えは３段）。 FIG. 3 is a graph and a table showing the relationship between the power supply voltage (Vcc) and the output electric field strength of the antenna 6 in the prior art and the above-described configuration of the present invention. The “single drive mode” indicated by ◯ in the graph corresponds to the configuration of the prior art (that is, the adjustment value of the impedance adjustment circuit 7 is uniquely determined). Further, “H-Bridge / Half-Bridge switching” indicated by □ in the graph corresponds to the configuration of the conventional technique with the operations of steps S20 and S21 of FIG. 2 added (hereinafter referred to as “mode 2”). . Further, “H-Bridge resistance switching (1 stage)” indicated by Δ in the graph is obtained by adding the operation of step S19 in FIG. 2 to “H-Bridge / Half-Bridge switching” (hereinafter referred to as “mode 3”). This is equivalent to Further, “H-Bridge resistance switching (2 stages)” indicated by × in the graph is obtained by adding the operations of steps S16 and S18 in FIG. 2 to “H-Bridge resistance switching (1 stage)” (hereinafter, referred to as “H-Bridge resistance switching (1 stage)”). (Referred to as “mode 4”) (that is, resistance switching is performed in three stages).

また、図３のグラフの丸数字と表の丸数字は、それぞれ対応関係にある。 Further, the circle numbers in the graph of FIG. 3 and the circle numbers in the table are in a correspondence relationship.

図３のように、「単一駆動モード」では、各電源電圧における出力電界強度の変動幅（最大値と最小値との差）が６．０２（ｄＢｕＶ／ｍ）であるのに対し、「モード２」では５．１７（ｄＢｕＶ／ｍ）、「モード３」では３．０８（ｄＢｕＶ／ｍ）、「モード４」では２．０８（ｄＢｕＶ／ｍ）となっている。つまり、インピーダンス調整回路の調整値を電源電圧に応じて調整すること、および電源電圧に応じてスイッチング回路をハーフブリッジ回路とＨブリッジ回路との間で切り替えることで、出力電界強度の変動幅を抑えることができる。 As shown in FIG. 3, in the “single drive mode”, the fluctuation range (difference between the maximum value and the minimum value) of the output electric field intensity at each power supply voltage is 6.02 (dBuV / m), whereas “ “Mode 2” is 5.17 (dBuV / m), “Mode 3” is 3.08 (dBuV / m), and “Mode 4” is 2.08 (dBuV / m). That is, by adjusting the adjustment value of the impedance adjustment circuit according to the power supply voltage and switching the switching circuit between the half bridge circuit and the H bridge circuit according to the power supply voltage, the fluctuation range of the output electric field strength is suppressed. be able to.

図４に、本発明の無線送信装置の別例を示す。なお、本実施例は、上述の実施例１（図１）の変形例であるため、図１と同様の構成については同一の符号を付与し、ここでの詳細な説明は割愛する。また、本実施例２では、スイッチング回路５は含まない。 FIG. 4 shows another example of the wireless transmission device of the present invention. In addition, since a present Example is a modification of the above-mentioned Example 1 (FIG. 1), the same code | symbol is provided about the structure similar to FIG. 1, and detailed description here is omitted. In the second embodiment, the switching circuit 5 is not included.

図４の例では、インピーダンス調整回路７の代わりに、アンテナ６の第二端６ｂと接地との間には、トランジスタＴｒ８、トランジスタＴｒ８のベース端子に接続された複数のベース抵抗Ｒ８１〜Ｒ８４、およびベース−接地間に接続されたバイアス抵抗ＲＬ８を含むベース抵抗調整回路８を備えている。ベース抵抗の他端はＣＰＵ２に接続され、ＣＰＵ２が、対応するポートＰ８１〜Ｐ８４を介して、どのベース抵抗を用いてトランジスタＴｒ８をオン状態とするかを選択する。 In the example of FIG. 4, instead of the impedance adjustment circuit 7, between the second end 6b of the antenna 6 and the ground, a transistor Tr8, a plurality of base resistors R81 to R84 connected to the base terminal of the transistor Tr8, and A base resistance adjusting circuit 8 including a bias resistor RL8 connected between the base and the ground is provided. The other end of the base resistor is connected to the CPU 2, and the CPU 2 selects which base resistor is used to turn on the transistor Tr8 via the corresponding ports P81 to P84.

なお、トランジスタＴｒ８が本発明のインピーダンス発生用スイッチング素子に相当する。またベース抵抗Ｒ８１〜Ｒ８４が本発明の電流調整用抵抗素子に相当する。また、ベース抵抗調整回路８が本発明のインピーダンス回路に相当する。 The transistor Tr8 corresponds to the impedance generation switching element of the present invention. The base resistors R81 to R84 correspond to the current adjusting resistor element of the present invention. The base resistance adjusting circuit 8 corresponds to the impedance circuit of the present invention.

また、各抵抗素子の値は、例えば、バイアス抵抗ＲＬ８＝４．７ＫΩ、ベース抵抗をＲ８１＝１０ＫΩ、Ｒ８２＝４．７ＫΩ、Ｒ８３＝２．２ＫΩ、Ｒ８４＝１ＫΩ（Ｒ８１＞Ｒ８２＞Ｒ８３＞Ｒ８４）のように設定しているが、これらの設定値は、各回路・素子の仕様により決定する。 The values of the resistance elements are, for example, bias resistance RL8 = 4.7 KΩ, base resistance R81 = 10 KΩ, R82 = 4.7 KΩ, R83 = 2.2 KΩ, R84 = 1 KΩ (R81> R82> R83> R84) However, these set values are determined by the specifications of each circuit / element.

図４の構成は、トランジスタのベース抵抗を電源電圧にしたがって選択することで、ベース電流を制御し、コレクタ−エミッタ間に流れるコレクタ電流Ｉｃｅを制限することでベース抵抗調整回路８のインピーダンス値を調整し、アンテナ６が送信する電波の出力電界強度を調整するものである。つまり、ベース抵抗を大きくするとベース電流は小さくなり、これに伴いコレクタ電流Ｉｃｅも小さくなるので、ベース抵抗調整回路８のインピーダンスは大きくなる。 The configuration of FIG. 4 adjusts the impedance value of the base resistance adjusting circuit 8 by controlling the base current by selecting the base resistance of the transistor according to the power supply voltage and limiting the collector current Ice flowing between the collector and the emitter. The output electric field strength of the radio wave transmitted by the antenna 6 is adjusted. That is, when the base resistance is increased, the base current is decreased, and accordingly, the collector current Ice is also decreased, so that the impedance of the base resistance adjusting circuit 8 is increased.

なお、トランジスタとしてバイポーラトランジスタを例示しているが、電界効果トランジスタを用いてもよい。 In addition, although the bipolar transistor is illustrated as a transistor, you may use a field effect transistor.

図５を用いて、図４の構成におけるアンテナ駆動処理について説明する。まず、ＡＤ変換器２１を介して電源電圧Ｖｃｃの値を取得する（Ｓ３１）。次に、Ｖｃｃが予め定められた下限値（例えば、８Ｖ）を下回るか否かを判定する。 The antenna drive processing in the configuration of FIG. 4 will be described using FIG. First, the value of the power supply voltage Vcc is acquired via the AD converter 21 (S31). Next, it is determined whether or not Vcc falls below a predetermined lower limit value (for example, 8V).

Ｖｃｃが８Ｖを下回るとき（Ｓ３２：Ｙｅｓ）、ベース抵抗調整回路８ではトランジスタＴｒ８をオフ状態（すなわち、どの抵抗も選択しない）として、ベース抵抗調整回路８を高インピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）あるいはオープン状態とし、スイッチング回路４を用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ４１）、アンテナ６に通電を行う（アンテナ駆動，Ｓ３７）。 When Vcc falls below 8V (S32: Yes), the base resistance adjustment circuit 8 turns off the transistor Tr8 (that is, does not select any resistance), and opens the base resistance adjustment circuit 8 in a high impedance state (Hi-Z) or open. Then, the antenna 6 is driven as a half bridge circuit using the switching circuit 4 (S41), and the antenna 6 is energized (antenna drive, S37).

一方、Ｖｃｃが８Ｖを上回るとき（Ｓ３２：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の下限値よりも大きい予め定められた第一電圧値（例えば、１０Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１０Ｖを下回るとき（Ｓ３３：Ｙｅｓ）、ベース抵抗調整回路８ではベース抵抗Ｒ８４を選択してトランジスタＴｒ８をオン状態としてインピーダンスを発生し、スイッチング回路４を用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ４０）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ３７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 8V (S32: No), it is determined whether Vcc is below a predetermined first voltage value (for example, 10V) that is larger than the above lower limit value. When Vcc falls below 10 V (S33: Yes), the base resistance adjustment circuit 8 selects the base resistance R84 to generate the impedance by turning on the transistor Tr8, and is driven as a half bridge circuit using the switching circuit 4. (S40), the antenna 6 is energized (S37).

一方、Ｖｃｃが１０Ｖを上回るとき（Ｓ３３：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第一電圧値よりも大きい予め定められた第二電圧値（例えば、１２Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１２Ｖを下回るとき（Ｓ３４：Ｙｅｓ）、ベース抵抗調整回路８ではベース抵抗Ｒ８３を選択してトランジスタＴｒ８をオン状態としてインピーダンスを発生し、スイッチング回路４を用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ３９）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ３７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 10V (S33: No), it is determined whether or not Vcc is below a predetermined second voltage value (for example, 12V) larger than the first voltage value described above. When Vcc falls below 12V (S34: Yes), the base resistance adjustment circuit 8 selects the base resistance R83 to turn on the transistor Tr8 to generate impedance, and drive as a half-bridge circuit using the switching circuit 4. (S39), the antenna 6 is energized (S37).

一方、Ｖｃｃが１２Ｖを上回るとき（Ｓ３４：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第二電圧値よりも大きい予め定められた上限値（例えば、１４Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１４Ｖを下回るとき（Ｓ３５：Ｙｅｓ）、ベース抵抗調整回路８ではベース抵抗Ｒ８２を選択してトランジスタＴｒ８をオン状態としてインピーダンスを発生し、スイッチング回路４を用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ３８）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ３７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 12V (S34: No), it is determined whether or not Vcc is below a predetermined upper limit value (for example, 14V) larger than the above-described second voltage value. When Vcc falls below 14V (S35: Yes), the base resistance adjusting circuit 8 selects the base resistance R82 to turn on the transistor Tr8 to generate impedance, and drive as a half bridge circuit using the switching circuit 4. (S38), the antenna 6 is energized (S37).

一方、Ｖｃｃが１４Ｖを上回るとき（Ｓ３５：Ｎｏ）、ベース抵抗調整回路８ではベース抵抗Ｒ８１を選択してトランジスタＴｒ８をオン状態としてインピーダンスを発生し、スイッチング回路４を用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ３６）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ３７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 14V (S35: No), the base resistance adjustment circuit 8 selects the base resistance R81 to generate the impedance by turning on the transistor Tr8, and is driven as a half bridge circuit using the switching circuit 4. (S36), the antenna 6 is energized (S37).

上述の構成により、電源電圧Ｖｃｃが変動しても、ベース抵抗調整回路８で発生するインピーダンスを調整することで、アンテナコイルＬ１の両端に印加される電圧（上述のＶＬ）の変動を抑えることができる。 With the above-described configuration, even if the power supply voltage Vcc varies, the impedance generated by the base resistance adjustment circuit 8 is adjusted to suppress the variation in the voltage applied to both ends of the antenna coil L1 (the above-described VL). it can.

上述の構成では、複数のベース抵抗（Ｒ８１〜Ｒ８４）のうち１つを選択しているが、２つ以上のベース抵抗を組み合わせて選択してもよい。 In the above configuration, one of the plurality of base resistors (R81 to R84) is selected, but two or more base resistors may be selected in combination.

また、上述の構成において、図１と同様に、アンテナ６の第一端６ａあるいは第二端６ｂの少なくとも一方と接地との間に、予めダンピング抵抗Ｒ（図４参照）を接続しておいてもよい。そして、ベース抵抗調整回路８は、このダンピング抵抗Ｒのインピーダンスを調整するために用いる。ダンピング抵抗Ｒを接続する代わりに、トランジスタＴｒ８をオン状態とする際に、ベース抵抗調整回路８のベース抵抗Ｒ８４と他のベース抵抗と組み合わせて選択することでインピーダンスを調整してもよい。 In the configuration described above, a damping resistor R (see FIG. 4) is connected in advance between at least one of the first end 6a or the second end 6b of the antenna 6 and the ground, as in FIG. Also good. The base resistance adjusting circuit 8 is used to adjust the impedance of the damping resistor R. Instead of connecting the damping resistor R, when the transistor Tr8 is turned on, the impedance may be adjusted by selecting in combination with the base resistor R84 of the base resistor adjusting circuit 8 and another base resistor.

また、ダンピング抵抗Ｒの代わりに、図１のインピーダンス調整回路７を接続して、これら２つの調整回路（７，８）を用いて、インピーダンス調整を行ってもよい。 Further, instead of the damping resistor R, the impedance adjustment circuit 7 of FIG. 1 may be connected, and the impedance adjustment may be performed using these two adjustment circuits (7, 8).

上述の構成では、トランジスタの特性上、温度が高くなるにつれて、ベース電流が低くてもコレクタ電流Ｉｃｅの変動が大きくなるため、温度による補正を行うことでより精度の良い制御が可能となる。すなわち、図４のように、トランジスタＴｒ８近傍の温度を測定するための、例えば、周知のサーミスタあるいはダイオードを用いた温度センサ１２を備える。そして、図５のステップＳ３１において、電源電圧を取得するとともに、サーミスタの出力電圧あるいはダイオードの順方向電圧（Ｖｆ）に基づいて温度を測定し、各駆動処理ステップ（Ｓ３６，Ｓ３８〜Ｓ４１）において、電源電圧と温度とに基づいてベース抵抗を選択する（例えば、温度が高くなるにつれて、ベース抵抗値を大きくする）。 In the above-described configuration, as the temperature increases, the collector current Ice fluctuates as the temperature increases, even if the base current is low. Therefore, more accurate control can be performed by performing correction based on the temperature. That is, as shown in FIG. 4, a temperature sensor 12 using, for example, a known thermistor or diode for measuring the temperature in the vicinity of the transistor Tr8 is provided. In step S31 of FIG. 5, the power supply voltage is acquired, and the temperature is measured based on the output voltage of the thermistor or the forward voltage (Vf) of the diode. In each drive processing step (S36, S38 to S41), The base resistance is selected based on the power supply voltage and the temperature (for example, the base resistance value is increased as the temperature increases).

上述の構成によって、ハーフブリッジ回路においても、ベース抵抗調整回路８を用いることで出力電界強度を調整することができ、図３のような効果（「モード３」、「「モード４」」を得ることができる。 With the above-described configuration, even in the half-bridge circuit, the output electric field strength can be adjusted by using the base resistance adjustment circuit 8, and the effects as shown in FIG. 3 ("mode 3" and "mode 4") are obtained. be able to.

上述の構成において、スイッチング回路５を含め、ハーフブリッジ回路として動作させているときには、第三および第四スイッチングトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４をオフ状態とし、十分な出力電界強度を得ることができないとき（例えば、Ｓ３２：Ｙｅｓ）、トランジスタＴｒ８をオフ状態（高インピーダンス状態あるいは開放状態）として、スイッチング回路４，５によるＨブリッジ回路として動作させてもよい。 In the above-described configuration, when the switching circuit 5 and the half-bridge circuit are operated, the third and fourth switching transistors Tr3 and Tr4 are turned off and a sufficient output electric field strength cannot be obtained (for example, S32: Yes), the transistor Tr8 may be turned off (high impedance state or open state) to operate as an H-bridge circuit by the switching circuits 4 and 5.

図６に、本発明の無線送信装置の別例を示す。なお、本実施例は、上述の実施例１（図１）の変形例であるため、図１と同様の構成については同一の符号を付与し、ここでの詳細な説明は割愛する。図６の構成では、スイッチング回路５の第四スイッチングトランジスタＴｒ４には、そのゲート端子に複数のゲート抵抗Ｒ９１〜Ｒ９４が接続され、また、ゲート−接地間にはバイアス抵抗ＲＬ９が接続されている。そして、第四スイッチングトランジスタＴｒ４、ゲート抵抗Ｒ９１〜Ｒ９４、およびバイアス抵抗ＲＬ９によりゲート抵抗調整回路９を構成している。そして、ゲート抵抗の他端はＣＰＵ２に接続され、ＣＰＵ２が、対応するポートＰ９１〜Ｐ９４を介して、どのゲート抵抗で第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態とするかを選択する。 FIG. 6 shows another example of the wireless transmission device of the present invention. In addition, since a present Example is a modification of the above-mentioned Example 1 (FIG. 1), the same code | symbol is provided about the structure similar to FIG. 1, and detailed description here is omitted. In the configuration of FIG. 6, the fourth switching transistor Tr4 of the switching circuit 5 has a plurality of gate resistors R91 to R94 connected to its gate terminal, and a bias resistor RL9 connected between the gate and ground. The fourth switching transistor Tr4, the gate resistors R91 to R94, and the bias resistor RL9 constitute a gate resistance adjusting circuit 9. The other end of the gate resistor is connected to the CPU 2, and the CPU 2 selects which gate resistor is used to turn on the fourth switching transistor Tr4 via the corresponding ports P91 to P94.

なお、ゲート抵抗Ｒ９１〜Ｒ９４が本発明の電流調整用抵抗素子に相当する。また、ゲート抵抗調整回路９が本発明のインピーダンス回路に相当する。また、第四スイッチングトランジスタＴｒ４が本発明のインピーダンス発生用スイッチング素子に相当する。 Note that the gate resistors R91 to R94 correspond to the current adjusting resistor element of the present invention. The gate resistance adjusting circuit 9 corresponds to the impedance circuit of the present invention. The fourth switching transistor Tr4 corresponds to the impedance generating switching element of the present invention.

また、各抵抗素子の値は、例えば、バイアス抵抗ＲＬ９＝４．７ＫΩ、ゲート抵抗をＲ９１＝１０ＫΩ、Ｒ９２＝４．７ＫΩ、Ｒ９３＝２．２ＫΩ、Ｒ９４＝１ＫΩ（Ｒ９１＞Ｒ９２＞Ｒ９３＞Ｒ９４）のように設定しているが、これらの設定値は、各回路・素子の仕様により決定する。 The values of the resistance elements are, for example, bias resistance RL9 = 4.7 KΩ, gate resistance R91 = 10 KΩ, R92 = 4.7 KΩ, R93 = 2.2 KΩ, R94 = 1 KΩ (R91> R92> R93> R94) However, these set values are determined by the specifications of each circuit / element.

また、ＣＰＵ２の制御指令により、駆動制御回路３が第三スイッチングトランジスタＴｒ３のオン／オフの状態切り替え、および第四スイッチングトランジスタＴｒ４の制御経路切り替えを行う（詳細は後述）。 Further, the drive control circuit 3 switches the on / off state of the third switching transistor Tr3 and the control path of the fourth switching transistor Tr4 according to the control command of the CPU 2 (details will be described later).

図６の構成は、第三スイッチングトランジスタＴｒ３をオフ状態とするとともに、ＦＥＴのゲート抵抗を電源電圧にしたがって選択することで、ゲート電圧を制御し、ドレイン−ソース間を流れるドレイン電流Ｉｄｓを制限することで、第四スイッチングトランジスタＴｒ４およびゲート抵抗調整回路９がインピーダンス回路の役割を果たし、アンテナ６が送信する電波の出力電界強度を調整するものである。つまり、ゲート抵抗を大きくするとゲート電圧は小さくなり、これに伴いドレイン電流Ｉｄｓも小さくなるので、ゲート抵抗調整回路９のインピーダンスは大きくなる。 In the configuration of FIG. 6, the third switching transistor Tr3 is turned off, and the gate resistance of the FET is selected according to the power supply voltage, thereby controlling the gate voltage and limiting the drain current Ids flowing between the drain and the source. Thus, the fourth switching transistor Tr4 and the gate resistance adjusting circuit 9 serve as an impedance circuit, and adjust the output electric field strength of the radio wave transmitted by the antenna 6. That is, when the gate resistance is increased, the gate voltage is decreased, and accordingly, the drain current Ids is also decreased, so that the impedance of the gate resistance adjusting circuit 9 is increased.

また、インピーダンス調整回路７は接続しなくてもよいし、全トランジスタをオフ状態として高インピーダンス状態あるいは開放状態としてもよいし、例えば、トランジスタＴｒ７１のみをオン状態とするような、予め定められたインピーダンス値となるように設定してもよい。 Further, the impedance adjustment circuit 7 may not be connected, or may be in a high impedance state or an open state with all the transistors turned off, for example, a predetermined impedance that turns on only the transistor Tr71. You may set so that it may become a value.

図７を用いて、図６の構成におけるアンテナ駆動処理について説明する。まず、ＡＤ変換器２１を介して電源電圧Ｖｃｃの値を取得する（Ｓ５１）。次に、Ｖｃｃが予め定められた下限値（例えば、８Ｖ）を下回るか否かを判定する。 The antenna driving process in the configuration of FIG. 6 will be described using FIG. First, the value of the power supply voltage Vcc is acquired via the AD converter 21 (S51). Next, it is determined whether or not Vcc falls below a predetermined lower limit value (for example, 8V).

Ｖｃｃが８Ｖを下回るとき（Ｓ５２：Ｙｅｓ）、ゲート抵抗調整回路９ではゲート抵抗Ｒ９４を選択し、第四スイッチングトランジスタＴｒ４の制御経路を、ポートＰ９１を介する経路ではではなく、駆動制御回路３を介する経路とし（ポートＰ９１〜ゲート抵抗Ｒ９４間は開放状態）、スイッチング回路４，５を用いたＨブリッジ回路として駆動させ（Ｓ６１）、アンテナ６に通電を行う（アンテナ駆動，Ｓ５７）。このとき、駆動制御回路３〜第四スイッチングトランジスタＴｒ４の制御経路を、ゲート抵抗Ｒ９４をバイパスする経路９ａとしてもよい。 When Vcc falls below 8V (S52: Yes), the gate resistance adjustment circuit 9 selects the gate resistance R94, and the control path of the fourth switching transistor Tr4 is not via the port P91 but via the drive control circuit 3. The path (the port P91 to the gate resistor R94 are in an open state) is driven as an H-bridge circuit using the switching circuits 4 and 5 (S61), and the antenna 6 is energized (antenna drive, S57). At this time, the control path of the drive control circuit 3 to the fourth switching transistor Tr4 may be a path 9a that bypasses the gate resistor R94.

一方、Ｖｃｃが８Ｖを上回るとき（Ｓ５２：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の下限値よりも大きい予め定められた第一電圧値（例えば、１０Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１０Ｖを下回るとき（Ｓ５３：Ｙｅｓ）、ゲート抵抗調整回路９ではゲート抵抗Ｒ９４を選択して第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態としてインピーダンスを発生する（いわゆる「ダンピング抵抗」に相当）。そして、駆動制御回路３を介し第三スイッチングトランジスタＴｒ３をオフ状態としてスイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ６０）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ５７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 8V (S52: No), it is determined whether Vcc is below a predetermined first voltage value (for example, 10V) larger than the above-described lower limit value. When Vcc falls below 10 V (S53: Yes), the gate resistance adjusting circuit 9 selects the gate resistance R94 and turns on the fourth switching transistor Tr4 to generate impedance (corresponding to a so-called “damping resistance”). Then, the third switching transistor Tr3 is turned off via the drive control circuit 3 to drive as a half bridge circuit using only the switching circuit 4 (S60), and the antenna 6 is energized (S57).

一方、Ｖｃｃが１０Ｖを上回るとき（Ｓ５３：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第一電圧値よりも大きい予め定められた第二電圧値（例えば、１２Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１２Ｖを下回るとき（Ｓ５４：Ｙｅｓ）、ゲート抵抗調整回路９ではゲート抵抗Ｒ９３を選択して第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態としてインピーダンスを発生し、駆動制御回路３を介し第三スイッチングトランジスタＴｒ３をオフ状態としてスイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ５９）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ５７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 10V (S53: No), it is determined whether Vcc is below a predetermined second voltage value (for example, 12V) that is larger than the first voltage value described above. When Vcc falls below 12 V (S54: Yes), the gate resistance adjustment circuit 9 selects the gate resistance R93 to turn on the fourth switching transistor Tr4 to generate impedance, and the third switching is performed via the drive control circuit 3. The transistor Tr3 is turned off and driven as a half-bridge circuit using only the switching circuit 4 (S59), and the antenna 6 is energized (S57).

一方、Ｖｃｃが１２Ｖを上回るとき（Ｓ５４：Ｎｏ）、Ｖｃｃが上述の第二電圧値よりも大きい予め定められた上限値（例えば、１４Ｖ）を下回るか否かを判定する。そして、Ｖｃｃが１４Ｖを下回るとき（Ｓ５５：Ｙｅｓ）、ゲート抵抗調整回路９ではゲート抵抗Ｒ９２を選択して第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態としてインピーダンスを発生し、駆動制御回路３を介し第三スイッチングトランジスタＴｒ３をオフ状態としてスイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ５８）、アンテナ６に通電を行う（Ｓ５７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 12V (S54: No), it is determined whether or not Vcc is below a predetermined upper limit value (for example, 14V) larger than the above-described second voltage value. When Vcc falls below 14V (S55: Yes), the gate resistance adjustment circuit 9 selects the gate resistance R92 to turn on the fourth switching transistor Tr4 to generate impedance, and the third switching is performed via the drive control circuit 3. The transistor Tr3 is turned off and driven as a half bridge circuit using only the switching circuit 4 (S58), and the antenna 6 is energized (S57).

一方、Ｖｃｃが１４Ｖを上回るとき（Ｓ５５：Ｎｏ）、ゲート抵抗調整回路９ではゲート抵抗Ｒ９１を選択して第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態としてインピーダンスを発生し、第三スイッチングトランジスタＴｒ３をオフ状態としてスイッチング回路４のみを用いたハーフブリッジ回路として駆動させ（Ｓ５６）、アンテナに通電を行う（Ｓ５７）。 On the other hand, when Vcc exceeds 14 V (S55: No), the gate resistance adjustment circuit 9 selects the gate resistance R91 to generate the impedance by turning on the fourth switching transistor Tr4, and turns off the third switching transistor Tr3. It is driven as a half-bridge circuit using only the switching circuit 4 (S56), and the antenna is energized (S57).

上述の構成により、電源電圧Ｖｃｃが変動しても、ゲート抵抗調整回路９で発生するインピーダンスを調整することで、アンテナコイルＬ１の両端に印加される電圧（上述のＶＬ）の変動を抑えることができる。 With the above-described configuration, even if the power supply voltage Vcc varies, by adjusting the impedance generated by the gate resistance adjusting circuit 9, it is possible to suppress the variation in the voltage (the above-described VL) applied to both ends of the antenna coil L1. it can.

上述の構成では、複数のゲート抵抗（Ｒ９１〜Ｒ９４）のうち１つを選択しているが、２つ以上のゲート抵抗を組み合わせて選択してもよい。 In the above configuration, one of the plurality of gate resistors (R91 to R94) is selected, but two or more gate resistors may be selected in combination.

また、上述の構成において、図１と同様に、アンテナ６の第一端６ａあるいは第二端６ｂの少なくとも一方と接地との間に、予めダンピング抵抗Ｒ（図６参照）を接続しておいてもよい。そして、ゲート抵抗調整回路９は、このダンピング抵抗Ｒのインピーダンスを調整するために用いる。ダンピング抵抗Ｒを接続する代わりに、第四スイッチングトランジスタＴｒ４をオン状態とする際に、ゲート抵抗調整回路９のゲート抵抗Ｒ９４と他のゲート抵抗と組み合わせて選択することでインピーダンスを調整してもよい。 In the configuration described above, a damping resistor R (see FIG. 6) is connected in advance between at least one of the first end 6a or the second end 6b of the antenna 6 and the ground, as in FIG. Also good. The gate resistance adjusting circuit 9 is used to adjust the impedance of the damping resistor R. Instead of connecting the damping resistor R, when the fourth switching transistor Tr4 is turned on, the impedance may be adjusted by selecting in combination with the gate resistor R94 of the gate resistance adjusting circuit 9 and another gate resistor. .

上述の構成では、第四スイッチングトランジスタＴｒ４（ＦＥＴ）の特性上、温度が高くなるにつれて、ゲート電圧が低くてもドレイン電流Ｉｄｓの変動が大きくなるため、温度による補正を行うことでより精度の良い制御が可能となる。すなわち、図４と同様に、第四スイッチングトランジスタＴｒ４近傍の温度を測定するための温度センサ１２を備える。そして、図７のステップＳ５１において、温度を測定し、各駆動処理ステップ（Ｓ５６，Ｓ５８〜Ｓ６１）において、電源電圧と温度とに基づいてゲート抵抗を選択する。例えば、温度が上昇するとドレイン電流が減少するので、ゲート抵抗を低くする。 In the above-described configuration, due to the characteristics of the fourth switching transistor Tr4 (FET), as the temperature increases, the fluctuation of the drain current Ids increases even if the gate voltage is low. Control becomes possible. That is, similarly to FIG. 4, the temperature sensor 12 for measuring the temperature in the vicinity of the fourth switching transistor Tr4 is provided. In step S51 of FIG. 7, the temperature is measured, and in each drive processing step (S56, S58 to S61), the gate resistance is selected based on the power supply voltage and the temperature. For example, since the drain current decreases as the temperature rises, the gate resistance is lowered.

上述の構成によっても、ゲート抵抗調整回路９を用いることで出力電界強度を調整することができ、図３のような効果を得ることができる。 Also with the above-described configuration, the output electric field strength can be adjusted by using the gate resistance adjusting circuit 9, and the effect as shown in FIG. 3 can be obtained.

上述の実施例１〜実施例３の複数を組み合わせた構成としてもよい。 It is good also as a structure which combined two or more of the above-mentioned Example 1-3.

以上、本発明の実施の形態を説明したが、これらはあくまで例示にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, these are merely examples, and the present invention is not limited to these embodiments, and the knowledge of those skilled in the art can be used without departing from the spirit of the claims. Various modifications based on this are possible.

１無線送信装置
２ＣＰＵ（送信制御回路）
４，５スイッチング回路
６送信用アンテナ
７インピーダンス調整回路（インピーダンス回路）
８ベース抵抗調整回路（インピーダンス回路）
９ゲート抵抗調整回路（インピーダンス回路）
１０バッテリー
１１電源回路（電源）
２１ＡＤ変換器（電源電圧検出回路）
Ｔｒ１〜Ｔｒ３第一〜第三スイッチングトランジスタ（第一〜第三スイッチング素子）
Ｔｒ４第四スイッチングトランジスタ（第四スイッチング素子，インピーダンス発生用スイッチング素子）
７１〜７３抵抗回路
Ｔｒ７１〜Ｔｒ７３トランジスタ
Ｔｒ８トランジスタ（インピーダンス発生用スイッチング素子）
Ｒ７１〜Ｒ７３抵抗（抵抗素子）
Ｒ８１〜Ｒ８４ベース抵抗（電流調整用抵抗素子）
Ｒ９１〜Ｒ９４ゲート抵抗（電流調整用抵抗素子） 1 wireless transmitter 2 CPU (transmission control circuit)
4,5 Switching circuit 6 Transmitting antenna 7 Impedance adjustment circuit (impedance circuit)
8 Base resistance adjustment circuit (impedance circuit)
9 Gate resistance adjustment circuit (impedance circuit)
10 Battery 11 Power supply circuit (Power supply)
21 AD converter (power supply voltage detection circuit)
Tr1 to Tr3 First to third switching transistors (first to third switching elements)
Tr4 Fourth switching transistor (fourth switching element, impedance generating switching element)
71-73 Resistance circuit Tr71-Tr73 transistor Tr8 transistor (switching element for impedance generation)
R71 to R73 Resistance (resistance element)
R81 to R84 Base resistance (resistance element for current adjustment)
R91 to R94 Gate resistance (resistance element for current adjustment)

Claims

送信用アンテナと、
電源と、
前記送信用アンテナの第一端と、前記電源および接地との間にそれぞれ設けられる第一スイッチング素子および第二スイッチング素子を含み、前記第一スイッチング素子がオン状態となり前記第二スイッチング素子がオフ状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を、前記送信用アンテナの第一端側から第二端側に向う第一通電方向とし、前記第一スイッチング素子がオフ状態となり前記第二スイッチング素子がオン状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を該第一通電方向とは逆の第二通電方向とするハーフブリッジ回路として動作するスイッチング回路と、
前記電源の電圧を検出する電源電圧検出回路と、
前記送信用アンテナの第二端と接地との間に設けられ、予め定められたインピーダンス値を発生するインピーダンス回路と、
検出した前記電源の電圧に基づいて、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する送信制御回路と、
を備えることを特徴とする無線送信装置。 A transmitting antenna;
Power supply,
A first switching element and a second switching element provided between a first end of the transmitting antenna and the power source and the ground, respectively, wherein the first switching element is turned on and the second switching element is turned off Thus, the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the first energizing direction from the first end side to the second end side of the transmitting antenna, and the first switching element is turned off. When the second switching element is turned on, a switching circuit that operates as a half-bridge circuit in which the energization direction to the transmitting antenna by the power source is a second energization direction opposite to the first energization direction;
A power supply voltage detection circuit for detecting the voltage of the power supply;
An impedance circuit that is provided between the second end of the transmitting antenna and the ground and generates a predetermined impedance value;
A transmission control circuit that adjusts the impedance value of the impedance circuit based on the detected voltage of the power supply;
A wireless transmission device comprising:

前記送信制御回路は、前記送信用アンテナから送信する電波の電界強度が予め定められた電界強度範囲内に含まれるように、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する請求項１に記載の無線送信装置。 The radio transmission apparatus according to claim 1, wherein the transmission control circuit adjusts an impedance value of the impedance circuit so that an electric field intensity of a radio wave transmitted from the transmitting antenna is included in a predetermined electric field intensity range. .

前記インピーダンス回路は、前記送信用アンテナの第二端と接地との間に接続された抵抗素子を含み、
前記送信制御回路は、前記電源の電圧に基づいて、前記抵抗素子の抵抗値を変化させることにより、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する請求項１または請求項２に記載の無線送信装置。 The impedance circuit includes a resistance element connected between the second end of the transmitting antenna and the ground,
The wireless transmission device according to claim 1, wherein the transmission control circuit adjusts an impedance value of the impedance circuit by changing a resistance value of the resistance element based on a voltage of the power supply.

前記インピーダンス回路は、前記送信用アンテナの第二端と接地との間に設けられたインピーダンス発生用スイッチング素子と、前記インピーダンス発生用スイッチング素子に接続され、前記インピーダンス発生用スイッチング素子がオン状態となったときに前記インピーダンス発生用スイッチング素子に流れる電流値を調整するための電流調整用抵抗素子とを含んで構成され、
前記送信制御回路は、前記電源の電圧に基づいて、前記電流調整用抵抗素子の抵抗値を変化させて前記インピーダンス発生用スイッチング素子に流れる電流値を調整することで、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整する請求項１または請求項２に記載の無線送信装置。 The impedance circuit is connected to an impedance generating switching element provided between the second end of the transmitting antenna and the ground, and the impedance generating switching element, and the impedance generating switching element is turned on. A current adjusting resistor element for adjusting the current value flowing through the impedance generating switching element when
The transmission control circuit adjusts a current value flowing through the impedance generation switching element by changing a resistance value of the current adjustment resistance element based on a voltage of the power source, thereby obtaining an impedance value of the impedance circuit. The wireless transmission device according to claim 1 or 2, wherein adjustment is performed.

前記スイッチング回路は、前記送信用アンテナの第二端と、前記電源および接地との間にそれぞれ設けられる第三スイッチング素子および第四スイッチング素子とをさらに含み、
前記送信制御回路は、
前記電源の電圧が予め定められた電圧閾値を上回るときには、前記電源の電圧に基づいて前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整するとともに、前記第三スイッチング素子および前記第四スイッチング素子をオフ状態として、前記スイッチング回路を前記ハーフブリッジ回路として動作させ、
前記電源の電圧が前記電圧閾値を下回るときには、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を高インピーダンス状態あるいは開放状態とするとともに、前記スイッチング回路を、前記第一スイッチング素子および前記第四スイッチング素子がオン状態となり、前記第三スイッチング素子および前記第二スイッチング素子がオフ状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を前記第一通電方向とし、前記第一スイッチング素子および前記第四スイッチング素子がオフ状態となり、前記第三スイッチング素子および前記第二スイッチング素子がオン状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を前記第二通電方向とするＨブリッジ回路として動作させる請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の無線送信装置。 The switching circuit further includes a third switching element and a fourth switching element provided between the second end of the transmitting antenna and the power source and the ground, respectively.
The transmission control circuit includes:
When the voltage of the power source exceeds a predetermined voltage threshold, the impedance value of the impedance circuit is adjusted based on the voltage of the power source, and the third switching element and the fourth switching element are turned off, Operating the switching circuit as the half-bridge circuit;
When the voltage of the power supply is lower than the voltage threshold, the impedance value of the impedance circuit is in a high impedance state or an open state, and the switching circuit is turned on in the first switching element and the fourth switching element, When the third switching element and the second switching element are turned off, the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the first energization direction, and the first switching element and the fourth switching element are The third switching element and the second switching element are turned off, and are operated as an H-bridge circuit in which the direction of energization of the transmitting antenna by the power source is the second energization direction. Any one of claims 1 to 4 The radio transmitting apparatus according.

前記スイッチング回路は、前記送信用アンテナの第二端と、前記電源および接地との間にそれぞれ設けられる第三スイッチング素子および第四スイッチング素子とをさらに含み、
前記インピーダンス回路は、前記第四スイッチング素子と、前記第四スイッチング素子に接続され、前記第四スイッチング素子がオン状態となったときに、前記第四スイッチング素子に流れる電流値を可変とするための電流調整用抵抗素子と、を含んで構成され、
前記送信制御回路は、
前記電源の電圧が予め定められた電圧閾値を上回るときに、前記電源の電圧に基づいて、前記電流調整用抵抗素子の抵抗値を変化させて前記第四スイッチング素子に流れる電流値を調整することで、前記インピーダンス回路のインピーダンス値を調整するとともに、前記第三スイッチング素子をオフ状態として、前記スイッチング回路を前記ハーフブリッジ回路として動作させ、
前記電源の電圧が前記電圧閾値を下回るときには、前記電流調整用抵抗素子の抵抗値を予め定められた値として、前記スイッチング回路を、前記第一スイッチング素子および前記第四スイッチング素子がオン状態となり、前記第三スイッチング素子および前記第二スイッチング素子がオフ状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を前記第一通電方向とし、前記第一スイッチング素子および前記第四スイッチング素子がオフ状態となり、前記第三スイッチング素子および前記第二スイッチング素子がオン状態となることで、前記電源による前記送信用アンテナへの通電方向を前記第二通電方向とするＨブリッジ回路として動作させる請求項１または請求項２に記載の無線送信装置。 The switching circuit further includes a third switching element and a fourth switching element provided between the second end of the transmitting antenna and the power source and the ground, respectively.
The impedance circuit is connected to the fourth switching element and the fourth switching element, and makes the current value flowing through the fourth switching element variable when the fourth switching element is turned on. A current adjusting resistor element,
The transmission control circuit includes:
Adjusting a current value flowing through the fourth switching element by changing a resistance value of the current adjusting resistor element based on the voltage of the power supply when the voltage of the power supply exceeds a predetermined voltage threshold value. Then, while adjusting the impedance value of the impedance circuit, the third switching element is turned off, the switching circuit is operated as the half-bridge circuit,
When the voltage of the power supply is lower than the voltage threshold, the resistance value of the current adjusting resistance element is set to a predetermined value, the switching circuit, the first switching element and the fourth switching element are turned on, When the third switching element and the second switching element are turned off, the energization direction to the transmitting antenna by the power source is the first energization direction, and the first switching element and the fourth switching element are The third switching element and the second switching element are turned off, and are operated as an H-bridge circuit in which the direction of energization of the transmitting antenna by the power source is the second energization direction. The wireless transmission device according to claim 1 or 2.

前記送信用アンテナを用いて、ＬＦ帯の電波により無線通信を行う請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の無線送信装置。 The wireless transmission device according to claim 1, wherein wireless communication is performed using LF band radio waves using the transmission antenna.