JP5432488B2 - バイポーラ型半導体装置 - Google Patents
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半導体基板と、上記半導体基板上にエピタキシャル成長により順に形成された複数の半導体層とを備え、上記半導体基板と上記複数の半導体層がワイドギャップ半導体を母材とするバイポーラ型半導体装置であって、
上記複数の半導体層の上側の少なくとも最上層に形成され、上記半導体基板のオフ方向に対してストライプ方向が略直交するメサストライプ部と、
上記メサストライプ部上に形成された第1電極と、
上記半導体基板の裏面に形成された第2電極と、
上記複数の半導体層のうちの上記メサストライプ部のメサ間の半導体層の露出領域上に形成された制御電極と
を備え、
電流通電時に、上記メサストライプ部の表面にある表面欠陥を種として上記半導体基板の基底面に沿って成長する面状の積層欠陥が上記メサストライプ部のストライプ方向と平行であることを特徴とする。
2…メサストライプ部
2a…メサ
3…アノード電極
4…ゲート電極
5…カソード電極
6…積層欠陥
S…表面欠陥
Claims (4)
- 半導体基板と、上記半導体基板上にエピタキシャル成長により順に形成された複数の半導体層とを備え、上記半導体基板と上記複数の半導体層がワイドギャップ半導体を母材とするバイポーラ型半導体装置であって、
上記複数の半導体層の上側の少なくとも最上層に形成され、上記半導体基板のオフ方向に対してストライプ方向が略直交するメサストライプ部と、
上記メサストライプ部上に形成された第1電極と、
上記半導体基板の裏面に形成された第2電極と、
上記複数の半導体層のうちの上記メサストライプ部のメサ間の半導体層の露出領域上に形成された制御電極と
を備え、
電流通電時に、上記メサストライプ部の表面にある表面欠陥を種として上記半導体基板の基底面に沿って成長する面状の積層欠陥が上記メサストライプ部のストライプ方向と平行であることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 請求項1に記載のバイポーラ型半導体装置において、
上記制御電極に流す電流により動作を制御する電流駆動型であることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 請求項1または2に記載のバイポーラ型半導体装置において、
上記ワイドギャップ半導体としてシリコンカーバイド(SiC)を用いたことを特徴とするバイポーラ型半導体装置。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載のバイポーラ型半導体装置において、
上記第1電極をアノード電極とし、上記第2電極をカソード電極とし、上記制御電極をゲート電極とする電流駆動型のゲートターンオフサイリスタであることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。
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