JP5430662B2 - 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 - Google Patents
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Description
チャンバーと、
前記チャンバー内に位置している第1電極と、
前記チャンバー内に前記第1電極と所定間隔を隔てて位置している第2電極とを備え、
該第2電極は、前記第1電極と前記第2電極との間の空間に第1原料ガスを供給する第1供給部と、前記空間に第2原料ガスを供給する複数の第2供給部と、前記第1供給部に接続されて前記第1原料ガスが導入される第1供給経路と、前記第2供給部に接続されて前記第2原料ガスが導入される第2供給経路とを有する堆積膜形成装置であって、
前記第2供給経路は、前記第2原料ガスが導入される第1導入口を有する本流部と、該本流部から前記第2原料ガスが導入される第2導入口を有した複数のガス流路を有する支流部とを備えており、
該支流部の複数の前記ガス流路のそれぞれには複数の前記第2供給部が接続されており、
前記本流部および前記支流部は、前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造を有している堆積膜形成装置であって、
前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しないように、前記第2原料ガスの前記本流部から前記支流部へのガス流の向きを変える整流部材が前記本流部内に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の他の一形態に係る堆積膜形成装置は、
チャンバーと、
前記チャンバー内に位置している第1電極と、
前記チャンバー内に前記第1電極と所定間隔を隔てて位置している第2電極とを備え、
該第2電極は、前記第1電極と前記第2電極との間の空間に第1原料ガスを供給する第1供給部と、前記空間に第2原料ガスを供給する複数の第2供給部と、前記第1供給部に接続されて前記第1原料ガスが導入される第1供給経路と、前記第2供給部に接続されて前記第2原料ガスが導入される第2供給経路とを有し、
前記第2供給経路は、前記第2原料ガスが導入される第1導入口を有する本流部と、該本流部から前記第2原料ガスが導入される第2導入口を有した複数のガス流路を有する支流部とを備えており、
該支流部の複数の前記ガス流路のそれぞれには複数の前記第2供給部が接続されており、
前記本流部および前記支流部は、前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造を有している堆積膜形成装置であって、
前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しないように、前記第1導入口は、前記支流部の前記複数のガス流路の内、最も外側に位置するガス流路よりもさらに外側に設けられていて、前記第1導入口および前記第2導入口が前記本流部における同一面側に配置されていることを特徴とする。
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスを供給してプラズマを発生させて、前記基材の上に堆積膜を形成することを特徴とする。
図1に示すように、堆積膜形成装置S1は、チャンバー1と、チャンバー1内に位置する第1電極7と、チャンバー1内に第1電極7と所定間隔を隔てて位置しており、シャワー電極として機能する第2電極2とを有する。また、堆積膜が形成される基材10が第1電極7と第2電極2との間に配置されている。なお、基材10は、第1電極7と第2電極2との間に位置させるようにすればよく、基材10が第1電極7で保持される態様に限定されない。
1) SiH4+SiH2→Si2H6
2) Si2H6+SiH2→Si3H8
・・・以下、同様なSiH2挿入反応が続く・・・
といった、SiH2挿入反応によって高分子重合体が生成していく反応である。
本実施形態の堆積膜の形成方法は、上述の堆積膜形成装置を用いて、第1電極7と第2電極2との間に配置した基材10の上に堆積膜を形成する方法であり、第1電極7と第2電極2との間に、第1原料ガスおよび第2原料ガスを供給してプラズマを発生させて、基材10の上に堆積膜を形成することを特徴とする。
2 :第2電極
3 :第1供給経路
4 :第1供給部
5 :第2供給経路
51 :本流部
52 :支流部
53 :第1導入口
54 :第2導入口
55 :導入経路
56 :支流部接続口
57 :整流部材
6 :第2供給部
7 :第1電極
8 :空間
10 :基材
12 :加熱触媒体
Claims (14)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に位置している第1電極と、
前記チャンバー内に前記第1電極と所定間隔を隔てて位置している第2電極とを備え、
該第2電極は、前記第1電極と前記第2電極との間の空間に第1原料ガスを供給する第1供給部と、前記空間に第2原料ガスを供給する複数の第2供給部と、前記第1供給部に接続されて前記第1原料ガスが導入される第1供給経路と、前記第2供給部に接続されて前記第2原料ガスが導入される第2供給経路とを有し、
前記第2供給経路は、前記第2原料ガスが導入される第1導入口を有する本流部と、該本流部から前記第2原料ガスが導入される第2導入口を有した複数のガス流路を有する支流部とを備えており、
該支流部の複数の前記ガス流路のそれぞれには複数の前記第2供給部が接続されており、
前記本流部および前記支流部は、前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造を有している堆積膜形成装置であって、
前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しないように、前記第2原料ガスの前記本流部から前記支流部へのガス流の向きを変える整流部材が前記本流部内に設けられていることを特徴とする堆積膜形成装置。 - チャンバーと、
前記チャンバー内に位置している第1電極と、
前記チャンバー内に前記第1電極と所定間隔を隔てて位置している第2電極とを備え、
該第2電極は、前記第1電極と前記第2電極との間の空間に第1原料ガスを供給する第1供給部と、前記空間に第2原料ガスを供給する複数の第2供給部と、前記第1供給部に接続されて前記第1原料ガスが導入される第1供給経路と、前記第2供給部に接続されて前記第2原料ガスが導入される第2供給経路とを有し、
前記第2供給経路は、前記第2原料ガスが導入される第1導入口を有する本流部と、該本流部から前記第2原料ガスが導入される第2導入口を有した複数のガス流路を有する支流部とを備えており、
該支流部の複数の前記ガス流路のそれぞれには複数の前記第2供給部が接続されており、
前記本流部および前記支流部は、前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造を有している堆積膜形成装置であって、
前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しないように、前記第1導入口は、前記支流部の前記複数のガス流路の内、最も外側に位置するガス流路よりもさらに外側に設けられていて、前記第1導入口および前記第2導入口が前記本流部における同一面側に配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。 - 前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造は、前記支流部の1つのガス流路において、前記第1導入口と前記第2導入口とを結ぶ直線上に、前記1つのガス流路に接続されている前記第2供給部の入口が位置していない構造であることを特徴とする請求項1または2に記載の堆積膜形成装置。
- 前記第2原料ガスが前記第1導入口から前記第2供給部にまで直進流として流入しない構造は、前記本流部の長手方向において、前記第1導入口と前記第2導入口との距離が本流部の断面開口長以上としている構造であることを特徴とする請求項1または2に記載の堆積膜形成装置。
- 前記支流部が複数並んで配置され、複数の該支流部の両端のそれぞれに異なる前記本流部が接続されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記第1供給経路に加熱触媒体が設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記第1供給部は、ホローカソード放電が生じうるように、前記第1供給部の出口において流路断面積が広くなっていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記支流部の前記ガス流路は、前記支流部を平面視したときに、前記本流部の前記第1導入口から離れた前記支流部の前記ガス流路ほど流路断面積が広くなっていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記支流部は、前記第2原料ガスの流速に対する緩衝部となる、前記第2原料ガスが通過する開口を複数有した緩衝空間を備えていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記緩衝空間の前記開口の個数は、前記第2供給部の数よりも少ないことを特徴とする請求項9に記載の堆積膜形成装置。
- 前記緩衝空間の前記開口の断面積は、前記第2供給部の流路断面積よりも小さいことを特徴とする請求項9または10に記載の堆積膜形成装置。
- 前記支流部を平面視したときに、前記緩衝空間の前記開口が前記支流部の両端側よりも中央側に多く設けられていることを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 前記支流部を平面視したときに、前記ガス流路の開口断面積が前記支流部の中央に位置しているガス流路に向かうに従って広くなっていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の堆積膜形成装置。
- 請求項1乃至13のいずれかに記載の堆積膜形成装置を用いて、前記第1電極と前記第2電極との間に配置した基材の上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスを供給してプラズマを発生させて、前記基材の上に堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
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