JP5436542B2 - カーボン製反応容器の破損防止方法 - Google Patents
カーボン製反応容器の破損防止方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5436542B2 JP5436542B2 JP2011506946A JP2011506946A JP5436542B2 JP 5436542 B2 JP5436542 B2 JP 5436542B2 JP 2011506946 A JP2011506946 A JP 2011506946A JP 2011506946 A JP2011506946 A JP 2011506946A JP 5436542 B2 JP5436542 B2 JP 5436542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substantially cylindrical
- cylindrical body
- thermal expansion
- ring
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 68
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 54
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon halide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/025—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
- B01J2219/0272—Graphite
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
SiCl4+H2⇔SiHCl3+HCl (1)
この反応は、ガス化したテトラクロロシランと水素とからなる原料ガスを反応炉に収容されたカーボン製反応容器内おいて700〜1400℃に加熱することによって行われる。
その上、複数の略円筒体101を連結一体化して使用するため、急激な温度変化を加えると、連結部における一方の略円筒体の突出部103と他方の略円筒体の肩部102との熱膨張量または熱収縮量の相違により、両者間にかかる径方向の応力が変化する。この応力が顕著に増大すると、肉厚の薄い肩部102や突出部103が負荷に耐えきれず割れやひび割れを生じ、カーボン製反応容器100を破損する場合がある。
しかしこの場合であっても、同一の材質を用いて、同一の形状および寸法となるように製造された一見同一に見える略円筒体であっても、略円筒体毎に熱膨張係数が異なり、連結の組み合わせ順によってはカーボン製反応容器の割れや気密性に影響を与えることを見出した。また、カーボン製のリングも略円筒体と同様に熱膨張するため、締結する略円筒体との熱膨張係数の相違によっては、連結部に割れを発生したり気密性に影響を与えたりすることを見出した。
2: 略円筒体
3: リング
4: 天蓋
5: 底板
6: 導入口
7: 抜出口
8: 連結上端部
9: 連結下端部
100:カーボン製反応容器
101:略円筒体
102:肩部
103:突出部
104:胴体部
最上段に配される略円筒体は、上端側が閉塞されていてカーボン製反応容器1の天蓋4を構成し、最下段に配される略円筒体は、下端側が閉塞されていてカーボン製反応容器1の底板5を構成している。また、底板5の略中央には原料ガスをカーボン製反応容器1の内部に取り込むための導入口6が形成され、天蓋4の近傍に位置する略円筒体の側壁には反応生成ガスをカーボン製反応容器1の外部へ導出するための抜出口7が形成されている。
略円筒体2は、図3に示すように、リング3による締結に関与する上下の端部、すなわち連結上端部8および連結下端部9の外周に雄ネジが形成されただけの直円筒形状であり、従来のカーボン製反応容器に用いられていた略円筒体のように上端もしくは下端に肩部や突出部が形成されていない。そのため、大きな凹凸のない極めて単純な形状であるとともに、肉厚をその高さ方向全体にわたってほぼ均一とすることができることから、物理的衝撃や熱的衝撃に対して優れた耐性を有する。
リング3は、図4に示すように、内周面に雌ネジが形成されただけの略円環状のリングである。略円筒体2と同様に、大きな凹凸のない極めて単純な形状であるとともに、肉厚もほぼ均一であることから、物理的衝撃や熱衝撃に対して優れた耐性を有する。
略円筒体2およびリング3は、カーボンを主材料とするため、カーボン製反応容器1内に供給される水素や、水素の燃焼により生成する水によって、以下に示すように、組織の減肉または脆化を受けてしまう。
C+2H2→CH4
C+H2O→H2+CO
C+2H2O→2H2+CO2
炭化ケイ素被膜はこれらの化学的分解に対して極めて耐性が高いため、カーボン製の略円筒体2およびリング3の表面に炭化ケイ素被膜を形成することが好ましい。
CVD法によりカーボン製の略円筒体2およびリング3の表面に炭化ケイ素被膜を形成するには、例えば、テトラクロロシラン又はトリクロロシランのようなハロゲン化珪素化合物とメタンやプロパンなどの炭化水素化合物との混合ガスを用いる方法、またはメチルトリクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシランのような炭化水素基を有するハロゲン化珪素化合物を水素で熱分解しながら、加熱された略円筒体2およびリング3の表面に炭化ケイ素を堆積させる方法を用いることができる。
本明細書において、「熱膨張係数」とは、温度t0℃における略円筒体2の連結上端部8の厚み、連結下端部9の厚みまたはリング3の厚みをa0、温度t1℃における略円筒体2の連結上端部8の厚み、連結下端部9の厚みまたはリング3の厚みをa1とした場合に、それぞれ以下の式(1)によって求められる。
熱膨張係数=[(a1−a0)/a0]/(t1−t0) (1)
熱膨張係数を求めるには、カーボン製反応容器1の運転条件に近い条件下で熱膨張量の測定を行うことが好ましいが、カーボンからなる略円筒体2およびリング3はカーボン製反応容器1の通常運転条件である1400℃以下のいずれの温度帯域であっても、温度変化量に対する膨張率は一定であるため、必ずしも運転温度まで加熱して測定を行う必要はない。テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成するためのカーボン製反応容器として使用する場合、具体的には、t0を0〜500℃、t1を400〜1000℃とする条件で、示差走査熱量計を用いて雰囲気温度を一定速度で上昇させながら測定することが好ましい。また、測定は窒素ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
そこで、1つの略円筒体2の連結上端部8について複数点で測定を行い、これらの平均値を求め、この平均値をその略円筒体2における連結上端部8の熱膨張係数とすることが好ましい。同様に、連結下端部9およびリング3の熱膨張係数についても平均値を求めることが好ましい。連結上端部8、連結下端部9またはリング3の熱膨張係数として、それぞれの平均値を用いることにより、このような測定位置による熱膨張係数のバラツキの影響を低減することができる。
予め熱膨張係数を求めた複数の略円筒体2について、一方の略円筒体の連結上端部8における熱膨張係数と、他方の略円筒体の連結下端部9における熱膨張係数との差が小さくなるような順序を決定し、これらの端部同士を突き合わせて略同軸に配置し、さらに、連結するいずれの略円筒体2と比べても熱膨張係数の差が小さいカーボン製のリング3を用いて略円筒体の突き合わせ端部を締結する。
とりわけ、連結部において、略円筒体2の連結上端部8および連結下端部9における熱膨張係数が、リング3の熱膨張係数より小さいことが好ましい。この場合には、連結上端部8および連結下端部9に水平方向から過度の応力がかかることによる略円筒体2の破損を防止することができる。
この反応炉にテトラクロロシランと水素(モル=1:1)の混合ガスを供給し、常圧、反応温度1100℃で反応を行い、トリクロロシランを生成した。
反応炉を連続的に2000時間運転した後、カーボン製反応容器から反応炉内に漏れ出した原料ガスおよび反応生成ガスの量を測定して気密性を評価した後、カーボン製反応容器を解体して略円筒体の連結部における割れの発生を観察した。結果を表1および2に示す。
*1略円筒体間の熱膨張係数差=[連結部において上側に位置する略円筒体の連結下端部の熱膨張係数]−[連結部において下側に位置する略円筒体の連結上端部の熱膨張係数]
*2リングとの熱膨張係数差=[リングの熱膨張係数]−[連結部において下側に位置する略円筒体の連結上端部の熱膨張係数]
以上の結果から、互いに連結される一方の略円筒体の連結上端部における熱膨張係数と他方の略円筒体の連結下端部における熱膨張係数との差を0.1x10−6(1/K)以下とすることによって、気密性が向上することが確認された。
Claims (5)
- カーボン製の複数の略円筒体を、互いに連結される一方の略円筒体の連結上端部における熱膨張係数と他方の略円筒体の連結下端部における熱膨張係数との差が小さくなるような順序で端部同士を突き合わせて略同軸に配置し、突き合わせ端部を略円筒体の熱膨張係数との差が小さいカーボン製のリングで締結する、カーボン製反応容器の破損防止方法。
- 略円筒体が黒鉛製である、請求項1記載のカーボン製反応容器の破損防止方法。
- 略円筒体の内周面および/または外周面が炭化ケイ素被膜処理されている、請求項1記載のカーボン製反応容器の破損防止方法。
- 互いに連結される一方の略円筒体の連結上端部における熱膨張係数と他方の略円筒体の連結下端部における熱膨張係数との差が0.1x10−6(1/K)以下である、請求項1記載のカーボン製反応容器の破損防止方法。
- リングの厚み:略円筒体の厚みが30:70〜70:30の範囲である場合に、リングの熱膨張係数よりも略円筒体の連結上端部および連結下端部の熱膨張係数の方が小さく、かつ、リングの熱膨張係数と略円筒体の連結上端部および連結下端部の熱膨張係数との差が0.3x10−6(1/K)以下である、請求項1記載のカーボン製反応容器の破損防止方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/056984 WO2010113323A1 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | カーボン製反応容器の破損防止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010113323A1 JPWO2010113323A1 (ja) | 2012-10-04 |
JP5436542B2 true JP5436542B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=42827651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011506946A Active JP5436542B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | カーボン製反応容器の破損防止方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436542B2 (ja) |
TW (1) | TW201036914A (ja) |
WO (1) | WO2010113323A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5374581B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-12-25 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応容器の破損防止方法 |
JP7093264B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-06-29 | イビデン株式会社 | 反応装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02282687A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-20 | Nippon Steel Corp | 竪型マッフル式熱処理炉のマッフルの支持方法 |
JP3529070B2 (ja) * | 1995-12-01 | 2004-05-24 | 電気化学工業株式会社 | カーボン製反応容器 |
JP2003327437A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱炉 |
JP5601438B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2014-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置 |
-
2009
- 2009-04-03 JP JP2011506946A patent/JP5436542B2/ja active Active
- 2009-04-03 WO PCT/JP2009/056984 patent/WO2010113323A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-01-28 TW TW099102348A patent/TW201036914A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201036914A (en) | 2010-10-16 |
WO2010113323A1 (ja) | 2010-10-07 |
JPWO2010113323A1 (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2104411C (en) | Chemical vapor deposition-production silicon carbide having improved properties | |
RU2499081C2 (ru) | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы | |
JP3529070B2 (ja) | カーボン製反応容器 | |
JP5436542B2 (ja) | カーボン製反応容器の破損防止方法 | |
US20060057287A1 (en) | Method of making chemical vapor composites | |
US20180297852A1 (en) | Fluidized bed reactor and process for producing polycrystalline silicon granules | |
JP5374581B2 (ja) | カーボン製反応容器の破損防止方法 | |
WO2002060834A1 (fr) | Procede d'assemblage de pieces en ceramique de haute purete | |
KR101601282B1 (ko) | 탄화규소 분체 제조용 도가니 및 이를 이용한 탄화규소 분체 제조 방법 | |
WO2012086238A1 (ja) | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 | |
WO2005056872A1 (en) | Method of making chemical vapor composites | |
WO2012086237A1 (ja) | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用ユニット及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 | |
US3961003A (en) | Method and apparatus for making elongated Si and SiC structures | |
JP5553754B2 (ja) | カーボン製反応容器 | |
JP5319681B2 (ja) | カーボン製反応装置 | |
US9662628B2 (en) | Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor | |
US20130196278A1 (en) | Heat treatment container for vacuum heat treatment apparatus | |
US20160045881A1 (en) | High-purity silicon to form silicon carbide for use in a fluidized bed reactor | |
AU2005257313B2 (en) | Tubular container made of carbon | |
JPWO2010087001A1 (ja) | 炭素含有材料からなる反応容器を備える反応装置、その反応装置の腐食防止方法およびその反応装置を用いたクロロシラン類の生産方法 | |
US8440566B2 (en) | Method for forming an aluminum nitride thin film | |
KR102553973B1 (ko) | 반응기를 위한 서셉터 배열체 및 반응기를 위한 공정 기체의 가열 방법 | |
JP5436454B2 (ja) | 発熱装置 | |
Danielsson et al. | Reducing stress in silicon carbide epitaxial layers | |
JP2022520899A (ja) | 炭化ケイ素-窒化ケイ素複合材料の製造方法及びそれによる炭化ケイ素-窒化ケイ素複合材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5436542 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |