JP5426647B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
いる。ESC14は、例えば、アルミニウムからなり、ESC14の上面にはアルミナ等のセラミック等が溶射されて溶射皮膜(図示しない)が形成される。該溶射皮膜内には、直流電源15が電気的に接続されている静電電極板16が配される。
比較的低い周波数の高周波電力をサセプタ13に供給する。これにより、サセプタ13は、後述するシャワーヘッド24及び該サセプタ13の間の空間である処理空間Sに高周波電力を供給する下部電極として機能する。また、下部整合器20は、下部高周波電源19の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。
られる。この冷媒室21には、チラーユニット(図示しない)から冷媒用配管22を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン(登録商標)が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ支持台12はESC14を介してウエハWを冷却する。
スは、例えば、アルゴンガスが該当する。
まず、基板処理装置10においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、アーキングの発生は確認されなかった。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、電荷分布は同心円分布となり、円周方向に関して電荷の偏在の発生は確認されなかった。
まず、図7の電極構造体70を備える基板処理装置(以下、「従来の基板処理装置」という。)においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置においてアーキングの発生を確認した。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置において電荷の偏在の発生を確認した。
W ウエハ
10 基板処理装置
11 チャンバ
13 サセプタ
14 ESC
19 下部高周波電源
24 シャワーヘッド
34 中央バッファ室
35 周縁バッファ室
38,40 クランプ
39 中央ガス供給系
41 周縁ガス供給系
Claims (5)
- 円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する第1の電極と、前記載置された基板に対向するように配置され、多数の貫通ガス穴を有し、その内部に空間を有するシャワーヘッドとなる第2の電極とを備えた基板処理装置において、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記シャワーヘッドの前記空間の中心に形成された中央バッファ室と、
前記シャワーヘッド内の前記空間を前記シャワーヘッドの径方向に関して区画する複数の環状隔壁部と、
前記中央バッファ室の径方向に前記環状隔壁部により区画して順次形成された環状の空間からなる2つ以上の環状バッファ室と、
前記中央バッファ室及び前記2つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続され、各バッファ室に処理ガス及び付加ガスを供給するパイプと、
前記パイプを経由する前記処理ガスの分流量を調整する分流量調整装置と、を有し、
前記中央バッファ室に接続されたパイプ及び前記2つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続されたパイプは、少なくとも2つに分岐して、各バッファ室の円周上において均等間隔に各接続部を介して接続されており、
前記各バッファ室の2つの前記接続部は、それぞれ前記シャワーヘッドの中心に対称的に配置されると共に、一の接続部が、隣接する他の接続部から、前記シャワーヘッドの中心を中心とする回転角度においてそれぞれ等しい角度だけずれるように配置されており、
前記処理ガス及び前記付加ガスの混合ガスが前記シャワーヘッドの中心に関して対称的、且つ均一に前記収容室内へ供給されて前記収容室内の処理空間に発生する電界の分布を均一にすることを特徴とする基板処理装置。 - 前記シャワーヘッドは、前記収容室内の処理空間側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体はそれぞれ導電性材料からなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記冷却板は内部に配置された冷却室及び該冷却室に冷媒を導入する少なくとも2つの冷媒導入部を有し、前記冷媒導入部は前記シャワーヘッドの中心に関して対称的に配置されていることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極に接続し、高周波電力を供給する高周波電源をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記2つ以上の環状バッファ室は、2つであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
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