JP5426647B2

JP5426647B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP5426647B2
Application number: JP2011272198A
Authority: JP
Inventors: 達也半田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2011-12-13
Filing date: 2011-12-13
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2027-03-12
Also published as: JP2012074733A

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、高周波電源及び処理ガスを供給するガス供給装置に接続されたシャワーヘッドを備える基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing equipment, in particular, it relates to a substrate processing apparatus comprising a shower head connected a gas supply device for supplying a high frequency power supply and the processing gas.

基板としてのウエハＷにプラズマ処理、例えば、エッチング処理を施す基板処理装置６０として、図６に示す、ウエハＷを収容するチャンバ６１と、該チャンバ６１内に配置されてウエハＷを載置する載置台６２と、該載置台６２に対向して配置され、チャンバ６１内に処理ガスを導入する円板状のシャワーヘッド６３とを備えるものが知られている。この基板処理装置６０では、載置台６２及びシャワーヘッド６３のそれぞれに高周波電源６４，６５が接続されており、これらは電極としても機能する。そして、載置台６２及びシャワーヘッド６３がチャンバ６１内に高周波電力を供給して電界を発生させる。該電界は処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマがウエハＷにプラズマ処理を施す。 As a substrate processing apparatus 60 that performs plasma processing, for example, etching processing, on a wafer W serving as a substrate, a chamber 61 that accommodates the wafer W and a substrate that is placed in the chamber 61 and places the wafer W thereon as shown in FIG. There is known a mounting table 62 and a disk-shaped shower head 63 that is disposed so as to face the mounting table 62 and introduces a processing gas into the chamber 61. In the substrate processing apparatus 60, high-frequency power sources 64 and 65 are connected to the mounting table 62 and the shower head 63, respectively, and these also function as electrodes. The mounting table 62 and the shower head 63 supply high frequency power into the chamber 61 to generate an electric field. The electric field generates plasma from the processing gas, and the plasma performs plasma processing on the wafer W.

ところで、ウエハＷへ均一にプラズマ処理を施すためにはウエハＷ上のプラズマ密度の分布を均一にする必要があるが、プラズマ密度の分布を均一にするためには、電界の分布を均一にする必要がある。そこで、例えば、基板処理装置６０のように、高周波電源６５に接続され、且つシャワーヘッド６３へ該シャワーヘッド６３の中心に関して対称に接続される分岐導波体（給電筒）６６を設け、これにより、電界の分布を均一にする基板処理装置６０が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。 By the way, in order to uniformly perform the plasma processing on the wafer W, it is necessary to make the plasma density distribution on the wafer W uniform. To make the plasma density distribution uniform, the electric field distribution is made uniform. There is a need. Therefore, for example, as in the substrate processing apparatus 60, a branching waveguide body (feed tube) 66 that is connected to the high frequency power supply 65 and is connected to the shower head 63 symmetrically with respect to the center of the shower head 63 is provided. A substrate processing apparatus 60 for making the electric field distribution uniform has been developed (see, for example, Patent Document 1).

また、プラズマ密度の分布はシャワーヘッドから導入される処理ガスの分布にも左右される。そこで、図７に示すように、基板処理装置の電極構造体７０において、シャワーヘッド７１内に２つに区切られたバッファ室７２ａ，７２ｂを設け、各バッファ室７２ａ，７２ｂに処理ガスを供給するガス供給装置（図示しない）を個別のガス供給系７３ａ，７３ｂを介して接続し、各ガス供給系７３ａ，７３ｂにおける処理ガスの流量を制御することが知られている。この電極構造体７０では各バッファ室７２ａ，７２ｂがウエハを収容するチャンバ内と連通し、バッファ室７２ａ，７２ｂ内へ供給される処理ガスの流量を制御することによってシャワーヘッド７１がチャンバ内へ導入する処理ガスの分布を制御している。 The plasma density distribution also depends on the distribution of the processing gas introduced from the showerhead. Therefore, as shown in FIG. 7, in the electrode structure 70 of the substrate processing apparatus, the shower chamber 71 is provided with two buffer chambers 72a and 72b, and a processing gas is supplied to each of the buffer chambers 72a and 72b. It is known to connect a gas supply device (not shown) via individual gas supply systems 73a and 73b to control the flow rate of the processing gas in each of the gas supply systems 73a and 73b. In this electrode structure 70, each of the buffer chambers 72a and 72b communicates with the inside of the chamber containing the wafer, and the shower head 71 is introduced into the chamber by controlling the flow rate of the processing gas supplied into the buffer chambers 72a and 72b. The distribution of the processing gas is controlled.

なお、電極構造体７０では、各ガス供給系７３ａ，７３ｂ及び各バッファ室７２ａ，７２ｂの接続部７４ａ，７４ｂは、シャワーヘッド７１の中心に関する同一角度上、すなわち、同一半径方向上に配置されている。 In the electrode structure 70, the gas supply systems 73a and 73b and the connection portions 74a and 74b of the buffer chambers 72a and 72b are arranged on the same angle with respect to the center of the shower head 71, that is, on the same radial direction. Yes.

特開平８−３２５７５９号公報JP-A-8-325759

しかしながら、上述した図７の電極構造体７０を用いてウエハＷにエッチング処理を施した際、ウエハＷにおいて微少な異常放電（アーキング）が発生することがあった。具体的には、アーキングが、接続部７４ａ，７４ｂが配置される位置とシャワーヘッド７１の中心に関して対称の位置において発生した。アーキングはウエハＷ上に形成される半導体デバイスの配線や絶縁膜を破壊することがあるため、アーキングの発生を防止する必要がある。 However, when the wafer W is etched using the electrode structure 70 of FIG. 7 described above, a slight abnormal discharge (arcing) may occur in the wafer W. Specifically, arcing occurred at a position symmetrical with respect to the position where the connecting portions 74 a and 74 b are arranged and the center of the shower head 71. Since arcing may destroy the wiring and insulating film of the semiconductor device formed on the wafer W, it is necessary to prevent the arcing from occurring.

本発明の目的は、基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing equipment which can prevent the occurrence of abnormal discharge on substrate.

上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する第１の電極と、前記載置された基板に対向するように配置され、多数の貫通ガス穴を有し、その内部に空間を有するシャワーヘッドとなる第２の電極とを備えた基板処理装置において、前記第１の電極と前記第２の電極の間に高周波電力を供給する高周波電源と、前記シャワーヘッドの前記空間の中心に形成された中央バッファ室と、前記シャワーヘッド内の前記空間を前記シャワーヘッドの径方向に関して区画する複数の環状隔壁部と、前記中央バッファ室の径方向に前記環状隔壁部により区画して順次形成された環状の空間からなる２つ以上の環状バッファ室と、前記中央バッファ室及び前記２つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続され、各バッファ室に処理ガス及び付加ガスを供給するパイプと、前記パイプを経由する前記処理ガスの分流量を調整する分流量調整装置と、を有し、前記中央バッファ室に接続されたパイプ及び前記２つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続されたパイプは、少なくとも２つに分岐して、各バッファ室の円周上において均等間隔に各接続部を介して接続されており、前記各バッファ室の２つの前記接続部は、それぞれ前記シャワーヘッドの中心に対称的に配置されると共に、一の接続部が、隣接する他の接続部から、前記シャワーヘッドの中心を中心とする回転角度においてそれぞれ等しい角度だけずれるように配置されており、前記処理ガス及び前記付加ガスの混合ガスが前記シャワーヘッドの中心に関して対称的、且つ均一に前記収容室内へ供給されて前記収容室内の処理空間に発生する電界の分布を均一にすることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to claim 1 includes a storage chamber for storing a disk-shaped substrate, a first electrode disposed in the storage chamber and mounting the substrate, In the substrate processing apparatus provided with the 2nd electrode used as a shower head which is arranged so as to oppose the indicated substrate, has many penetration gas holes, and has a space in the inside, the first electrode wherein the high frequency power source for supplying high frequency power between the second electrode and the central buffer chamber in which is formed at the center of the space of the shower head, the radial direction of the space the shower head in the shower head and a plurality of annular partition walls for partitioning respect, said central buffer chamber of the radially annular partition wall two or more annular buffer chamber consisting of an annular space, which are sequentially formed by partitioning by, and before Symbol central buffer chamber 2 above More are connected to the annular buffer chamber, and Rupa type to supply processing gas and additional gas in the buffer chamber, before diversion amount adjusting device for the adjustment a flow rate of the process gas passing through the Kipa type If it has the central buffer chamber connected pipes and the two or more annular buffer chamber respectively connected to been pipes is branched into at least two, on the circumference of each buffer chamber are connected via the respective connecting portions to equally spaced, said two of said connecting portions of each buffer chamber, while being centered on the symmetry arranged in each of the shower head, the one connection portion, adjacent They are arranged so as to be shifted from each other by an equal angle at the rotation angle around the center of the shower head from the other connection part, and the mixed gas of the processing gas and the additional gas is in the shower head. Symmetrical, and uniformly supplied to the accommodating chamber, characterized in that a uniform distribution of the electric field generated in the processing space of the housing chamber with respect.

請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記シャワーヘッドは、前記収容室内の処理空間側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体はそれぞれ導電性材料からなることを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the shower head includes a ceiling electrode plate, a cooling plate, and an upper electrode body that are sequentially stacked from the processing space side in the accommodation chamber. The ceiling electrode plate, the cooling plate, and the upper electrode body are each made of a conductive material .

請求項３記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理装置において、前記冷却板は内部に配置された冷却室及び該冷却室に冷媒を導入する少なくとも２つの冷媒導入部を有し、前記冷媒導入部は前記シャワーヘッドの中心に関して対称的に配置されていることを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the cooling plate has a cooling chamber disposed therein and at least two refrigerant introduction portions for introducing a refrigerant into the cooling chamber, The refrigerant introduction part is arranged symmetrically with respect to the center of the shower head .

請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記第１の電極に接続し、高周波電力を供給する高周波電源をさらに備えることを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, before SL connected to the first electrode, further comprising a high frequency power supply for supplying high-frequency power Features.

請求項５記載の基板処理装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記２つ以上の環状バッファ室は、２つであることを特徴とする。 The substrate processing apparatus 請 Motomeko 5 wherein, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein two or more annular buffer chamber features two der Rukoto.

本発明によれば、基板処理装置が、シャワーヘッドの中心に形成された空間からなる中央バッファ室と、その周縁部に順次形成された２つ以上の環状バッファ室とを有し、中央バッファ室に接続されたパイプ及び２つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続されたパイプは、それぞれ当該バッファ室の円周上において均等間隔に少なくとも２つに分岐して接続されている。また、前記パイプにおける分岐された接続部は、それぞれシャワーヘッドの中心に関して対称的に配置されると共に、前記パイプにおける分岐された複数の接続部からなる全ての接続部に関し、一の接続部が、隣接する他の接続部から、シャワーヘッドの中心を中心とする回転角度においてそれぞれ等しい角度だけずれるように配置されている。これによって、処理ガス及び付加ガスの混合ガスをシャワーヘッドの中心に関して対称的且つ均一に収容室内へ供給して収容室内の処理空間に発生する電界の分布を均一にすることができ、もって、基板上における異常放電を防止することができる。 According to the present invention, the substrate processing apparatus has a central buffer chamber composed of a space formed at the center of the shower head, and two or more annular buffer chambers formed sequentially at the peripheral edge thereof, and the central buffer chamber connected pipes and two or more respective connected pipe in the annular buffer chamber is connected by branches to at least two equally spacing in each on the circumference of the buffer chamber. Further, the branched connection parts in the pipe are arranged symmetrically with respect to the center of the shower head, respectively, and all the connection parts consisting of a plurality of branched connection parts in the pipe, one connection part is It arrange | positions so that it may mutually shift | deviate by an equal angle in the rotation angle centering on the center of a shower head from other adjacent connection parts. As a result, the mixed gas of the processing gas and the additional gas can be supplied to the storage chamber symmetrically and uniformly with respect to the center of the shower head, and the distribution of the electric field generated in the processing space in the storage chamber can be made uniform. Abnormal discharge on the top can be prevented.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。 First, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハにプラズマ処理としてエッチング処理を施すように構成されている。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. This substrate processing apparatus is configured to perform an etching process as a plasma process on a semiconductor wafer as a substrate.

図１において、基板処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍｍである円板状の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを収容するチャンバ１１（収容室）を有し、該チャンバ１１内の底面には円柱状のサセプタ支持台１２が配置され、該サセプタ支持台１２上には円柱状のサセプタ１３（載置台）が配置されている。 In FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 11 (accommodating chamber) that accommodates, for example, a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W having a diameter of 300 mm. A columnar susceptor support 12 is disposed on the bottom surface of the inside, and a columnar susceptor 13 (mounting table) is disposed on the susceptor support 12.

サセプタ１３の上には、ＥＳＣ（Electrostatic Chuck）１４（載置台）が配置されて
いる。ＥＳＣ１４は、例えば、アルミニウムからなり、ＥＳＣ１４の上面にはアルミナ等のセラミック等が溶射されて溶射皮膜（図示しない）が形成される。該溶射皮膜内には、直流電源１５が電気的に接続されている静電電極板１６が配される。 An ESC (Electrostatic Chuck) 14 (mounting table) is disposed on the susceptor 13. The ESC 14 is made of, for example, aluminum. A ceramic coating such as alumina is thermally sprayed on the upper surface of the ESC 14 to form a sprayed coating (not shown). An electrostatic electrode plate 16 to which a DC power source 15 is electrically connected is disposed in the thermal spray coating.

チャンバ１１内に収容されたウエハＷは、ＥＳＣ１４の上面（以下、「載置面」という。）に載置される。静電電極板１６に直流電源１５から正の高直流電圧が印加されると、載置面と接触するウエハＷの接触面には負電位が発生して静電電極板１６及びウエハＷの接触面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハＷはＥＳＣ１４の載置面に吸着保持される。 The wafer W accommodated in the chamber 11 is placed on the upper surface (hereinafter referred to as “mounting surface”) of the ESC 14. When a positive high DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate 16 from the DC power supply 15, a negative potential is generated on the contact surface of the wafer W in contact with the mounting surface, and the electrostatic electrode plate 16 and the wafer W are in contact with each other. A potential difference is generated between the surfaces, and the wafer W is attracted and held on the mounting surface of the ESC 14 by the Coulomb force or the Johnson-Rahbek force resulting from the potential difference.

ＥＳＣ１４の載置面には、複数の伝熱ガス供給孔１７が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔１７は、伝熱ガス供給ライン１８を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウム（Ｈｅ）ガスを、伝熱ガス供給孔１７を介してウエハＷの接触面及び載置面の間に供給する。ウエハＷの接触面及び載置面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱をＥＳＣ１４に効果的に伝達する。 A plurality of heat transfer gas supply holes 17 are opened on the mounting surface of the ESC 14. The plurality of heat transfer gas supply holes 17 are connected to a heat transfer gas supply unit (not shown) via a heat transfer gas supply line 18, and the heat transfer gas supply unit is helium (He) gas as the heat transfer gas. Is supplied between the contact surface and the mounting surface of the wafer W through the heat transfer gas supply hole 17. The helium gas supplied to the gap between the contact surface and the mounting surface of the wafer W effectively transfers the heat of the wafer W to the ESC 14.

サセプタ１３は、例えば、アルミニウム合金からなり、サセプタ１３には下部高周波電源１９が下部整合器（Matcher）２０を介して接続されており、該下部高周波電源１９は
比較的低い周波数の高周波電力をサセプタ１３に供給する。これにより、サセプタ１３は、後述するシャワーヘッド２４及び該サセプタ１３の間の空間である処理空間Ｓに高周波電力を供給する下部電極として機能する。また、下部整合器２０は、下部高周波電源１９の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。 The susceptor 13 is made of, for example, an aluminum alloy, and a lower high-frequency power source 19 is connected to the susceptor 13 via a lower matcher 20, and the lower high-frequency power source 19 receives high-frequency power having a relatively low frequency. 13 is supplied. Accordingly, the susceptor 13 functions as a lower electrode that supplies high-frequency power to a processing space S that is a space between a shower head 24 described later and the susceptor 13. The lower matching unit 20 matches the internal impedance of the lower high-frequency power source 19 with the load impedance.

サセプタ支持台１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２１が設け
られる。この冷媒室２１には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２２を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ支持台１２はＥＳＣ１４を介してウエハＷを冷却する。 Inside the susceptor support 12, for example, an annular refrigerant chamber 21 extending in the circumferential direction is provided. A low-temperature refrigerant, for example, cooling water or Galden (registered trademark) is circulated and supplied to the refrigerant chamber 21 through a refrigerant pipe 22 from a chiller unit (not shown). The susceptor support 12 cooled by the low-temperature refrigerant cools the wafer W via the ESC 14.

また、ＥＳＣ１４上には円環状のフォーカスリング２３が配される。フォーカスリング２３は、導電性材料、例えば、シリコンからなり、ＥＳＣ１４の載置面に吸着保持されたウエハＷの周りを囲う。また、フォーカスリング２３は、処理空間Ｓに発生したプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、エッチング処理の効率を向上させる。 An annular focus ring 23 is disposed on the ESC 14. The focus ring 23 is made of a conductive material, for example, silicon, and surrounds the wafer W that is sucked and held on the mounting surface of the ESC 14. The focus ring 23 converges the plasma generated in the processing space S toward the surface of the wafer W, thereby improving the efficiency of the etching process.

チャンバ１１の天井部には、ＥＳＣ１４に載置されたウエハＷと対向するように円板状のシャワーヘッド２４（電極構造体）が配置されている。該シャワーヘッド２４は、処理空間Ｓ側から順に積層された、天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７（上部電極体）を有する。上部電極支持体２７には給電筒２８及び上部整合器２９を介して上部高周波電源３０が接続されている。該上部高周波電源３０は上部電極支持体２７に比較的高い周波数の高周波電力を供給する。天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７は導電性材料、例えば、アルミニウム合金からなるため、上部電極支持体２７に供給された高周波電力は冷却板２６及び天井電極板２５を介して処理空間Ｓに供給される。すなわち、シャワーヘッド２４は処理空間Ｓに高周波電力を供給する上部電極として機能する。なお、上部整合器２９の機能は上述した下部整合器２０と同じである。 A disc-shaped shower head 24 (electrode structure) is disposed on the ceiling portion of the chamber 11 so as to face the wafer W placed on the ESC 14. The shower head 24 includes a ceiling electrode plate 25, a cooling plate 26, and an upper electrode support body 27 (upper electrode body) which are sequentially stacked from the processing space S side. An upper high-frequency power source 30 is connected to the upper electrode support 27 via a power supply tube 28 and an upper matching unit 29. The upper high frequency power supply 30 supplies high frequency power having a relatively high frequency to the upper electrode support 27. Since the ceiling electrode plate 25, the cooling plate 26, and the upper electrode support 27 are made of a conductive material, for example, an aluminum alloy, the high-frequency power supplied to the upper electrode support 27 passes through the cooling plate 26 and the ceiling electrode plate 25. It is supplied to the processing space S. That is, the shower head 24 functions as an upper electrode that supplies high-frequency power to the processing space S. The function of the upper matching unit 29 is the same as that of the lower matching unit 20 described above.

なお、シャワーヘッド２４の外周部は円環状の誘電体部材３１で覆われており、該誘電体部材３１はシャワーヘッド２４をチャンバ１１の壁部から絶縁する。また、給電筒２８の外側は、筐体状の接地導電性部材３２で覆われており、接地導電性部材３２の上面中央部において給電筒２８が貫通している。接地導電性部材３２及び給電筒２８の間には絶縁性部材３３が介在する。 The outer periphery of the shower head 24 is covered with an annular dielectric member 31, and the dielectric member 31 insulates the shower head 24 from the wall portion of the chamber 11. Further, the outside of the power supply tube 28 is covered with a casing-like ground conductive member 32, and the power supply tube 28 penetrates in the center of the upper surface of the ground conductive member 32. An insulating member 33 is interposed between the ground conductive member 32 and the power supply tube 28.

また、シャワーヘッド２４において、冷却板２６は、該シャワーヘッド２４の中心（以下、「シャワーヘッド中心」という。）を中心とする円板状の空間からなる中央バッファ室３４と、該中央バッファ室３４と同心の円環状の空間からなる周縁バッファ室３５とを内部に有し、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５は円環状隔壁部材、例えば、Ｏリング３７によって区画されている。さらに、冷却板２６及び天井電極板２５は、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５を処理空間Ｓと連通させる多数の貫通ガス穴３６を有する。 In the shower head 24, the cooling plate 26 includes a central buffer chamber 34 formed of a disk-shaped space centered on the center of the shower head 24 (hereinafter referred to as “shower head center”), and the central buffer chamber. The central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35 are partitioned by an annular partition member, for example, an O-ring 37. Further, the cooling plate 26 and the ceiling electrode plate 25 have a large number of through gas holes 36 that allow the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35 to communicate with the processing space S.

また、シャワーヘッド２４では上部電極支持体２７に導電性材料、例えば、アルミニウムからなる複数のクランプ３８，４０（接続部）が配置されている。具体的には、２つのクランプ３８が中央バッファ室３４に対応する位置に配置され、２つのクランプ４０が周縁バッファ室３５に対応する位置に配置されている。２つのクランプ３８は２つに分岐したパイプからなる中央ガス供給系３９と接続され、２つのクランプ４０は２つに分岐したパイプからなる周縁ガス供給系４１と接続されている。なお、中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１においてそれぞれクランプ３８，４０に接続される部分、具体的には、接地導電性部材３２の内部に存在する部分は、絶縁性材料、具体的には、樹脂からなる。 In the shower head 24, a plurality of clamps 38 and 40 (connection portions) made of a conductive material, for example, aluminum are disposed on the upper electrode support 27. Specifically, two clamps 38 are disposed at positions corresponding to the central buffer chamber 34, and two clamps 40 are disposed at positions corresponding to the peripheral buffer chamber 35. The two clamps 38 are connected to a central gas supply system 39 composed of two branched pipes, and the two clamps 40 are connected to a peripheral gas supply system 41 composed of two branched pipes. In the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41, the portions connected to the clamps 38 and 40, specifically, the portions existing inside the ground conductive member 32 are insulating materials, specifically Is made of resin.

中央バッファ室３４は２つのクランプ３８を介して中央ガス供給系３９と連通し、周縁バッファ室３５は２つのクランプ４０を介して周縁ガス供給系４１と連通している。なお、中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１は、処理ガス及び付加ガスの混合ガスの中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１のそれぞれへの流量を調整する分流量調整装置４２に接続されている。該分流量調整装置４２は、処理ガスを供給する処理ガス供給装置及び付加ガスを供給する付加ガス供給装置（ともに図示しない）に接続されている。なお、本実施の形態における処理ガスは、例えば、ＣＦ系のガスや酸素ガスが該当し、付加ガ
スは、例えば、アルゴンガスが該当する。 The central buffer chamber 34 communicates with the central gas supply system 39 via two clamps 38, and the peripheral buffer chamber 35 communicates with the peripheral gas supply system 41 via two clamps 40. The central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 are connected to a partial flow rate adjusting device 42 that adjusts the flow rates of the mixed gas of the processing gas and the additional gas to the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41, respectively. Has been. The partial flow rate adjusting device 42 is connected to a processing gas supply device that supplies a processing gas and an additional gas supply device that supplies additional gas (both not shown). Note that the processing gas in the present embodiment corresponds to, for example, a CF-based gas or an oxygen gas, and the additional gas corresponds to, for example, an argon gas.

シャワーヘッド２４では、分流量調整装置４２から中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１を介して処理ガスを含む混合ガスが中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５に導入され、該導入された混合ガスは多数の貫通ガス穴３６を介して処理空間Ｓに導入される。したがって、シャワーヘッド２４はガス導入装置として機能する。また、シャワーヘッド２４では、冷却板２６内に冷媒室（図示しない）が設けられ、該冷媒室内には後述する冷媒導入部４３ａ，４３ｂから導入された冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が供給される。冷却板２６は、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５内に導入された混合ガスを冷媒室の冷媒によって冷却する。 In the shower head 24, a mixed gas containing a processing gas is introduced into the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35 through the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 from the partial flow rate adjusting device 42, and the introduced mixing is performed. The gas is introduced into the processing space S through a large number of through gas holes 36. Therefore, the shower head 24 functions as a gas introduction device. Further, in the shower head 24, a cooling chamber (not shown) is provided in the cooling plate 26, and a cooling medium such as cooling water or Galden (registered trademark) introduced from cooling medium introducing portions 43a and 43b described later is provided in the cooling chamber. ) Is supplied. The cooling plate 26 cools the mixed gas introduced into the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35 with the refrigerant in the refrigerant chamber.

本実施の形態では、周縁バッファ室３５に対応する貫通ガス穴３６から導入される混合ガスは、載置面に載置されたウエハＷの周縁部に向けて分布し、中央バッファ室３４に対応する貫通ガス穴３６から導入される混合ガスは、載置面に載置されたウエハＷの中央部に向けて分布する。なお、分流量調整装置４２が中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１のそれぞれへ分配する混合ガスの流量を調整することにより、ウエハＷ上の混合ガスの密度分布を調整することができる。 In the present embodiment, the mixed gas introduced from the through gas hole 36 corresponding to the peripheral buffer chamber 35 is distributed toward the peripheral edge of the wafer W placed on the placement surface, and corresponds to the central buffer chamber 34. The mixed gas introduced from the through gas hole 36 is distributed toward the center of the wafer W placed on the placement surface. Note that the density distribution of the mixed gas on the wafer W can be adjusted by adjusting the flow rate of the mixed gas distributed to the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 by the partial flow rate adjusting device 42.

図２は、図１におけるシャワーヘッド、クランプ、中央ガス供給系及び周縁ガス供給系の位置関係を概略的に示す平面図である。 FIG. 2 is a plan view schematically showing the positional relationship among the shower head, clamp, central gas supply system, and peripheral gas supply system in FIG.

図２において、中央バッファ室３４に対応する２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には１８０°±３°毎に配置されている。一方、中央バッファ室３４はシャワーヘッド中心を中心とする円板状の空間からなる。したがって、中央バッファ室３４において、混合ガスはシャワーヘッド中心を中心として対称的に導入される。その結果、中央バッファ室３４内へ混合ガスを均等に供給することができる。 In FIG. 2, the two clamps 38 corresponding to the central buffer chamber 34 are arranged at equal intervals on the circumference centered on the center of the shower head, specifically, every 180 ° ± 3 °. On the other hand, the central buffer chamber 34 is composed of a disk-shaped space centering on the center of the shower head. Therefore, in the central buffer chamber 34, the mixed gas is introduced symmetrically around the center of the shower head. As a result, the mixed gas can be evenly supplied into the central buffer chamber 34.

また、周縁バッファ室３５に対応する２つのクランプ４０も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には１８０°±３°毎に配置されており、周縁バッファ室３５はシャワーヘッド中心を中心とする円環状の空間からなる。したがって、周縁バッファ室３５においても、混合ガスはシャワーヘッド中心を中心として対称的に導入される。その結果、周縁バッファ室３５内へ混合ガスを均等に供給することができる。 The two clamps 40 corresponding to the peripheral buffer chamber 35 are also arranged at equal intervals on the circumference centered on the center of the shower head, specifically, every 180 ° ± 3 °. It consists of an annular space centered around the center of the shower head. Therefore, also in the peripheral buffer chamber 35, the mixed gas is introduced symmetrically around the center of the shower head. As a result, the mixed gas can be uniformly supplied into the peripheral buffer chamber 35.

さらに、シャワーヘッド２４では、クランプ３８，４０の合計数は４であり、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプ３８，４０は、回転角度で３６０°／４±３°毎に配置されている。具体的には、隣接するクランプ３８，４０の間における、シャワーヘッド中心を中心とする回転角度は９０°±３°である。これにより、混合ガスを、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５を介して処理空間Ｓへ対称的に導入することができる。したがって、処理空間Ｓへ導入される混合ガスの分布をより均一にすることができる。 Further, in the shower head 24, the total number of the clamps 38 and 40 is 4, and in the rotating system centering on the center of the shower head, the clamps 38 and 40 are arranged every 360 ° / 4 ± 3 ° in rotation angle. ing. Specifically, the rotation angle about the center of the shower head between the adjacent clamps 38 and 40 is 90 ° ± 3 °. Thereby, the mixed gas can be symmetrically introduced into the processing space S via the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35. Therefore, the distribution of the mixed gas introduced into the processing space S can be made more uniform.

なお、シャワーヘッド２４では、クランプ３８，４０や中央ガス供給系３９、周縁ガス供給系４１を避けるように、冷媒導入部４３ａ，４３ｂ、並びに、測温センサであるＰＴセンサ４４が配置されている。 In the shower head 24, refrigerant introducing portions 43a and 43b and a PT sensor 44 as a temperature measuring sensor are arranged so as to avoid the clamps 38 and 40, the central gas supply system 39, and the peripheral gas supply system 41. .

図１に戻り、基板処理装置１０では、サセプタ１３にはハイパスフィルタ４５が電気的に接続され、該ハイパスフィルタ４５は上部高周波電源３０からの高周波電力をグランドに通電する。また、シャワーヘッド２４にはローパスフィルタ４６が電気的に接続され、該ローパスフィルタ４６は下部高周波電源１９からの高周波電力をグランドに通電する。 Returning to FIG. 1, in the substrate processing apparatus 10, a high-pass filter 45 is electrically connected to the susceptor 13, and the high-pass filter 45 supplies high-frequency power from the upper high-frequency power supply 30 to the ground. Further, a low-pass filter 46 is electrically connected to the shower head 24, and the low-pass filter 46 supplies high-frequency power from the lower high-frequency power source 19 to the ground.

また、基板処理装置１０では、チャンバ１１の内側壁とＥＳＣ１４（サセプタ１３）の側面とによって、ＥＳＣ１４上方のガスをチャンバ１１の外へ排出する流路が形成され、該流路の途中には排気プレート４７が配置される。該排気プレート４７は多数の孔を有する板状部材であり、処理空間Ｓにおいて発生するプラズマを捕捉又は反射してプラズマの漏洩を防止する。 In the substrate processing apparatus 10, a flow path for discharging the gas above the ESC 14 to the outside of the chamber 11 is formed by the inner wall of the chamber 11 and the side surface of the ESC 14 (susceptor 13). A plate 47 is arranged. The exhaust plate 47 is a plate-like member having a large number of holes, and captures or reflects plasma generated in the processing space S to prevent plasma leakage.

この基板処理装置１０では、処理空間Ｓにシャワーヘッド２４から混合ガスが導入されてサセプタ１３及びシャワーヘッド２４から高周波電力が供給されると、処理空間Ｓにおいて高周波電界が発生し、混合ガス中の処理ガスが励起されてプラズマとなる。該プラズマはウエハＷにエッチング処理を施す。 In the substrate processing apparatus 10, when a mixed gas is introduced into the processing space S from the shower head 24 and high frequency power is supplied from the susceptor 13 and the shower head 24, a high frequency electric field is generated in the processing space S, The processing gas is excited to become plasma. The plasma etches the wafer W.

なお、上述した基板処理装置１０の各構成部品の動作は、基板処理装置１０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵがエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。 The operation of each component of the substrate processing apparatus 10 described above is controlled by a CPU of a control unit (not shown) provided in the substrate processing apparatus 10 according to a program corresponding to the etching process.

本実施の形態に係る基板処理装置１０によれば、中央バッファ室３４に関し、中央ガス供給系３９と接続される２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔に配置される。また、周縁バッファ室３５に関し、周縁ガス供給系４１と接続される２つのクランプ４０は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔に配置される。これにより、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５内へ処理ガスを均等に供給することができ、もって、中央バッファ室３４及び周縁バッファ室３５を介して処理空間Ｓへ導入される処理ガスの分布を均一にすることができる。また、高周波電力を処理空間Ｓに供給するシャワーヘッド２４の構造をシャワーヘッド中心に関して対称的にすることができ、もって、処理空間Ｓに発生する電界の分布を均一にすることができる。その結果、ウエハＷ上に発生するプラズマ密度の分布を均一にすることができ、もって、ウエハＷ上におけるアーキングの発生を防止することができる。 According to the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, with respect to the central buffer chamber 34, the two clamps 38 connected to the central gas supply system 39 are arranged at equal intervals on the circumference around the center of the shower head. Is done. Further, with respect to the peripheral buffer chamber 35, the two clamps 40 connected to the peripheral gas supply system 41 are arranged at equal intervals on a circumference centered on the center of the shower head. As a result, the processing gas can be uniformly supplied into the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35, and thus the distribution of the processing gas introduced into the processing space S through the central buffer chamber 34 and the peripheral buffer chamber 35. Can be made uniform. Further, the structure of the shower head 24 that supplies high-frequency power to the processing space S can be made symmetrical with respect to the center of the shower head, so that the distribution of the electric field generated in the processing space S can be made uniform. As a result, the distribution of the plasma density generated on the wafer W can be made uniform, thereby preventing the occurrence of arcing on the wafer W.

上述した基板処理装置１０では、合計数が４つのクランプ３８，４０に関し、各クランプ３８，４０は、シャワーヘッド中心を中心とする回転角度で９０°ｎ±３°毎に配置される。したがって、処理空間Ｓへ導入される処理ガスの分布をより均一にすることができる。また、シャワーヘッド２４の構造をシャワーヘッド中心に関してより対称的にすることができる。 In the substrate processing apparatus 10 described above, regarding the clamps 38 and 40 having a total number of four, the clamps 38 and 40 are arranged every 90 ° n ± 3 ° at a rotation angle about the center of the shower head. Therefore, the distribution of the processing gas introduced into the processing space S can be made more uniform. Further, the structure of the shower head 24 can be made more symmetrical with respect to the center of the shower head.

また、上述した基板処理装置１０では、４つのクランプ３８，４０が、上部高周波電源３０と接続される上部電極支持体２７に配置されるので、高周波電力が供給される上部電極支持体２７及び４つのクランプ３８，４０がなす構造を対称的にすることができ、もって、処理空間Ｓに発生する電界の分布を確実に均一にすることができる。 In the substrate processing apparatus 10 described above, since the four clamps 38 and 40 are disposed on the upper electrode support 27 connected to the upper high frequency power supply 30, the upper electrode supports 27 and 4 to which high frequency power is supplied. The structure formed by the two clamps 38 and 40 can be made symmetrical, so that the distribution of the electric field generated in the processing space S can be made uniform.

さらに、上述した基板処理装置１０では、中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１はそれぞれクランプ３８，４０に接続される部分が樹脂からなるので、上部電極支持体２７に供給される高周波電力がクランプ３８，４０を介して中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１に伝わることがない。したがって、中央ガス供給系３９及び周縁ガス供給系４１は処理空間Ｓにおける電界の分布に影響を与えることが無く、もって、処理空間Ｓに発生する電界の分布をより確実に均一にすることができる。 Furthermore, in the substrate processing apparatus 10 described above, the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 are made of resin at the portions connected to the clamps 38 and 40, respectively, so that the high frequency power supplied to the upper electrode support 27 is There is no transmission to the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 via the clamps 38 and 40. Therefore, the central gas supply system 39 and the peripheral gas supply system 41 do not affect the distribution of the electric field in the processing space S, so that the distribution of the electric field generated in the processing space S can be made more surely uniform. .

上述した実施の形態では、２つのクランプが各バッファ室に対応して上部電極支持体２７に配置されたが、各バッファ室に対応して配置されるクランプの数は２つに限られず、例えば、３つ以上であってもよい。この場合、各バッファ室に対応するＮ個のクランプは、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、具体的には、３６０°／Ｎ毎に配置される。 In the embodiment described above, two clamps are arranged on the upper electrode support 27 corresponding to each buffer chamber. However, the number of clamps arranged corresponding to each buffer chamber is not limited to two. For example, Three or more may be sufficient. In this case, N clamps corresponding to each buffer chamber are arranged at equal intervals on the circumference centering on the center of the shower head, specifically, every 360 ° / N.

また、シャワーヘッド２４が有するバッファ室の数も２つに限られず、１つ又は３つ以上であってもよい。この場合においても、上部電極支持体２７に配置されるクランプの合計数をｎ個とすると、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプは、回転角度で３６０°／ｎ±３°毎に配置される。例えば、図３に示すように、シャワーヘッド２４が３つのバッファ室を有し、上部電極支持体２７において各バッファ室に対応して配置されるクランプの数が２つである場合には、クランプの合計数は６であり、シャワーヘッド中心を中心とする回転系において各クランプは、回転角度で６０°±３°毎に配置される。 Further, the number of buffer chambers included in the shower head 24 is not limited to two, and may be one or three or more. Even in this case, assuming that the total number of clamps arranged on the upper electrode support 27 is n, in the rotation system centering on the center of the shower head, each clamp is rotated every 360 ° / n ± 3 °. Be placed. For example, as shown in FIG. 3, when the shower head 24 has three buffer chambers and the number of clamps arranged corresponding to each buffer chamber in the upper electrode support 27 is two, the clamps The total number of the clamps is 6, and in the rotary system centering on the center of the shower head, each clamp is arranged every 60 ° ± 3 ° in rotation angle.

また、上述した実施の形態では、冷媒導入部４３ａ，４３ｂはシャワーヘッド中心に関して対称に配置されていないが、上部電極支持体２７において２つの冷媒導入部をシャワーヘッド中心に関して対称、具体的には、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において均等間隔、例えば、１８０°±３°毎に配置してもよい。これにより、シャワーヘッド２４の構造をシャワーヘッド中心に関してさらに対称的にすることができ、処理空間Ｓに発生する電界の分布を確実に均一にすることができる。また、その他、上部電極支持体２７に配置される複数の構成要素は可能な限り、シャワーヘッド中心に関して対称的に配置するのがよい。 In the above-described embodiment, the refrigerant introduction portions 43a and 43b are not arranged symmetrically with respect to the shower head center. However, in the upper electrode support 27, the two refrigerant introduction portions are symmetrical with respect to the shower head center. Further, they may be arranged at regular intervals, for example, every 180 ° ± 3 ° on the circumference around the center of the shower head. Thereby, the structure of the shower head 24 can be further symmetric with respect to the center of the shower head, and the distribution of the electric field generated in the processing space S can be surely made uniform. In addition, it is preferable to arrange the plurality of constituent elements arranged on the upper electrode support 27 symmetrically with respect to the center of the shower head as much as possible.

なお、上述した実施の形態において、クランプ等の配置の位置公差として±３°が設定されているが、一般的な機械加工の公差も±３°であるため、上述したクランプ等の配置を実現するために、特別な公差管理は不要であり、もって、シャワーヘッド２４の製造コストの上昇を防止することができる。 In the above-described embodiment, ± 3 ° is set as the positional tolerance of the arrangement of clamps, etc. However, since the tolerance of general machining is also ± 3 °, the above-described arrangement of clamps, etc. is realized. Therefore, no special tolerance management is required, and thus the manufacturing cost of the shower head 24 can be prevented from increasing.

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。 Next, examples of the present invention will be specifically described.

実施例
まず、基板処理装置１０においてウエハＷにエッチング処理を施した際、ウエハＷにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、アーキングの発生は確認されなかった。また、ウエハＷの表面における電荷分布を観測したところ、電荷分布は同心円分布となり、円周方向に関して電荷の偏在の発生は確認されなかった。 Example First, when etching was performed on the wafer W in the substrate processing apparatus 10, the occurrence of arcing in the wafer W was observed. As a result, the occurrence of arcing was not confirmed. Further, when the charge distribution on the surface of the wafer W was observed, the charge distribution was a concentric distribution, and the occurrence of uneven distribution of charge in the circumferential direction was not confirmed.

また、基板処理装置１０においてウエハＷの酸化膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図４（Ｂ）のグラフに示した。さらに、基板処理装置１０においてウエハＷのフォトレジスト膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図５（Ｂ）のグラフに示した。 Also, the substrate processing apparatus 10 performed an etching process on the oxide film of the wafer W, observed the distribution of the etch rate at this time, and the observation result is shown in the graph of FIG. Further, the photoresist film on the wafer W was etched in the substrate processing apparatus 10, the distribution of the etch rate at this time was observed, and the observation result is shown in the graph of FIG.

比較例
まず、図７の電極構造体７０を備える基板処理装置（以下、「従来の基板処理装置」という。）においてウエハＷにエッチング処理を施した際、ウエハＷにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、接続部７４ａ，７４ｂが配置される位置とシャワーヘッド７１の中心に関して対称の位置においてアーキングの発生を確認した。また、ウエハＷの表面における電荷分布を観測したところ、接続部７４ａ，７４ｂが配置される位置とシャワーヘッド７１の中心に関して対称の位置において電荷の偏在の発生を確認した。 Comparative Example First, when etching is performed on the wafer W in a substrate processing apparatus (hereinafter referred to as “conventional substrate processing apparatus”) including the electrode structure 70 of FIG. As a result, the occurrence of arcing was confirmed at a position symmetrical with respect to the position where the connecting portions 74 a and 74 b are arranged and the center of the shower head 71. Further, when the charge distribution on the surface of the wafer W was observed, the occurrence of uneven distribution of charges was confirmed at a position symmetrical with respect to the position where the connecting portions 74 a and 74 b are arranged and the center of the shower head 71.

また、従来の基板処理装置においてウエハＷの酸化膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図４（Ａ）のグラフに示した。さらに、従来の基板処理装置においてウエハＷのフォトレジスト膜にエッチング処理を施し、このときのエッチレートの分布を観測し、該観測結果を図５（Ａ）のグラフに示した。 Further, an etching process was performed on the oxide film of the wafer W in a conventional substrate processing apparatus, the distribution of the etch rate at this time was observed, and the observation result is shown in the graph of FIG. Further, the photoresist film on the wafer W was etched in a conventional substrate processing apparatus, the distribution of the etch rate at this time was observed, and the observation result is shown in the graph of FIG.

実施例と比較例とを比較すると、比較例ではアーキングが発生し、電荷の偏在も発生した一方、実施例ではアーキングが発生せず、電荷の偏在も発生しなかったことから、実施例では、処理空間Ｓへ導入される処理ガスの分布が均一となり、且つ処理空間Ｓに発生した電界の分布も均一になった結果、ウエハＷ上に発生したプラズマ密度の分布が均一になったことが分かった。 When comparing the example and the comparative example, arcing occurred in the comparative example and uneven distribution of the charge occurred, while arcing did not occur in the example and uneven distribution of the charge did not occur. As a result of the uniform distribution of the processing gas introduced into the processing space S and the uniform distribution of the electric field generated in the processing space S, it is understood that the distribution of the plasma density generated on the wafer W is uniform. It was.

また、図４（Ａ）のグラフ及び図４（Ｂ）のグラフを比較し、さらに、図５（Ａ）のグラフ及び図５（Ｂ）のグラフを比較した結果、酸化膜のエッチング処理、及びフォトレジスト膜のエッチング処理のいずれにおいても、実施例におけるエッチレートの分布のばらつきが、比較例におけるエッチレートの分布のばらつきよりも小さいことが分かった。ここからも、実施例では、ウエハＷ上に発生したプラズマ密度の分布が均一になったことが分かった。 Further, the graph of FIG. 4A and the graph of FIG. 4B are compared, and the graph of FIG. 5A and the graph of FIG. In any of the photoresist film etching processes, it was found that the variation in the etch rate distribution in the example was smaller than the variation in the etch rate distribution in the comparative example. Also from this, it was found that in the example, the distribution of the plasma density generated on the wafer W became uniform.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図１におけるシャワーヘッド、クランプ、中央ガス供給系及び周縁ガス供給系の位置関係を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly the positional relationship of the shower head in FIG. 1, a clamp, a center gas supply system, and a peripheral gas supply system. 本実施の形態に係る電極構造体の変形例の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly the structure of the modification of the electrode structure which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る基板処理装置及び従来の基板処理装置を用いてウエハの酸化膜にエッチング処理を施した場合におけるエッチレートの分布を示すグラフであり、図４（Ａ）は従来の基板処理装置を用いたときを示し、図４（Ｂ）は本実施の形態に係る基板処理装置を用いたときを示す。FIG. 4A is a graph showing a distribution of an etch rate when an etching process is performed on an oxide film of a wafer using the substrate processing apparatus according to the present embodiment and the conventional substrate processing apparatus, and FIG. FIG. 4B shows the time when the substrate processing apparatus according to this embodiment is used. 本実施の形態に係る基板処理装置及び従来の基板処理装置を用いてウエハのフォトレジスト膜にエッチング処理を施した場合におけるエッチレートの分布を示すグラフであり、図５（Ａ）は従来の基板処理装置を用いたときを示し、図５（Ｂ）は本実施の形態に係る基板処理装置を用いたときを示す。FIG. 5A is a graph showing the distribution of the etching rate when the photoresist film of the wafer is etched using the substrate processing apparatus according to the present embodiment and the conventional substrate processing apparatus, and FIG. FIG. 5B shows the case where the substrate processing apparatus according to this embodiment is used. 従来の基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional substrate processing apparatus roughly. 従来の電極構造体の構成を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the conventional electrode structure roughly.

Ｓ処理空間
Ｗウエハ
１０基板処理装置
１１チャンバ
１３サセプタ
１４ＥＳＣ
１９下部高周波電源
２４シャワーヘッド
３４中央バッファ室
３５周縁バッファ室
３８，４０クランプ
３９中央ガス供給系
４１周縁ガス供給系 S processing space W wafer 10 substrate processing apparatus 11 chamber 13 susceptor 14 ESC
19 Lower high frequency power supply 24 Shower head 34 Central buffer chamber 35 Peripheral buffer chamber 38, 40 Clamp 39 Central gas supply system 41 Peripheral gas supply system

Claims

円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する第１の電極と、前記載置された基板に対向するように配置され、多数の貫通ガス穴を有し、その内部に空間を有するシャワーヘッドとなる第２の電極とを備えた基板処理装置において、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記シャワーヘッドの前記空間の中心に形成された中央バッファ室と、
前記シャワーヘッド内の前記空間を前記シャワーヘッドの径方向に関して区画する複数の環状隔壁部と、
前記中央バッファ室の径方向に前記環状隔壁部により区画して順次形成された環状の空間からなる２つ以上の環状バッファ室と、
前記中央バッファ室及び前記２つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続され、各バッファ室に処理ガス及び付加ガスを供給するパイプと、
前記パイプを経由する前記処理ガスの分流量を調整する分流量調整装置と、を有し、
前記中央バッファ室に接続されたパイプ及び前記２つ以上の環状バッファ室にそれぞれ接続されたパイプは、少なくとも２つに分岐して、各バッファ室の円周上において均等間隔に各接続部を介して接続されており、
前記各バッファ室の２つの前記接続部は、それぞれ前記シャワーヘッドの中心に対称的に配置されると共に、一の接続部が、隣接する他の接続部から、前記シャワーヘッドの中心を中心とする回転角度においてそれぞれ等しい角度だけずれるように配置されており、
前記処理ガス及び前記付加ガスの混合ガスが前記シャワーヘッドの中心に関して対称的、且つ均一に前記収容室内へ供給されて前記収容室内の処理空間に発生する電界の分布を均一にすることを特徴とする基板処理装置。 A storage chamber for storing a disk-shaped substrate, a first electrode disposed in the storage chamber and mounting the substrate, and a plurality of through-gas holes disposed to face the previously-described substrate And a second electrode serving as a shower head having a space inside the substrate processing apparatus,
A high frequency power source for supplying high frequency power between the first electrode and the second electrode;
A central buffer chamber in which is formed at the center of the space of the shower head,
A plurality of annular partition walls for partitioning the space in the shower head with respect to the radial direction of the shower head;
And two or more annular buffer chamber consisting of the central buffer chamber the radially annular bulkhead annular space are sequentially formed by sectioning the portion of,
They are connected before Symbol central buffer chamber and the two or more annular buffer chamber, and Rupa type to supply processing gas and additional gas in the buffer chamber,
Before comprises a diverter amount adjusting device for the adjustment a flow rate of the process gas passing through the Kipa type, a,
The central buffer chamber connected pipes and the two or more circular buffers chamber pipes respectively connected is branched into at least two, each of the connection portions to the equal intervals on the circumference of each buffer chamber Connected through
Two of the connecting portions of the respective buffer chambers, while being centered on the symmetry arranged in each of the shower head, the one connecting part, the other connecting portion adjacent the center of the center of the showerhead Are arranged so as to deviate by an equal angle at each rotation angle,
The mixed gas of the processing gas and the additional gas is supplied to the storage chamber symmetrically and uniformly with respect to the center of the shower head , and the distribution of the electric field generated in the processing space in the storage chamber is made uniform. Substrate processing apparatus.

前記シャワーヘッドは、前記収容室内の処理空間側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体はそれぞれ導電性材料からなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 The shower head includes a ceiling electrode plate, a cooling plate, and an upper electrode body, which are stacked in order from the processing space side in the accommodation chamber, and the ceiling electrode plate, the cooling plate, and the upper electrode body are each made of a conductive material. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein

前記冷却板は内部に配置された冷却室及び該冷却室に冷媒を導入する少なくとも２つの冷媒導入部を有し、前記冷媒導入部は前記シャワーヘッドの中心に関して対称的に配置されていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 The cooling plate has a cooling chamber disposed therein and at least two refrigerant introduction portions for introducing refrigerant into the cooling chamber, and the refrigerant introduction portion is disposed symmetrically with respect to the center of the shower head. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein:

前記第１の電極に接続し、高周波電力を供給する高周波電源をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。 Before SL connected to the first electrode, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a high frequency power source for supplying high-frequency power.

前記２つ以上の環状バッファ室は、２つであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The two or more circular buffer chamber, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in two der Rukoto.