JP5431736B2 - インジウム錫酸化物表面をｃｍｐする方法 - Google Patents
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Description
本発明は、研磨組成物と、その組成物を使用して基材を研磨する方法に関する。さらに詳しく説明すると、本発明は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む基材を研磨するのに適当な化学機械研磨組成物と、その組成物を利用したＣＭＰ方法に関する。
インジウム錫酸化物（”ＩＴＯ”）の薄膜は、導電性が非常に高く、かつ高い光透過率を有している。フラットパネル式のディスプレイ装置は、典型的には、フラットパネルの表面を実質的に覆ったＩＴＯの薄膜を利用している。ＩＴＯ層の表面には、等電位面と、固体金属シートのものよりも低い導電性とが存在している。ＩＴＯはまた、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を構成するための透明電極として、太陽電池の窓材料として、そして帯電防止フィルムとして使用されている。
ＩＴＯの典型的には高い表面粗さは、例えばスパイク、スクラッチ及び表面残渣（例えば、ＩＴＯ表面に吸着された異物質）のような不均一物とともに、電流漏れの通路を提供し、ＩＴＯに隣接したダイオードを通って電流が流動することの結果、クロストークや望ましくない程度に低い抵抗を引き起こす。クロストークは、電気的及び光学的の両面に関して、装置の挙動に直接的に影響を及ぼすことが可能である。ＩＴＯデバイスにおける不安定なピクセル発生性クロストークのレベルを最小にし、かつ漏れ電流を最小にするため、ＩＴＯ層上で平滑でクリーンな表面が必要である。ＩＴＯ表面において不均一性を低減させると、全体的な挙動を改良することができ、フラットパネルシステムにおいてより良好な画像品質を提供することができる。
基材の表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）する組成物及び方法は、この技術分野においてよく知られている。半導体基材の金属含有表面（例えば、集積回路）をＣＭＰするための研磨組成物（研磨スラリー、ＣＭＰスラリー、ＣＭＰ組成物としても知られている）は、典型的には、酸化剤、種々の添加剤化合物、研磨材などを含有している。
従来のＣＭＰ技術では、基材キャリヤ又は研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられ、ＣＭＰ装置内の研磨パッドとの接触位置に位置決めされる。キャリヤアセンブリは、制御可能な圧力（”ダウンフォース”）を基材に対して付与し、その基材を研磨パッドに押し付ける。パッドは、それが取り付けられた基材とともに、キャリヤに対して相対的に移動せしめられる。パッドは、基材の表面を研磨するように作用し、基材の表面からその材料の一部を除去し、よって基材を研磨する。典型的には、基材の表面の研磨は、研磨組成物の化学的活性によって（例えば、ＣＭＰ組成物中に存在する酸化剤によって）及び／又は研磨組成物中に懸濁せしめられた研磨材の機械的活性によってさらに補助せしめられる。典型的な研磨材料は、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム及び酸化スズを包含する。
ＩＴＯ表面における不均一性を低減するため、研磨、表面処理（例えば、プラズマ処理）ならびにコントロール下のＩＴＯ沈着技術を含めたいくつかの方法が提案されている。ＩＴＯ表面の均一性を改良するために提案されている１つの研磨方法は、固定された研磨パッド又はシートを使用した乾式研磨法である。固定研磨パッドは、典型的には、ＩＴＯ表面に不所望なスクラッチ（かき傷）を生成する。また、現行の方法は依然として改良の余地を残しているけれども、ＩＴＯ表面の粗さを低減するために化学機械研磨（ＣＭＰ）法も研究されている。
かき傷や残留欠陥の低減し、かつインジウム錫酸化物の研磨時、従来の研磨方法と比較して表面粗さを低下させるような新規なＣＭＰ組成物を開発することに関する要求が依然として継続している。本発明は、このような改良されたＣＭＰ組成物及び方法を提供するものである。本発明のこれらやその他の利点ならびに追加的な本発明の特徴は、本明細書に記載する本発明の説明から容易に明らかとなるであろう。
本発明は、ＩＴＯ表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物及び方法を提供する。本発明のＣＭＰ組成物は、光散乱法のよって測定したときに１５０ｎｍ以下の平均粒径を有している、粒状の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又はコロイド状シリカ（ＳｉＯ２）の研磨材を含んでいる。この研磨材は、水性キャリヤ（例えば、脱イオン水）中に懸濁せしめられており、水性キャリヤは、好ましくは、５以下のｐＨを有している。研磨材の粒子は、好ましくは、この技術分野においてよく知られたBrunauer-Emmett-Teller（ＢＥＴ）法（例えば、S. Brunauer, P. H. Emmett 及び E. Teller, J. Am. Chem. Soc., 1938, 60, 309 を参照されたい）を使用してガス吸着によって測定したとき、４０〜２２０ｍ２／ｇの範囲の表面積を有している。
好ましい１態様において、本発明の組成物は、１５０ｎｍ以下（好ましくは、１００ｎｍ以下）の平均粒径及び４０〜７５ｍ２／ｇの範囲の表面積を有している粒状の酸化ジルコニウム研磨材を含んでいる。酸化ジルコニウム研磨材は、好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に懸濁せしめられる。
もう１つの好ましい態様において、本発明の組成物は、２０〜１４０ｎｍの範囲の平均粒径を有し、好ましくはＢＥＴ法を使用してガス吸着により測定したときに８０〜２２０ｍ２／ｇの範囲の表面積を有している粒状のコロイド状シリカ研磨材を含んでいる。コロイド状シリカ研磨材は、好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に懸濁せしめられる。
本発明のＣＭＰ組成物は、ＩＴＯ表面を研磨するために使用したとき、例えばセリア又はアルミナを含むＣＭＰ組成物を使用したときに得られる結果と比較して、著しく低い表面粗さを提供する。
また、本発明は、本発明のＣＭＰ組成物を利用してＩＴＯ基材の表面を研磨する方法も提供する。好ましい１方法は、ＩＴＯ含有基材の表面に研磨パッド及び本発明の水性ＣＭＰ組成物を接触させる工程と、そのＣＭＰ組成物の一部とパッドと基材の間の表面との接触を継続する一方で、研磨パッドと基材との間で相対運動を引き起こす工程とを含んでいる。相対運動は、基材の表面からＩＴＯの少なくとも一部を研磨するのに十分な時間にわたって継続される。
本発明は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の表面を研磨するのに有用なＣＭＰ組成物を提供する。本発明のＣＭＰ組成物は、従来のＣＭＰ組成物に比較して低減された表面粗さをもたらすとともに、それと同等なＩＴＯの除去を提供する。このＣＭＰ組成物は、水性キャリヤ中に懸濁せしめられた粒状の酸化ジルコニウム又はコロイド状シリカの研磨材料を含有している。この粒状の研磨材料は、レーザ光散乱法によって測定したとき、１５０ｎｍ以下の平均粒径を有している。これらの研磨材粒子は、好ましくは、ＢＥＴガス吸着によって測定したとき、４０〜２２０ｍ２／ｇの範囲の表面積を有している。好ましい態様において、水性キャリヤのｐＨは、５以下、さらに好ましくは３以下である。
好ましい１態様において、ＣＭＰ組成物は、１５０ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の粒径及び４０〜７５ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積をもった粒状酸化ジルコニウム研磨材を含んでいる。この酸化ジルコニウム研磨材は、好ましくは５以下、好ましくは３以下のｐＨをもった水性キャリヤ中に懸濁せしめられている。さらに加えて、この酸化ジルコニウム研磨材は、任意であるが、０．５〜５重量％の酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含むことができる。
理論によって束縛されることを希望するものではないが、ＩＴＯのゼータ電位と酸化ジルコニウムのゼータ電位とはともに低いｐＨ（例えば、５未満のｐＨ）のときに正（プラス）であるので、特に酸化ジルコニウム研磨材を使用したときには酸性のｐＨが有利であると考察される。ジルコニウム粒子のゼータ電位がプラスであると、プラスのＩＴＯ表面によって粒子の僅かの反撥が引き起こされる。粒子とＩＴＯ表面との間で反発力が発生すると、有利なことに、かき傷レベルの低減、表面に付着するジルコニア粒子の量の低減、そしてＩＴＯ表面のクリーン化性能の改良がもたらされる。
もう１つの好ましい態様において、ＣＭＰ組成物は、２０〜１４０ｎｍの範囲の粒径をもった粒状コロイド状シリカ研磨材を含んでいる。このコロイド状シリカは、好ましくは、８０〜２２０ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を有している。このシリカ研磨材は、好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に懸濁せしめられる。
コロイド状シリカの結晶構造は、特にフュームドシリカの挙動と比較して、ＩＴＯを研磨するときのその有効性に寄与していると考察される。フュームドシリカは、比較的に先鋭な端部をもった粒子を有する傾向にあり、ＩＴＯ表面を研磨するために使用するとき、それらの粒子の端部がかき傷を導くことが可能である。これとは対照的に、コロイド状シリカは、フュームドシリカに比較してより均一な粒径分布及びより平滑な表面を有しており、少なくとも部分的に、本発明のコロイド状シリカ系の組成物で研磨した後に観察される改良されたＩＴＯ表面粗さに寄与することができる。
好ましくは、研磨材料は、本発明の組成物中において０．１〜１０重量％の範囲、さらに好ましくは０．５〜５重量％の範囲の量で存在している。
研磨材は、ＣＭＰ組成物の水性キャリヤ成分中に懸濁せしめられ、好ましくは、キャリヤ中においてコロイド的に安定である。「コロイド」なる語は、それを本明細書において使用した場合、液体キャリヤ中における研磨材粒子の懸濁液（サスペンション）を指している。「コロイド的に安定」とは、その懸濁液が長期間にわたって維持されることを指している。本発明の関連から、研磨材は、１００ｍＬのメスシリンダーに研磨材を入れ、攪拌することなく２時間にわたって放置したときに、メスシリンダーの底部５０ｍＬにおける粒子の濃度（〔Ｂ〕、ｇ／ｍＬで）とメスシリンダーの頂部５０ｍＬにおける粒子の濃度（〔Ｔ〕、ｇ／ｍＬで）との差を研磨材組成物中の粒子の初期濃度（〔Ｃ〕、ｇ／ｍＬで）で割った値が０．５よりも小さいかもしくはそれと同じである（すなわち、（〔Ｂ〕−〔Ｔ〕）／〔Ｃ〕≦０．５）ならば、コロイド的に安定であるとみなされる。（〔Ｂ〕−〔Ｔ〕）／〔Ｃ〕の値は、望ましくは、０．３よりも少ないかもしくは０．３に等しく、好ましくは、０．１よりも少ないかもしくは０．１に等しい。
本発明のＣＭＰ組成物は、任意の適当なｐＨ、一般的には２〜１１の範囲のｐＨを有することができる。好ましくは、これらの組成物は、５以下（例えば、２〜５）、さらに好ましくは３以下のｐＨを有している。ＣＭＰ組成物は、酸もしくは塩基の添加によって所望のｐＨ値に調整することができる。例えば、ｐＨを下げるために無機酸、有機酸又はそれらの組み合わせを使用することができ、一方、ｐＨを上げるために塩基性の材料、例えば水酸化ナトリウム又はアミンを使用することができる。また、この水溶液は、ｐＨを所望のレベルで維持するため、ｐＨ緩衝剤を含有していてもよい。ｐＨ緩衝剤は、任意の適当な緩衝剤、例えばリン酸塩、酢酸塩、ホウ酸塩、スルホン酸塩、カルボン酸塩、アンモニウム塩、それらの組み合わせなどであることができる。本発明のＣＭＰ組成物は、任意の適当な量のｐＨ調整剤又はｐＨ緩衝剤を含むことができ、但し、かかる量は、所望のｐＨを達成及び／又は維持するのに十分な量である。
本発明のＣＭＰ組成物は、ＩＴＯを研磨するためにその組成物を使用したときに添加剤が研磨材粒子の不所望な凝集を引き起こしたり表面粗さに好ましくない影響を与えたりしない限り、任意の添加剤材料、例えばレオロジー調整剤、分散剤、キレート化剤、殺生剤等を包含することができる。
本発明のＣＭＰ組成物は、その多くが当業者に知られている任意の適当な技法によって調製することができる。ＣＭＰ組成物は、バッチ式で、さもなければ連続したプロセスで調製することができる。一般的に、ＣＭＰ組成物は、その複数の成分を任意の順序で合することによって調製することができる。「成分」なる語は、それを本明細書で使用した場合、個々の成分（例えば、研磨材、酸、塩基、緩衝剤等）ならびに複数の成分の任意の組み合わせを包含する。例えば、研磨材は水に分散させることができ、任意の緩衝剤やその他の成分は、懸濁液に添加し、ＣＭＰ組成物中に成分を混入することのできる任意の方法によって混合することができる。ｐＨは、必要に応じ、任意の適当な時間で調整することができる。
また、本発明のＣＭＰ組成物は、使用に先がけて適当な量の水で希釈することが意図される濃縮物として提供することもできる。このような態様において、ＣＭＰ組成物の濃縮物は、適当量の水性溶媒で濃縮物を希釈したときに研磨組成物のそれぞれの成分がＣＭＰ組成物中に適当な使用範囲内の量で存在するような量で（例えば、希釈後に所望のｐＨレベルを与えるため）水性溶媒中に分散もしくは溶解せしめられたいろいろな成分を包含することができる。
また、本発明は、ＩＴＯ表面を包含する基材を化学機械研磨する方法も提供する。好ましい方法は、（ｉ）基材のＩＴＯ表面に、研磨パッドと、本明細書に記載する本発明のＣＭＰ組成物とを接触させること、及び（ii）研磨パッドを、それと基材の間に研磨組成物を存在させて、基材の表面と関連させて移動させ、基材の表面からＩＴＯの少なくとも一部を研磨することを含んでいる。
本発明のＣＭＰ方法は、化学機械研磨装置との関連において使用するのに特に適している。典型的には、ＣＭＰ装置は、使用時に動いておりかつ公転、線状及び／又は環状運動から生じる速度を有するプラテン、プラトンと接触しておりかつ移動時にプラテンとともに移動する研磨パッド、そして研磨パッドと接触しかつ研磨パッドの表面に関して移動する被研磨基材を保持するキャリヤを含んでいる。ＣＭＰ組成物は、典型的には、研磨プロセスを補助するため、ポンプを使用して研磨パッドに送り込まれる。基材の研磨は、移動中の研磨パッドの研磨作用と、研磨パッド上に存在する本発明のＣＭＰ組成物の研磨作用とが組み合わさることによって達成されるものであり、基材の表面の少なくとも一部が研磨されることで基材の表面が研磨せしめられる。
基材は、任意の適当な研磨パッド（例えば、研磨面）を使用して本発明のＣＭＰ組成物で平坦化するかもしくは研磨することができる。適当な研磨パッドは、例えば、織布及び不織布の研磨パッドを包含する。さらに、適当な研磨パッドは、いろいろな密度、硬さ、厚さ、圧縮性、圧縮反発力及び圧縮モジュラスをもった任意の適当なポリマーを含むことができる。適当なポリマーは、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、その同時形成生成物、そしてその混合物を包含する。
望ましくは、ＣＭＰ装置は、その多くがこの技術分野において公知である現場研磨終点検知システムをさらに含んでいる。加工部材の表面から反射された光あるいはその他の放射線を分析することによって研磨プロセスを点検し、監視する技法は、この技術分野において公知である。このような方法は、例えば、Sandhuらの米国特許第５，１９６，３５３号、Lustigらの米国特許第５，４３３，６５１号、Tangの米国特許第５，９４９，９２７号、そしてBirangらの米国特許第５，９６４，６４３号に記載されている。望ましくは、研磨されている加工部材に関して研磨プロセスの進行を点検もしくは監視することで研磨の終点を決定すること、すなわち、特定の加工部材に関して研磨プロセスを終了すべき時点の決定、が可能となる。
下記の実施例は、本発明をさらに説明するためのものである、もちろん、これらの実施例によって本発明の範囲をなんらかの形で限定しようとするものではない。
実施例１
本例では、基材からのＩＴＯの除去についての従来のＣＭＰ組成物の挙動を本発明の組成物と比較して説明する。
本例では、基材からのＩＴＯの除去についての従来のＣＭＰ組成物の挙動を本発明の組成物と比較して説明する。
ＩＴＯ表面層（ガラス基材上に堆積せしめた１５００ÅのＩＴＯ）を有するウエハ（４インチ×４インチ）をベータラップ（Betalap）又はＦＫ−Ｎ１研磨パッドを使用したハイプレッツ（Hyprez）式卓上型研磨装置で、プラテン速度４５〜６５ｒｐｍ、キャリヤ速度４０〜６０ｒｐｍ、ダウンフォース０．３〜１．７５ｐｓｉ、そしてスラリー流量４０ｍＬ／分で研磨した。評価に供したＣＭＰスラリー組成物は、下記の組成を有していた。
スラリーＡ
脱イオン水中に分散させた１２重量％のフュームドシリカ（平均粒径１４０ｎｍ、表面積９０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０に調整した。
脱イオン水中に分散させた１２重量％のフュームドシリカ（平均粒径１４０ｎｍ、表面積９０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０に調整した。
スラリーＢ
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径７５ｎｍ、表面積８０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０に調整した。
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径７５ｎｍ、表面積８０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０に調整した。
スラリーＣ
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２に調整した。
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２に調整した。
スラリーＤ
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを５に調整した。
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを５に調整した。
スラリーＥ
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のセリア（平均粒径８０ｎｍ、表面積６０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
スラリーＦ
脱イオン水中に分散させた１重量％のジルコニア（平均粒径１５０ｎｍ、表面積４０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを５に調整した。
脱イオン水中に分散させた１重量％のジルコニア（平均粒径１５０ｎｍ、表面積４０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを５に調整した。
スラリーＧ
脱イオン水中に分散させた１重量％のジルコニア（平均粒径１５０ｎｍ、表面積４０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた１重量％のジルコニア（平均粒径１５０ｎｍ、表面積４０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
スラリーＨ
脱イオン水中に分散させた１重量％のアルファアルミナ（平均粒径１３０ｎｍ、表面積３０〜５０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを４に調整した。
脱イオン水中に分散させた１重量％のアルファアルミナ（平均粒径１３０ｎｍ、表面積３０〜５０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを４に調整した。
スラリーＩ
脱イオン水中に分散させた１重量％のアルファアルミナ（平均粒径１３０ｎｍ、表面積３０〜５０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた１重量％のアルファアルミナ（平均粒径１３０ｎｍ、表面積３０〜５０ｍ２／ｇ）。水酸化カリウムを添加してスラリーのｐＨを１０．５に調整した。
スラリーＪ
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径２５ｎｍ、表面積２００ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径２５ｎｍ、表面積２００ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＫ
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径４０ｎｍ、表面積８０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径４０ｎｍ、表面積８０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＬ
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径４３ｎｍ、表面積１３０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径４３ｎｍ、表面積１３０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＭ
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径２０ｎｍ、表面積２２０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた５重量％のコロイド状シリカ（平均粒径２０ｎｍ、表面積２２０ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＮ
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた０．５重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＯ
脱イオン水中に分散させた１．５重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた１．５重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
スラリーＰ
脱イオン水中に分散させた３．０重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
脱イオン水中に分散させた３．０重量％のジルコニア（平均粒径１０３ｎｍ、表面積６０〜７５ｍ２／ｇ）。硝酸を添加してスラリーのｐＨを２．５に調整した。
ＩＴＯウエハの表面粗さを研磨の前及び研磨の後に測定した。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって平均表面粗さ値（Ｒａ、ｎｍ）を決定した。第１表は、それぞれのウエハについて、中央部及び端部の平均表面粗さ値（Ｒａ）と研磨後に観察された粗さの改良％を示したものである。
第１表において、研磨前の粗さと研磨後の粗さの差を研磨前の粗さで割り、これに１００を掛けることによって表面粗さの改良を決定した。第１表の結果は、酸化ジルコニウム（ジルコニア）又はコロイド状シリカを含みかつ１５０ｎｍ以下の平均粒径を有する本発明の組成物は、試験に供したその他の組成物と比較して顕著でありかつ予想外に大きな表面粗さの改良をもたらしたということを示している。このことは、研磨後の平均表面粗さが０．１８５〜０．２４３の範囲であり、８０％以上の改良を呈示した組成物Ｎ、Ｏ及びＰから特に明白であった。
また、組成物Ｊで研磨を行ったＩＴＯウエハの光透過率を３種類の波長：７００ｎｍ（赤）、５３０ｎｍ（緑）及び４６５ｎｍ（青）で評価した。７００ｎｍにおける透過率は、８３．１％（研磨前）から８５．６％（研磨後）に変化した。同様に、４６５ｎｍにおける透過率は、８６％（研磨前）から８９．８％（研磨後）に変化した。緑の光透過率は同じままであった（研磨前で８３．１％、研磨後で８２．２％）。
Claims (6)
- インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、下記の工程：
（ａ）前記ＩＴＯの表面に、研磨パッド及び、３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に分散せしめられた、１５０ｎｍ以下の粒径及び４０〜２２０ｍ２／ｇの表面積をもった粒状酸化ジルコニウムの研磨材を含んでなる水性ＣＭＰ組成物を接触させること、及び
（ｂ）前記ＣＭＰ組成物の一部と前記研磨パッドと基材の間のＩＴＯ表面との接触を、前記表面から前記ＩＴＯの少なくとも一部を研磨するのに十分な時間にわたって継続する一方で、前記研磨パッドと前記ＩＴＯ表面との間で相対運動を引き起こすこと
を含んでなるＣＭＰ方法。 - 前記研磨材が０．１〜１０重量％の範囲の量で前記組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
- インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、下記の工程：
（ａ）前記ＩＴＯの表面に、研磨パッド及び、３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に分散せしめられた、１５０ｎｍ以下の粒径及び４０〜７５ｍ２／ｇの表面積をもった粒状酸化ジルコニウムの研磨材を含んでなる水性ＣＭＰ組成物を接触させること、及び
（ｂ）前記ＣＭＰ組成物の一部と前記研磨パッドと基材の間のＩＴＯ表面との接触を、前記表面から前記ＩＴＯの少なくとも一部を研磨するのに十分な時間にわたって継続する一方で、前記研磨パッドと前記ＩＴＯ表面との間で相対運動を引き起こすこと
を含んでなるＣＭＰ方法。 - 前記研磨材が０．１〜１０重量％の範囲の量で前記組成物中に存在する、請求項３に記載のＣＭＰ方法。
- インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の表面を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、下記の工程：
（ａ）前記ＩＴＯの表面に、研磨パッド及び、３以下のｐＨを有する水性キャリヤ中に分散せしめられた、２０〜１４０ｎｍの粒径及び８０〜２２０ｍ２／ｇの範囲の表面積をもった粒状コロイド状シリカ研磨材を含んでなる水性ＣＭＰ組成物を接触させること、及び
（ｂ）前記ＣＭＰ組成物の一部と前記パッドと基材の間のＩＴＯ表面との接触を、前記表面から前記ＩＴＯの少なくとも一部を研磨するのに十分な時間にわたって継続する一方で、前記研磨パッドと前記ＩＴＯ表面との間で相対運動を引き起こすこと
を含んでなるＣＭＰ方法。 - 前記研磨材が０．１〜１０重量％の範囲の量で前記組成物中に存在する、請求項５に記載のＣＭＰ方法。
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