JP5432762B2 - アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - Google Patents
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Description
2 磁気トンネル接合部
21 基準層
22 絶縁層
23 記憶層
3 第一の選択用トランジスタ
3’ 第二の選択用トランジスタ
32 加熱電流
4 ビットライン
5 フィールドライン
51 磁界
52 フィールド電流
53 スピン偏極書込電流
7 第一のストラップ部分
7’ 第二のストラップ部分
8 第一のコンタクトエリアスタッド
8’ 第二のコンタクトエリアスタッド
RA 抵抗・面積積
TMR トンネル磁気抵抗
Z 接合部に沿った位置
Claims (4)
- 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端と接続され、記憶層の読出電流が流れるように構成されたビットラインと、
磁気トンネル接合部の他方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の他方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分と、
を有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記憶素子であって、
これらの第一と第二のストラップ部分は、磁気トンネル接合部を加熱するための加熱電流を流すように構成されており、
第一と第二の選択用トランジスタが導通モードに有る時に、加熱電流が第一と第二のストラップ部分に流れ、
記憶層の磁化をフィールド電流の向きに応じて変更するためのフィールド電流を流すように構成されたフィールドラインが更に配備されている、
記憶素子。 - 請求項1に記載の記憶素子おいて、当該の記憶層の少なくとも一部が、第一と第二のストラップ部分内に構成されている記憶素子。
- 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端と接続され、読出電流が磁気トンネル接合部に流れるように構成されたビットラインと、
磁気トンネル接合部の他方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の他方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分と、
を有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の複数の記憶素子から成るマトリックスで構成された磁気記憶装置であって、
これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタが導通モードに有る時に、加熱電流が流れるように構成されており、
各記憶素子が、記憶層の磁化をフィールド電流の向きに応じて変更するためのフィールド電流を流すように構成されたフィールドラインを更に有する、
磁気記憶装置。 - 磁気記憶層と、基準層と、基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層とから成る磁気トンネル接合部と、
磁気トンネル接合部の一方の端と接続され、読出電流が磁気トンネル接合部に流れるように構成されたビットラインと、
磁気トンネル接合部の他方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分と、
第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の他方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分と、
を有し、これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタが導通モードに有る時に、加熱電流が流れるように構成されている、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記憶素子の書込方法において、
書込手順の間に、
当該の磁気トンネル接合部を高い方の温度閾値にまで加熱するために、当該の第一と第二の選択用トランジスタを介して、第一と第二のストラップ部分に加熱電流を流す工程と、
磁気トンネル接合部が高い方の温度閾値に到達した後、記憶層の磁化を切り換える工程と、
を有し、
当該の記憶素子がフィールドラインを更に有し、当該の記憶層の磁化を切り換える工程が、そのフィールドラインにフィールド電流を流す工程で構成される、
方法。
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